本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種oled陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

oled(organiclightemittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示技術(shù)由于具有自發(fā)光、反應快、亮度高、輕薄等諸多優(yōu)點，長期以來得到極大的關(guān)注和發(fā)展。目前，oled顯示技術(shù)已經(jīng)在移動產(chǎn)品和tv(television，電視機)產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。

然而，目前oled顯示技術(shù)還存在一些比較嚴重的問題，限制了oled顯示技術(shù)的發(fā)展。例如，當oled顯示裝置共陰極時，oled顯示裝置的陰極通常采用蒸鍍或濺射的方式形成，由于蒸鍍或濺射工藝的溫度較低，成膜質(zhì)量較差，因而形成的陰極的阻抗較大，尤其是對于大尺寸oled顯示裝置，陰極的阻抗更大，而陰極阻抗大會產(chǎn)生壓降，從而導致oled顯示異常。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種oled陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可以降低第二電極層的電阻。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種oled陣列基板，包括：設置在襯底基板上的第一電極層，所述第一電極層包括多個第一電極；第一像素界定層，所述第一像素界定層設置在所述第一電極層上，所述第一像素界定層包括開口區(qū)域和用于界定所述開口區(qū)域的像素界定區(qū)域，每個所述開口區(qū)域露出一個所述第一電極；輔助電極，所述輔助電極設置在所述第一像素界定層上、且位于所述像素界定區(qū)域內(nèi)；有機層，所述有機層設置在所述第一像素界定層的開口區(qū)域內(nèi)；第二電極層，所述第二電極層設置在所述有機層和所述輔助電極上，所述第二電極層與所述輔助電極和所述有機層均接觸。

優(yōu)選的，所述oled陣列基板還包括設置在所述輔助電極上的第二像素界定層；所述第二像素界定層包括第一開口區(qū)域和第二開口區(qū)域，所述第一開口區(qū)域與所述第一像素界定層的開口區(qū)域在垂直于所述襯底基板方向重疊，所述有機層設置在所述第一開口區(qū)域內(nèi)；所述第二開口區(qū)域至少露出部分所述輔助電極。

進一步優(yōu)選的，所述第二像素界定層的材料為有機材料或無機材料。

優(yōu)選的，所述oled陣列基板還包括設置在所述襯底基板和所述第一電極層之間的薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括源極、漏極、有源層、柵極以及柵絕緣層，所述漏極與所述第一電極電連接。

進一步優(yōu)選的，所述oled陣列基板還包括依次設置在所述薄膜晶體管和所述第一電極層之間的鈍化層、彩色膜層和平坦層；其中，所述鈍化層靠近所述薄膜晶體管設置，所述第一電極穿過所述鈍化層、所述彩色膜層和所述平坦層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

第二方面，提供一種顯示裝置，包括上述的oled陣列基板。

第三方面，提供一種oled陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上形成第一電極層，所述第一電極層包括多個第一電極；在所述第一電極層上形成第一像素界定層，所述第一像素界定層包括開口區(qū)域和用于界定所述開口區(qū)域的像素界定區(qū)域，每個開口區(qū)域露出一個所述第一電極；在所述第一像素界定層上形成輔助電極，所述輔助電極位于所述第一像素界定層的所述像素界定區(qū)域；在所述第一像素界定層的開口區(qū)域內(nèi)形成有機層；在所述有機層和所述輔助電極上形成第二電極層，所述第二電極層與所述輔助電極和所述有機層均接觸。

優(yōu)選的，在形成所述輔助電極之后，形成所述有機層之前，所述方法包括：形成第二像素界定層；所述第二像素界定層包括第一開口區(qū)域和第二開口區(qū)域，所述第一開口區(qū)域與所述第一像素界定層的開口區(qū)域在垂直于所述襯底基板方向重疊，所述第二開口區(qū)域至少露出部分所述輔助電極。

優(yōu)選的，在形成第一電極層之前，所述方法還包括：在所述襯底基板上形成依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層和源漏極，以形成薄膜晶體管。

進一步優(yōu)選的，在形成第一電極層之前，形成所述薄膜晶體管之后，所述方法還包括：在所述源極和漏極上形成依次鈍化層、彩色膜層和平坦層，所述鈍化層、所述彩色膜層和所述平坦層上形成有過孔，以露出所述薄膜晶體管的漏極。

