本公開涉及用于電纜的磁性屏蔽條帶(tape)和其制造方法，并且更具體地，本公開涉及如下磁性屏蔽條帶，其能夠通過屏蔽流入電纜中或者從其發(fā)射的磁場來屏蔽傳輸通過這種電纜的信號的高到低的頻率，并且涉及用于制造該磁性屏蔽條帶的方法。

背景技術(shù)：

對于將信號傳輸?shù)接嬎銠C、各種通信設(shè)備等的通信電纜，或者傳輸電力的功率電纜(此后，通信電纜和功率電纜統(tǒng)稱為電纜)，傳輸通過這種電纜的信號可能受到噪聲的影響，該噪聲包括從外部電子設(shè)備流動的電磁場。此外，傳輸通過電纜的信號自身可能向外界發(fā)射包括電磁場的噪聲，并且所發(fā)射的這種噪聲可能對外部電子設(shè)備造成影響。特別地，因為傳輸通過電纜的信號的頻率較高，這種信號可能更多地受到從外界流動的噪聲的影響、并且其可能進一步地向外界發(fā)射更多噪聲。

為了屏蔽這種噪聲，常規(guī)方法是利用導(dǎo)電屏蔽層包圍電纜。然而，當(dāng)傳輸通過電纜的信號的頻率高時，從電纜內(nèi)部發(fā)射的噪聲不可以僅利用這種導(dǎo)電屏蔽層被有效地屏蔽。這是因為，在信號的頻率較高時，應(yīng)該被屏蔽的噪聲包括眾多諧波分量。因此，需要即使當(dāng)傳輸通過電纜的信號的頻率高時也能夠有效屏蔽包括電磁場的噪聲的流入和發(fā)射的技術(shù)。

存在用于屏蔽噪聲的另一常規(guī)方法，其中用于過濾噪聲的鐵氧體芯被應(yīng)用于電纜的端部部分。然而，在采用這種用于過濾噪聲的鐵氧體芯的另一常規(guī)方法中，在應(yīng)用中存在困難，因為其具有對應(yīng)于電纜的特性的阻抗的、用于過濾噪聲的鐵氧體芯應(yīng)該被選擇并且應(yīng)用于電纜，并且進一步地，鐵氧體芯自身具有厚的厚度。

同時，在用于屏蔽諸如上文描述那樣的電磁場之類的噪聲的技術(shù)中，可以存在使用磁性屏蔽材料的方法，這種材料包含具有高磁導(dǎo)率的納米晶體金屬帶。

然而，當(dāng)交流(ac)磁場被應(yīng)用于被包含在磁性屏蔽材料中的納米晶體金屬帶時，在納米晶體金屬帶的表面上可以生成渦旋電流。所生成的渦旋電流可以引起包括熱量生成等在內(nèi)的問題。

為了減少由這種渦旋電流造成的影響，有一種剝落(flaking)納米晶體金屬帶的方法。通過剝落，納米晶體金屬帶可以分解并且分割成多個細條。當(dāng)納米晶體金屬帶被分割成多個細條時，可以降低由渦旋電流造成的影響。這是因為渦旋電流的幅度與生成渦旋電流的位置的表面積成比例，并且，當(dāng)納米晶體金屬帶被分割成多個細條時，生成渦旋電流處的每個細條的表面積與在對其執(zhí)行剝落之前的納米晶體金屬帶的表面積相比減小。然而，當(dāng)通過剝落將納米晶體金屬帶分割成多個細條時，裂隙(即，各自被提供在多個細條之間的間隙)明顯小于多個細條中的每個細條的尺寸，并且因此，多個細條當(dāng)中的鄰近細條可以流動以便與彼此接觸。當(dāng)鄰近細條與彼此接觸時，生成渦旋電流處的位置的表面積可以再次增加。這可以引起由渦旋電流造成的影響的增加。

此外，對于包含在其上執(zhí)行剝落的納米晶體金屬帶的常規(guī)磁性屏蔽材料，難以保證適于將電纜等纏繞成卷的形式的柔性。

因此，當(dāng)包含納米晶體金屬帶的磁性屏蔽材料被應(yīng)用于包括電纜等的目標(biāo)時，需要如下技術(shù)：其能夠防止磁性屏蔽材料的屏蔽性能降級(即使當(dāng)在納米晶體金屬帶上執(zhí)行剝落時)，并且同時降低由在納米晶體金屬帶處生成的渦旋電流造成的影響，并且進一步使得磁性屏蔽材料能夠容易地纏繞在電纜等上。

現(xiàn)有技術(shù)文檔

專利文檔

(專利文檔1)美國專利申請公開no.2001-0030121(2001年10月18號)

技術(shù)實現(xiàn)要素：

公開內(nèi)容

技術(shù)問題

本公開的目的是提供用于電纜的屏蔽材料的技術(shù)，即使當(dāng)高頻率信號傳輸通過電纜時，該技術(shù)能夠有效地阻擋包括電磁場在內(nèi)的噪聲的流入和發(fā)射。

此外，本公開的另一目的是提供用于電纜的屏蔽材料的技術(shù)，當(dāng)信號傳輸通過電纜時，該技術(shù)能夠較少地受金屬帶處生成的渦旋電流影響，并且進一步實現(xiàn)適合于纏繞電纜的柔性。

