本發(fā)明涉及顯示技術領域，更具體的說，涉及一種有機發(fā)光二極體顯示面板及其制造方法。

背景技術：

主動矩陣有機發(fā)光二極體(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)顯示屏具有高對比度、廣色域、響應速度快等特點。由于amoled具自發(fā)光的特色，不需使用背光板，因此比amlcd更能夠做得更輕薄甚至柔性。amoled顯示屏的主要通過特定的tft進行控制調節(jié)oled器件的開關和亮度，在調節(jié)三原色的比例之后進行畫面顯示。其中，控制tft往往采用金屬氧化物半導體，其不僅有較高的開態(tài)電流和較低的關態(tài)電流，還有均勻性和穩(wěn)定性較高的特點。

經過陽極制程后，再用像素定義層(pixeldefinitionlayer，pdl)層對像素進行定義，接著進行發(fā)光層的制程。此傳統(tǒng)的制程道數較多，制程復雜，但若省去像素定義層會造成自發(fā)光面板顯示不均或混色，影響顯示效果。

技術實現要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種提高顯示效果的顯示面板。

本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現的：

本發(fā)明的目的之一是提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：

主動開關，設置在所述基板上；

發(fā)光層，形成所述主動開關上，并電性連接于所述主動開關；以及

平坦層，形成于所述主動開關與所述發(fā)光層之間，所述平坦層具有通孔；

彩色光阻層，填充于所述平坦層的通孔內，并對位于所述發(fā)光層。

本發(fā)明的目的之一是提供一種顯示面板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成主動開關在所述基板上；

形成發(fā)光層于所述主動開關上，并電性連接于所述主動開關；以及

形成平坦層于所述主動開關與所述發(fā)光層之間，其中所述平坦層具有通孔；

填充彩色光阻層于所述平坦層的通孔內，所述彩色光阻層是對位于所述發(fā)光層。

本發(fā)明的目的之一是提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板；

主動開關，設置在基板上；

發(fā)光層，所述主動開關上，并電性連接于所述主動開關；以及

鈍化層，形成于所述主動開關與所述發(fā)光層之間，所述鈍化層具有凹部；

彩色光阻層，填充于所述鈍化層的凹部內，并對位于所述發(fā)光層。

本發(fā)明的目的之一是提供一種顯示面板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成主動開關在所述基板上；

形成發(fā)光層于所述主動開關上，并電性連接于所述主動開關；以及

形成鈍化層于所述主動開關與所述發(fā)光層之間，其中所述鈍化層具有凹部；

填充彩色光阻層于所述鈍化層的凹部內，所述彩色光阻層是對位于所述發(fā)光層。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板；

主動開關，設置在基板上；

平坦層，位于所述主動開關上，并具有一像素定義凹部；

發(fā)光層，形成于所述像素定義凹部內，并電性連接于所述主動開關。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板；

主動開關，設置在基板上；

發(fā)光層，設置在主動開關上；

所述基板和發(fā)光層之間設有遮光層，所述遮光層設有透光區(qū)域，所述透光區(qū)域與所述發(fā)光層在基板上的正投影區(qū)域相對應，所述透光區(qū)域對顯示面板的像素進行定義。

其中，所述基板上覆蓋設置有緩沖層和鈍化層，所述緩沖層與所述鈍化層之間設有層間介質層，所述鈍化層與所述發(fā)光層之間設有平坦層，所述發(fā)光層包括發(fā)光器件，所述遮光層對所述發(fā)光器件的光線進行修正。這樣，鈍化層的設置能夠非常好的對主動開關進行保護，進一步的延長了顯示面板的使用壽命；遮光層遮擋了發(fā)光層邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果。

其中，所述發(fā)光器件為白色有機發(fā)光二極管，所述鈍化層的上表面或下表面設有彩色光阻層，所述彩色光阻層與所述白色有機發(fā)光二極管相對應設置。這樣，白色有機發(fā)光二極管在基板上的正投影面積大于彩色光阻層在基板上的正投影面積，而且白色有機發(fā)光二極管在基板上的正投影能夠完全覆蓋彩色光阻層在基板上的正投影，使得白色有機發(fā)光二極管發(fā)射的光線能夠非常好的穿過彩色光阻層，從而可以非常好的提高顯示面板的顯示效果；同時白色有機發(fā)光二極管的技術難度和制造成本較低，易于實現顯示面板的商品化。

