本發(fā)明構思的實施例涉及一種能夠減少顏色偏差/變化并且提高顯示質(zhì)量的顯示面板及其制造方法。

背景技術：

顯示設備使用發(fā)光的像素來顯示圖像。有機發(fā)光顯示設備包括具有有機發(fā)光二極管(oled)的像素。oled發(fā)射具有取決于oled中所包括的有機材料的波長的光。例如，oled包括與紅光、綠光和/或藍光中的一種光相對應的有機材料。有機發(fā)光顯示設備通過混合由不同oled的有機材料發(fā)射出的光來顯示圖像。

對應于紅光、綠光和藍光的各有機材料中的每一種有機材料都具有與其它有機材料不同的成分，并且有機材料中的每一種有機材料都具有與其它有機材料不同的發(fā)光效率，使得可能會存在由于相應顏色之間的驅動電壓偏差/變化而導致的顯示質(zhì)量劣化的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構思的一個或多個實施例提供一種能夠提高顯示質(zhì)量的顯示面板。

本發(fā)明構思的一個或多個實施例還提供一種制造該顯示面板的方法。

根據(jù)本發(fā)明構思的實施例，一種顯示面板，包括：基底基板；有源圖案，在基底基板上，并且包括第一晶體管的第一有源區(qū)域和第二晶體管的第二有源區(qū)域；柵極圖案，在基底基板上，并且包括與第一有源區(qū)域重疊的第一柵電極和與第二有源區(qū)域重疊的第二柵電極；絕緣層，覆蓋柵極圖案；第一導電圖案，被布置在絕緣層上，并且通過穿過絕緣層而形成的第一接觸孔電連接到第一柵電極；以及第二導電圖案，通過穿過絕緣層而形成的第二接觸孔電連接到第二柵電極，其中第一接觸孔和第二接觸孔中的每一個接觸孔與第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域中的每一個有源區(qū)域重疊、部分重疊或不重疊，并且其中第一有源區(qū)域與第一接觸孔重疊處的第一重疊區(qū)域不同于第二有源區(qū)域與第二接觸孔重疊處的第二重疊區(qū)域。

顯示面板可進一步包括：第一發(fā)光結構以及第二發(fā)光結構；第一發(fā)光結構電連接到第一晶體管并且被配置為發(fā)射第一顏色光；第二發(fā)光結構電連接到第二晶體管并且被配置為發(fā)射第二顏色光。

第一接觸孔與第一有源區(qū)域之間的第一距離可以不同于第二接觸孔與第二有源區(qū)域之間的第二距離。

第一接觸孔可包括至少一個第一子接觸孔，第二接觸孔可包括至少一個第二子接觸孔，并且至少一個第一子接觸孔的數(shù)量可不同于至少一個第二子接觸孔的數(shù)量。

第一接觸孔的尺寸可不同于第二接觸孔的尺寸。

顯示面板可進一步包括：第三導電圖案，通過穿過絕緣層而形成的第三接觸孔電連接到第三晶體管的第三柵電極，其中有源圖案進一步包括：第三晶體管的第三有源區(qū)域，其中柵極圖案進一步包括：第三晶體管的第三柵電極，其中第三接觸孔與第三有源區(qū)域重疊、部分重疊或不重疊，并且其中第一重疊區(qū)域、第二重疊區(qū)域和第三有源區(qū)域與第三接觸孔重疊處的第三重疊區(qū)域彼此不同。

顯示面板可進一步包括：第一發(fā)光結構、第二發(fā)光結構以及第三發(fā)光結構；第一發(fā)光結構電連接到第一晶體管并且被配置為發(fā)射第一顏色光；第二發(fā)光結構電連接到第二晶體管并被配置為發(fā)射第二顏色光；第三發(fā)光結構電連接到第三晶體管并且被配置為發(fā)射第三顏色光。

第一顏色光可以是紅光，第二顏色光可以是綠光，并且第三顏色光可以是藍光。

第二接觸孔與第二有源區(qū)域之間的第二距離可大于第一接觸孔與第一有源區(qū)域之間的第一距離，并且第三接觸孔與第三有源區(qū)域之間的第三距離可大于第一距離。

第一接觸孔可包括至少一個第一子接觸孔，第二接觸孔可包括至少一個第二子接觸孔，第三接觸孔可包括至少一個第三子接觸孔，并且至少一個第二子接觸孔可大于至少一個第一子接觸孔的數(shù)量，至少一個第一子接觸孔的數(shù)量可大于至少一個第三子接觸孔的數(shù)量。

第二接觸孔的尺寸可大于第一接觸孔的尺寸，第一接觸孔的尺寸可大于第三接觸孔的尺寸。

第二重疊區(qū)域可大于第一重疊區(qū)域，并且第一重疊區(qū)域可大于第三重疊區(qū)域。

第一接觸孔可與第一有源區(qū)域重疊，并且第二接觸孔可不與第二有源區(qū)域重疊。

顯示面板可進一步包括：數(shù)據(jù)線，在基底基板上，與第一導電圖案和第二導電圖案處于同一層。

顯示面板可進一步包括：存儲電極線，與第一柵電極和第二柵電極重疊，并且限定與第一接觸孔和第二接觸孔相對應的開口。

根據(jù)本發(fā)明構思的實施例，一種制造顯示面板的方法，包括：在基底基板上形成包括第一柵電極和第一有源區(qū)域的第一晶體管；在基底基板上形成包括第二柵電極和第二有源區(qū)域的第二晶體管；在第一柵電極和第二柵電極上形成絕緣層；形成穿過絕緣層而暴露第一柵電極的第一接觸孔；形成穿過絕緣層而暴露第二柵電極的第二接觸孔；形成穿過第一接觸孔電連接到第一柵電極的第一導電圖案；形成穿過第二接觸孔電連接到第二柵電極的第二導電圖案；形成電連接到第一晶體管并且被配置為發(fā)射第一顏色光的第一發(fā)光結構，以及形成電連接到第二晶體管并且被配置為發(fā)射第二顏色光的第二發(fā)光結構，其中第一有源區(qū)域與第一接觸孔重疊處的第一重疊區(qū)域不同于第二有源區(qū)域與第二接觸孔重疊處的第二重疊區(qū)域。

第一接觸孔的尺寸可不同于第二接觸孔的尺寸，或者第一接觸孔相對于第一有源區(qū)域的相對位置可不同于第二接觸孔相對于第二有源區(qū)域的相對位置。

第一接觸孔可包括至少一個第一子接觸孔，第二接觸孔可包括至少一個第二子接觸孔，并且至少一個第一子接觸孔的第一數(shù)量可不同于至少一個第二子接觸孔的第二數(shù)量。

該方法可進一步包括：形成包括第三柵電極和第三有源區(qū)域的第三晶體管；形成穿過絕緣層暴露第三柵電極的第三接觸孔；以及形成電連接到第三晶體管并且被配置為發(fā)射第三顏色光的第三發(fā)光結構，并且第二重疊區(qū)域可大于第一重疊區(qū)域，第一重疊區(qū)域又可大于第三有源區(qū)域與第三接觸孔重疊處的第三重疊區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明構思的實施例，一種顯示面板，包括：發(fā)射不同顏色光的第一子像素和第二子像素，其中第一子像素包括第一晶體管，第一晶體管包括第一柵電極，其中第二子像素包括第二晶體管，第二晶體管包括第二柵電極，其中第一晶體管的尺寸與第二晶體管的尺寸大致相同，并且其中暴露第一晶體管中的第一柵電極的第一接觸孔的相對位置不同于暴露第二晶體管中的第二柵電極的第二接觸孔的相對位置。

