本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)：

目前，隨著顯示面板廣泛應(yīng)用，人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的要求也越來越高。陣列基板，作為顯示面板的核心組件，其質(zhì)量直接關(guān)系著最終產(chǎn)品的質(zhì)量?，F(xiàn)有陣列基板一般都具有薄膜晶體管，在形成薄膜晶體管的柵極時(shí)，需要在玻璃基板上先形成柵極金屬層，再通過光刻工藝在柵極金屬層上形成柵極；但該柵極金屬層不僅僅用來形成柵極，通過光刻工藝還可以同時(shí)形成與柵極同層的電源線等。

對(duì)于電源線而言，為了降低線阻，保證壓降，需要保證其具有較大的厚度；但由于金屬熱穩(wěn)定性比玻璃差，厚度較大的金屬在高溫工藝中需要釋放內(nèi)部應(yīng)力，使得金屬層內(nèi)縮而形成多個(gè)凸起的“小山丘”，即出現(xiàn)“hillock”現(xiàn)象；這些“小山丘”可能會(huì)刺透柵絕緣層，造成柵絕緣層兩側(cè)的金屬出現(xiàn)短路，導(dǎo)致薄膜晶體管難以正常工作，從而影響陣列基板及顯示面板的正常工作，且金屬越厚，“hillock”現(xiàn)象的發(fā)生率越高，從而使產(chǎn)品的良率大幅降低。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制造方法，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問題。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成至少包括薄膜晶體管區(qū)和電源線區(qū)的柵極金屬層；

通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成柵極并在所述電源線區(qū)形成電源線，且所述柵極的厚度小于所述電源線的厚度；

通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成層疊的柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層，以得到薄膜晶體管。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述柵極金屬層還包括存儲(chǔ)電容區(qū)，所述陣列基板的制造方法還包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述存儲(chǔ)電容區(qū)形成電容電極，所述電容電極的厚度小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述柵極金屬層還包括柵線區(qū)，所述陣列基板的制造方法還包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述柵線區(qū)形成柵線，所述柵線上包括與信號(hào)線交叉的交叉區(qū)，所述交叉區(qū)的柵線的厚度小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，在形成所述柵極后，形成所述柵絕緣層之前，所述陣列基板的制造方法還包括：

在包括所述柵極的襯底基板上形成防氧化層；

通過構(gòu)圖工藝形成防氧化層圖案，所述防氧化層圖案至少覆蓋所述柵極金屬層上厚度小于所述電源線的厚度的區(qū)域，且所述防氧化層和所述柵極金屬層上任一厚度小于所述電源線的區(qū)域的厚度之和小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述在所述薄膜晶體管區(qū)形成柵極并在所述電源線區(qū)形成電源線包括：

在所述柵極金屬層上涂布光刻膠層；

采用半色調(diào)掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影，以至少得到完全去除區(qū)、與所述電源線區(qū)對(duì)應(yīng)的保留區(qū)和與所述薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的半保留區(qū)；

采用刻蝕工藝去除所述完全去除區(qū)露出的柵極金屬層；

采用灰化工藝去除所述半保留區(qū)的光刻膠，露出所述薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層；

采用刻蝕工藝減薄所述薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層；

采用剝離工藝去除所述保留區(qū)的光刻膠層。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

電源線，設(shè)于所述襯底基板上；

薄膜晶體管，設(shè)于所述襯底基板上，且所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層，所述柵極與所述電源線同層設(shè)置，且所述柵極的厚度小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述陣列基板還包括：

存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容包括電容電極，所述電容電極設(shè)于所述襯底基板上并與所述柵極同層設(shè)置，且所述電容電極的厚度小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述陣列基板還包括：

柵線，設(shè)于所述襯底基板上并與所述柵極同層設(shè)置，所述柵線包括交叉區(qū)；

信號(hào)線，設(shè)于所述柵線上方并與所述柵線在所述交叉區(qū)交叉，且與所述交叉區(qū)的所述柵線的厚度小于所述電源線的厚度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述陣列基板還包括：