本發(fā)明實施例提供一種oled陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于第一像素界定層上形成有輔助電極，因而再在輔助電極上形成第二電極層時，第二電極層會與輔助電極接觸，相當于在第二電極層上并聯(lián)了一個電阻，因而可以降低第二電極層的電阻，避免了第二電極層電阻過大產(chǎn)生壓降，從而提高了顯示品質(zhì)，降低了功耗。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3(a)為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖3(b)為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖4為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖5為本發(fā)明實施提供的一種oled陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明實施提供的一種在襯底基板上形成第一電極層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施提供的一種在第一電極層上形成第一像素界定層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施提供的一種在第一像素界定層上形成輔助電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施提供的一種第一像素界定層的開口區(qū)域內(nèi)形成有機層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實施提供的一種在輔助電極上形成第二像素界定層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11(a)為本發(fā)明實施提供的一種在襯底基板上形成薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖11(b)為本發(fā)明實施提供的一種在襯底基板上形成薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖12為本發(fā)明實施提供的一種在薄膜晶體管上依次形成鈍化層、彩色膜層和平坦層的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標記：

10-襯底基板；20-第一電極；30-第一像素界定層；301-開口區(qū)域；302-像素界定區(qū)域；40-輔助電極；50-有機層；60-第二電極層；70-第二像素界定層；701-第一開口區(qū)域；702-第二開口區(qū)域；80-薄膜晶體管；801-源極；802-漏極；803-有源層；804-柵極；805-柵絕緣層；806-刻蝕阻擋層；90-平坦層；100-鈍化層；110-彩色膜層。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種oled陣列基板，如圖1-圖4所示，包括：

設置在襯底基板10上的第一電極層，第一電極層包括多個第一電極20；第一像素界定層30，第一像素界定層30設置在第一電極層上，第一像素界定層30包括開口區(qū)域301和用于界定開口區(qū)域301的像素界定區(qū)域302，每個開口區(qū)域301露出一個第一電極20；輔助電極40，輔助電極40設置在第一像素界定層30上、且位于像素界定區(qū)域302內(nèi)；有機層50，有機層50設置在第一像素界定層30的開口區(qū)域301內(nèi)；第二電極層60，第二電極層60設置在有機層50和輔助電極40上，第二電極層60與輔助電極40和有機層50均接觸。

需要說明的是，第一，可以是第一電極20為陽極，第二電極層60為陰極，此時oled陣列基板共陰極；也可以是第一電極20為陰極，第二電極層60為陽極，此時oled陣列基板共陽極。

第二，有機層50發(fā)出的光可以從第一電極20出射，或者從第二電極層60出射，當然也可以從第一電極20和第二電極層60均出射。

對于第一電極20和第二電極層60的材料不進行限定，當有機層50發(fā)出的光從第一電極20出射，即第一電極20透光時，第一電極20的材料可以是ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)、izo(indiumzincoxide，氧化銦鋅)、fto(fluorine-dopedtinoxide，氟摻雜二氧化錫)或厚度較薄的金屬材料中的至少一種；當有機層50發(fā)出的光不從第一電極20出射時，此時第一電極20不透光，第一電極20的材料可以是厚度較厚的金屬材料如ag(銀)、mg(鎂)、al(鋁)、pt(鉑)、au(金)或它們化合物中的一種或多種。第二電極層60的材料與上述第一電極20的情況相同，此處不再贅述。

第三，對于第一像素界定層30的材料不進行限定，可以是有機材料，也可以是無機材料。當?shù)谝幌袼亟缍▽?0的材料為有機材料時，具體的，第一像素界定層的材料例如可以是聚合物樹脂。

此處，第一像素界定層30的開口區(qū)域301指的是第一像素界定層30中被挖空的區(qū)域，也即與oled陣列基板的發(fā)光區(qū)域?qū)膮^(qū)域；像素界定區(qū)域302指的是第一像素界定層30中未被挖空的區(qū)域，也即與oled陣列基板的非發(fā)光區(qū)域?qū)膮^(qū)域。

此外，第一像素界定層30的每個開口區(qū)域301可以將一個第一電極20的全部都露出，也可以只露出一個第一電極20的部分。

第四，輔助電極40的材料可以和第二電極層60的材料相同，也可以和第二電極層60的材料不相同。本發(fā)明實施例優(yōu)選輔助電極40的材料為電阻較小的材料。