根據(jù)本發(fā)明構思，一種顯示面板，包括：第一子像素，包括第一晶體管；第二子像素，包括第二晶體管；以及第三子像素，包括第三晶體管。第一晶體管至第三晶體管中的每一個晶體管都包括柵電極，并且柵電極可穿過第一接觸孔至第三接觸孔電連接到其它元件。各子像素中的每一個子像素中的第一接觸孔至第三接觸孔的相對位置可設置為彼此不同。因此，即使子像素具有彼此不同的發(fā)光效率，也可以通過設置接觸孔的位置，來使子像素的數(shù)據(jù)電壓范圍的偏差或變化最小化。因此，可減少顯示裝置的顏色偏差或顏色變化，從而可以提高顯示質(zhì)量。

附圖說明

本發(fā)明構思的上述及其它特征將通過參考附圖詳細描述本發(fā)明構思的實施例而變得更加清晰明了，其中：

圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的顯示面板的平面圖；

圖2a是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖；

圖2b是沿圖1的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖2c是沿圖1的線iii-iii'截取的剖視圖；

圖3是圖示圖1的顯示面板的像素的等效電路圖；

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的顯示面板的平面圖；

圖5a是沿圖4的線i-i'截取的剖視圖；

圖5b是沿圖4的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖5c是沿圖4的線iii-iii'截取的剖視圖；

圖6至圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的一些實施例的顯示面板的圍繞第一接觸孔至第三接觸孔的一部分的放大圖；

圖9a和圖9b是圖示根據(jù)接觸孔的位置的薄膜晶體管的dr范圍的圖形和圖表；以及

圖10至圖19c是圖示制造圖1的顯示面板的方法的平面圖和剖視圖。

具體實施方式

通過參考以下實施例的詳細描述以及附圖，可以更容易地理解本發(fā)明構思的特征以及實現(xiàn)其的方法。在下文中，將參考附圖更詳細地描述實施例，其中相同的附圖標記在整個附圖中指相同的元件。但是，本發(fā)明可以以不同的形式來體現(xiàn)，并且不應被解釋為僅限于本文所圖示的實施例。相反，提供這些實施例作為示例，使得本公開徹底且完整，并且將本發(fā)明的方面及特征充分地傳達給本領域技術人員。因此，對于本領域普通技術人員完全理解本發(fā)明的方面及特征而言并非必要的過程、元件和技術可能未被描述。除非另有說明，否則在所有附圖及書面描述中，相同的附圖標記指示相同的元件，并且因此，其描述將不會被重復。在附圖中，為了清楚起見，元件、層和區(qū)域的相對尺寸可能被夸大。

應當理解，盡管術語“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應受這些術語的限制。這些術語被用來將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。

出于易于解釋的目的，在本文中可能使用諸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上面”等空間相對術語來描述如各圖中所圖示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關系。應當理解，除了圖中所描繪的方位之外，空間相對術語旨在包含設備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的設備被翻轉，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件將被定向為在其它元件或特征“上方”。因此，示例術語“下方”和“下面”可包含上方和下方這兩種方位。設備可被另外定向(例如，旋轉90度或者在其它方向)，并且本文所使用的空間相對描述符應被相應地解釋。

應當理解，當元件、層、區(qū)域或部件被稱為在另一元件、層、區(qū)域或部件“上”、“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件、層、區(qū)域或部件時，其可以是直接在另一元件、層、區(qū)域或部件上、可以是直接連接到或聯(lián)接到另一元件、層、區(qū)域或部件，或者可以存在一個或多個中間元件、層、區(qū)域或部件。另外，還應當理解，當元件或層被稱為在兩個元件或層“之間”時，其可以是兩個元件或層之間的唯一元件或層，或者也可以存在一個或多個中間元件或層。

在以下示例中，x軸、y軸和z軸并不限于直角坐標系的三個軸，并且可以在更廣泛的意義上進行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此互不垂直的不同方向。

本文所使用的術語的目的僅在于描述特定的實施例，并且不旨在限制本發(fā)明。除非上下文中明確指示，否則如本文中所使用的單數(shù)形式“一”也旨在包括復數(shù)形式。還應當理解，當在本說明書中使用術語“包含”和“包括”時，表明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。如本文所使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關所列項目的任意組合和所有組合。當諸如“...中的至少一個”之類的表達位于元素列表之后時，其修飾整個元素列表，而不修飾列表的個別要素。

如本文所使用的，術語“大致”、“大約”和類似術語被用作近似的術語而不作為程度的術語，并且旨在解釋本領域的普通技術人員識別出的測量的或計算的值中所固有的偏差。此外，當描述本發(fā)明的實施例時，“可以”的使用指示“本發(fā)明的一個或多個實施例”。如本文所使用的，術語“使用”、“正使用”和“被使用”可以被分別認為是術語“利用”、“正利用”和“被利用”的同義詞。另外，術語“示例性”旨在指示示例或說明。

當某個實施例可以被不同地實現(xiàn)時，可以執(zhí)行與所描述的順序不同的特定的過程順序。例如，兩個連續(xù)描述的過程可以大致同時地執(zhí)行或者以與所描述的順序相反的順序來執(zhí)行。

本文所描述的根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子或電氣的設備和/或任何其他相關設備或部件可利用任何適當?shù)挠布⒐碳?例如專用集成電路)、軟件或軟件、固件和硬件的組合來實現(xiàn)。例如，這些設備的各個部件可以被形成在一個集成電路(ic)芯片或單獨的ic芯片上。此外，這些設備的各個部件可以在柔性印刷電路膜、帶載封裝(tcp)、印刷電路板(pcb)上實現(xiàn)，或者形成在一個基板上。此外，這些設備的各個部件可能是進程或線程，這些進程或線程在一個或多個計算設備中被運行于一個或多個處理器上，用以執(zhí)行計算機程序指令，并且與其他系統(tǒng)部件進行交互以執(zhí)行本文所描述的各種功能。計算機程序指令被存儲在存儲器中，存儲器可以在計算設備中使用諸如隨機存取存儲器(ram)等標準存儲設備來實現(xiàn)。計算機程序指令還可以被存儲在諸如cd-rom、閃存驅動器等其他非易失性的計算機可讀介質(zhì)中。另外，本領域技術人員應當認識到，各種計算設備的功能可以被組合或集成于單個的計算設備中，或者特定計算設備的功能可以被分布在一個或多個其他計算設備中，而不脫離本發(fā)明的實施例的精神和范圍。

除非另有定義，否則本文所使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員通常所理解的含義相同的含義。還應當理解，諸如在常用字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與在相關領域和/或本說明書的語境中的它們的含義相一致的含義，并且除非文中明確定義，否則不應被解釋為理想的或者過于形式化的意義

圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的顯示面板的平面圖。圖2a是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖。圖2b是沿圖1的線ii-ii'截取的剖視圖。圖2c是沿圖1的線iii-iii'截取的剖視圖。

參考圖1至圖2c，顯示面板包括多個單元像素。單元像素中的每一個單元像素包括第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。

顯示面板可包括基底基板100、緩沖層110、有源圖案acta、actb和actc、第一絕緣層120、第一柵極圖案、第二絕緣層130、第二柵極圖案、第三絕緣層140、數(shù)據(jù)圖案、平坦化層150、第一電極el1a、el1b和el1c、像素限定層160、發(fā)光結構170a、170b和170c、第二電極el2、以及密封基板180。

除了第一接觸孔cnt1、第二接觸孔cnt2和第三接觸孔cnt3之外，第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可具有大致相同的結構。因此，在下文中將僅代表性地詳細描述第一子像素sp1。

基底基板100可包括透明絕緣基板。例如，基底基板100可包括玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用于基底基板100的透明樹脂基板的示例可包括聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚醚類樹脂、含磺酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂等。