其中，所述發(fā)光器件為彩色有機發(fā)光二極管。這樣，相對于白色有機發(fā)光二極管，彩色有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率更好，其亮度和對比度都優(yōu)于白色有機發(fā)光二極管，而且能夠有效的降低顯示面板的厚度，使得顯示面板更加的輕薄，具有更好的市場競爭力。

其中，所述主動開關包括半導體層、源極、漏極，所述半導體層設在所述緩沖層與所述層間介質層之間，所述源極和所述漏極的一端均設在所述鈍化層和所述層間介質層之間，所述源極和所述漏極的另一端穿過所述層間介質層分別連接在半導體層的兩端。

其中，所述主動開關包括柵極，所述柵極設在所述層間介質層內，所述柵極和所述半導體層之間設有柵極絕緣層。這樣，柵極設在源極和漏極之間的位置，也能起到很好的遮光作用。

其中，所述半導體層為銦鎵鋅氧化物薄膜層。這樣，通過銦鎵鋅氧化物薄膜層的設置，能夠非常有效的降低顯示面板的功耗，從而更好的節(jié)省電能，非常的節(jié)約環(huán)保；而且其載流子遷移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主動開關2對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得分辨率可以達到全高清乃至超高清級別程度。

其中，所述源極穿過所述緩沖層與所述遮光層相連接。這樣，能夠非常有效的對發(fā)光層的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層的光線在主動開關出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果。

其中，所述源極和所述漏極在所述基板的正投影之間也設有所述遮光層，且所述遮光層在所述基板填充所述源極和所述漏極在所述基板的正投影之間的間隔空隙。這樣，發(fā)光層的光線照射到源極和漏極上，源極和漏極對光線進行有效的遮擋，發(fā)光層的光線照射到源極和漏極之間的位置，首先柵極能夠很好的對光線進行遮擋，沒有被遮擋的照射到遮光層，遮光層在基板填充源極和漏極在基板的正投影之間的間隔空隙，能夠非常有效的對發(fā)光層的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層的光線在主動開關出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果。

根據本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發(fā)明由于運用遮光層對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，可減少傳統(tǒng)自發(fā)光顯示面板的一道像素定義層制程，亦能防止像素定義層制成對前面的制程造成的影響，可實現對顯示面板的有效保護，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果；而且用遮光層對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，遮擋了發(fā)光層邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果；同時在減少像素定義層制程的同時，也減小了像素定義層制程中的溫度對平坦層穿透率的負面影響，能夠非常好的對平坦層進行非常好的保護，從而保證了顯示面板的壽命和效率；優(yōu)化自發(fā)光顯示面板結構制程，減少像素定義層制程，能夠非常好的節(jié)約生產成本，也能進一步的提高平坦層的制程適應性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的發(fā)明人設計的顯示面板的剖面示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例的發(fā)明人設計的顯示面板的剖面示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例的顯示面板的部分剖面示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例的顯示面板的部分剖面示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例的顯示面板的部分剖面示意圖。

具體實施方式

這里所公開的具體結構和功能細節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實現，并且不應當被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個組件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數形式“一個”、“一項”還意圖包括復數。還應當理解的是，這里所使用的術語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進一步說明。

如圖1和圖2所示，主動開關2陣列常用的結構有刻蝕阻擋，背溝道刻蝕，共平面自對準頂柵以及雙柵機等結構。其中共平面自對準頂柵無需考慮溝道刻蝕問題，且自對準的方式能減小溝道長度，提高面板分辨率。在自發(fā)光顯示面板結構中，往往會先有一道制程形成平坦層15，經過陽極制程后，再用像素定義層161(pixeldefinitionlayer，pdl)對像素進行定義，接著進行發(fā)光材料的制程。

上述制程道數較多，制程復雜，但若省去像素定義層161會造成自發(fā)光面板顯示不均或混色，影響顯示效果。且平坦層15的穿透在后續(xù)制程受溫度影響較大，平坦層15后續(xù)制程越少為佳。因此，提供一種新的技術方案，可以有效的減少后續(xù)制程，提高顯示效果的顯示面板。