第五，對于有機層50的材料不進行限定，有機層50可以是僅包括發(fā)光層，也可以是不僅包括發(fā)光層，還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一層。

此處，有機層50可以發(fā)三原色光，也可以發(fā)白光。當有機層50發(fā)白光時，oled陣列基板或封裝基板上還可以設置彩色膜層。

第六，對于輔助電極40和有機層50的形成順序不進行限定，可以先形成有機層50，再形成輔助電極40；也可以先形成輔助電極40，再形成有機層50。

本發(fā)明實施例提供一種oled陣列基板，由于第一像素界定層30上形成有輔助電極40，因而再在輔助電極40上形成第二電極層60時，第二電極層60會與輔助電極40接觸，相當于在第二電極層60上并聯(lián)了一個電阻，因而可以降低第二電極層60的電阻，避免了第二電極層60電阻過大產(chǎn)生壓降，從而提高了顯示品質(zhì)，降低了功耗。

本發(fā)明實施例，在形成輔助電極40和有機層50，由于工藝原因，有機層50與輔助電極40常會連接在一起，而輔助電極40在制作時，輔助電極40的邊緣易產(chǎn)生毛刺，從而容易產(chǎn)生靜電，而有機層50與輔助電極40若連接在一起，則輔助電極40邊緣產(chǎn)生的靜電會影響有機層50的正常發(fā)光。

基于上述，本發(fā)明實施例優(yōu)選的，如圖2所示，oled陣列基板還包括設置在輔助電極40上的第二像素界定層70；第二像素界定層70包括第一開口區(qū)域701和第二開口區(qū)域702，第一開口區(qū)域701與第一像素界定層30的開口區(qū)域301在垂直于襯底基板10方向重疊，有機層50設置在第一開口區(qū)域701內(nèi)；第二開口區(qū)域702至少露出部分輔助電極40。

其中，第二像素界定層70的材料可以是有機材料，也可以是無機材料。當?shù)诙袼亟缍▽?0的材料是有機材料時，具體的，第二像素界定層70的材料可以為聚合物樹脂。在此基礎(chǔ)上，第二像素界定層70可以和第一像素界定層30的材料相同，也可以不相同，對此不進行限定。

此外，由于第一像素界定層30的開口區(qū)域301內(nèi)還需要設置有機層50，而設置第二像素界定層70的目的是為了防止輔助電極40和有機層50連接，因而第二像素界定層70的厚度可以小于第一像素界定層30的厚度。

此處，第二開口區(qū)域702可以露出部分輔助電極40，也可以將輔助電極40全部露出。

本發(fā)明實施例在輔助電極40上形成第二像素界定層70，一方面，可以避免輔助電極40與有機層50連接，另一方面，還可以覆蓋輔助電極40邊緣的毛刺，從而防止輔助電極40邊緣的毛刺放靜電。

優(yōu)選的，如圖3(a)和圖3(b)所示，oled陣列基板還包括設置在襯底基板10和第一電極層之間的薄膜晶體管80；薄膜晶體管80包括源極801、漏極802、有源層803、柵極804以及柵絕緣層805，漏極802與第一電極20電連接。

其中，如圖3(a)和圖3(b)所示，還可以在薄膜晶體管80和第一電極層之間設置平坦層90。進一步地，如圖3(b)所示，在有源層803和源極801、漏極802之間還可以設置刻蝕阻擋層806。

此處，對于薄膜晶體管的類型不進行限定，可以n型晶體管，也可以是p型晶體管。

本發(fā)明實施例，可以通過薄膜晶體管80將驅(qū)動信號輸入至第一電極20。

進一步優(yōu)選的，如圖4所示，oled陣列基板還包括依次設置在薄膜晶體管80和第一電極層之間的鈍化層100、彩色膜層110和平坦層90；其中，鈍化層100靠近薄膜晶體管80設置，第一電極20穿過鈍化層100、彩色膜層110和平坦層90上的過孔與薄膜晶體管80的漏極802電連接。

