本發(fā)明涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體的，涉及修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法、有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法及顯示裝置。
背景技術(shù)：
：在oled(有機(jī)電致發(fā)光器件)生產(chǎn)過程中，亮點(diǎn)不良一直是制約oled產(chǎn)品良率的一個(gè)關(guān)鍵因素。在oled生產(chǎn)過程中，亮點(diǎn)不良是一個(gè)因工藝，環(huán)境等因素，發(fā)生率極高的一種不良，亮點(diǎn)的存在，直接降低了產(chǎn)品的等級，超過一定數(shù)量時(shí)，顯示面板將直接被報(bào)廢，浪費(fèi)人力物力的同時(shí)，也提高了成本。因而，目前亮點(diǎn)不良仍亟需改進(jìn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種有效修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法。在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法為阻斷所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過阻斷亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸，可以有效阻斷電流流向亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的有機(jī)功能層，從而使得該子像素單元不會發(fā)光，進(jìn)而將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)，有效提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示效果和品質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，阻斷所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸是通過使所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中第一電極和有機(jī)功能層之間絕緣實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：確定基底上所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)，其中，所述基底包括襯底和設(shè)置在所述襯底一側(cè)的第一電極；在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)是通過自動光學(xué)檢測確定的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述絕緣層的材料包括聚酰亞胺。在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括通過前面所述的方法對亮點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)的步驟。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過該方法制備獲得的有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)不良的數(shù)量顯著減少，顯示效果和品質(zhì)明顯提高，質(zhì)檢等級明顯提高。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括：在襯底上形成第一電極，得到基底；確定所述基底上亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)；在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一電極；在所述第一電極和所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成有機(jī)功能層和第二電極。在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該有機(jī)電致發(fā)光器件是通過前面所述的方法制備的。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)不良的數(shù)量顯著減少，顯示效果和品質(zhì)明顯提高，質(zhì)檢等級明顯提高。在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括：第一電極；第二電極，所述第二電極與所述第一電極相對設(shè)置；有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層設(shè)置于所述第一電極和所述第二電極之間；其中，與亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中，所述第一電極和所述有機(jī)功能層之間還設(shè)置有絕緣層。在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該顯示裝置出現(xiàn)亮點(diǎn)不良的可能性大大降低，顯示效果和品質(zhì)明顯改善。附圖說明圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基底的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法的流程示意圖。圖3a至圖3c顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的形成絕緣層的流程示意圖。圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法的流程示意圖。圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市購獲得的常規(guī)產(chǎn)品。在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法為阻斷所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過阻斷亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸，可以有效阻斷電流流向亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的有機(jī)功能層，從而使得該子像素單元不會發(fā)光，進(jìn)而將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)，有效提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示效果和品質(zhì)。需要說明的是，本發(fā)明中所采用的術(shù)語“亮點(diǎn)”是指有機(jī)電致發(fā)光器件中一直點(diǎn)亮的子像素點(diǎn)或像素點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，阻斷亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸?shù)木唧w方式?jīng)]有特別限制，只要使得電流不會通過該子像素單元中的有機(jī)功能層，使其不會發(fā)光即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，采用的方式可以為在空穴或電子的傳輸通路上的任意部分形成絕緣部件，使得電流不會流向有機(jī)功能層，從而使得子像素單元不會發(fā)光。在本發(fā)明的一些具體示例中，阻斷所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中的空穴或電子傳輸是通過使所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中第一電極和有機(jī)功能層之間絕緣實(shí)現(xiàn)的。