本發(fā)明涉及發(fā)光元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成表貼發(fā)光器件的生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的發(fā)光顯示器件大部分采用smd封裝，smd封裝是將led芯片用導(dǎo)電膠和絕緣膠固定在燈珠支架的焊盤上，然后進(jìn)行l(wèi)ed芯片導(dǎo)通性能焊接，那功能測(cè)試后，用環(huán)氧樹(shù)脂膠包封，再進(jìn)行分光、切割和打編帶。

這種smd封裝制成的發(fā)光器件內(nèi)僅有單個(gè)rgb芯片，單燈珠單體化分裝雖然容易加工，但其封裝中使用的四角或六角支架為后續(xù)的生產(chǎn)環(huán)節(jié)帶來(lái)了技術(shù)困難和可靠性隱患。當(dāng)需要生產(chǎn)高分辨率顯示屏?xí)r，發(fā)光點(diǎn)密度增加，發(fā)光器件需要貼片加工到顯示屏電路板上，這種smd封裝結(jié)構(gòu)存在數(shù)量龐大的支架管腳焊接良率問(wèn)題，無(wú)法生產(chǎn)高分辨率顯示屏。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明提出一種集成表貼發(fā)光器件的生產(chǎn)工藝，填補(bǔ)了高清、高分辨率顯示屏的空白。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，設(shè)計(jì)一種集成表貼發(fā)光器件的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：

步驟1、將若干個(gè)發(fā)光點(diǎn)組排列封裝在基板的正面上，每個(gè)發(fā)光點(diǎn)組包含至少一個(gè)紅光led芯片、至少一個(gè)綠光led芯片和至少一個(gè)藍(lán)光led芯片，所有l(wèi)ed芯片采用cob封裝在基板上；

步驟2、將基板切割分成若干個(gè)獨(dú)立的發(fā)光器件，每個(gè)發(fā)光器件內(nèi)設(shè)有一個(gè)發(fā)光點(diǎn)組；

步驟3、將每個(gè)發(fā)光器件內(nèi)的紅光led芯片、綠光led芯片及藍(lán)光led芯片分別點(diǎn)亮測(cè)試波長(zhǎng)和亮度值，按照測(cè)試數(shù)據(jù)將所有發(fā)光器件分bin；

步驟4、測(cè)試每個(gè)發(fā)光器件的正向電壓和反向漏電流，將不合格的挑出。

較優(yōu)的，步驟1中每個(gè)發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)包含多個(gè)紅光led芯片、多個(gè)綠光led芯片及多個(gè)藍(lán)光led芯片，發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)的紅光led芯片、綠光led芯片及藍(lán)光led芯片行列間距可任意排列組合。

優(yōu)選的，步驟1中所有l(wèi)ed芯片采用正裝cob封裝或倒裝cob封裝。

優(yōu)選的，基板正面設(shè)有用于封裝led芯片的焊盤，基板的背面設(shè)有用于焊接控制引腳的引腳焊盤。

優(yōu)選的，基板為黑色雙面線路板或多層線路板，基板的材料為bt、碳纖維或fr4。

在第一實(shí)施例中，生產(chǎn)工藝還包括：步驟5、將合格的發(fā)光器件排列安裝在高分辨率顯示屏的電路板上，在電路板上覆蓋面罩。

在第二實(shí)施例中，步驟2中切割基板之前，先對(duì)基板進(jìn)行模壓封膠，使基板的正面覆蓋一層透明的膠質(zhì)。優(yōu)選的，膠質(zhì)的厚度范圍為0.8mm至1.2mm。在第二實(shí)施例中，生產(chǎn)工藝還包括：步驟5、將合格并位于同一bin范圍的發(fā)光器件編入載帶，在載帶上熱封保護(hù)膜。

本發(fā)明集成了cob封裝及smd封裝技術(shù)，將若干個(gè)紅綠藍(lán)基色led芯片采用cob封裝在基板上，led芯片之間的間距可按照需要調(diào)整，led芯片封裝完成后再切割成獨(dú)立的發(fā)光器件，發(fā)光器件體積小，且一個(gè)發(fā)光器件內(nèi)可封裝有一組紅綠藍(lán)led芯片或多組紅綠藍(lán)led芯片，發(fā)光器件的分辨率高，適用于加工高分辨率及高亮度產(chǎn)品。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的led芯片采用cob封裝在基板上，去除傳統(tǒng)smd封裝中的支架，可提高單個(gè)發(fā)光器件內(nèi)的led芯片數(shù)量，封裝后將基板切割形成單個(gè)發(fā)光器件，再分別對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行分光、測(cè)試，解決了傳統(tǒng)cob封裝中產(chǎn)品一次通過(guò)率難控制、成品率低的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中：

圖1是本發(fā)明中基板未切割時(shí)的整版結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明中基板上單個(gè)發(fā)光器件區(qū)域的正面焊盤排布示意圖；