其中，彩色膜層110可以包括但不限于紅色膜層(r)、綠色膜層(g)和藍色膜層(b)，彩色膜層110還可以包括紅色膜層、綠色膜層和藍色膜層和透明膜層。

此處，當?shù)谝浑姌O層和薄膜晶體管80之間設置有彩色膜層110時，有機層50發(fā)出的光從第一電極20出射。

此外，對于鈍化層100的材料不進行限定，鈍化層100的材料可以是氮化硅(sinx)、氧化硅(siny)或氮氧化硅(sinxny)中的至少一種。在此基礎(chǔ)上，對于平坦層90的材料不進行限定，平坦層90的材料例如可以是有機材料。

本發(fā)明實施例，在薄膜晶體管80和第一電極層之間設置彩色膜層110，這樣便可以使得從oled陣列基板出射的光為三原色光，從而可以實現(xiàn)彩色顯示。此外，相對于將彩色膜層110設置在與oled陣列基板對盒的封裝基板上，將彩色膜層110設置在oled陣列基板上，就不存在彩色膜層110與oled陣列基板對位的問題，從而可以避免封裝基板和oled陣列基板的對盒時的誤差，因此黑矩陣可以設計的更窄，從而提高了像素開口率。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括上述的oled陣列基板。

此處，顯示裝置除包括oled陣列基板外，還包括用于封裝oled陣列基板的封裝基板。

其中，顯示裝置可以是顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(pda)、手持式或便攜式計算機、gps接收器/導航器、相機、mp4視頻播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學結(jié)構(gòu)(例如，對于一件珠寶的圖像的顯示器)等。此外，顯示裝置還可以是顯示面板。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，由于顯示裝置的oled陣列基板中第一像素界定層30上形成有輔助電極40，因而再在輔助電極40上形成第二電極層60時，第二電極層60會與輔助電極40接觸，相當于在第二電極層60上并聯(lián)了一個電阻，因而可以降低第二電極層60的電阻，避免了第二電極層60電阻過大產(chǎn)生壓降，從而提高了顯示品質(zhì)，降低了功耗。

本發(fā)明實施例還提供一種oled陣列基板的制備方法，如圖5所示，包括：

s100、如圖6所示，在襯底基板10上形成第一電極層，第一電極層包括多個第一電極20。

其中，對于第一電極層的形成方式不進行限定，例如可以通過鍍膜、涂布光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕等工藝形成。

此處，對于第一電極20的材料不進行限定，當?shù)谝浑姌O20透光時，第一電極20的材料可以是ito、izo、fto或厚度較薄的金屬材料中的至少一種；當?shù)谝浑姌O20不透光，第一電極20的材料可以是厚度較厚的金屬材料如ag、mg、al、pt、au或它們化合物中的一種或多種。

s101、如圖7所示，在第一電極層上形成第一像素界定層30，第一像素界定層30包括開口區(qū)域301和用于界定開口區(qū)域301的像素界定區(qū)域302，每個開口區(qū)域301露出一個第一電極20。

其中，對于第一像素界定層30的材料不進行限定，可以是有機材料，也可以是無機材料。

此處，第一像素界定層30的每個開口區(qū)域301可以將一個第一電極20的全部都露出，也可以只露出一個第一電極20的部分。

s102、如圖8所示，在第一像素界定層30上形成輔助電極40，輔助電極40位于第一像素界定層30的像素界定區(qū)域302。

其中，對于輔助電極40的材料不進行限定，輔助電極40的材料可以和第一電極20的材料相同，也可以不相同。本發(fā)明實施例優(yōu)選輔助電極40的材料為電阻較小的材料。

此處，對于輔助電極40的形成方式不進行限定，示例的，輔助電極40可以通過蒸鍍或濺射工藝形成。

s103、如圖9所示，在第一像素界定層30的開口區(qū)域301內(nèi)形成有機層50。

其中，對于有機層50的材料不進行限定，有機層50可以是僅包括發(fā)光層，也可以是不僅包括發(fā)光層，還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一層。

在此基礎(chǔ)上，對于有機層50的形成方式不進行限定，示例的，有機層50可以通過噴墨打印方式形成，也可以通過蒸鍍方式形成。

此處，有機層50可以發(fā)三原色光，也可以發(fā)白光。當有機層50發(fā)白光時，oled陣列基板或封裝基板上還可以設置彩色膜層。

s104、如圖1所示，在有機層50和輔助電極40上形成第二電極層60，第二電極層60與輔助電極40和有機層50均接觸。

其中，對于第二電極層60的材料不進行限定，第二電極層60的材料可以和上述第一電極20的情況相同，此處不再贅述。在此基礎(chǔ)上，第二電極層60的材料可以和第一電極20的材料相同，也可以不相同。