緩沖層110可位于基底基板100上。緩沖層110可防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底基板100擴散。在基底基板100具有相對不規(guī)則的表面的情況下，緩沖層110可以使基底基板100的表面平坦化，或者可以提高基底基板100的表面的平坦度。緩沖層110可使用硅化合物來形成。例如，緩沖層110可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)等。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。緩沖層110可具有單層結構或多層結構。例如，緩沖層110可具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜或碳氮化硅膜的單層結構。可替代地，緩沖層110可具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜、碳氮化硅膜等中的至少兩種的多層結構。

有源圖案acta可位于緩沖層110上。在一個實施例中，有源圖案acta可包括硅(si)。在另一實施例中，有源圖案acta可包括含有二元化合物(abx)、三元化合物(abxcy)和/或四元化合物(abxcydz)的半導體氧化物。例如，有源圖案acta可包括銦(in)、鋅(zn)、鎵(ga)、錫(sn)、鈦(ti)、鋁(al)、鉿(hf)、鋯(zr)和/或鎂(mg)。

有源圖案acta可包括第一晶體管tr1a的第一有源區(qū)域act1a、第一電極和第二電極，第二晶體管tr2a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極，第三晶體管tr3a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極，第四晶體管tr4a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極，第五晶體管tr5a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極，第六晶體管tr6a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極，以及第七晶體管tr7a的有源區(qū)域、第一電極和第二電極。類似地，有源圖案actb可包括第二晶體管的第二有源區(qū)域act1b，并且有源圖案actc可包括第三晶體管的第三有源區(qū)域act1c。

第一絕緣層120可位于緩沖層110上以覆蓋有源圖案acta。第一絕緣層120可包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，第一絕緣層120可使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。另外，第一絕緣層120可具有包括氧化硅和/或氮化硅的單層結構或多層結構。在實施例中，第一絕緣層120可沿著有源圖案acta的輪廓均勻地形成在緩沖層110上。在此，第一絕緣層120可具有大致小的厚度，使得可以在第一絕緣層120的與有源圖案acta相鄰的部分處形成臺階部分。在一些實施例中，第一絕緣層120可具有相對大的厚度以充分地覆蓋有源圖案acta，使得第一絕緣層120可具有大致水平的表面。

第一柵極圖案可位于第一絕緣層120上。第一柵極圖案可包括金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第一柵極圖案可使用鋁(al)、含鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、含銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、含銅合金、鎳(ni)、含鎳合金、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、含鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、鍶釕氧化物(sro)、氧化鋅(znox)、銦錫氧化物(ito)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鋅(izo)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。在實施例中，第一柵極圖案可以具有可包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜的單層結構或多層結構。

第一柵極圖案可包括數(shù)據(jù)初始化線121、掃描線122、旁路控制線123、發(fā)射控制線124、以及第一晶體管tr1a的第一柵電極ge1a。

數(shù)據(jù)初始化線121可在第一方向d1上延伸?？蓪?shù)據(jù)初始化信號(參考圖3的gi)施加到數(shù)據(jù)初始化線121。數(shù)據(jù)初始化信號可與在當前掃描信號之前一個水平時間的先前掃描信號相同。數(shù)據(jù)初始化線121可電連接到第四晶體管tr4a的柵電極。例如，第四晶體管tr4a的柵電極可以是數(shù)據(jù)初始化線121的一部分。

掃描線122可在第一方向d1上延伸，使得掃描線122平行于數(shù)據(jù)初始化線121。可將(當前)掃描信號(參考圖3的gw)施加到掃描線122。掃描線122可電連接到第二晶體管tr2a的柵電極。例如，第二晶體管tr2a的柵電極可以是掃描線122的一部分。掃描線122可電連接到第三晶體管tr3a的柵電極。例如，第三晶體管tr3a的柵電極可以是掃描線122的一部分。

旁路控制線123可在第一方向d1上延伸，使得旁路控制線123平行于掃描線122?？蓪⒍O管初始化信號(參考圖3的gb)施加到旁路控制線123。旁路控制線123可電連接到第七晶體管tr7a的柵電極。例如，第七晶體管tr7a的柵電極可以是旁路控制線123的一部分。

發(fā)射控制線124可在第一方向d1上延伸，使得發(fā)射控制線124平行于掃描線122?？蓪l(fā)射信號(參考圖3的em)施加到發(fā)射控制線124。發(fā)射控制線124可電連接到第五晶體管tr5a的柵電極。例如，第五晶體管tr5a的柵電極可以是發(fā)射控制線124的一部分。發(fā)射控制線124可電連接到第六晶體管tr6a的柵電極。例如，第六晶體管tr6a的柵電極可以是發(fā)射控制線124的一部分。

第一柵電極ge1a可以是第一晶體管tr1a的柵電極。因此，第一柵電極ge1a可與第一晶體管tr1a的第一有源區(qū)域act1a重疊。

第二絕緣層130可位于在其上設置有第一柵極圖案的第一絕緣層120上。第二絕緣層130可沿著第一柵極圖案的輪廓均勻地形成在第一絕緣層120上。在此，第二絕緣層130可具有大致小的厚度，使得可以在第二絕緣層130的與第一柵極圖案相鄰的部分處形成臺階部分。第二絕緣層130可包括硅化合物。例如，第二絕緣層130可使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。

第二柵極圖案可位于第二絕緣層130上。第二柵極圖案可包括金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第二柵極圖案可使用鋁(al)、含鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、含銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、含銅合金、鎳(ni)、含鎳合金、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、含鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)，鍶釕氧化物(sro)、氧化鋅(znox)、銦錫氧化物(ito)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鋅(izo)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。在實施例中，第二柵極圖案可以具有可包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜的單層結構或多層結構。

第二柵極圖案可包括存儲電極線132和輔助初始化電壓線134。

存儲電極線132可在第一方向d1上延伸。存儲電極線132可與第一柵電極ge1a重疊以形成存儲電容器(參考圖3的cst)。存儲電極線132可具有將第一接觸孔至第三接觸孔cnt1、cnt2和cnt3暴露的開口，這將在后面描述。

輔助初始化電壓線134可在第一方向d1上延伸。因此，輔助初始化電壓線134可平行于存儲電極線132。

第三絕緣層140可位于在其上設置有第二柵極圖案的第二絕緣層130上。第三絕緣層140可具有相對大的厚度以充分地覆蓋第二柵極圖案，使得第三絕緣層140可具有大致水平的表面。在其他實施例中，第三絕緣層140可沿著第二柵極圖案的輪廓均勻地形成在第二絕緣層130上。在此，第三絕緣層140可具有大致小的厚度，使得可在第三絕緣層140的與第二柵極圖案相鄰并且與第二柵極圖案相對應的部分處形成臺階部分。第三絕緣層140可包括硅化合物。例如，第三絕緣層140可使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。

數(shù)據(jù)圖案可位于第三絕緣層140上。數(shù)據(jù)圖案可包括金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，數(shù)據(jù)圖案可使用鋁(al)、含鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、含銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、含銅合金、鎳(ni)、含鎳合金、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、含鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、鍶釕氧化物(sro)、氧化鋅(znox)、銦錫氧化物(ito)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鋅(izo)等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。在實施例中，數(shù)據(jù)圖案可以具有可包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜的單層結構或多層結構。

數(shù)據(jù)圖案可包括數(shù)據(jù)線142a、初始化電壓線144a、驅動電壓線145a、第一連接電極146a、第二連接電極147a、以及第三連接電極148a。

數(shù)據(jù)線142a可在與第一方向d1相交叉的第二方向d2上延伸。第二方向d2可大致垂直于第一方向d1。可將數(shù)據(jù)信號(參考圖3的data)施加到數(shù)據(jù)線142a。

