本發(fā)明涉及光伏能源領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。
背景技術(shù)：
：環(huán)境污染和能源短缺已成為制約社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素，太陽(yáng)能作為可再生能源技術(shù)代表了清潔能源的發(fā)展方向，太陽(yáng)能光電利用是近些年來(lái)發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域，是其中最受矚目的項(xiàng)目之一。目前成熟商用si太陽(yáng)電池普遍厚度為200微米～1000微米。其中，薄膜太陽(yáng)能電池具備弱光條件下仍可發(fā)電、生產(chǎn)過(guò)程能耗低及可大幅度降低原料和制造成本等一系列優(yōu)勢(shì)，已成為近年來(lái)的研究熱點(diǎn)，其市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?。然而薄膜太?yáng)能電池由于光吸收層厚度薄的特性，造成光吸收層光吸收性弱，使薄膜太陽(yáng)能電池光吸收性受到影響。目前，可通過(guò)增加金屬納米結(jié)構(gòu)增作為等離子元來(lái)增強(qiáng)薄膜太陽(yáng)電池的吸收，利用金屬特有的表面等離子共振(surfaceplasmonresonace,spr)，包括納米顆粒的近場(chǎng)增強(qiáng)和納米顆粒的遠(yuǎn)場(chǎng)散射，可提高光學(xué)吸收效率。但是，金屬納米結(jié)構(gòu)會(huì)作為復(fù)合中心，增加表面復(fù)合和體內(nèi)復(fù)合，導(dǎo)致太陽(yáng)電池的電學(xué)性能降低。而且，金屬納米結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致背散射，從而導(dǎo)致進(jìn)被吸收的光減少。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法，所述薄膜太陽(yáng)能電池設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層，使所述薄膜太陽(yáng)能電池光學(xué)吸收性增強(qiáng)，電池的效率提高，保證電池性能，減少了薄膜太陽(yáng)能電池制備材料的使用，降低生產(chǎn)成本。為解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是提供一種薄膜太陽(yáng)能電池，包括：外延片，所述外延片包括由下往上依次設(shè)置的襯底、背電極層、光吸收層和正面電極層；所述外延片一側(cè)或兩側(cè)設(shè)有殼核納米結(jié)構(gòu)層。優(yōu)選的，所述薄膜太陽(yáng)能電池厚度≥2μm。優(yōu)選的，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層由殼核納米顆粒形成。優(yōu)選的，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層由殼核納米顆粒耦合形成。優(yōu)選的，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層由殼核納米顆粒熱蒸發(fā)法耦合形成。優(yōu)選的，所述殼核納米顆粒包括：內(nèi)核和外殼；所述內(nèi)核為au、ag、al或cu，所述外殼為絕緣體、半導(dǎo)體。優(yōu)選的，所述內(nèi)核為au或ag。優(yōu)選的，所述絕緣體為sio2或si3n4，所述半導(dǎo)體為gaas、si或inp。優(yōu)選的，所述外殼為sio2或si3n4。優(yōu)選的，所述內(nèi)核直徑為10～400nm。優(yōu)選的，所述外殼直徑為0～400nm。優(yōu)選的，所述外延片的上側(cè)設(shè)有所述殼核納米結(jié)構(gòu)層，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層緊貼所述正面電極層。優(yōu)選的，所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層中至少一種。優(yōu)選的，所述p型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層、iii-v族化合物半導(dǎo)體層、硅半導(dǎo)體層；所述n型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層、iii-v族化合物半導(dǎo)體層、硅光吸半導(dǎo)體層。優(yōu)選的，所述光吸收層還包括i型本征層。優(yōu)選的，所述光吸收層厚度為1～10μm。優(yōu)選的，所述光吸收層和所述正面電極層之間設(shè)置減反射層。優(yōu)選的，所述減反射層為si3n4反射層。優(yōu)選的，所述襯底為硅襯底、玻璃襯底或錫箔紙襯底。優(yōu)選的，所述正面電極為梳狀電極。優(yōu)選的，所述正面電極為au、ag或al。優(yōu)選的，所述正面電極厚度大于20nm。本發(fā)明還提供了一種薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：在襯底上依次形成背電極層、光吸收層和正面電極層，得到外延片；在所述外延片的一側(cè)或兩側(cè)耦合殼核納米顆粒，得到所述薄膜太陽(yáng)能電池。優(yōu)選的，在所述外延片的一側(cè)或兩側(cè)熱蒸發(fā)法耦合殼核納米顆粒。優(yōu)選的，所述熱蒸發(fā)法耦合殼核納米顆粒加熱溫度為100攝氏度攝氏度。優(yōu)選的，在所述外延片的上側(cè)或兩側(cè)耦合殼核納米顆粒。優(yōu)選的，所述的制備方法還包括以au、ag、al或cu為內(nèi)核材料，以絕緣體或半導(dǎo)體為外殼材料，采用液相還原法、溶劑熱合成法或合成法合成所述殼核納米顆粒。優(yōu)選的，所述的制備方法還包括在所述光吸收層和所述正面電極層之間形成減反射層。優(yōu)選的，所述的制備方法還包括在所述光吸收層和所述正面電極層之間采用蒸鍍法、氣相沉積法形成所述減反射層。優(yōu)選的，所述光吸收層和所述正面電極層之間采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法所述形成減反射層。優(yōu)選的，所述等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成所述減反射層，形成溫度為250°，形成時(shí)間為100s，形成速度為1nm/min。優(yōu)選的，采用蒸鍍法或絲網(wǎng)印刷形成所述背面電極層。