防氧化層圖案，設(shè)于所述柵極金屬層和所述柵絕緣層之間，所述防氧化層圖案至少覆蓋所述柵極金屬層上厚度小于所述電源線的厚度的區(qū)域，且所述防氧化層和所述柵極金屬層上任一厚度小于所述電源線的區(qū)域的厚度之和小于所述電源線的厚度。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，一種顯示裝置，包括：

上述任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

本公開陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，可通過使柵極金屬層上的不同區(qū)域的具有不同的厚度提高產(chǎn)品良率，且避免影響電源線的線阻；具而言之，可通過構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管區(qū)形成柵極并在電源線區(qū)形成電源線，且柵極的厚度小于電源線的厚度。從而既可以避免降低電源線的厚度，保證電源線的線阻和壓降，又可以降低柵極的厚度，以防止在柵極出現(xiàn)“小山丘”，即“hillock”現(xiàn)象，從而保證薄膜晶體管的正常工作。由此，可提高產(chǎn)品的良率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本公開陣列基板的制造方法的流程圖。

圖2為實(shí)現(xiàn)圖1中步驟s120的方法的流程圖。

圖3為圖2中步驟s110對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖2中步驟s1201對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖2中步驟s1202對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖一。

圖6為圖2中步驟s1202對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖二。

圖7為圖2中步驟s1203對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為圖2中步驟s1204對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為圖2中步驟s1205對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為圖2中步驟s1206對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11為本公開陣列基板的制造方法中防氧化層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12為本公開陣列基板的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13為本公開陣列基板的薄膜晶體管和電容電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14為本公開陣列基板的柵線和信號(hào)線的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知技術(shù)方案以避免喧賓奪主而使得本公開的各方面變得模糊。

雖然本說明書中使用相對(duì)性的用語，例如“上”、“下”來描述圖標(biāo)的一個(gè)組件對(duì)于另一組件的相對(duì)關(guān)系，但是這些術(shù)語用于本說明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會(huì)成為在“下”的組件。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

用語“該”和“所述”用以表示存在一個(gè)或多個(gè)要素/組成部分/等；用語“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等。

本示例實(shí)施方式中首先提供了一種陣列基板的制造方法，可用于制造用oled(organiclight-emittingdiode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置或液晶顯示裝置等顯示裝置的陣列基板，如圖1，本實(shí)施方式的陣列基板的制造方法可以包括以下步驟：

步驟s110、在襯底基板上形成至少包括薄膜晶體管區(qū)和電源線區(qū)的柵極金屬層；

步驟s120、通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成柵極并在所述電源線區(qū)形成電源線，且所述柵極的厚度小于所述電源線的厚度；

步驟s130、通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成層疊的柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層，以得到薄膜晶體管。

本實(shí)施方式的陣列基板的制造方法，可通過構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管區(qū)形成柵極并在電源線區(qū)形成電源線，且柵極的厚度小于電源線的厚度。從而既可以避免降低電源線的厚度，保證電源線的線阻和壓降，又可以降低柵極的厚度，以防止在柵極出現(xiàn)“小山丘”，即“hillock”現(xiàn)象，從而保證薄膜晶體管的正常工作。由此，可提高產(chǎn)品的良率。

下面，將對(duì)本示例實(shí)施方式中陣列基板的制造方法的各步驟進(jìn)行進(jìn)一步的說明。

在步驟s110中，如圖3，在襯底基板1上形成至少包括薄膜晶體管區(qū)和電源線區(qū)的柵極金屬層2。

在本實(shí)施方式中，可通過化學(xué)氣相沉積等方法在襯底基板上形成柵極金屬層2，但不以此為限，還可以采用其它方法形成柵極金屬層2；該柵極金屬層2可被劃分出多個(gè)區(qū)域，且至少包括薄膜晶體管區(qū)和電源線區(qū)；其中，薄膜晶體管的柵極可位于該薄膜晶體管區(qū)內(nèi)，且陣列基板的電源線可位于電源線區(qū)內(nèi)。