然而，本公開的目的不限于此。

技術(shù)解決方案

根據(jù)本公開的一個實施例的用于傳輸信號的電纜的磁性屏蔽條帶包括：薄膜磁性層，薄膜磁性層包括通過剝落過程被分割成多個細條的至少一個金屬帶片材，和被提供在多個細條當(dāng)中的鄰近細條之間的間隙；通過第一粘附層粘附至薄膜磁性層的一個側(cè)表面的蓋膜層；以及通過第二粘附層粘附至薄膜磁性層的另一側(cè)表面的導(dǎo)電層，其中間隙的尺寸根據(jù)信號的頻帶確定。

根據(jù)本公開的另一實施例的用于傳輸信號的電纜的磁性屏蔽條帶包括：薄膜磁性層，薄膜磁性層包括通過剝落過程被分割成多個細條的至少一個或者多個金屬帶片材，和被提供在多個細條當(dāng)中的鄰近細條之間的間隙；填充在間隙中的填充物；通過第一粘附層粘附至薄膜磁性層的一個側(cè)表面的蓋膜層；以及通過第二粘附層粘附至薄膜磁性層的另一側(cè)表面的導(dǎo)電層。

根據(jù)本公開的一個實施例的制造用于傳輸信號的電纜的磁性屏蔽條帶的方法包括：形成包括至少一個金屬帶片材的薄膜磁性層；通過第一粘附層將蓋膜層粘附至薄膜磁性層的一個側(cè)表面；在被包括在蓋膜層粘附至的薄膜磁性層中的金屬帶片材上執(zhí)行剝落，從而將至少一個金屬帶片材分割成多個細條；以及通過第二粘附層將導(dǎo)電層粘附至薄膜磁性層的另一側(cè)表面(薄膜磁性層包括經(jīng)歷了剝落的至少一個金屬帶片材)，其中分割包括分割薄膜磁性層，以通過在執(zhí)行剝落的同時，在磁性屏蔽條帶的延伸方向上對薄膜磁性層應(yīng)用張力，在多個細條當(dāng)中的鄰近細條之間提供間隙。

根據(jù)本公開的另一實施例的多層磁性屏蔽條帶包括：具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電層；被提供在導(dǎo)電層上并且具有多個磁性條的磁性層，其中間隙各自被提供在多個磁性條之間，多個磁性條中的每個磁性條具有導(dǎo)電性，并且多個磁性條通過間隙與彼此間隔開，從而與彼此電隔離；以及被提供在導(dǎo)電層和磁性層之間并且被配置為將導(dǎo)電層和磁性層粘附至彼此的粘附層，其中，當(dāng)多層磁性屏蔽條帶圍繞傳輸?shù)谝恍盘柕慕泳€纏繞、并且導(dǎo)電層發(fā)射第二信號時，磁性層吸收預(yù)定范圍內(nèi)的頻帶中的第二信號的至少50％。

根據(jù)本公開的另一實施例的多層磁性屏蔽條帶包括：具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電層；被提供在導(dǎo)電層上并且具有多個磁性條的磁性層，其中間隙各自被提供在多個磁性條之間，多個磁性條中的每個磁性條具有導(dǎo)電性，并且多個磁性條通過間隙與彼此間隔開，從而與彼此電隔離；以及被提供在導(dǎo)電層與磁性層之間并且被配置為將導(dǎo)電層和磁性層粘附至彼此的粘附層，其中，多個磁性條中的每個磁性條的寬度等于或者大于10微米、并且等于或者小于5mm，并且間隙的寬度等于或者大于0.1微米、并且等于或者小于300微米，以及當(dāng)磁性層的相對磁導(dǎo)率的虛部變?yōu)樽畲笾邓诘念l率指的是最大屏蔽頻率時，最大屏蔽頻率隨間隙的寬度更大和多個磁性條中的每個磁性條的寬度更小而增加。

有利效果

依照根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶，當(dāng)金屬帶片材被分割成多個細條時，間隙的尺寸可以基于傳輸通過電纜的信號的頻率確定和調(diào)節(jié)。因此，甚至當(dāng)傳輸通過電纜的信號的頻率高以及低時，包括磁場等的噪聲的流入和發(fā)射可以通過調(diào)節(jié)各自被提供在多個細條之間的間隙而被有效地阻擋。

此外，分離填充物被填充在各自被提供在多個細條之間的間隙中，從而配置金屬帶片材，使得可以防止多個細條中的每個細條的氧化(這由水分穿透到間隙中引起)。

此外，多個細條可以通過填充物固定到彼此并且與彼此隔離，使得可以防止鄰近的細條由于鄰近細條的流動而與彼此接觸。

此外，各自被提供在多個細條之間的間隙可以向用于電纜的磁性屏蔽條帶提供柔性。因此，根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶可以柔性地包圍電纜。

附圖說明

圖1a是根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的透視圖。

圖1b是圖示了電纜的圖，將根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶應(yīng)用到該電纜。

圖2和圖3是圖示了根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶在延伸方向上的橫截面的圖。

圖4是圖示了操作的圖，該操作與根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的制造過程有關(guān)。

圖5是說明性地示出根據(jù)本公開的一個實施例的金屬帶片材的剝落過程和對各自被提供在金屬帶片材的多個細條之間的間隙的尺寸的調(diào)節(jié)的圖。

圖6a和圖6b是說明性地示出在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶上執(zhí)行的層壓處理的圖。

圖7是圖示了在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的制造過程中，所應(yīng)用的張力的大小與各自被提供在金屬帶片材的多個細條之間的間隙的尺寸之間的關(guān)系的圖。

