本發(fā)明涉及l(fā)ed燈領域，尤其涉及一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈及其制備方法。

背景技術：

光致發(fā)光是指用光激發(fā)發(fā)光體引起的發(fā)光現(xiàn)象，利用這種現(xiàn)象做成的發(fā)光器件廣泛用于人們的日常生活當中。

現(xiàn)有技術在制備能發(fā)出紅外光的led燈過程中，通常是根據波長需要，預先制備出具有對應波長的紅外線芯片，然后將所述紅外芯片用于led燈中；然而采用現(xiàn)有方法制備的led燈波長局限性較大，其發(fā)射波長受限于芯片的固有范圍，不能快速獲得所需的范圍更廣的波長；甚至有的波長無對應的芯片，生產靈活性較差，并且當所需波長較高時，制備相應波長的芯片成本太高。

因此，現(xiàn)有技術還有待于改進和發(fā)展。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有紅外led燈受限于芯片的固有波長范圍、生產靈活性較差，且制備成本高的問題。

本發(fā)明的技術方案如下：

一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，包括燈罩、位于燈罩內的陰極柱和陽極柱，所述陰極柱頂端設置有一容置空間，所述容置空間內設置有藍光芯片，所述藍光芯片上覆蓋有熒光粉與封裝膠的混合物，所述熒光粉按重量百分比計包括40-70%的氮元素、10-30%的硅元素以及6-20%的稀土元素。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述稀土元素為銪、釔、鈰、鎵、镥、鈧或釓中的一種或多種。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述熒光粉按重量百分比計包括50-60%的氮元素、20-30%的硅元素、2-3%的銪元素、1-2%的镥元素、2-3%的鎵元素以及1-2%的釔元素。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述熒光粉按重量百分比計包括60-70%的氮元素、10-20%的硅元素、1-2%的銪元素、2-3%的镥元素、2-3%的鎵元素以及1-2%的鈰元素。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述熒光粉按重量百分比計包括40-50%的氮元素、20-30%的硅元素、4-5%的銪元素、2-3%的镥元素、8-10%的鎵元素以及1-2%的鈰元素。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述封裝膠材料為環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、有機硅或pu聚氨酯中的一種。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述藍光芯片的波長為440-460nm。

所述的基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈，其中，所述藍光芯片的正負極對應地與陰極柱和陽極柱電連接。

一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈的制備方法，其中，包括步驟：

a、將藍光芯片固定在陰極柱的容置空間；

b、采用金屬導線將藍光芯片的正負極對應地連接陰極柱和陽極柱；

c、在所述藍光芯片表面噴涂熒光粉與封裝膠的混合物，然后進行固化處理，所述熒光粉按重量百分比計包括40-70%的氮元素、10-30%的硅元素以及6-20%的稀土元素；

d、固化完成后進行分光包裝，即制得紅外led燈。

有益效果：本發(fā)明采用藍光芯片激發(fā)不同比例的熒光粉，從而獲得能夠發(fā)射光波在850-1400nm范圍內的紅外led燈；本發(fā)明無需使用紅外發(fā)射芯片，只需利用藍光芯片并對熒光粉的比例進行調整，便可獲得相應波長的紅外led燈；采用本發(fā)明提供的方法制備紅外led燈能明顯降低制作成本，并可靈活制作出能發(fā)出紅外線波長的led燈。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈較佳實施例的結構示意圖。

圖2為本發(fā)明一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈的制備方法較佳實施例的流程圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈及其制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明提供的一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈較佳實施例的結構示意圖，如圖所示，所述紅外led燈包括燈罩10、位于燈罩10內的陰極柱20和陽極柱30，所述陰極柱20頂端設置有一容置空間40，所述容置空間40內設置有藍光芯片50，所述藍光芯片50上覆蓋有熒光粉60與封裝膠的混合物，所述熒光粉60按重量百分比計包括40-70%的氮元素、10-30%的硅元素以及6-20%的稀土元素，所述稀土元素為銪、釔、鈰、鎵、镥、鈧或釓中的一種或多種。

具體來說，所述紅外led燈還包括一與燈罩10配合的底板70，所述燈罩與底板形成一個密封空間，所述底板70底部設置有兩個穿孔，所述陰極柱20和陽極柱30對應穿過所述兩個穿孔，使得所述陰極柱和陽極柱一端位于燈罩內部，另一端位于燈罩外部。