數(shù)據(jù)線142a可通過穿過第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140而形成的或者由第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140所限定的接觸孔被電連接到有源圖案acta。因此，數(shù)據(jù)線142a可電連接到第二晶體管tr2a的第一電極。

初始化電壓線144a可在第二方向d2上延伸。因此，初始化電壓線144a可平行于數(shù)據(jù)線142a?？蓪⒊跏蓟妷?參考圖3的vint)施加到初始化電壓線144a。

初始化電壓線144a可通過穿過第三絕緣層140而形成的接觸孔電連接到輔助初始化電壓線134。另外，輔助初始化電壓線134可通過穿過第三絕緣層140而形成的接觸孔電連接到第三連接電極148a。第三連接電極148a可通過穿過第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140而形成的接觸孔電連接到有源圖案acta。因此，初始化電壓線144a可電連接到第四晶體管tr4a的第一電極。

驅動電壓線145a可在第二方向d2上延伸。因此，驅動電壓線145a可平行于數(shù)據(jù)線142a?？蓪⒌谝浑娫措妷?參考圖3的elvdd)施加到驅動電壓線145a。

驅動電壓線145a可通過穿過第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140而形成的或者由第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140所限定的接觸孔電連接到有源圖案acta。因此，驅動電壓線145a可電連接到第五晶體管tr5a的第一電極。驅動電壓線145a可通過穿過第三絕緣層140而形成的接觸孔電連接到存儲電極線132。因此，驅動電壓線145a可電連接到存儲電容器。

第一連接電極146a可通過穿過第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140而形成的接觸孔電連接到有源圖案acta。第一連接電極146a可通過穿過第二絕緣層130和第三絕緣層140而形成的或者由第二絕緣層130和第三絕緣層140所限定的第一接觸孔cnt1電連接到第一柵電極ge1a。因此，第一連接電極146a可電連接到第一晶體管tr1a的柵電極、第四晶體管tr4a的第二電極、第三晶體管tr3a的第一電極和存儲電容器。

另外，在第一子像素sp1中，第一接觸孔cnt1可被形成為與第一有源圖案act1a的一部分重疊。在第二子像素sp2中，第二接觸孔cnt2可被形成為與第二有源圖案act1b完全重疊。在第三子像素sp3中，第三接觸孔cnt3可被形成為與第三有源圖案act1c不重疊。因此，第二子像素sp2中的第二有源圖案act1b與第二接觸孔cnt2之間的距離小于第一子像素sp1和第三子像素sp3中的對應距離，并且第一子像素sp1中的第一有源圖案act1a與第一接觸孔cnt1之間的距離小于第三子像素sp3中的第三有源圖案act1c與第三接觸孔cnt3之間的距離。

第二連接電極147a可通過穿過第一絕緣層120、第二絕緣層130和第三絕緣層140而形成的或者由第一絕緣層120、第二絕緣層130和第三絕緣層140所限定的接觸孔電連接到第一有源圖案act1a。因此，第二連接電極147a可電連接到第六晶體管tr6a的第二電極，并且電連接到第七晶體管tr7a的第二電極。

平坦化層150可位于在其上設置有數(shù)據(jù)圖案的第三絕緣層140上。平坦化層150可具有單層結構，或者可具有包括至少兩個絕緣膜的多層結構。平坦化層150可使用有機材料來形成。例如，平坦化層150可包括光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用?？商娲兀教够瘜?50可包括無機材料。例如，平坦化層150可使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。

第一電極el1a可位于平坦化層150上。第一電極el1a可通過穿過平坦化層150而形成的或者在平坦化層150中所限定的通孔電連接到第二連接電極147a。根據(jù)顯示裝置的發(fā)射類型，第一電極el1a可包括反射材料或透射材料。例如，第一電極el1a可使用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、含鎳合金、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、鍶釕氧化物、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。在實施例中，第一電極el1a可以具有可包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜的單層結構或多層結構。

像素限定層160可位于在其上設置有第一電極el1a的平坦化層150上。像素限定層160可包括有機材料或無機材料。例如，像素限定層160可使用光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅化合物等來形成。在實施例中，像素限定層160可被部分地蝕刻以形成將第一電極el1a部分地暴露的開口。像素限定層160的開口可限定顯示裝置的發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。例如，顯示裝置的具有像素限定層160的開口的一部分可以是顯示設備的發(fā)光區(qū)域，而顯示裝置的圍繞像素限定層160的開口的另一部分或其余部分可以是顯示設備的非發(fā)光區(qū)域。

發(fā)光結構170a可定位在通過像素限定層160的開口而暴露的第一電極el1a上。發(fā)光結構170a可在像素限定層160的開口的側壁上延伸。發(fā)光結構170a可通過激光誘導熱成像工藝、印刷工藝等來形成。發(fā)光結構170a可包括有機發(fā)光層(el)、空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等。

作為示例，第一子像素sp1中的發(fā)光結構170a的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生紅光的發(fā)光材料來形成，第二子像素sp2中的發(fā)光結構170b的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生綠光的發(fā)光材料來形成，并且第三子像素sp3中的發(fā)光結構170c的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生藍光的發(fā)光材料來形成。

第二電極el2可位于發(fā)光結構170a上并且位于像素限定層160上。根據(jù)顯示設備的發(fā)射類型，第二電極el2可包括透射材料或反射材料。例如，第二電極el2可使用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、含鎳合金、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、鍶釕氧化物、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等來形成。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。在實施例中，第二電極el2a也可以具有可包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜的單層結構或多層結構。

密封基板180可位于第二電極el2上。密封基板180可包括透明材料，并且可被配置為減少或防止環(huán)境空氣和水分滲透到透明有機發(fā)光顯示裝置中。密封基板180可與基底基板100組合以通過密封劑將基底基板100與密封基板180之間的空間密封?？梢栽诨谆?00與密封基板180之間的空間內(nèi)填充干燥劑或填充劑。

在一些實施例中，可以在第二電極el2上形成薄的密封膜而不是密封基板180，以保護第二電極el2和發(fā)光結構免受環(huán)境空氣和水分的影響。密封膜可具有在其中由諸如氧化硅或氮化硅等無機材料形成的層和諸如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺等的另一層交替堆疊的結構。然而，其他實施例不限于此，并且密封膜的結構可以是透明薄膜形式的任何密封結構。

圖3是圖示圖1的顯示面板的像素的等效電路圖。

參考圖1至圖3，顯示面板的第一子像素至第三子像素sp1、sp2和sp3中的每一個子像素都可對應于大致相似的等效電路圖。因此，下面將僅描述一個像素。

像素可包括oled、第一晶體管tr1、第二晶體管tr2、第三晶體管tr3、存儲電容器cst、第四晶體管tr4、第五晶體管tr5、第六晶體管tr6、第七晶體管tr7、以及二極管并聯(lián)電容器cel。二極管并聯(lián)電容器cel可以是寄生電容器或寄生電容。

oled可基于驅動電流id來發(fā)光。oled可包括第一電極和第二電極。在一個實施例中，可將第二電源電壓elvss施加到oled的第二電極。在一個實施例中，oled的第一電極可以是陽極電極，并且oled的第二電極可以是陰極電極。在另一實施例中，oled的第一電極可以是陰極電極，并且oled的第二電極可以是陽極電極。

第一晶體管tr1可包括柵電極、第一電極和第二電極。在一個實施例中，第一晶體管tr1的第一電極可以是源電極，并且第一晶體管tr1的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第一晶體管tr1的第一電極可以是漏電極，并且第一晶體管tr1的第二電極可以是源電極。

第一晶體管tr1可產(chǎn)生驅動電流id。在一個實施例中，第一晶體管tr1可工作在飽和區(qū)中。在這種情況下，第一晶體管tr1可基于第一晶體管tr1的柵電極與第一晶體管tr1的源電極之間的電壓差來產(chǎn)生或供應驅動電流id?；叶瓤膳c提供到oled的驅動電流id相對應。在另一實施例中，第一晶體管tr1可工作在線性區(qū)中。在這種情況下，灰度可與在其中驅動電流id提供到oled的時間長度相對應。