圖8a是圖示了被包括在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶中的金屬帶片材的多個細條中的每個細條的尺寸、鄰近細條之間的間隙、以及相對磁導(dǎo)率之間的關(guān)系的圖。

圖8b是圖示了在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的應(yīng)用中，金屬帶片材的相對磁導(dǎo)率與傳輸通過電纜的信號的頻率之間的關(guān)系的圖。

具體實施方式

優(yōu)勢、特征、以及其實施方式將通過在下文與附圖一起詳細描述的實施例而顯而易見。然而，本公開不限于要在本文中公開的實施例，并且可以實施大量其它修改。雖然將參照其一些說明性實施例對實施例進行描述，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想出將落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的大量其它修改和實施例。本公開的范圍應(yīng)該由所附權(quán)利要求以及歸屬于這些權(quán)利要求的等效的整個范圍來解釋。

在描述本公開的實施例中，如果確定對已知功能或者配置的詳細描述模糊了本公開的主旨，則其詳細描述將被省略。此外，此后使用的所有術(shù)語都通過考慮本公開的實施例中的功能來限定，并且其含義可以根據(jù)用戶、操作者的意圖、或者習(xí)慣而不同。因此，對在本文中使用的術(shù)語的限定應(yīng)該遵從本文中公開的上下文。

圖1a是根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的透視圖，并且圖1b是圖示了電纜的圖，將根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶應(yīng)用到電纜。

這里，圖1b中所示的電纜1可以是被配置為將信號傳輸?shù)接嬎銠C、各種通信設(shè)備等的通信電纜，或者是被配置為傳輸功率的功率電纜，但是不限于這些。

參照圖1a，根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000可以被提供為在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的延伸方向11上具有例如大于10米的長度。

用于電纜的磁性屏蔽條帶1000具有柔性。因此，如圖1b所示，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000可以以卷的形式包圍電纜1。

包圍電纜1的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000可以阻擋傳輸通過電纜1的信號受到從外部電子設(shè)備流動的磁場的影響，或者向外界發(fā)射磁場等。

這里，在本公開的一個實施例中，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000被描述為被應(yīng)用于電纜1，但是本公開的精神不限于此。例如，不像圖1b所示，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000還可以應(yīng)用于如下設(shè)備(例如，數(shù)字化儀、無線充電設(shè)備等)，針對該設(shè)備，需要對由電流流動感應(yīng)的磁場的屏蔽。然而，通過假設(shè)用于電纜的磁性屏蔽條帶1000被應(yīng)用于電纜，將在下面進行描述。

此外，在本公開的一個實施例中，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000被描述為屏蔽包括磁場在內(nèi)的噪聲，但是本公開的精神不限于此。例如，除了磁場，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000還可以屏蔽包括電場、電磁場等在內(nèi)的噪聲。

根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000可以有效地屏蔽傳輸通過電纜1的信號的高到低的頻率，并且將在下文描述用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的結(jié)構(gòu)。

圖2是圖示了根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000在延伸方向11上的橫截面的圖。

參照圖2，根據(jù)一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000包括薄膜磁性層100、通過第一粘附層210粘附至薄膜磁性層100的一個側(cè)表面的蓋膜層220、以及具有導(dǎo)電性并且通過第二粘附層310粘附至薄膜磁性層100的另一側(cè)表面的導(dǎo)電層320。然而，圖2中所示的結(jié)構(gòu)根據(jù)了一個實施例，并且因此本公開的精神不被解釋且限于該結(jié)構(gòu)。

薄膜磁性層100可以包括薄膜形式的金屬帶片材。這種金屬帶片材可以包括由fe-si-nb-cu-b制成的納米晶體合金，或者由fe-si-b制成的無定形合金。這里，nb可以有效地用于納米晶體的直徑的一致性、磁致伸縮的減少等。cu可以增加合金的抗腐蝕性，防止納米晶體顆粒的粗化，并且改善包括合金的鐵損失、相對磁導(dǎo)率等在內(nèi)的磁性特性。此外，b可以與金屬帶的納米晶體中的cu一起起作用。這種金屬帶片材具有能夠有效地阻擋在幾千赫茲(khz)至幾兆赫茲(mhz)范圍內(nèi)的低頻帶中的噪聲的相對磁導(dǎo)率。包含在上文描述的金屬帶片材中的納米晶體合金或者無定形合金可以通過在包含無定形金屬的金屬帶上在例如400攝氏度至600攝氏度的范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行熱處理來形成。這時，熱處理的溫度可以根據(jù)包含在金屬帶中的無定形金屬的成分而變化。例如，熱處理可以優(yōu)選地在500攝氏度至520攝氏度(更優(yōu)選地，510攝氏度)的范圍內(nèi)的溫度下在包含fe-si-nb-cu-b的金屬帶上執(zhí)行，并且從而可以形成包含fe-si-nb-cu-b的納米晶體合金。同時，熱處理可以優(yōu)選地在450攝氏度至480攝氏度(更優(yōu)選地，460攝氏度)的范圍內(nèi)的溫度下在包含fe-si-b的金屬帶上執(zhí)行，并且從而可以形成包含fe-si-b的無定形合金。

熱處理可以改變金屬帶片材的相對磁導(dǎo)率。例如，通過熱處理，相對磁導(dǎo)率可以從大約400攝氏度的溫度開始增加，以在600攝氏度的溫度下具有最大值，并且接著可以當(dāng)溫度超過600攝氏度時突然下降。因此，具有期望的相對磁導(dǎo)率的金屬帶片材可以通過控制熱處理的過程獲得。這時，通過熱處理改變的相對磁導(dǎo)率可以是剛剛執(zhí)行熱處理之后的初始相對磁導(dǎo)率。