進一步，所述陰極柱的頂端設置有一容置空間，所述容置空間可根據需要設置為圓形、方形等多種形狀，所述容置空間用于安裝藍光芯片；具體地，所述藍光芯片上設置有正負極，所述藍光芯片的負極與陽極柱通過導線連接，所述藍光芯片的正極與陰極柱采用超聲波焊接的方式電連接。

更進一步，由于現(xiàn)有技術在制備能發(fā)出紅外光的led燈過程中，通常是根據波長需要，預先制備出具有對應波長的紅外線芯片，然后將所述紅外芯片用于led燈中；采用現(xiàn)有方法制備的led燈波長局限性較大，其發(fā)射波長受限于芯片的固有范圍，不能快速獲得所需的范圍更廣的波長；甚至有的波長無對應的芯片，生產靈活性較差，并且當所需波長較高時，制備相應波長的芯片成本太高。針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明通過配置不同成分、不同比例的熒光粉，并且只需要使用一種波長的藍光芯片便可激發(fā)出波長范圍在850-1400nm的紅外光，具體如下所示：

當制備能發(fā)出紅外波長為850-1040nm的紅外led燈時，只需將所述熒光粉的配比調整為：按重量百分比計包括40-50%的氮元素、20-30%的硅元素、4-5%的銪元素、2-3%的镥元素、8-10%的鎵元素以及1-2%的鈰元素；

當制備能發(fā)出紅外波長為1040-1260nm的紅外led燈時，只需將所述熒光粉的配比調整為：按重量百分比計包括60-70%的氮元素、10-20%的硅元素、1-2%的銪元素、2-3%的镥元素、2-3%的鎵元素以及1-2%的鈰元素；

當制備能發(fā)出紅外波長為1260-1400nm的紅外led燈時，只需將所述熒光粉的配比調整為：按重量百分比計包括50-60%的氮元素、20-30%的硅元素、2-3%的銪元素、1-2%的镥元素、2-3%的鎵元素以及1-2%的釔元素。

更進一步，本發(fā)明所選藍光芯片為波長為440-460nm的ingan芯片，優(yōu)選450nm的藍光芯片。

進一步，在本發(fā)明中，所述封裝膠材料為環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、有機硅或pu聚氨酯中的一種，所述改性環(huán)氧樹脂可以為改性納米氧化鋅摻雜脂環(huán)族環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯類環(huán)氧樹脂等；本發(fā)明優(yōu)選改性納米氧化鋅摻雜脂環(huán)族環(huán)氧樹脂作為封裝膠材料，所述改性納米氧化鋅摻雜脂環(huán)族環(huán)氧樹脂具有透明度高、耐紫外老化性能好、粘結力強、固化快、粘度低等特性，將其作為封裝膠材料能顯著提升led燈的性能。

進一步，本發(fā)明還提供一種基于藍光芯片激發(fā)熒光粉的紅外led燈的制備方法，其中，如圖2所示，包括步驟：

s1、將藍光芯片固定在陰極柱的容置空間；

s2、采用金屬導線將藍光芯片的正負極對應地連接陰極柱和陽極柱；

s3、在所述藍光芯片表面噴涂熒光粉與封裝膠的混合物，然后進行固化處理，所述熒光粉按重量百分比計包括40-70%的氮元素、10-30%的硅元素以及6-20%的稀土元素；

s4、固化完成后進行分光包裝，即制得紅外led燈。

本發(fā)明提供的制備方法簡單易實現(xiàn)，基于藍光芯片的前提下，只需調整熒光粉的配比便可制備出能夠發(fā)出光波在850-1400nm范圍內的紅外led；本發(fā)明的制備方法明顯降低了紅外led的制作成本，且提高了制作的靈活性。

綜上所述，本發(fā)明采用藍光芯片激發(fā)不同比例的熒光粉，從而獲得能夠發(fā)射光波在850-1400nm范圍內的紅外led燈；本發(fā)明無需使用紅外發(fā)射芯片，只需基于藍光芯片并對熒光粉的比例進行調整，便可獲得相應波長的紅外led燈；采用本發(fā)明提供的方法制備紅外led燈能明顯降低制作成本，并可靈活制作出能發(fā)出紅外線波長的led燈。

應當理解的是，本發(fā)明的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本發(fā)明所附權利要求的保護范圍。