圖3是本發(fā)明中基板上單個(gè)發(fā)光器件區(qū)域的背面引腳焊盤排布示意圖；

圖4是本發(fā)明中l(wèi)ed芯片封裝在基板上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明中單個(gè)發(fā)光器件未封膠的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明中單個(gè)發(fā)光器件封膠的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提出的發(fā)光器件的生產(chǎn)工藝，包括封裝、切割、分bin、測(cè)試等步驟。

下面詳細(xì)闡述每個(gè)步驟：

步驟1、如圖1所示，基板1按照需要預(yù)先進(jìn)行拼版設(shè)計(jì)，基板1的上下兩側(cè)設(shè)有工藝邊11，工藝邊11上設(shè)有定位孔12，便于在基板1上進(jìn)行后續(xù)加工?；?為黑色雙面線路板或多層線路板，基板1的材料為bt、碳纖維或fr4，表面為沉金工藝，除發(fā)光區(qū)域整版均為黑色組焊，雙面線路導(dǎo)通過(guò)孔為盲孔。如圖2、3所示，基板1正面設(shè)有若干個(gè)用于封裝led芯片的焊盤13，基板1的背面設(shè)有若干個(gè)用于焊接控制引腳的引腳焊盤14。

如圖4所示，將若干個(gè)發(fā)光點(diǎn)組排列封裝在基板1的正面上，每個(gè)發(fā)光點(diǎn)組包含至少一個(gè)紅光led芯片、至少一個(gè)綠光led芯片和至少一個(gè)藍(lán)光led芯片，所有l(wèi)ed芯片2為單基色裸芯片，且采用cob封裝在基板1上。

為了便于描述，本文中提到的三色led芯片是紅光led芯片、綠光led芯片及藍(lán)光led芯片的簡(jiǎn)稱。各發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)三色led芯片的數(shù)量和排列可相同或者不相同，較優(yōu)的，步驟1中每個(gè)發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)包含多個(gè)紅光led芯片、多個(gè)綠光led芯片及多個(gè)藍(lán)光led芯片，發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)的三色led芯片任意排列組合，按照實(shí)際需要調(diào)整三色led芯片之間的間距，發(fā)光點(diǎn)組內(nèi)相鄰的三色led芯片顏色混合形成一個(gè)虛擬發(fā)光點(diǎn)，通過(guò)若干發(fā)光點(diǎn)的組合形成點(diǎn)間距各異的微型矩陣發(fā)光器件3。相比于現(xiàn)有smd元件來(lái)說(shuō)，采用本發(fā)明加工的發(fā)光器件3內(nèi)可排布若干個(gè)三色led芯片，且可隨意調(diào)整三色led芯片的間距，體積小、分辨率高。

另外，步驟1中所有l(wèi)ed芯片2可采用正裝cob封裝或倒裝cob封裝，正裝cob即將裸芯片正置放在基板1上，通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)led芯片與基板的導(dǎo)通。反裝cob即將裸芯片倒置放在基板1上，led芯片2直接通過(guò)芯片電極與基板導(dǎo)通，倒裝cob尺寸可以做到更小，光學(xué)更容易匹配，散熱功能、芯片壽命及抗靜電能力好。

步驟2、發(fā)光點(diǎn)組封裝完成后，如圖5所示，將基板1切割分成若干個(gè)獨(dú)立的發(fā)光器件3，每個(gè)發(fā)光器件3內(nèi)設(shè)有一個(gè)發(fā)光點(diǎn)組，發(fā)光器件3的尺寸在15×15mm以內(nèi)，發(fā)光器件3正面發(fā)光、底面設(shè)有控制引腳31；

步驟3、將每個(gè)發(fā)光器件3內(nèi)的三色led芯片分別點(diǎn)亮測(cè)試波長(zhǎng)和亮度值，按照測(cè)試數(shù)據(jù)將所有發(fā)光器件3分bin；

步驟4、單點(diǎn)掃描測(cè)試每個(gè)發(fā)光器件3的正向電壓和反向漏電流，將不合格的挑出。

在第一實(shí)施例中，如圖5所示，生產(chǎn)工藝還包括：步驟5、將合格的發(fā)光器件3固化后排列安裝在電路板上，發(fā)光器件3固化的過(guò)程就是在發(fā)光器件3的led芯片2表面點(diǎn)膠，覆蓋led芯片2防止其被氧化，在電路板上覆蓋面罩保護(hù)發(fā)光器件上的led芯片2，led芯片發(fā)出的光線穿過(guò)面罩射出，面罩覆蓋的形式有利于后期拆卸維護(hù)，且發(fā)光更均勻、更亮。

在第二實(shí)施例中，如圖6所示，步驟2中切割基板1之前，先對(duì)整版基板進(jìn)行模壓封膠，使基板1的正面覆蓋一層透明的膠質(zhì)4，通過(guò)該膠質(zhì)4保護(hù)led芯片2，led芯片2發(fā)出的光線穿過(guò)膠質(zhì)4射出。較優(yōu)的，膠質(zhì)4的厚度范圍為0.8mm至1.2mm。在第二實(shí)施例中，生產(chǎn)工藝還包括：步驟5、將合格并位于同一bin范圍的發(fā)光器件3編入載帶，在載帶上熱封保護(hù)膜。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。