此外，當(dāng)執(zhí)行熱處理時，金屬帶片材的脆性可以得到加強。如參照圖5在下文描述的，當(dāng)執(zhí)行剝落時，具有加強的脆性的金屬帶片材可以容易地被分割成多個細條110。

配置薄膜磁性層100的金屬帶片材被以圖2中所示的多個分割的細條110的形式提供。多個細條110中的每個細條的表面積小于還未被分割成多個細條110的金屬帶片材的表面積。因此，當(dāng)交流(ac)磁場被應(yīng)用于金屬帶片材時，在該金屬帶片材的表面上生成的渦旋電流的量與還未被分割成多個細條110的這種金屬帶片材的表面上生成的渦旋電流的量相比可以減少。

多個細條110被分割并且由此被間隙120間隔開。間隙120的尺寸125可以例如等于或者大于0.1微米(um)并且等于或者小于300um。此外，間隙120的這種尺寸125可以在金屬帶片材的延伸方向11上調(diào)節(jié)。

多個細條110中的每個細條是具有導(dǎo)電性的磁性材料，并且多個細條110通過間隙120與彼此電隔離。

各自被提供在多個細條110之間的間隙120向金屬帶片材提供柔性。因此，包括這種金屬帶片材的用于電纜的磁性屏蔽條帶1000也可以容易地纏繞在具有小直徑(例如，1毫米(mm))的電纜上。

這時，間隙120的尺寸125可以由多種因素或者其組合確定。例如，間隙120的尺寸125可以通過考慮傳輸通過電纜1的信號的頻帶確定，并且，當(dāng)高頻信號傳輸通過電纜1時，尺寸125可以被確定為相對比當(dāng)?shù)皖l信號傳輸通過電纜1時間隙120的尺寸125的值更大的值。

這里，在間隙120的尺寸125較大時，當(dāng)較高頻的信號傳輸通過電纜1時生成的磁場可以被更有效地屏蔽。

這是因為隨著各自被提供在多個細條110之間的間隙120的尺寸125更大，薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率本身降低(這將參照圖8a在下文描述)，但是配置相對磁導(dǎo)率的實部和虛部中的虛部被移動到高頻帶(這將參照圖8b在下文描述)，并且因此當(dāng)相對高頻帶的信號傳輸通過電纜1時生成的磁場被更有效地屏蔽。

此外，間隙120的尺寸125可以通過進一步考慮多個細條110中的每個細條的尺寸確定。例如，為了具有相同的相對磁導(dǎo)率，當(dāng)多個細條110中的每個細條的尺寸大時，間隙120的尺寸125可以被確定為相對比當(dāng)多個細條110中的每個細條的尺寸小時的間隙120的尺寸125的值更大的值。

此外，在傳輸通過電纜1的信號的頻帶中的中間頻率較大時，間隙120的尺寸125可以被確定為大的值。

當(dāng)間隙120的尺寸125由上文描述的多種因素確定時，如將參照圖5詳細描述的，通過在執(zhí)行剝落的同時調(diào)節(jié)在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的延伸方向11上、或者在薄膜磁性層100的行進方向上施加的張力的強度，間隙120的尺寸125可以被形成為在金屬帶片材處具有確定值。例如，當(dāng)所傳輸?shù)男盘柕念l率處于高頻帶中時，可以確定間隙120的尺寸125，以屏蔽具有這種頻率的信號的磁場。此外，張力被施加到用于電纜的磁性屏蔽條帶1000，以利用所確定的其尺寸125形成間隙120的尺寸125。

同時，間隙120可以在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的延伸方向11上被提供在多個細條110當(dāng)中的鄰近細條之間。此外，間隙120可以在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的寬度方向上(見圖1a中的附圖標(biāo)記12)各自被進一步提供在多個細條110之間，并且張力可以在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的寬度方向12以及其延伸方向11上被施加到金屬帶片材，以便在寬度方向12上調(diào)節(jié)各自被提供在多個細條110之間的間隙。

在上文中，描述了通過熱處理調(diào)節(jié)相對磁導(dǎo)率(例如，剛剛在執(zhí)行熱處理之后的初始相對磁導(dǎo)率)的特征，以及還描述了調(diào)節(jié)間隙120的尺寸125的特征。上文描述的兩個特征可以被利用為控制針對電磁場(當(dāng)傳輸通過電纜1的信號生成這種電磁場時)的屏蔽作用的技術(shù)。此外，除了這兩個特征，調(diào)節(jié)例如薄膜磁性層100的多個細條110中的每個細條的寬度的技術(shù)也可以被利用為控制針對電磁場的屏蔽作用的技術(shù)，并且這將在下文描述。

更具體地，將描述如下情形，其中頻率信號目前傳輸通過電纜1，并且用于電纜的磁性屏蔽條帶1000以其中蓋膜層220面向外側(cè)的狀態(tài)纏繞在電纜1上。這時，電磁波通過正在傳輸通過電纜1的頻率信號被感應(yīng)到導(dǎo)電層320，并且從而導(dǎo)電層320將所感應(yīng)的電磁波發(fā)射到外界。