下面參考附圖描述本發(fā)明實施例的顯示面板結構示意圖。

如圖3所示的實施例，所述顯示面板包括：基板1、主動開關2和發(fā)光層16；基板1和發(fā)光層16之間設有遮光層11，遮光層11設有透光區(qū)域，透光區(qū)域與發(fā)光層16在基板上的正投影區(qū)域相對應，透光區(qū)域對顯示面板的像素進行定義。

通過運用遮光層11對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，可減少傳統(tǒng)自發(fā)光顯示面板的一道像素定義層161制程，亦能防止像素定義層161制成對前面的制程造成的影響，可實現對顯示面板的有效保護，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果；而且用遮光層11對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，遮擋了發(fā)光層16邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果；同時在減少像素定義層161制程的同時，也減小了像素定義層161制程中的溫度對平坦層15穿透率的負面影響，能夠非常好的對平坦層15進行非常好的保護，從而保證了顯示面板的壽命和效率；優(yōu)化自發(fā)光顯示面板結構制程，減少像素定義層161制程，能夠非常好的節(jié)約生產成本，也能進一步的提高平坦層15的制程適應性能。

基板1上覆蓋設置有緩沖層12和鈍化層14，緩沖層12與鈍化層14之間設有層間介質層13，主動開關2能夠非常好的起到遮光的作用，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果。

鈍化層14的設置能夠非常好的對主動開關2進行保護，進一步的延長了顯示面板的使用壽命，鈍化層14與發(fā)光層16之間設有平坦層15，發(fā)光層16包括發(fā)光器件，遮光層11對發(fā)光器件的光線進行修正，鈍化層14遮擋了發(fā)光層16邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果；發(fā)光層16下表面設有透明陽極18，即透明陽極18設在發(fā)光層16與平坦層15之間，透明陽極有多種材料可供選擇，例如可以采用石墨烯復合材料、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦錫鋅(itzo)、鋁摻雜氧化鋅(azo)、鎵摻雜氧化鋅(gzo)、氧化鋅(zno)或聚乙撐二氧噻吩(pedot)等透明導電材料制作，發(fā)光層16上表面設有金屬陰極19。

發(fā)光器件為白色有機發(fā)光二極管162，鈍化層14的上表面設有彩色光阻層17，彩色光阻層17與白色有機發(fā)光二極管162相對應設置，白色有機發(fā)光二極管162在基板1上的正投影面積大于彩色光阻層17在基板1上的正投影面積，而且白色有機發(fā)光二極管162在基板1上的正投影能夠完全覆蓋彩色光阻層17在基板1上的正投影，使得白色有機發(fā)光二極管162發(fā)射的光線能夠非常好的穿過彩色光阻層17，從而可以非常好的提高顯示面板的顯示效果；同時白色有機發(fā)光二極管162的技術難度和制造成本較低，易于實現顯示面板的商品化。

若彩色光阻層17設在鈍化層14的下表面，即彩色光阻層17設在鈍化層14與層間介質層13之間，通過將鈍化層14覆蓋于主動開關2和彩色光阻層17上，能有效防止彩色濾光片在后續(xù)制程中彩色光阻層17的氣體溢出問題的出現，使得鈍化層14能夠非常好的對彩色光阻層17進行非常好的保護，從而保證了顯示面板的壽命和效率，而且不需要增加制程的步驟，也不需要改變目前光罩的樣式，僅需改變制程光罩順序，即可實現對顯示面板的有效保護，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果。

主動開關2包括半導體層24、源極22、漏極23，半導體層24設在緩沖層12與層間介質層13之間，源極22和漏極23的一端均設在鈍化層14和層間介質層13之間，源極22和漏極23的另一端穿過層間介質層13分別連接在半導體層24的兩端；主動開關2包括柵極21，柵極21設在層間介質層13內，柵極21和半導體層24之間設有柵極絕緣層25，柵極21設在源極22和漏極23之間的位置，也能起到很好的遮光作用。

半導體層24為氧化物薄膜層，氧化物薄膜層可以采用的材料有zno，zn-sn-o，in-zn-o，mgzno，in-ga-o，in2o3等，這些材料的制備可以采用磁控濺射，脈沖激光沉積，電子束蒸發(fā)等方法制備，相對于傳統(tǒng)的非晶硅存在著載流子遷移率較低，光敏性強的問題，氧化物薄膜層薄膜層具有較高的載流子遷移率特性，而且在均勻性和穩(wěn)定性等方面都具有明顯的優(yōu)勢，顯示出了巨大的應用前景；采用氧化物薄膜層的主動開關2具有較高的開關電流花比和較高的場效應遷移率，響應速度快，能夠實現較大的驅動電流，可以制備大面積的顯示面板；而且采用氧化物薄膜層的主動開關2可在室溫下制備，低的制備溫度就可以使用柔性襯底，從而導致柔性顯示的出現，柔性顯示技術與現有的顯示技術相比具有更便攜，更輕，更耐摔等，而采用氧化物半導體是最適合用于柔性顯示的半導體材料。