此外，對于第二電極層60的形成方式不進行限定，示例的，第二電極層可以通過蒸鍍方式形成。

本發(fā)明實施例提供一種oled陣列基板的制備方法，由于第一像素界定層30上形成有輔助電極40，因而再在輔助電極40上形成第二電極層60時，第二電極層60會與輔助電極40接觸，相當于在第二電極層60上并聯(lián)了一個電阻，因而可以降低第二電極層60的電阻，避免了第二電極層60電阻過大產(chǎn)生壓降，從而提高了顯示品質(zhì)，降低了功耗。

優(yōu)選的，在步驟s102之后，在步驟s103之前，上述方法包括：如圖10所示，形成第二像素界定層70；第二像素界定層70包括第一開口區(qū)域701和第二開口區(qū)域702，第一開口區(qū)域701與第一像素界定層30的開口區(qū)域301在垂直于襯底基板10方向重疊，第二開口區(qū)域702至少露出部分輔助電極40。

其中，第二像素界定層70的材料可以是有機材料，也可以是無機材料。當?shù)诙袼亟缍▽?0的材料是有機材料時，具體的，第二像素界定層70的材料可以為聚合物樹脂。在此基礎(chǔ)上，第二像素界定層70可以和第一像素界定層30的材料相同，也可以不相同，對此不進行限定。

此處，第二開口區(qū)域702可以露出部分輔助電極40，也可以將輔助電極40全部露出。

本發(fā)明實施例，在形成輔助電極40后，若直接形成有機層50，由于工藝原因，有機層50與輔助電極40常會連接在一起，而輔助電極40在制作時，輔助電極40的邊緣易產(chǎn)生毛刺，從而容易產(chǎn)生靜電，而有機層50與輔助電極40若連接在一起，則輔助電極40邊緣產(chǎn)生的靜電會影響有機層50的正常發(fā)光?；诖?，本發(fā)明實施例在形成輔助電極40之后，在輔助電極40上形成第二像素界定層70，一方面，可以避免輔助電極40與有機層50連接，另一方面，可以覆蓋輔助電極40邊緣的毛刺，從而防止輔助電極40邊緣的毛刺放靜電。

優(yōu)選的，在步驟s100之前，上述方法還包括：如圖11(a)和圖11(b)所示，在襯底基板10上形成依次形成柵極804、柵絕緣層805、有源層803和源極801、漏極802，以形成薄膜晶體管80。

其中，還可以如圖11(b)所示，在有源層803和源極801、漏極802之間形成刻蝕阻擋層806。

本發(fā)明實施例，在襯底基板10上形成薄膜晶體管80，因而可以通過薄膜晶體管80將驅(qū)動信號輸入至第一電極20。

進一步優(yōu)選的，如圖12所示，在形成第一電極層之前，形成薄膜晶體管80之后，上述方法還包括：在源極801和漏極802上依次形成鈍化層100、彩色膜層110和平坦層90，鈍化層100、彩色膜層110和平坦層90上形成有過孔，以露出薄膜晶體管80的漏極802。

此處，當在平坦層90上形成第一電極層時，第一電極20與漏極802電連接。

其中，彩色膜層110可以包括但不限于紅色膜層、綠色膜層和藍色膜層，彩色膜層110還可以包括紅色膜層、綠色膜層和藍色膜層和透明膜層。

此外，對于鈍化層100的材料不進行限定，鈍化層100的材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。在此基礎(chǔ)上，對于平坦層90的材料不進行限定，平坦層90的材料例如可以是有機材料。

本發(fā)明實施例，在薄膜晶體管80上彩色膜層110，這樣便可以使得從oled陣列基板出射的光為三原色光，從而可以實現(xiàn)彩色顯示。此外，相對于將彩色膜層110設置在與oled陣列基板對盒的封裝基板上，將彩色膜層110設置在oled陣列基板上，就不存在彩色膜層110與oled陣列基板對位的問題，從而可以避免封裝基板和oled陣列基板的對盒時的誤差，因此黑矩陣可以設計的更窄，從而提高了像素開口率。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。