這時，當(dāng)各自被提供在薄膜磁性層100的多個細條之間的間隙(薄膜磁性層100被提供在導(dǎo)電層320的外側(cè)處)、多個細條中的每個細條的寬度、以及剛剛在金屬帶片材上執(zhí)行熱處理之后的初始相對磁導(dǎo)率當(dāng)中的至少一個被調(diào)節(jié)時，針對電磁波發(fā)射的屏蔽作用可以被控制。例如，對屏蔽作用的控制可以包括調(diào)節(jié)可屏蔽電信號的頻帶，并且因此將在對應(yīng)的頻帶中被屏蔽的電磁波的量調(diào)節(jié)為等于或者大于特定值(即，大約50％)。

例如，當(dāng)具有大約85mhz左右的中心頻率的頻率信號傳輸通過電纜1時，使得各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸具有等于或者大于3um的值，使得多個細條中的每個細條的寬度具有等于或者小于5mm的值，使得剛剛在執(zhí)行了熱處理之后的薄膜磁性層100的初始相對磁導(dǎo)率具有在1至5000范圍內(nèi)的值，并且使得薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率的虛部的絕對值具有大于100的值，以便由具有大約85mhz的中心頻率的頻率信號感應(yīng)至導(dǎo)電層320的電磁波可以被有效地屏蔽。此外，當(dāng)具有在10khz至200khz的范圍內(nèi)的頻率的頻率信號傳輸通過電纜1時，使得各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸具有等于或者大于0.1um的值，使得多個細條中的每個細條的寬度具有等于或者小于5mm的值，使得剛剛在執(zhí)行了熱處理之后的薄膜磁性層100的初始相對磁導(dǎo)率具有在5000至80000范圍內(nèi)的值，并且使得薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率的虛部的絕對值具有大于100的值，以便由具有在10khz至200khz的范圍內(nèi)的頻率的頻率信號感應(yīng)至導(dǎo)電層320的電磁波也可以被有效地屏蔽。

蓋膜層220通過第一粘附層210被粘附至薄膜磁性層100的一個側(cè)表面。此后，包括蓋膜層220和第一粘附層210的層將被稱為蓋層200。

蓋膜層220可以是例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜、聚酰亞胺(pi)膜、以及聚碳酸酯膜當(dāng)中的任何一種。這時，第一粘附層210可以是例如丙烯酸粘附物、硅酮粘附物、熱熔粘附物等。

當(dāng)包圍電纜1時，這種蓋膜層220可以被移除、然后使用。在這一情形下，用于電纜的磁性屏蔽條帶1000以其中第一粘附層210面向外側(cè)的狀態(tài)纏繞，并且用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的鄰近部分與彼此部分重疊，使得當(dāng)纏繞用于電纜的磁性屏蔽條帶1000時，電纜1可以因為第一粘附層210的粘附力而被更強地包圍。

導(dǎo)電層320通過第二粘附層310粘附至與薄膜磁性層100的一個側(cè)表面相對的另一側(cè)表面。此后，包括導(dǎo)電層320和第二粘附層310的層將被稱為底層300。

導(dǎo)電層320可以包括例如鋁或者銅。這時，第二粘附層310可以是例如丙烯酸粘附物、硅酮粘附物、熱熔粘附物等。包括導(dǎo)電層320和第二粘附層310的底層300可以在剝落和其中應(yīng)用張力的處理之后被粘附至薄膜磁性層100，如將參照圖6在下文描述的那樣，并且接著，可以在底層300連同薄膜磁性層100和蓋層200上執(zhí)行層壓處理。

通過這種層壓處理，第一粘附層210和第二粘附層310的某部分可以滲透到各自被提供在多個細條110之間的間隙120中。

然而，在本公開的另一實施例中，分離填充物可以在底層300(即導(dǎo)電層320)被粘附之前被填充在各自被提供在多個細條110之間的間隙120中。圖3是圖示了用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的橫截面的圖，其中分離填充物121在延伸方向上被填充在各自被提供在多個細條110之間的間隙120中。填充物121可以是與第一粘附層210和第二粘附層310不同的材料，并且例如，其可以包括以下中的任何一種：其中磷酸材料或者硝酸材料與乙醇混合的材料，和其中分布了zro2、sio2、或者tio2的納米顆粒的透明溶膠(或者脈絡(luò)膜溶液)。

滲透到間隙120中的第一粘附層210和第二粘附層310的某部分、或者被填充在間隙120中的填充物121可以將多個細條110固定到彼此并且與彼此分割。特別地，包含在填充物121中的材料可以與金屬帶片材反應(yīng)以形成膜(例如，磷酸鐵膜或者硝酸鐵膜)，并且這種膜可以用于上文描述的功能(即，固定和間分(inter-division))。因此，可以防止鄰近細條110因為其流動而與彼此接觸，以便可以阻擋由渦旋電流造成的影響因為鄰近的細條110與彼此接觸而增加。

此外，滲透到間隙120中的第一粘附層210和第二粘附層310的某部分、或者被填充在間隙120中的填充物121可以防止水分穿透到間隙120中。因此，可以防止由水分穿透到間隙120中造成的多個細條110的氧化，使得可能提供即使執(zhí)行了剝落也不降低屏蔽性能的用于電纜的磁性屏蔽條帶。

如上文所描述的，在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶中，配置薄膜磁性層的金屬帶片材以多個分割的細條的形式配置。因此，即使當(dāng)對金屬帶片材應(yīng)用ac磁場時，在金屬帶片材的表面上生成的渦旋電流也可以減少。此外，相比于金屬帶片材被分割之前，用于電纜的磁性屏蔽條帶憑借各自被提供在多個細條之間的間隙而具有更大的柔性。從而容易纏繞在具有小直徑的電纜上。