第二晶體管tr2可包括柵電極、第一電極和第二電極?？蓪呙栊盘?例如，gw)施加到柵電極?？蓪?shù)據(jù)信號(例如，data)施加到第一電極。第二晶體管tr2的第二電極可連接到第一晶體管tr1的第一電極。在一個實施例中，第二晶體管tr2的第一電極可以是源電極，并且第二晶體管tr2的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第二晶體管tr2的第一電極可以是漏電極，并且第二晶體管tr2的第二電極可以是源電極。

當掃描信號gw供應到第二晶體管tr2的柵電極時，第二晶體管tr2可將數(shù)據(jù)信號data提供到第一晶體管tr1的第一電極。第二晶體管tr2可工作在線性區(qū)中。

第三晶體管tr3可包括柵電極、第一電極和第二電極?？蓪呙栊盘杇w施加到第三晶體管tr3的柵電極。第三晶體管tr3的第一電極可連接到第一晶體管tr1的第二電極。第三晶體管tr3的第二電極可連接到第一晶體管tr1的柵電極。在一個實施例中，第三晶體管tr3的第一電極可以是源電極，并且第三晶體管tr3的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第三晶體管tr3的第一電極可以是漏電極，并且第三晶體管tr3的第二電極可以是源電極。

當掃描信號gw供應到第三晶體管tr3的柵電極時，第三晶體管tr3可將第一晶體管tr1的柵電極連接到第一晶體管tr1的第二電極。第三晶體管tr3可工作在線性區(qū)中。因此，當掃描信號gw被激活時，第三晶體管tr3可形成第一晶體管tr1的二極管連接?？筛鶕?jù)二極管連接而產(chǎn)生與第一晶體管tr1的閾值電壓相對應的第一晶體管tr1的第一電極與第一晶體管tr1的柵電極之間的電壓差。結果，當掃描信號gw被激活時，可將作為提供到第一晶體管tr1的第一電極的數(shù)據(jù)信號data與電壓差(即，第一晶體管tr1的閾值電壓)之和的和電壓施加到第一晶體管tr1的柵電極。因此，數(shù)據(jù)信號data可被補償與第一晶體管tr1的閾值電壓一樣多的量?？蓪⒀a償后的數(shù)據(jù)信號data施加到第一晶體管tr1的柵電極?？赏ㄟ^減少第一晶體管tr1的閾值電壓的效果來改善驅動電流id的均勻性。

存儲電容器cst可包括施加有第一電源電壓elvdd的第一電極，并且可包括連接到第一晶體管tr1的柵電極的第二電極。當掃描信號gw未被激活時(當掃描信號gw未被供應時)，存儲電容器cst可保持第一晶體管tr1的柵電極的電壓電平。當在掃描信號gw未被激活時，可激活/供應發(fā)射信號em。當發(fā)射信號em被激活時，可將由第一晶體管tr1產(chǎn)生或由第一晶體管tr1供應的驅動電流id提供到oled。因此，可以基于由存儲電容器cst所保持的電壓電平將由第一晶體管tr1產(chǎn)生的驅動電流id提供到oled。

第四晶體管tr4可包括柵電極、第一電極和第二電極。可將數(shù)據(jù)初始化信號gi施加到柵電極?？蓪⒊跏蓟妷簐int施加到第一電極?？蓪⒌诙姌O連接到第一晶體管tr1的柵電極。在一個實施例中，第四晶體管tr4的第一電極可以是源電極，并且第四晶體管tr4的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第四晶體管tr4的第一電極可以是漏電極，并且第四晶體管tr4的第二電極可以是源電極。

當數(shù)據(jù)初始化信號gi被激活/供應時，第四晶體管tr4可將初始化電壓vint施加到第一晶體管tr1的柵電極。第四晶體管tr4可工作在線性區(qū)中。因此，當數(shù)據(jù)初始化信號gi被激活時，第四晶體管tr4可用初始化電壓vint對第一晶體管tr1的柵電極進行初始化。在一個實施例中，初始化電壓vint的電壓電平可低于在前一幀中由存儲電容器cst所保持的數(shù)據(jù)信號data的電壓電平。第一晶體管tr1可以是p溝道金屬氧化物半導體(pmos)-型晶體管。在另一實施例中，初始化電壓vint的電壓電平可被代替為高于在前一幀中由存儲電容器cst所保持的數(shù)據(jù)信號data的電壓電平，并且第一晶體管tr1可以是n溝道金屬氧化物半導體(nmos)-型晶體管。

在一個實施例中，數(shù)據(jù)初始化信號gi可與掃描信號gw相同，但提前了一個水平時間(例如，可以在供應掃描信號gw之前供應數(shù)據(jù)初始化信號gi)。例如，將數(shù)據(jù)初始化信號gi施加到位于第(n)行中的像素，并且可與施加到位于第(n-1)行中的像素的掃描信號gw大致相同。因此，通過將被激活的掃描信號gw施加到位于第(n-1)行中的像素，可以將被激活的數(shù)據(jù)初始化信號gi施加到位于第(n)行中的像素。結果，當掃描信號gw施加到位于第(n-1)行中的像素時，第(n)行中的像素的第一晶體管tr1的柵電極可被初始化為初始化電壓vint。

第五晶體管tr5可包括柵電極、第一電極和第二電極?？蓪l(fā)射信號em施加到第五晶體管tr5的柵電極?？蓪⒌谝浑娫措妷篹lvdd施加到第五晶體管tr5的第一電極?？蓪⒌谖寰w管tr5的第二電極連接到第一晶體管tr1的第一電極。在一個實施例中，第五晶體管tr5的第一電極可以是源電極，并且第五晶體管tr5的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第五晶體管tr5的第一電極可以是漏電極，并且第五晶體管tr5的第二電極可以是源電極。

當發(fā)射信號em被激活(例如，供應到第五晶體管tr5的柵電極)時，第五晶體管tr5可將第一電源電壓elvdd施加到第一晶體管tr1的第一電極，并且當發(fā)射信號em未被激活/未被供應時，第五晶體管tr5可將第一晶體管tr1的第一電極與第一電源電壓elvdd阻斷。第五晶體管tr5可工作在線性區(qū)中。當發(fā)射信號em被激活時，第五晶體管tr5可將第一電源電壓elvdd施加到第一晶體管tr1的第一電極，使得第一晶體管tr1產(chǎn)生驅動電流id。此外，當發(fā)射信號em未被激活時，第五晶體管tr5可阻斷第一電源電壓elvdd的供應，使得施加到第一晶體管tr1的第一電極的數(shù)據(jù)信號data被施加到第一晶體管tr1的柵電極。

第六晶體管tr6可包括柵電極、第一電極和第二電極?？蓪l(fā)射信號em施加到第六晶體管tr6的柵電極。第六晶體管tr6的第一電極可連接到第一晶體管tr1的第二電極。第六晶體管tr6的第二電極可連接到oled的第一電極。在一個實施例中，第六晶體管tr6的第一電極可以是源電極，并且第六晶體管tr6的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第六晶體管tr6的第一電極可以是漏電極，并且第六晶體管tr6的第二電極可以是源電極。

當發(fā)射信號em被激活(例如，供應到第六晶體管tr6的柵電極)時，第六晶體管tr6可將由第一晶體管tr1產(chǎn)生的驅動電流id提供到oled。第六晶體管tr6可工作在線性區(qū)中。因此，當發(fā)射信號em被激活時，第六晶體管tr6可將由第一晶體管tr1產(chǎn)生的驅動電流id提供到oled，使得oled發(fā)光。此外，當發(fā)射信號em未被激活時，第六晶體管tr6可將第一晶體管tr1與oled斷開，使得施加到第一晶體管tr1的第二電極的補償后的數(shù)據(jù)信號data被施加到第一晶體管tr1的柵電極。