可選的，氧化物薄膜層采用銦鎵鋅氧化物薄膜層，通過銦鎵鋅氧化物薄膜層的設置，能夠非常有效的降低顯示面板的功耗，從而更好的節(jié)省電能，非常的節(jié)約環(huán)保；而且其載流子遷移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主動開關2對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得分辨率可以達到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition)級別程度；另外，由于晶體管數量減少和提高了每個像素的透光率，使得顯示面板具有更高的能效水平，而且效率更高；同時，利用現有的非晶硅生產線生產，只需稍加改動，因此在成本方面比低溫多晶硅更有競爭力。

源極22穿過緩沖層12與遮光層11相連接，能夠非常有效的對發(fā)光層16的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層16的光線在主動開關2出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果。

源極22和漏極23在基板1的正投影之間也設有遮光層11，且遮光層11在基板1填充源極22和漏極23在基板1的正投影之間的間隔空隙，發(fā)光層16的光線照射到源極22和漏極23上，源極22和漏極23對光線進行有效的遮擋，發(fā)光層16的光線照射到源極22和漏極23之間的位置，首先柵極21能夠很好的對光線進行遮擋，沒有被遮擋的照射到遮光層11，遮光層11在基板1填充源極22和漏極23在基板1的正投影之間的間隔空隙，能夠非常有效的對發(fā)光層16的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層16的光線在主動開關2出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果；當然也可以在柵極21在基板1上的正投影處不設置遮光層11，這樣能夠非常有效的節(jié)省耗材，能夠非常好的降低顯示面板的生產成本，而且能夠有效的降低顯示面板的質量，使得顯示面板更加的方便移動。

圖4所示的實施方式公開的顯示面板包括：基板1、主動開關2和發(fā)光層16；基板1和發(fā)光層16之間設有遮光層11，遮光層11設有透光區(qū)域，透光區(qū)域與發(fā)光層16在基板上的正投影區(qū)域相對應，透光區(qū)域對顯示面板的像素進行定義。

通過運用遮光層11對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，可減少傳統(tǒng)自發(fā)光顯示面板的一道像素定義層161制程，亦能防止像素定義層161制成對前面的制程造成的影響，可實現對顯示面板的有效保護，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果；而且用遮光層11對自發(fā)光顯示面板的像素進行定義，遮擋了發(fā)光層16邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果；同時在減少像素定義層161制程的同時，也減小了像素定義層161制程中的溫度對平坦層15穿透率的負面影響，能夠非常好的對平坦層15進行非常好的保護，從而保證了顯示面板的壽命和效率；優(yōu)化自發(fā)光顯示面板結構制程，減少像素定義層161制程，能夠非常好的節(jié)約生產成本，也能進一步的提高平坦層15的制程適應性能。

基板1上覆蓋設置有緩沖層12和鈍化層14，緩沖層12與鈍化層14之間設有層間介質層13，主動開關2能夠非常好的起到遮光的作用，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果。

鈍化層14的設置能夠非常好的對主動開關2進行保護，進一步的延長了顯示面板的使用壽命，鈍化層14與發(fā)光層16之間設有平坦層15，發(fā)光層16包括發(fā)光器件，遮光層11對發(fā)光器件的光線進行修正；鈍化層14遮擋了發(fā)光層16邊緣顯示不均的部分，只發(fā)出顯示均勻且與設計相符的光線，有效的防止了自發(fā)光顯示面板的顯示不均或混色現象，從而很好的保證了自發(fā)光顯示面板的顯示效果；發(fā)光層16下表面設有透明陽極18，即透明陽極18設在發(fā)光層16與平坦層15之間，發(fā)光層16上表面設有金屬陰極19。