此外，第一粘附層和第二粘附層的某部分可以滲透到各自被提供在多個細條110之間的間隙中，或者分離填充物可以被填充在該間隙中。此外，多個細條110可以通過這種填充物被固定到彼此并且與彼此分割。因此，可以防止鄰近的細條110因為其流動而與彼此接觸，以便可以阻擋由渦旋電流造成的影響因為鄰近的細條110與彼此接觸而增加。

此外，滲透到間隙中的粘附層的某部分、或者被填充在間隙中的填充物可以防止水分穿透到間隙中。因此，可以防止由水分穿透到間隙中造成的多個細條的氧化，使得可能提供即使執(zhí)行了剝落也不降低屏蔽性能的用于電纜的磁性屏蔽條帶。

而且，各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸可以通過考慮傳輸通過電纜的信號的頻帶確定。特別地，當(dāng)傳輸高頻信號時，間隙的尺寸可以被確定為與當(dāng)傳輸?shù)皖l信號時相比的相對大的值。通過上文的描述，即使當(dāng)高頻信號以及低頻信號傳輸通過電纜時，磁場也可以被有效地屏蔽。

同時，圖2的薄膜磁性層100被示出為配置有單個金屬帶片材，但是其不限于此，并且薄膜磁性層100可以配置有堆疊的至少兩個金屬帶片材。在這種情形下，至少兩個金屬帶片材可以通過例如丙烯酸粘附物、硅酮粘附物、熱熔粘附物等被粘附至彼此。當(dāng)堆疊兩個或者更多個金屬帶片材時，屏蔽作用可以比其它情況更高。

這可以同樣地應(yīng)用于圖3中所示的實施例。即，圖3中所示的薄膜磁性層100也可以配置有堆疊的至少兩個金屬帶片材。在這種情形下，至少兩個金屬帶片材可以通過例如丙烯酸粘附物、硅酮粘附物、熱熔粘附物等被粘附至彼此。此外，堆疊的金屬帶片材中的最靠近導(dǎo)電層320的金屬帶片材被稱為第一金屬帶片材。當(dāng)?shù)谝唤饘賻谋环指畛啥鄠€細條110時，第二粘附層310可以滲透到各自被提供在多個細條110之間的間隙120中，并且否則，與第一粘附層210或者第二粘附層310不同材料的填充物121可以被填充在間隙120中，但是這僅僅是說明性的。

圖4是圖示如下操作的圖：該操作與根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶的制造過程有關(guān)。在這一情形下，圖4中所示的操作當(dāng)中的至少一個操作根據(jù)實施例可以不被執(zhí)行。未在圖4中示出的操作可以附加地執(zhí)行，并且可以改變圖4中所示的操作的執(zhí)行順序。

參照圖4，在操作s100中，在包括無定形金屬的金屬帶上執(zhí)行熱處理，以形成配置有金屬帶片材的薄膜磁性層。這時，金屬帶片材可以包括納米晶體合金或者無定形合金。

在金屬帶上執(zhí)行的熱處理的溫度在400攝氏度至600攝氏度的范圍內(nèi)，并且，如上文所描述的，該溫度可以根據(jù)被包括在金屬帶中的無定形金屬的成分而變化。例如，熱處理可以優(yōu)選地在500攝氏度至520攝氏度(更優(yōu)選地，510攝氏度)的范圍內(nèi)的溫度下在包含fe-si-nb-cu-b的金屬帶上執(zhí)行，并且從而可以形成包含fe-si-nb-cu-b的納米晶體合金。同時，熱處理可以優(yōu)選地在450攝氏度至480攝氏度(更優(yōu)選地，460攝氏度)的范圍內(nèi)的溫度下在包含fe-si-b的金屬帶上執(zhí)行，并且從而可以形成包含fe-si-b的無定形合金。這里，當(dāng)熱處理的溫度低于400攝氏度時，納米晶體顆粒不能充分生成并且因此不能獲得期望的相對磁導(dǎo)率，并且甚至當(dāng)熱處理的溫度超過700攝氏度時，相對磁導(dǎo)率可能因為過熱處理而明顯降低。

此外，在操作s100中，至少兩個或者更多個金屬帶片材(其中每個通過在金屬帶上執(zhí)行熱處理獲得)可以堆疊，以配置薄膜磁性層100。在這種情形下，金屬帶片材可以通過例如丙烯酸粘附物、硅酮粘附物、熱熔粘附物等被粘附至彼此。

接著，在操作s110中，蓋膜層220通過第一粘附層210被粘附至薄膜磁性層100的一個側(cè)表面。

此后，在操作s120中，在蓋膜層220粘附至的薄膜磁性層100上執(zhí)行剝落，并且從而被包括在薄膜磁性層100中的金屬帶片材被分割成多個細條110，并且此外，在圖1a中所示的延伸方向11或者當(dāng)執(zhí)行剝落時的行進方向上，對薄膜磁性層100施加張力，從而提供各自被提供在鄰近彼此的細條110之間的間隙120。這時，各自被提供在多個細條110之間的間隙120的尺寸125可以例如等于或者大于1um、并且等于或者小于300um，并且間隙120的尺寸125的調(diào)節(jié)方向可以與延伸方向11相同。