優(yōu)選的，所述蒸鍍法為磁控濺射法、電子束蒸發(fā)法。優(yōu)選的，采用掩膜法形成所述正面電極層。本申請(qǐng)與現(xiàn)有技術(shù)相比，其詳細(xì)說(shuō)明如下：本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋∧ぬ?yáng)能電池包括殼核納米結(jié)構(gòu)層，用殼核納米結(jié)構(gòu)層散射均勻性增強(qiáng)，散射截面增大，前向散射增強(qiáng)，背向散射減弱，增強(qiáng)了薄膜太陽(yáng)能電池光學(xué)吸收性；進(jìn)一步的保證光吸收層厚度為1～10μm條件下，薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收性好，利于減少薄膜太陽(yáng)能電池厚度，減少了薄膜太陽(yáng)能電池制備材料的使用，從而節(jié)約薄膜太陽(yáng)能電池的制造成本。本申請(qǐng)技術(shù)方案中由內(nèi)核為金屬，電介質(zhì)外殼為電介質(zhì)的殼核納米顆粒耦合形成的殼核納米結(jié)構(gòu)層可阻止表面復(fù)合，從而增大薄膜太陽(yáng)能電池光電流、提高薄膜太陽(yáng)能電池的效率、保證薄膜太陽(yáng)能電池性能。本申請(qǐng)殼核納米顆粒耦合形成的殼核納米結(jié)構(gòu)層增強(qiáng)了薄膜太陽(yáng)能電池陷光效應(yīng)，增加了進(jìn)入到電池內(nèi)部的光子數(shù)量,進(jìn)而提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本申請(qǐng)光吸收層和正面電極層之間設(shè)置減反射層。利用光在減反射層上、下表面反射所產(chǎn)生的光程差，使得兩束反射光干涉相消，從而減弱反射，增加透射，增加薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收性。附圖說(shuō)明圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品和對(duì)照例所述的電池樣品i-v曲線圖；圖2為實(shí)施例1的薄膜太陽(yáng)能電池樣品入射光極化圖；圖3為實(shí)施例7的薄膜太陽(yáng)能電池樣品入射光極化圖。具體實(shí)施方式為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本申請(qǐng)的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1一種薄膜太陽(yáng)能電池，包括：外延片，所述外延片包括由下往上依次設(shè)置的襯底、背電極層、光吸收層和正面電極層；所述外延片的上側(cè)設(shè)有殼核納米結(jié)構(gòu)層，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層緊貼所述正面電極層。所述殼核納米結(jié)構(gòu)層由殼核納米顆粒熱蒸發(fā)法耦合形成，所述殼核納米顆粒包括：內(nèi)核和外殼；所述內(nèi)核為au，所述外殼為絕緣體，所述絕緣體為sio2。所述內(nèi)核直徑為10～400nm，所述外殼直徑為0～400nm。所述薄膜太陽(yáng)能電池厚度≥2μm，所述襯底為硅襯底，所述硅襯底電阻率為1ω·cm。所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層；所述半導(dǎo)體層厚度為1～10μm；所述正面電極為梳狀電極，所述正面電極為au，所述正面電極厚度大于20nm。本實(shí)施例所述薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：在襯底上依次形成背電極層、光吸收層和正面電極層，得到外延片；在所述外延片的上側(cè)熱蒸發(fā)法耦合殼核納米顆粒，所述熱蒸發(fā)法加熱溫度為100攝氏度，得到所述薄膜太陽(yáng)能電池；其中，以au為內(nèi)核材料，以半導(dǎo)體為外殼材料，采用液相還原法合成所述殼核納米顆粒；采用磁控濺射法形成所述背面電極層；采用掩膜法形成所述正面電極層。實(shí)施例2本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒內(nèi)核為ag。實(shí)施例3本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒內(nèi)核為al。實(shí)施例4本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒內(nèi)核為cu。實(shí)施例5本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒外殼為絕緣體，所述絕緣體為si3n4。實(shí)施例6本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒外殼為半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體為gaas。實(shí)施例7本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒外殼為半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體為si。實(shí)施例8本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法中殼核納米顆粒外殼為半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體為inp。實(shí)施例9本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池外延片的下側(cè)設(shè)有殼核納米結(jié)構(gòu)層，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層緊貼所述襯底。本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池制備方法中，在外延片的的下側(cè)耦合殼核納米顆粒。實(shí)施例10本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池外延片的兩側(cè)設(shè)有殼核納米結(jié)構(gòu)層。本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池制備方法中，在外延片的的兩側(cè)耦合殼核納米顆粒。