第七晶體管tr7可包括柵電極、第一電極和第二電極?？蓪⒍O管初始化信號gb施加到第七晶體管tr7的柵電極?？蓪⒊跏蓟妷簐int施加到第七晶體管tr7的第一電極。第七晶體管tr7的第二電極可連接到oled的第一電極。在一個實施例中，第七晶體管tr7的第一電極可以是源電極，并且第七晶體管tr7的第二電極可以是漏電極。在另一實施例中，第七晶體管tr7的第一電極可以是漏電極，并且第七晶體管tr7的第二電極可以是源電極。

當二極管初始化信號gb被激活(例如，供應到第七晶體管tr7的柵電極)時，第七晶體管tr7可將初始化電壓vint施加到oled的第一電極。第七晶體管tr7可工作在線性區(qū)中。因此，當二極管初始化信號gb被激活時，第七晶體管tr7可用初始化電壓vint對oled的第一電極進行初始化?？梢愿鶕?jù)下面的[公式1]來計算二極管并聯(lián)電容器cel的初始變化量：

公式1

qi＝cel×(vint–elvss)

其中，qi是二極管并聯(lián)電容器的初始變化量，cel是二極管并聯(lián)電容器的電容，vint是初始化電壓的電壓電平，并且elvss是第二電源電壓的電壓電平。

在一個實施例中，數(shù)據(jù)初始化信號gi和二極管初始化信號gb可以是相同的信號。第一晶體管tr1的柵電極的初始化操作可不對oled的第一電極的初始化操作產(chǎn)生影響。因此，數(shù)據(jù)初始化信號gi可被用作二極管初始化信號gb，從而提高制造效率(例如，通過減少連接的總數(shù))。

當oled不發(fā)光時，oled的兩個電極之間的電壓差(例如，oled兩端的電壓)可低于oled的閾值電壓。當oled兩端的電壓差高于oled的閾值電壓時，oled可以發(fā)光。因此，電壓差可達到閾值電壓，并且當在二極管并聯(lián)電容器cel中充電到閾值電容時，可以發(fā)射光。可根據(jù)下面的[公式2]來計算閾值電容：

公式2

qc＝cel×vth

其中，qc是閾值電容，cel是二極管并聯(lián)電容器的電容，vth是oled的閾值電壓。

在一個實施例中，當oled呈現(xiàn)黑光時(即，當與oled相對應的灰度為零時)，由于從第一晶體管tr1中產(chǎn)生的漏電流，導致驅動電流id不為零(例如，大于零)。然而，漏電流可流過二極管并聯(lián)電容器cel而不是oled，直到oled的兩個電極之間的電壓差達到閾值電壓為止。當二極管并聯(lián)電容器cel通過漏電流充電時，oled可不發(fā)光，直到達到閾值電容為止。例如，如果漏電流具有固定量，則可根據(jù)下面的[公式3]來計算初始化電壓vint：

公式3

其中，vint是初始化電壓的電壓電平，elvss是第二電源電壓的電壓電平，vth是oled的閾值電壓，ileak是漏電流的量，t是在一幀中不發(fā)光的時間長度，并且cel是二極管并聯(lián)電容器的電容。

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的顯示面板的平面圖。圖5a是沿圖4的i-i'線截取的剖視圖。圖5b是沿圖4的ii-ii'線截取的剖視圖。圖5c是沿圖4的iii-iii'線截取的剖視圖。

參考圖4至圖5c，顯示面板可包括多個單元像素。單元像素中的每一個單元像素都包括第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。

顯示面板可包括基底基板200、緩沖層210、有源圖案、第一絕緣層220、柵極圖案、第二絕緣層230、數(shù)據(jù)圖案、平坦化層240、第一電極el1a、el1b和el1c、像素限定層250、發(fā)光結構260a、260b和260c、第二電極el2、以及密封基板270。

除了第一接觸孔cnt1、第二接觸孔cnt2和第三接觸孔cnt3之間的差異之外，第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可具有彼此大致相同的結構。因此，在下文中將僅詳細描述第一子像素sp1(例如，圖5a)。

基底基板200可包括透明絕緣基板。緩沖層210可位于基底基板200上。有源圖案可位于緩沖層210上。有源圖案可包括第一晶體管tr1a的第一有源圖案act1a，并且可包括第二晶體管tr2a的第二有源圖案act2a。

第一絕緣層220可位于覆蓋有源圖案的緩沖層210上。

柵極圖案可位于第一絕緣層220上。柵極圖案可包括掃描線222、第一晶體管tr1a的第一柵電極ge1a和第二晶體管tr2a的第二柵電極ge2a。

掃描線222可在第一方向d1上延伸。第二柵電極ge2a可電連接到掃描線222，并且可與第二有源圖案act1b重疊。第一柵電極ge1a可與第一有源圖案act1a重疊。

第二絕緣層230可位于在其上設置有柵極圖案的第一絕緣層220上。

數(shù)據(jù)圖案可位于第二絕緣層230上。數(shù)據(jù)圖案可包括數(shù)據(jù)線232a、驅動電壓線234a和第一連接電極236a。數(shù)據(jù)線232a和驅動電壓線234a可在與第一方向d1相交叉的第二方向d2上延伸。

數(shù)據(jù)線232a可連接到第二源電極se2a。第二源電極se2a可通過穿過第二絕緣層230和第一絕緣層220而形成的接觸孔電連接到第二有源圖案act2a。第一連接電極236a可連接到第二漏電極de2a。第二漏電極de2a可通過穿過第二絕緣層230和第一絕緣層220而形成的接觸孔電連接到第二有源圖案act2a。

第一連接電極236a可通過穿過第二絕緣層230而形成的第一接觸孔cnt1電連接到第一柵電極ge1a。驅動電壓線234a可連接到第一晶體管tr1a的第一源電極。第一晶體管tr1a的第一源電極可通過穿過第二絕緣層230和第一絕緣層220而形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1a。第一晶體管tr1a的第一漏電極de1a可通過穿過第二絕緣層230和第一絕緣層220而形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1a。

另外，在第一子像素sp1中，第一接觸孔cnt1可與第一有源圖案act1a的一部分重疊。在第二子像素sp2中，第二接觸孔cnt2可與第二有源圖案act1b完全重疊。在第三子像素sp3中，第三接觸孔cnt3可不與第三有源圖案act1c重疊。因此，第二子像素sp2中的第二有源圖案act1b與第二接觸孔cnt2之間的距離可小于第一子像素sp1和第三子像素sp3中的對應距離。第一子像素sp1中的第一有源圖案act1a與第一接觸孔cnt1之間的距離可小于第三子像素sp3中的第三有源圖案act1c與第三接觸孔cnt3之間的距離。

平坦化層240可位于在其上設置有數(shù)據(jù)圖案的第二絕緣層230上。第一電極el1a可位于平坦化層240上。第一電極el1a可通過穿過平坦化層240而形成的通孔電連接到第一漏電極de1a。像素限定層250可位于在其上設置有第一電極el1a的平坦化層240上。

發(fā)光結構260a可定位在通過像素限定層250的開口而被暴露出的第一電極el1a上。例如，第一子像素sp1中的發(fā)光結構260a的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生紅光的發(fā)光材料來形成，第二子像素sp2中的發(fā)光結構260b的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生綠光的發(fā)光材料來形成，并且第三子像素sp3中的發(fā)光結構260c的有機發(fā)光層可使用用于產(chǎn)生藍光的發(fā)光材料來形成。

