技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N阻變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控方法。阻變存儲(chǔ)器包括兩個(gè)電極層與兩個(gè)電極層之間的絕緣層，兩個(gè)電極層分別是第一電極層與第二電極層，至少一個(gè)電極層為鐵磁電極層，存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控方法包括：步驟S1，向兩個(gè)電極層之間施加第一電壓，使得至少一個(gè)鐵磁電極層的電勢(shì)高于另一個(gè)電極層的電勢(shì)，使得絕緣層中形成磁通道；步驟S2，向兩個(gè)電極層之間施加第二電壓，使得一個(gè)鐵磁電極層中的鐵磁材料發(fā)生相變。該調(diào)控方法不涉及到導(dǎo)電細(xì)絲的斷裂過程，緩解了電阻轉(zhuǎn)變的波動(dòng)性，使得RRAM形成的RRAM陣列得到更廣泛地應(yīng)用，該調(diào)控方法操作簡(jiǎn)單，能降低存儲(chǔ)器外圍電路設(shè)計(jì)成本低，有利于其大規(guī)模集成和實(shí)際應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：龍世兵;李磊磊;滕蛟;劉琦;呂杭炳;劉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.20
技術(shù)公布日：2017.09.05