實(shí)施例11本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池光吸收層和正面電極層之間設(shè)置減反射層，所述減反射層為si3n4減反射層。本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池制備方法中，在光吸收層和正面電極層之間采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成減反射層，形成溫度為250°，形成時(shí)間為100s，形成速度為1nm/min。實(shí)施例12本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層為iii-v族化合物半導(dǎo)體層。實(shí)施例13本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層為硅半導(dǎo)體層。實(shí)施例14本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括n型半導(dǎo)體層，所述n型半導(dǎo)體層為硅半導(dǎo)體層。實(shí)施例15本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括n型半導(dǎo)體層，所述n型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層。實(shí)施例16本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括n型半導(dǎo)體層，所述n型半導(dǎo)體層為iii-v族化合物半導(dǎo)體層。實(shí)施例17本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括n型半導(dǎo)體層，所述n型半導(dǎo)體層為硅光吸半導(dǎo)體層。實(shí)施例18本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層和n型光吸收層均為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層。實(shí)施例19本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層均為iii-v族化合物半導(dǎo)體層。實(shí)施例20本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層和i型本征層，所述p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層均為硅光吸光吸收實(shí)施例21本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例1相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池襯底為玻璃襯底，正面電極為ag。本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池制備方法中，采用溶劑熱合成法合成殼核納米顆粒，采用電子束蒸發(fā)法形成背面電極層。實(shí)施例22本實(shí)施例除下述特征外，其他均與實(shí)施例9相同：本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池襯底為錫箔紙襯底，正面電極為al。本實(shí)施薄膜太陽(yáng)能電池制備方法中，采用合成法合成殼核納米顆粒，采用蒸鍍法形成減反射層，采用絲網(wǎng)印刷所述背面電極層。實(shí)施例22殼核納米顆粒內(nèi)核材質(zhì)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品：實(shí)施例1-4所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品(殼核納米顆粒內(nèi)核分別為au、ag、al、cu)；2、實(shí)驗(yàn)方法：采用gb/t6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測(cè)試；3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：見(jiàn)表1。表2殼核納米顆粒內(nèi)核材質(zhì)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品eff(％)voc(v)jsc(ma/cm2)ff(％)實(shí)施例18.100.7515.072.1實(shí)施例27.070.7413.471.3實(shí)施例36.770.7213.271.2實(shí)施例47.160.7214.170.6其中，eff為光電轉(zhuǎn)換效率，voc為開(kāi)路電壓，jsc為短路電流，ff為填充因子。從以上數(shù)據(jù)可以看出的實(shí)施例1、2樣品電池性能較好，即殼核納米顆粒內(nèi)核分別為au、ag時(shí)，其電池性較好，為優(yōu)選方案。實(shí)施例24殼核納米顆粒外殼材質(zhì)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品：實(shí)施例1、5～8所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品(殼核納米顆粒外殼分別為sio2、si3n4、gaas、si、inp)；2、實(shí)驗(yàn)方法：采用gb/t6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測(cè)試；3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：見(jiàn)表2。表2殼核納米顆粒外殼材質(zhì)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品eff(％)voc(v)jsc(ma/cm2)ff(％)實(shí)施例18.100.7515.072.1實(shí)施例57.560.7114.870.0實(shí)施例67.260.7114.272.0實(shí)施例77.210.7214.171.0實(shí)施例87.3107214.371.0其中，eff為光電轉(zhuǎn)換效率，voc為開(kāi)路電壓，jsc為短路電流，ff為填充因子。從以上可以看出的殼核納米顆粒外殼為絕緣體、半導(dǎo)體，所述絕緣體為sio2或si3n4，所述半導(dǎo)體為si、gaas或inp；從數(shù)據(jù)可知，實(shí)施例1、5樣品電池性能較好，即外殼為sio2或si3n4時(shí)，其電池性較好，為優(yōu)選方案。