第二電極el2可位于發(fā)光結構260a和像素限定層250上。密封基板270可位于第二電極el2上。

圖6至圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明構思的一些實施例的顯示面板的分別圍繞第一接觸孔至第三接觸孔的一部分的放大圖。

參考圖6，在第一子像素(例如，第一子像素sp1)中，第一距離d1可被定義為在第二方向d2(例如，+y-方向)上從第一有源圖案act1a的邊界或邊緣到第一接觸孔cnt1的中心的距離。在第二子像素(例如，第二子像素sp2)中，第二距離d2可被定義為在第二方向d2上從第二有源圖案act1b的邊界/邊緣到第二接觸孔cnt2的中心的距離。在第三子像素(例如，第三子像素sp3)中，第三距離d3可被定義為在第二方向d2上從第三有源圖案act1c的邊界/邊緣到第三接觸孔cnt3的中心的距離。

當?shù)谝蛔酉袼貫榧t色像素、第二子像素為綠色像素、并且第三子像素為藍色像素時，第一距離d1可大于第二距離d2，并且第一距離d1可小于第三距離d3。例如，當?shù)谝痪嚯xd1為零時，第二距離d2可具有負值，并且第三距離d3可具有正值。因此，第一接觸孔cnt1可與第一有源圖案act1a部分重疊，第二接觸孔cnt2可與第二有源圖案act1b重疊(例如，完全重疊)，并且第三接觸孔cnt3可被形成為不與第三有源圖案act1c重疊。

因此，第一接觸孔cnt1與第一有源圖案act1a的重疊區(qū)域(例如，第一接觸孔cnt1與第一有源圖案act1a重疊處的區(qū)域)、第二接觸孔cnt2與第二有源圖案act1b的重疊區(qū)域，以及第三接觸孔cnt3與第三有源圖案act1c的重疊區(qū)域(其可能不存在)可彼此不同。

在此，可考慮不同子像素的發(fā)光結構的el層的不同發(fā)光效率來確定第一距離至第三距離d1、d2和d3。例如，當綠色el層的發(fā)光效率優(yōu)于紅色el層的發(fā)光效率，并且紅色el層的發(fā)光效率優(yōu)于藍色el層的發(fā)光效率時，第一距離至第三距離d1、d2、d3的更小的距離可對應于更高的發(fā)光效率。因此，第二距離d2可小于第一距離d1，并且第一距離d1可被設置為小于第三距離d3。在本實施例中，第二距離d2具有負值，第一距離d1等于零，并且第三距離d3具有正值。

參考圖7，在第一子像素中，第一接觸孔cnt1可包括第一子接觸孔cnt1a和第二子接觸孔cnt1b。在第二子像素中，第二接觸孔cnt2可包括第一子接觸孔cnt2a、第二子接觸孔cnt2b和第三子接觸孔cnt2c。在第三子像素中，第三接觸孔cnt3可被形成為單個接觸孔。

因此，第一接觸孔cnt1與第一有源圖案act1a的重疊區(qū)域、第二接觸孔cnt2與第二有源圖案act1b的重疊區(qū)域、以及第三接觸孔cnt3與第三有源圖案act1c的重疊區(qū)域可彼此不同。

在此，可考慮子像素的發(fā)光結構的相應el層的發(fā)光效率來確定子接觸孔的數(shù)量。例如，當綠色el層的發(fā)光效率優(yōu)于紅色el層的發(fā)光效率時，并且當紅色el層的發(fā)光效率優(yōu)于藍色el層的發(fā)光效率時，更多數(shù)量的子接觸孔可對應于更高的發(fā)光效率。因此，第二子接觸孔cnt2的數(shù)量大于第一子接觸孔cnt1的數(shù)量，第一子接觸孔cnt1的數(shù)量又大于第三接觸孔cnt3的數(shù)量。在本實施例中，具有三個第二子接觸孔cnt2，具有兩個第一子接觸孔cnt1，并且僅具有一個第三接觸孔cnt3。

參考圖8，第二子像素的第二接觸孔cnt2的尺寸大于第一子像素的第一接觸孔cnt1的尺寸，并且第一子像素的第一接觸孔cnt1的尺寸大于第三子像素的第三接觸孔cnt3的尺寸。

因此，第一接觸孔cnt1和第一有源圖案act1a的重疊區(qū)域、第二接觸孔cnt2和第二有源圖案act1b的重疊區(qū)域、以及第三接觸孔cnt3和第三有源圖案act1c的重疊區(qū)域可彼此不同。

在此，接觸孔的尺寸可對應于各個子像素的發(fā)光結構的el層的發(fā)光效率。例如，當綠色el層的發(fā)光效率優(yōu)于紅色el層的發(fā)光效率時，并且當紅色el層的發(fā)光效率優(yōu)于藍色el層的發(fā)光效率時，更大尺寸的接觸孔可對應于更高的發(fā)光效率。因此，第二接觸孔cnt2大于第一接觸孔cnt1，并且第一接觸孔cnt1大于第三接觸孔cnt3。

圖9a和圖9b是圖示根據(jù)接觸孔的位置的薄膜晶體管的dr范圍的圖形和圖表。

參考圖9a和圖9b，對根據(jù)有源圖案與接觸孔的重疊程度(例如，根據(jù)重疊區(qū)域的尺寸)的dr范圍進行描述。

在樣品1至4中，有源圖案與接觸孔的重疊程度被設置為彼此不同。例如，接觸孔與有源圖案的重疊區(qū)域從樣品1到樣品4越來越大。如實驗結果所示，晶體管的dr范圍可根據(jù)接觸孔的位置而改變。例如，當接觸孔與有源圖案的重疊區(qū)域按照樣品1、樣品2、樣品3和樣品4的順序逐漸增大時，晶體管的dr范圍會按照樣品1、樣品2、樣品3和樣品4的順序逐漸增大。因此，隨著接觸孔相對于有源圖案的相對位置的改變，相應的晶體管的導通/截止電壓被改變。

根據(jù)實驗結果，隨著接觸孔與有源圖案的重疊程度增加，晶體管的dr范圍也增加。通常，具有較高發(fā)光效率的子像素的輸入數(shù)據(jù)電壓的范圍比具有相對較低發(fā)光效率的其他子像素的輸入數(shù)據(jù)電壓的范圍窄。然而，在本實施例中，通過與其它子像素相比擴大重疊區(qū)域，可以將適當?shù)臄?shù)據(jù)電壓范圍拓寬。因此，即使子像素具有彼此不同的發(fā)光效率，也可以通過設置接觸孔的位置來減少或者最小化子像素的數(shù)據(jù)電壓范圍的偏差或變化。因此，可以減少顯示裝置的顏色偏差或變化，從而可以提高顯示質(zhì)量。

圖10至圖19b是圖示制造圖1的顯示面板的方法的平面圖和剖視圖。

參考圖10、圖11a、圖11b和圖11c，可在基底基板100上形成緩沖層110?？赏ㄟ^旋涂工藝、化學氣相沉積(cvd)工藝、等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)工藝、高密度等離子體化學氣相沉積(hdp-cvd)工藝、印刷工藝等來形成緩沖層110。

可在緩沖層110上形成有源圖案act1a、act1b和act1c?？稍诰彌_層110上形成半導體層，并且然后可通過將半導體層圖案化，來在緩沖層110上形成初始有源層?？蓪Τ跏加性磳訄?zhí)行結晶工藝，以在緩沖層110上形成有源圖案act1a、act1b和act1c。在此，可通過cvd工藝、pecvd工藝、低壓化學氣相沉積(lpcvd)工藝、濺射工藝、印刷工藝等來形成半導體層。當半導體層包括非晶硅時，有源圖案可包括多晶硅。用于形成有源圖案的結晶工藝可包括激光輻射工藝、熱處理工藝、利用催化劑的熱工藝等。在一些實施例中，可在緩沖層110上形成半導體層和/或初始有源層之后，對半導體層和/或初始有源層執(zhí)行脫氫工藝。脫氫工藝可降低半導體層和/或初始有源層的氫濃度，使得有源圖案act1a、act1b和act1c可具有改善的電學特性。