在步驟s120中，如圖10，通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成柵極21并在所述電源線區(qū)形成電源線22，且所述柵極21的厚度小于所述電源線22的厚度。

在本實(shí)施方式中，形成上述柵極21和電源線22的方法可以采用半色調(diào)掩膜版，通過構(gòu)圖工藝在上述薄膜晶體管區(qū)形成柵極21，同時(shí)，在電源線區(qū)形成電源線22。舉例而言，如圖2及圖4～圖7，形成上述柵極21和電源線22的方法可以包括下述步驟s1201～步驟1206，但圖4～圖7僅為反映柵極21和電源線22的工藝過程和二者的厚度關(guān)系的示意圖，并不構(gòu)成對(duì)其位置關(guān)系和連接關(guān)系的限定，其中：

在步驟s1201中，如圖4，在所述柵極金屬層2上涂布光刻膠層3。

光刻膠層3可以是正性光刻膠或負(fù)性光刻膠；且在涂布光刻膠層3之前可對(duì)形成有柵極金屬層2的襯底基板1進(jìn)行清洗，去除表面微粒，避免雜質(zhì)干擾。

在步驟s1202中，如圖5和圖6，采用半色調(diào)掩膜版4對(duì)所述光刻膠層3進(jìn)行曝光并顯影，以至少得到完全去除區(qū)、與所述電源線區(qū)對(duì)應(yīng)的保留區(qū)和與所述薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的半保留區(qū)；其中，圖5示出采用半色調(diào)掩膜版4對(duì)光刻膠層3進(jìn)行曝光；圖6示出顯影后的光刻膠層3。

半色調(diào)掩膜版4至少包括非透光區(qū)、全透光區(qū)和半透光區(qū)；若光刻膠層3采用正性光刻膠，在曝光時(shí)，非透光區(qū)與上述電源區(qū)對(duì)應(yīng)，半透光區(qū)與薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)，全透光區(qū)與不需要保留的區(qū)域?qū)?yīng)；可采用紫外光對(duì)半色調(diào)掩膜版4進(jìn)行照射，使非透光區(qū)的光刻膠層3不溶于顯影液，半透光區(qū)的光刻膠層3不完全溶于顯影液，全透光區(qū)的光刻膠層3可全溶于顯影液；在通過顯影液進(jìn)行顯影后，形成上述的完全去除區(qū)、保留區(qū)和半保留區(qū)，且保留區(qū)的光刻膠層3的厚度大于半保留區(qū)的光刻膠層3的厚度。若光刻膠層3采用負(fù)性光刻膠，半色調(diào)掩膜版4的非透光區(qū)和全透光區(qū)的位置互換，具體原理已為公知，在此不再詳述。

在步驟s1203中，如圖7，采用刻蝕工藝去除所述完全去除區(qū)露出的柵極金屬層2。

上述刻蝕工藝可采用干法刻蝕或濕法刻蝕，以將完全去除區(qū)露出的柵極金屬層2去除，保留的區(qū)域中包含薄膜晶體管區(qū)和電源線區(qū)。

在步驟s1204中，如圖8，采用灰化工藝去除所述半保留區(qū)的光刻膠層3，露出所述薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層2。

由于保留區(qū)的光刻膠層3的厚度大于半保留區(qū)的光刻膠層3的厚度，因而在去除半保留區(qū)的光刻膠層3后，保留區(qū)的光刻膠層3可被減薄，使得電源線區(qū)的柵極金屬層2仍被光刻膠層3覆蓋，而薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層2被露出。

在步驟s1205中，如圖9，采用刻蝕工藝減薄所述薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層2。

可采用干法刻蝕或濕法刻蝕將薄膜晶體管區(qū)的柵極金屬層2的厚度減薄，電源線區(qū)的柵極金屬層2由于光刻膠層3的覆蓋，則不會(huì)減薄。

在步驟s1206中，如圖10，采用剝離工藝去除所述保留區(qū)的光刻膠層3。

在完成步驟s1206后，可得到柵極21和電源線22，且柵極21的厚度小于電源線22的厚度，從而可防止柵極21出現(xiàn)“hillock”現(xiàn)象，并可避免升高電源線22的線阻，有利于保證電源線22的壓降。