參照圖5，將更詳細地描述操作s120。參照圖5，提供了一對剝落設(shè)備20。如圖5中所示，多個突起槽(groove)被形成在一對剝落設(shè)備20中的每個剝落設(shè)備的外圓周表面上。蓋膜層220粘附至的薄膜磁性層100在這對剝落設(shè)備20之間通過。這時，蓋膜層220粘附至的薄膜磁性層100的金屬帶片材被多個這種突起槽分割成多個細條110。

每個分割的細條110的表面積小于還未被分割成多個細條110的金屬帶片材的表面積。因此，當(dāng)對金屬帶片材應(yīng)用ac磁場時，在金屬帶片材的表面上生成的渦旋電流的量可以減少。

這時，在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的延伸方向11上，或者在執(zhí)行剝落的同時的薄膜磁性層100的行進方向上，對薄膜磁性層100施加張力。因此，間隙120被提供在多個細條110當(dāng)中的鄰近細條110之間。

這里，間隙120的尺寸125可以通過張力的強度調(diào)節(jié)(即，確定)。例如，當(dāng)張力的強度相對大時，間隙120的尺寸125可以相對大，并且當(dāng)張力的強度相對小時，其尺寸125可以相對小。圖7是圖示了所施加的張力的大小與各自被提供在金屬帶片材的多個細條110之間的間隙的尺寸之間的關(guān)系的圖。參照圖7，示出的是，各自被提供在多個細條110之間的間隙120的尺寸125與張力的大小線性地成比例。例如，當(dāng)張力的強度為0.1千克力(kgf)時，間隙120的尺寸125可以為10um，并且當(dāng)張力的強度為30kgf時，其尺寸125可以為300um。這里，圖7的圖以配置有單個層的薄膜磁性層100為基礎(chǔ)示出。

此外，如上文描述的，間隙120的尺寸125可以由包括傳輸通過電纜1的信號的頻帶、多個細條110中的每個細條的尺寸、傳輸通過電纜1的信號的頻帶中的中間頻率等在內(nèi)的多種因素確定。

即，根據(jù)本公開的一個實施例，各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸可以通過考慮傳輸通過電纜的信號的頻帶確定。特別地，當(dāng)傳輸高頻信號時，間隙的尺寸可以被確定為與當(dāng)傳輸?shù)皖l信號時相比的相對大的值，并且因此即使當(dāng)高頻信號傳輸通過電纜時磁場也可以被有效地屏蔽。

同時，通過操作s120形成的間隙120可以在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的延伸方向11上各自被提供在多個細條110之間。此外，間隙120可以進一步地在用于電纜的磁性屏蔽條帶1000的寬度方向12上各自被提供在多個細條110之間，并且為此，可以在金屬帶片材的寬度方向12上對金屬帶片材應(yīng)用張力，但是未在圖5中示出。

參照回到圖4，在操作s120之后，在操作s130中，填充物121可以被填充在各自被提供在多個細條110之間的間隙120中。這時，填充物121可以是與上文描述的第一粘附層210和第二粘附層310不同的材料，并且，其可以包括例如以下中的任何一種：其中磷酸材料或者硝酸材料與乙醇混合的材料，和其中分布了zro2、sio2、或者tio2的納米顆粒的透明溶膠(或者脈絡(luò)膜溶液)。然而，操作s130根據(jù)實施例可以不被執(zhí)行。

接著，在操作s140中，導(dǎo)電層320通過第二粘附層310被粘附至薄膜磁性層100的另一側(cè)表面。

更具體地，第二粘附層310被布置在薄膜磁性層100的上文描述的另一側(cè)表面與導(dǎo)電層320之間。憑借這種第二粘附層310，導(dǎo)電層320被粘附至薄膜磁性層100。

接著，在操作s150中，在包括蓋層200、導(dǎo)電層320、以及第二粘附層310的底層300、以及薄膜磁性層100上執(zhí)行層壓處理。為了詳細描述以上內(nèi)容，將參照圖6a和圖6b。參照圖6a，蓋層200和底層300粘附至的薄膜磁性層100在圖6a中所示的一對層壓設(shè)備30之間通過。通過這種程序，對蓋層200、底層300、以及薄膜磁性層100執(zhí)行層壓處理。

備選地，層壓處理可以通過與圖6a中不同的層壓設(shè)備執(zhí)行。例如，如圖6b所示，層壓設(shè)備31包括上加壓構(gòu)件31a和下加壓構(gòu)件31b。薄膜磁性層100可以與蓋層200和底層300一起被布置在上加壓構(gòu)件31a和下加壓構(gòu)件31b之間，并且接著，其可以通過上加壓構(gòu)件31a和下加壓構(gòu)件31b在箭頭32方向上的相對移動而被壓縮。通過這種程序，對蓋層200、底層300、以及薄膜磁性層100執(zhí)行層壓處理。

這里，當(dāng)未執(zhí)行操作s130時，第一粘附層210和第二粘附層310的某部分由于操作s150而可以滲透到各自被提供在多個細條110之間的間隙120中。

多個細條110可以當(dāng)未執(zhí)行操作s130時通過第一粘附層210和第二粘附層310的某部分滲透到間隙120中，或者當(dāng)執(zhí)行操作s130時通過將填充物121填充在間隙120中，而固定到彼此并且與彼此分割。因此，可以防止鄰近細條110因為其流動而與彼此接觸，以便可以阻擋由渦旋電流造成的影響因為鄰近的細條110與彼此接觸而增加。