發(fā)光器件可為彩色有機發(fā)光二極管163，相對于白色有機發(fā)光二極管162，彩色有機發(fā)光二極管163的發(fā)光效率更好，其亮度和對比度都優(yōu)于白色有機發(fā)光二極管162，而且能夠有效的降低顯示面板的厚度，使得顯示面板更加的輕薄，具有更好的市場競爭力。

主動開關2包括半導體層24、源極22、漏極23，半導體層24設在緩沖層12與層間介質層13之間，源極22和漏極23的一端均設在鈍化層14和層間介質層13之間，源極22和漏極23的另一端穿過層間介質層13分別連接在半導體層24的兩端；主動開關2包括柵極21，柵極21設在層間介質層13內，柵極21和半導體層24之間設有柵極絕緣層25，柵極21設在源極22和漏極23之間的位置，也能起到很好的遮光作用。

半導體層24為氧化物薄膜層，氧化物薄膜層可以采用的材料有zno，zn-sn-o，in-zn-o，mgzno，in-ga-o，in2o3等，這些材料的制備可以采用磁控濺射，脈沖激光沉積，電子束蒸發(fā)等方法制備，相對于傳統(tǒng)的非晶硅存在著載流子遷移率較低，光敏性強的問題，氧化物薄膜層薄膜層具有較高的載流子遷移率特性，而且在均勻性和穩(wěn)定性等方面都具有明顯的優(yōu)勢，顯示出了巨大的應用前景；采用氧化物薄膜層的主動開關2具有較高的開關電流花比和較高的場效應遷移率，響應速度快，能夠實現較大的驅動電流，可以制備大面積的顯示面板；而且采用氧化物薄膜層的主動開關2可在室溫下制備，低的制備溫度就可以使用柔性襯底，從而導致柔性顯示的出現，柔性顯示技術與現有的顯示技術相比具有更便攜，更輕，更耐摔等，而采用氧化物半導體是最適合用于柔性顯示的半導體材料。

可選的，氧化物薄膜層采用銦鎵鋅氧化物薄膜層，通過銦鎵鋅氧化物薄膜層的設置，能夠非常有效的降低顯示面板的功耗，從而更好的節(jié)省電能，非常的節(jié)約環(huán)保；而且其載流子遷移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主動開關2對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得分辨率可以達到全高清乃至超高清級別程度；另外，由于晶體管數量減少和提高了每個像素的透光率，使得顯示面板具有更高的能效水平，而且效率更高；同時，利用現有的非晶硅生產線生產，只需稍加改動，因此在成本方面比低溫多晶硅更有競爭力。

源極22穿過緩沖層12與遮光層11相連接，能夠非常有效的對發(fā)光層16的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層16的光線在主動開關2出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果。

源極22和漏極23在基板1的正投影之間也設有遮光層11，且遮光層11在基板1填充源極22和漏極23在基板1的正投影之間的間隔空隙，發(fā)光層16的光線照射到源極22和漏極23上，源極22和漏極23對光線進行有效的遮擋，發(fā)光層16的光線照射到源極22和漏極23之間的位置，首先柵極21能夠很好的對光線進行遮擋，沒有被遮擋的照射到遮光層11，遮光層11在基板1填充源極22和漏極23在基板1的正投影之間的間隔空隙，能夠非常有效的對發(fā)光層16的光線進行遮擋，有效的防止了發(fā)光層16的光線在主動開關2出現漏光，有效的緩解了顯示不均或混色現象，使得顯示面板的具有更好的顯示效果，從而進一步的提高了顯示面板的顯示效果；當然也可以在柵極21在基板1上的正投影處不設置遮光層11，這樣能夠非常有效的節(jié)省耗材，能夠非常好的降低顯示面板的生產成本，而且能夠有效的降低顯示面板的質量，使得顯示面板更加的方便運輸或搬運。

如圖5所示，本實施例對鈍化層進行改進，將鈍化層兩層，鈍化層設在平坦層15和層間介質層13之間，彩色光阻層17設在兩層鈍化層之間，源極22和漏極23為金屬材料制成，源極22和漏極23的側邊從微結構來看都有金屬毛刺的現象，通過設置兩層鈍化層，能夠更好的對金屬層上的金屬毛刺進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺裸露在保護層外，使得保護層能夠更好的對金屬層進行保護，有效的避免后續(xù)的制程對源極22和漏極23的影響，從而非常好的提高顯示面板的良品率；而且將彩色光阻層17設在兩層鈍化層之間，能夠非常好的對彩色光阻層17進行保護，有效的防止后續(xù)制程使彩色光阻層17的有機材料釋放出一些有害雜質氣體，從而實現對顯示面板的有效保護，增加其效率及壽命。