需要說明的是，上述的步驟s1201～步驟1206所述的通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成柵極21并在所述電源線區(qū)形成電源線22的方法，僅為示例性說明，并不構(gòu)成對(duì)本公開的限定，其還可以采用別的實(shí)施方式，在此不再贅述。

在步驟s130中，如圖12，通過構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管區(qū)形成層疊的柵絕緣層5、有源層6以及源漏金屬層7，以得到薄膜晶體管。

在本實(shí)施方式中，形成上述柵絕緣層5、有源層6以及源漏金屬層7的方法可參考本領(lǐng)域的常規(guī)方法，在此不再詳述。

在本實(shí)施方式中，如圖13，柵極金屬層2還可以包括存儲(chǔ)電容區(qū)，上述陣列基板的制造方法還可以包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述存儲(chǔ)電容區(qū)形成電容電極23，電容電極23的厚度小于電源線22的厚度；該電容電極23的厚度可與柵極21的厚度相同，且電容電極23可與柵極21通過一次構(gòu)圖工藝形成，具體工藝過程可參考上述步驟s1201～步驟s1206，在此不再贅述；當(dāng)然，電容電極23的厚度也可大于柵極21，但小于電源線22的厚度即可，從而可避免在電容電極23處出現(xiàn)“hillock”現(xiàn)象，有利于保證存儲(chǔ)電容的正常工作，進(jìn)一步提高產(chǎn)品良率。

在本實(shí)施方式中，如圖14，柵極金屬層2還可以包括柵線區(qū)，上述陣列基板的制造方法還可以包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述柵線區(qū)形成柵線24，柵線24上包括與信號(hào)線8交叉的交叉區(qū)，所述交叉區(qū)的柵線24的厚度小于電源線22的厚度。其中，可以僅使所述交叉區(qū)的柵線24的厚度與柵極21的厚度相同，也可以使柵線24的其它區(qū)域的厚度也與柵極21的厚度相同；信號(hào)線8可以用于向薄膜晶體管輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

柵線24可與柵極21通過一次構(gòu)圖工藝形成，具體工藝過程可參考上述步驟s1201～步驟s1206，在此不再贅述；當(dāng)然，所述交叉區(qū)的柵線24的厚度也可大于柵極21，但小于電源線22的厚度即可。從而可避免在所述交叉區(qū)的柵線24出現(xiàn)“hillock”現(xiàn)象，防止柵線24與信號(hào)線8因“hillock”現(xiàn)象而短路；同時(shí)，所述交叉區(qū)的柵線24的厚度降低，可降低信號(hào)線8在交叉區(qū)的爬坡難度，防止信號(hào)線8因爬坡的坡度過大而出現(xiàn)斷裂，有利于保證信號(hào)線8和柵線24的正常工作，進(jìn)一步提高產(chǎn)品良率。

在本實(shí)施方式中，如圖11～圖14，在形成柵極21后，形成柵絕緣層5之前，上述陣列基板的制造方法還可以包括：

在包括柵極21的襯底基板1上形成防氧化層9；

通過構(gòu)圖工藝形成防氧化層圖案，所述防氧化層圖案至少覆蓋柵極金屬層2上厚度小于電源線22的厚度的區(qū)域，且防氧化層9和柵極金屬層2上任一厚度小于電源線22的區(qū)域的厚度之和小于電源線22的厚度。

上述防氧化層9的材料可以是金屬，例如鉬，但不以此為限，還可以是其它的可導(dǎo)電且不易氧化的材料；上述防氧化層圖案不僅可以覆蓋柵極金屬層2上厚度小于電源線22的厚度的區(qū)域，還可以覆蓋電源線22等保留下來的柵極金屬層2的其它區(qū)域。柵極金屬層2上厚度小于電源線22的區(qū)域可以包括上述的柵極21、電容電極23和交叉區(qū)的柵線24，以保證即便在形成防氧化層圖案后，上述的柵極21、電容電極23和交叉區(qū)的柵線24三者的各自的厚度仍小于電源線22的厚度。通過上述防氧化層圖案可起到防氧化，并進(jìn)一步避免出現(xiàn)“hillock”現(xiàn)象。