此外，滲透到間隙120中的第一粘附層210和第二粘附層310的某部分、或者被填充在間隙120中的填充物121可以防止水分穿透到間隙120中。因此，可以防止由水分穿透到間隙120中造成的多個細條110的氧化，使得可能提供即使執(zhí)行了剝落也不降低屏蔽性能的用于電纜的磁性屏蔽條帶。

如上文所描述的，在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶中，配置薄膜磁性層的金屬帶片材以多個分割的細條的形式配置。因此，即使當(dāng)對金屬條片材應(yīng)用ac磁場時，在金屬帶片材的表面上生成的渦旋電流也可以減少。

此外，第一粘附層和第二粘附層的某部分可以滲透到各自被提供在多個細條之間的間隙中，或者分離填充物可以被填充在該間隙中。此外，通過上文的描述，多個細條可以以與彼此分割的狀態(tài)固定。因此，可以防止鄰近的細條因為其流動而與彼此接觸，以便可以阻擋由渦旋電流造成的影響因為鄰近的細條與彼此接觸而增加。

此外，滲透到間隙中的粘附層的某部分、或者被填充在間隙中的填充物可以防止水分穿透到間隙中。因此，可以防止由水分穿透到間隙中造成的多個細條的氧化，使得可能提供即使執(zhí)行了剝落也不降低屏蔽性能的用于電纜的磁性屏蔽條帶。

此外，各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸可以通過考慮傳輸通過電纜的信號的頻帶確定。特別地，當(dāng)傳輸高頻信號時，間隙的尺寸可以通過考慮高頻信號而被確定為與當(dāng)傳輸?shù)皖l信號時相比的相對大的值，并且因此，即使當(dāng)高頻信號傳輸通過電纜時，磁場也可以被有效地屏蔽。

同時，在本公開的一個實施例中，已經(jīng)描述了，當(dāng)處于高頻帶以及低頻帶中的信號傳輸通過電纜1時生成的磁場也可以如上文所描述的通過調(diào)節(jié)各自被提供在多個細條110之間的間隙120的尺寸125而被有效地屏蔽，并且此后，將參照圖8a和圖8b更詳細地對此進行描述。

圖8a是說明性地示出了被包括在根據(jù)本公開的一個實施例的用于電纜的磁性屏蔽條帶中的金屬帶片材的多個細條中的每個細條的尺寸、鄰近細條之間的間隙、以及相對磁導(dǎo)率之間的關(guān)系的圖。在圖8a中，各自被提供在多個細條之間的間隙的尺寸在以附圖標(biāo)記126示出的曲線上最小，在以附圖標(biāo)記128示出的曲線上最大，并且在以附圖標(biāo)記127示出的曲線上中等。例如，間隙的尺寸在曲線126、127、以及128上分別為1.0um、7.0um、以及15.0um。基于上文的描述，當(dāng)多個細條110的尺寸與彼此相同時，薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率本身隨著間隙120的尺寸125更大而減小。此外，當(dāng)各自被提供在多個細條110之間的間隙120的尺寸125與彼此相同時，薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率本身隨著多個細條110的尺寸更小而減小。

然而，如圖8b中所示，薄膜磁性層100的相對磁導(dǎo)率本身隨著間隙120的尺寸125更大而減小，并且配置相對磁導(dǎo)率的實部和虛部中的虛部從低頻帶a移動至高頻帶b。因此，薄膜磁性層100可以更有效地屏蔽由相對高頻的帶中的信號產(chǎn)生的磁場。即，當(dāng)a指代圖8b的虛線曲線的最大屏蔽頻率并且b指代圖8b的實線曲線的最大屏蔽頻率時，可以通過調(diào)節(jié)各自被提供在薄膜磁性層100的多個細條110之間的間隙120的尺寸，來控制最大屏蔽頻率。

隨著各自被提供在細條之間的間隙更大、每個細條的寬度更小、以及初始相對磁導(dǎo)率(剛剛在薄膜磁性層100上執(zhí)行了熱處理之后)更小，這種最大屏蔽頻率變大。最大屏蔽頻率、各自被提供在細條之間的間隙、每個細條的寬度、以及剛剛在薄膜磁性層100上執(zhí)行了熱處理之后的初始相對磁導(dǎo)率之間的關(guān)系在以下表1中示出，表1圖示了通過實驗獲得的值。

[表1]

每個框或者操作可以指示模塊、分段、或者包括用于執(zhí)行特定邏輯功能的一個或者多個可執(zhí)行指令的某些代碼。此外，在若干備選實施例中，應(yīng)該注意的是，在框或者操作中描述的功能可以不按順序發(fā)生。例如，如果必要的話，根據(jù)對應(yīng)的功能，兩個連續(xù)的框或者操作可以基本上同時執(zhí)行或者以相反的順序執(zhí)行。

雖然參照實施例中的一些說明性實施例描述了實施例，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想將落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的大量其它修改和實施例。因此，本文中公開的實施例不被理解成用于限制本公開的技術(shù)概念的意義，而是用于對其進行解釋，并且技術(shù)概念的范圍不限于這些實施例。本公開的范圍應(yīng)該由所附權(quán)利要求、連同歸屬于這些權(quán)利要求的等效的整個范圍來解釋。

附圖標(biāo)記的描述

1：電纜100：薄膜磁性層

220：蓋膜層320：導(dǎo)電層

1000：用于電纜的磁性屏蔽條帶