參考圖12、圖13a、圖13b和圖13c，可以在其上形成有有源圖案act1a、act1b和act1c的緩沖層110上形成第一絕緣層120。可在第一絕緣層120上形成第一柵極圖案?？稍诘谝唤^緣層120上形成第一導電層，并且然后可通過光刻工藝或使用附加蝕刻掩模的蝕刻工藝來部分地對第一導電層進行蝕刻。因此，第一柵極圖案可設置在第一絕緣層120上。第一導電層可通過印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、脈沖激光沉積(pld)工藝、真空蒸鍍工藝、原子層沉積(ald)工藝等來形成。

第一柵極圖案可包括數(shù)據(jù)初始化線121、掃描線122、旁路控制線123、發(fā)射控制線124、以及第一晶體管tr1a、tr1b和tr1c的各自的第一柵電極ge1a、ge1b和ge1c。

參考圖14、圖15a、圖15b和圖15c，可以在其上形成有第一柵極圖案的第一絕緣層120上形成第二絕緣層130。第二絕緣層130可通過旋涂工藝、cvd工藝、pecvd工藝、hdp-cvd工藝、印刷工藝等來形成。

可在第二絕緣層130上形成第二柵極圖案。可在第二絕緣層130上形成第二導電層，并且然后可通過光刻工藝或使用附加蝕刻掩模的蝕刻工藝來部分地對第二導電層進行蝕刻。因此，第二柵極圖案可設置在第二絕緣層130上。第二導電層可通過印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、pld工藝、真空蒸鍍工藝、ald工藝等來形成。

第二柵極圖案可包括存儲電極線132和輔助初始化電壓線134。

參考圖16、圖17a、圖17b和圖17c，可以在其上形成有第二柵極圖案的第二絕緣層130上形成第三絕緣層140。可根據(jù)第三絕緣層140中所包括的成分/材料，通過旋涂工藝、印刷工藝，濺射工藝、cvd工藝、ald工藝、pecvd工藝、hdp-cvd工藝或真空蒸鍍工藝來獲得第三絕緣層140。

在實施例中，可在第三絕緣層140上執(zhí)行平坦化工藝以增強第三絕緣層140的平坦度。例如，第三絕緣層140可通過化學機械拋光(cmp)工藝、回蝕工藝等而具有大致水平的表面。

然后，可穿過第一絕緣層至第三絕緣層120、130和140而形成將有源圖案、第一柵極圖案和第二柵極圖案暴露的多個接觸孔。例如，可穿過第三絕緣層140和第二絕緣層130而形成分別將第一柵電極ge1a、ge1b和ge1c暴露的第一接觸孔至第三接觸孔cnt1、cnt2和cnt3。

可在第三絕緣層140上形成數(shù)據(jù)圖案?？稍诘谌^緣層140上形成第三導電層以填充接觸孔。之后，可通過對第三導電層進行圖案化來獲得數(shù)據(jù)圖案。第三導電層可通過印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、pld工藝、真空蒸鍍工藝、ald工藝等來形成。

數(shù)據(jù)圖案可包括數(shù)據(jù)線142a、初始化電壓線144a、驅動電壓線145a、第一連接電極146a、第二連接電極147a和第三連接電極148a。數(shù)據(jù)圖案還可包括數(shù)據(jù)線142b和142c、初始化電壓線144b和144c、驅動電壓線145b和145c、第一連接電極146b和146c、第二連接電極147b和147c以及第三連接電極148b和148c。

參考圖18、圖19a、圖19b和圖19c，可以在其上形成有數(shù)據(jù)圖案的第三絕緣層140上形成平坦化層150?？筛鶕?jù)平坦化層150中所包括的成分/材料，通過旋涂工藝、印刷工藝，濺射工藝、cvd工藝、ald工藝、pecvd工藝、hdp-cvd工藝或真空蒸鍍工藝來形成平坦化層150。

可形成將第二連接電極147a、147b和147c中的相應一個連接電極暴露的第一至第三通孔via1、via2和via3。

可在平坦化層150上形成第一電極el1a(例如，el1a、el1b和el1c)?？稍谄教够瘜?50上形成第四導電層以填充通孔via1、via2和via3。之后，可通過對第四導電層進行圖案化來獲得第一電極el1a。第四導電層可通過濺射工藝、cvd工藝、pld工藝、真空蒸鍍工藝、ald工藝、印刷工藝等來形成。

可在第一電極el1a(例如，第一電極el1a、el1b和el1c)上形成像素限定層160。

像素限定層160可通過旋涂工藝、噴涂工藝、印刷工藝、cvd工藝、pecvd工藝、hdp-cvd工藝等來獲得。在實施例中，像素限定層160可被部分地蝕刻，以形成將第一電極el1a部分地暴露的開口。像素限定層160的開口可限定顯示裝置的發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。例如，顯示裝置的具有像素限定層160的開口的一部分可以是顯示設備的相應的發(fā)光區(qū)域，而顯示裝置的圍繞像素限定層160的開口的另一部分(例如，其余部分)可以是顯示設備的非發(fā)光區(qū)域。

可在通過像素限定層160的開口暴露的第一電極el1a上(例如，在第一電極el1a、el1b和el1c中的對應一個第一電極上)形成發(fā)光結構170a(例如，發(fā)光結構170a、170b和170c)。發(fā)光結構170a可通過激光誘導熱成像工藝、印刷工藝等來形成。

可在發(fā)光結構170a上(例如，在發(fā)光結構170a、170b和170c上)并且在像素限定層160上形成第二電極el2。第二電極el2可通過印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、ald工藝、真空蒸鍍工藝、pld工藝等來形成。

可在第二電極el2上布置密封基板180。密封基板180可包括樹脂，例如光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等。這些可單獨使用或者以其組合物的形式來使用。

根據(jù)本發(fā)明構思，顯示面板包括：包括第一晶體管的第一子像素、包括第二晶體管的第二子像素、以及包括第三晶體管的第三子像素。第一晶體管至第三晶體管中的每一個晶體管都包括柵電極，并且柵電極可通過第一接觸孔至第三接觸孔電連接到其它元件。各子像素中的每一個子像素中的第一接觸孔至第三接觸孔的相對位置可被設置為彼此不同。因此，即使子像素具有彼此不同的發(fā)光效率，也可以通過設置接觸孔的位置，來使子像素的數(shù)據(jù)電壓范圍的偏差或變化最小化。因此，可以減少顯示裝置的顏色偏差，從而可以提高顯示質(zhì)量。

前述內(nèi)容是對本發(fā)明構思的說明，并且不應被解釋為對其的限制。雖然已描述了本發(fā)明構思的幾個實施例，但是本領域技術人員將會容易地理解，在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明構思的新穎性教導和優(yōu)點的情況下，可以對實施例進行許多修改。因此，所有這些修改旨在包括在如權利要求中所限定的本發(fā)明構思的范圍內(nèi)。在權利要求中，裝置加功能的條款旨在涵蓋本文描述為執(zhí)行所述功能的結構，并且不僅僅是結構等同物，還包括等效結構。因此，將理解，前述內(nèi)容是對本發(fā)明構思的說明，并且不應被解釋為受限于所公開的特定實施例，并且對所公開的實施例以及其他實施例的修改旨在被包括在所附權利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明構思由所附權利要求限定，其中包括權利要求的等同物。