如圖6所示，在一實施例中，所述顯示面板可包括：基板1；主動開關2，設置在基板1上；平坦層151，位于所述主動開關2上，并具有一像素定義凹部152；發(fā)光層16，可形成于所述像素定義凹部152內，并電性連接于所述主動開關2。

因此，如圖6所示，通過平坦層151的像素定義凹部152，可直接定義發(fā)光層16的像素區(qū)域，而不需利用像素定義層。

如圖7所示，在一實施例中，所述顯示面板可包括：基板1；主動開關2(未顯示于圖7中)，設置在基板1上；發(fā)光層16，形成所述主動開關2上，并通過透明電極18(透明陽極)來電性連接于所述主動開關2；鈍化層，形成于所述主動開關2與所述發(fā)光層16之間，所述鈍化層141具有凹部142；以及彩色光阻層17，填充于所述鈍化層141的凹部142內，并對位于所述發(fā)光層16。

具體地，如圖7所示，鈍化層141可形成于層間介質層13上。

上述顯示面板的制造方法可包括：

提供一基板1；

形成主動開關2在所述基板1上；

形成發(fā)光層16于所述主動開關2上，并電性連接于所述主動開關2；以及

形成鈍化層141于所述主動開關2與所述發(fā)光層16之間，其中所述鈍化層141具有凹部142；

填充彩色光阻層17于所述鈍化層141的凹部142內，所述彩色光阻層17是對位于所述發(fā)光層16。

因此，如圖7所示，通過鈍化層141的凹部142，可直接填充彩色光阻層17于凹部142內，而不需再圖案化彩色光阻層17，或者可直接省略平坦層15的設置。

如圖8所示，在一實施例中，所述顯示面板可包括：基板1；主動開關2，設置在所述基板1上；發(fā)光層16，形成所述主動開關2上，并通過透明電極18(透明陽極)來電性連接于所述主動開關2；以及平坦層153，形成于所述主動開關2與所述發(fā)光層16之間，所述平坦層153可具有通孔154；彩色光阻層17，填充于所述平坦層153的通孔154內，并對位于所述發(fā)光層16。

上述顯示面板的制造方法可包括：

提供一基板1；

形成主動開關2在所述基板1上；

形成發(fā)光層16于所述主動開關2上，并電性連接于所述主動開關2；以及

形成平坦層153于所述主動開關2與所述發(fā)光層16之間，其中所述平坦層153具有通孔154；

填充彩色光阻層17于所述平坦層153的通孔154內，所述彩色光阻層17是對位于所述發(fā)光層16。

具體地，在形成平坦層153于鈍化層14上之后，可先蝕刻形成通孔154，接著填充彩色光阻層17于所述平坦層153的通孔154內。接著，蝕刻形成通孔155，接著形成透明電極18于平坦層153上。

因此，如圖8所示，通過平坦層153的通孔154，可直接填充彩色光阻層17于凹部142內，而不需再圖案化彩色光阻層17。

在各實施例中，顯示面板例如包括，然不限于此，有機發(fā)光二極管(oled)、白光有機發(fā)光二極管(whiteorganiclightemittingdiode，w-oled)、主動矩陣有機發(fā)光二極管(active-matrixorganiclightemittingdiodes，amoled)、被動矩陣有機發(fā)光二極管(passive-matrixorganiclightemittingdiodes，pmoled)、可撓性有機發(fā)光二極管(flexibleorganiclightemittingdiodes，foled)、堆棧式有機發(fā)光二極管(stackedorganiclightemittingdiodes，soled)、串聯式(tandemorganiclightemittingdiode)、透明有機發(fā)光二極管(transparentorganiclightemittingdiodes，toled)、頂發(fā)光式有機發(fā)光二極管(topemittingorganiclightemittingdiode)、底發(fā)光式有機發(fā)光二極管(bottomemittingorganiclightemittingdiode)、熒光摻雜有機發(fā)光二極管(fluorescencedopedorganiclightemittingdiode，f-oled)及磷光有機發(fā)光二極管(phosphorescentorganiclightemittingdiode，pholed)。

以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。