實(shí)施例25殼核納米結(jié)構(gòu)層對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品：實(shí)施例1所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品(為外延片的上側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu))；對(duì)照例所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品，包括：外延片，所述外延片包括由下往上依次設(shè)置的襯底、背電極層、光吸收層和正面電極層；所述外延片的上側(cè)耦合金納米結(jié)構(gòu)層，所述金納米結(jié)構(gòu)層緊貼所述正面電極層，所述金納米結(jié)構(gòu)層由金納米顆粒熱蒸發(fā)法耦合形成，所示金納米顆粒半徑為50nm；所述襯底為硅襯底。所述光吸收層包括p型光吸收層，所述p型光吸收層為銅銦鎵硒光吸收層；所述光吸收層厚度為1～10μm。2、實(shí)驗(yàn)方法：采用gb/t6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測(cè)試；3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：見(jiàn)表3、圖1。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例1所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品和對(duì)照例樣品的i-v曲線圖表3殼核納米結(jié)構(gòu)層對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品eff(％)voc(v)jsc(ma/cm2)ff(％)實(shí)施例18.100.7515.072.1對(duì)照例6.400.7412.072.1其中，eff為充放電效率，voc為開(kāi)路電壓，jsc為短路電流，ff為填充因子。可以看出的實(shí)施例1所述樣品電池性能明顯優(yōu)于對(duì)照例所示樣品，即本發(fā)明提供的薄膜太陽(yáng)能電池有殼核納米結(jié)構(gòu)層，入射光向前散射得到增強(qiáng)，向后散射得到減弱，散射均勻性增強(qiáng)，光學(xué)吸收性增強(qiáng)。實(shí)施例26殼核納米結(jié)構(gòu)層位置對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品：實(shí)施例9、10所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品(分別為外延片的上側(cè)、下側(cè)、兩側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層)；2、實(shí)驗(yàn)方法：采用gb/t6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測(cè)試；3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：見(jiàn)表4。表4殼核納米結(jié)構(gòu)層位置對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品eff(％)voc(v)jsc(ma/cm2)ff(％)實(shí)施例18.100.7515.072.1實(shí)施例96.190.7212.171.1實(shí)施例108.940.7118.070.0其中，eff光電轉(zhuǎn)換效率，voc為開(kāi)路電壓，jsc為短路電流，ff為填充因子。同時(shí)；觀察實(shí)施例1的薄膜太陽(yáng)能電池樣品入射光極化現(xiàn)象，如圖2所示；觀察實(shí)施例7的薄膜太陽(yáng)能電池樣品入射光極化現(xiàn)象，如圖3所述?？梢钥闯鰧?shí)施例1樣品電池對(duì)前向散射增強(qiáng)，背向散射減弱效果明顯優(yōu)于實(shí)施例9樣品電池，即外延片上側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層對(duì)光學(xué)吸收性的增強(qiáng)優(yōu)于外延片下側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層對(duì)光學(xué)吸收性的增強(qiáng)優(yōu)于，外延片上側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層為優(yōu)選方案；實(shí)施例10樣品電池光電轉(zhuǎn)換效率大于實(shí)施例1和實(shí)施例9樣品電池，即外延片兩側(cè)側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層對(duì)光學(xué)吸收性的增強(qiáng)優(yōu)于外延片一側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層，外延片兩側(cè)設(shè)置殼核納米結(jié)構(gòu)層為更優(yōu)方案。實(shí)施例27減反射層對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品：實(shí)施例1、11所述的薄膜太陽(yáng)能電池樣品(分別為薄膜太陽(yáng)能電池不包括減反射層，薄膜太陽(yáng)能電池包括減反射層)；2、實(shí)驗(yàn)方法：采用gb/t6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測(cè)試；3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：見(jiàn)表5。表5減反射層對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品eff(％)voc(v)jsc(ma/cm2)ff(％)實(shí)施例18.100.7515.072.1實(shí)施例119.530.6920.069.1其中，eff為充放電效率，voc為開(kāi)路電壓，jsc為短路電流，ff為填充因子。從以上數(shù)據(jù)可以看出的實(shí)施例11樣品電池性能較好，即薄膜太陽(yáng)能電池光吸收層和正面電極層之間設(shè)置層si3n4反射層時(shí)，其電池性較好，為優(yōu)選方案。以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁(yè)12