在本實(shí)施方式中，上述通過構(gòu)圖工藝形成防氧化層圖案的方法可以包括：

在完成上述步驟s1204后，進(jìn)行上述步驟s1205之前，沉積一次覆蓋柵極絕緣層2的防氧化層9；

在進(jìn)行完上述步驟s1206后，柵極金屬層2上厚度小于電源線22厚度的區(qū)域的防氧化層9被去除，可再次沉積覆蓋柵極絕緣層2的防氧化層9，并采用光刻工藝去除與步驟1202中的完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的防氧化層9，以得到防氧化層圖案。

當(dāng)然，上述通過構(gòu)圖工藝形成防氧化層圖案的方法還可以是：在進(jìn)行完上述步驟s1206后，再沉積覆蓋柵極金屬層2的防氧化層9，并通過光刻工藝去除與步驟1202中的完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的防氧化層9，以得到防氧化層圖案。

需要說明的是，盡管在附圖中以特定順序描述了本公開中方法的各個(gè)步驟，但是，這并非要求或者暗示必須按照該特定順序來執(zhí)行這些步驟，或是必須執(zhí)行全部所示的步驟才能實(shí)現(xiàn)期望的結(jié)果。附加的或備選的，可以省略某些步驟，將多個(gè)步驟合并為一個(gè)步驟執(zhí)行，以及/或者將一個(gè)步驟分解為多個(gè)步驟執(zhí)行等。

本示例實(shí)施方式還提供一種陣列基板，如圖11～圖14，本實(shí)施方式的陣列基板可以包括襯底基板1、電源線22和薄膜晶體管。

在本實(shí)施方式中，電源線22可設(shè)于襯底基板1上。

在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管可設(shè)于襯底基板1上，且所述薄膜晶體管可以包括柵極21、柵絕緣層4、有源層5、源漏金屬層6，柵極21與電源線22同層設(shè)置，且柵極21的厚度小于電源線22的厚度。

在本實(shí)施方式中，上述陣列基板還可以包括存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括電容電極23，電容電極23設(shè)于襯底基板1上并與柵極21同層設(shè)置，且電容電極23的厚度小于電源線22的厚度。

在本實(shí)施方式中，所述陣列基板還包括柵線24和信號(hào)線8，柵線24可設(shè)于襯底基板1上并與柵極21同層設(shè)置，柵線24包括交叉區(qū)；

信號(hào)線8可設(shè)于柵線24上方并與柵線在所述交叉區(qū)交叉，且與所述交叉區(qū)的柵線24的厚度小于電源線22的厚度；信號(hào)線8可用于向薄膜晶體管輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

在本實(shí)施方式中，所述陣列基板還可以包括防氧化層圖案，該防氧化層圖案可設(shè)于柵極金屬層2和柵絕緣層4之間，且所述防氧化層圖案至少覆蓋柵極金屬層2上厚度小于電源線22的厚度的區(qū)域，且防氧化層9和柵極金屬層2上任一厚度小于電源線22的區(qū)域的厚度之和小于電源線22的厚度。

需要說明的是，本示例實(shí)施方式的陣列基板各部分的細(xì)節(jié)可參考上述陣列基板的制造方法的實(shí)施方式，在此不再贅述。

本示例實(shí)施方式還提供一種顯示裝置，本實(shí)施方式的顯示裝置可以包括上述任一實(shí)施方式所述的陣列基板。

本公開示例實(shí)施方式的陣列基板及顯示裝置，由于薄膜晶體管的柵極21的厚度小于電源線22的厚度，從而既可以避免降低電源線22的厚度，保證電源線22的線阻和壓降，又可以防止因柵極21的厚度過大而導(dǎo)致在柵極21出現(xiàn)“小山丘”，即“hillock”現(xiàn)象，從而保證薄膜晶體管的正常工作。由此，可提高產(chǎn)品的良率。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。