由此，可以有效阻斷空穴的傳輸，使得有機(jī)功能層不會發(fā)光，進(jìn)而該子像素單元由亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，有機(jī)電致發(fā)光器件的等級明顯提高，顯示效果顯著改善。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述第一電極是指能夠?yàn)橛袡C(jī)功能層提供施加電壓的電極之一，可以為陰極也可以為陽極。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一電極可以為陽極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照圖2，該修復(fù)有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)的方法可以包括以下步驟：s100：確定基底上所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)，其中，所述基底包括襯底和設(shè)置在所述襯底一側(cè)的第一電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以采用的襯底的具體種類不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如包括但不限于玻璃襯底、聚合物襯底、陶瓷襯底或金屬襯底等。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第一電極的材料也沒有特別限制，只要能夠滿足導(dǎo)電需要，保證有機(jī)電致發(fā)光器件的正常工作即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成第一電極的材料包括但不限于透明導(dǎo)電氧化物如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、鋁摻雜氧化鋅等，石墨烯、碳管等。由此，具有較好的導(dǎo)電性能，顯示效果更佳。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，第一電極在襯底上是陣列排布的，對應(yīng)多個(gè)子像素單元，即每個(gè)子像素單元對應(yīng)一個(gè)第一電極，在此不再過多贅述。具體的，圖1示出了存在亮點(diǎn)不良的基底的結(jié)構(gòu)示意圖，包括襯底100和第一電極10，其中，圈出的位置為亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，襯底上第一電極的分布方式并不限于圖1所示的情形，只要滿足有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示要求即可。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，造成像素亮點(diǎn)不良的因素通常為短路、少錫、缺件等，而自動光學(xué)檢測(aoi檢測)是基于光學(xué)原理來對焊接生產(chǎn)中遇到的常見缺陷進(jìn)行檢測的設(shè)備。檢測過程是當(dāng)自動檢測時(shí)，機(jī)器通過攝像頭自動掃描基底，采集圖像，測試的焊點(diǎn)與數(shù)據(jù)庫中的合格的參數(shù)進(jìn)行比較，經(jīng)過圖像處理，檢查出基底上缺陷，并通過顯示器或自動標(biāo)志把缺陷顯示/標(biāo)示出來，aoi檢測覆蓋以下缺陷或不良：錫膏印刷：有無、偏移、少錫、多錫、斷路、連錫、污染等，零件缺陷：缺件、偏移、歪斜、立碑、側(cè)立、翻件、錯(cuò)件，ocv、破損、電容極性反向等，波峰焊后和爐后焊點(diǎn)缺陷：錫多、錫少、虛焊、連錫、銅箔污染等。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例，采用自動光學(xué)檢測確定所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)。由此，可以簡單快速的檢測出亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)，且可以自動化操作，節(jié)省人力物力，且易于實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。s200：在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層的具體方法沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以采用具有定位功能的設(shè)備自動在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置注入絕緣材料以便在相應(yīng)位置形成絕緣層，也可以通過手動操作在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置注入絕緣材料以形成絕緣層。由此，操作簡單、方便，易于控制。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，參照圖3a至圖3c，形成絕緣層的步驟可以包括：將注入絕緣材料2的裝置1直接對準(zhǔn)亮點(diǎn)所對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)位置(參照圖3a)，然后向相應(yīng)坐標(biāo)位置注入絕緣材料，然后進(jìn)行烘烤是絕緣材料干燥，形成絕緣層40(參照圖3b)，然后，根據(jù)實(shí)際需要，還可以包括形成有機(jī)電致發(fā)光器件的其他層結(jié)構(gòu)3的步驟(參照圖3c)，例如可以通過蒸鍍方法形成其他層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述絕緣層的材料也沒有特別限制，只要能夠阻斷電子或空穴傳輸，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成絕緣層的材料可以為任何已知的絕緣材料。在本發(fā)明的一些具體示例中，形成絕緣層的材料可以包括聚酰亞胺。由此，原料來源廣泛，成本較低，且絕緣效果較佳。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過該方法修復(fù)亮點(diǎn)后，有機(jī)電致發(fā)光器件中的亮點(diǎn)有效轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)，有機(jī)電致發(fā)光器件的質(zhì)檢等級明顯提高，顯示效果顯著改善。具體而言，通常，有機(jī)電致發(fā)光器件的質(zhì)檢等級按照下表1分級，采用本發(fā)明的方法修復(fù)亮點(diǎn)后，可以將有機(jī)電致發(fā)光器件的等級由t/q級相應(yīng)提升為a/t級。不良satq亮點(diǎn)(dot)n≤0n≤0n≤2n≤5暗點(diǎn)(dot)n≤0n≤1n≤2n≤5亮點(diǎn)+暗點(diǎn)n≤0n≤1n≤2n≤52個(gè)相鄰暗點(diǎn)n≤0n≤0n≤0n≤4(2組)3個(gè)相鄰暗點(diǎn)n≤0n≤0n≤0n≤3(1組)在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括通過前面所述的方法對亮點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)的步驟。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過該方法制備獲得的有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)不良的數(shù)量顯著減少，顯示效果和品質(zhì)明顯提高，質(zhì)檢等級明顯提高。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照圖4，該制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括以下步驟：s10：在襯底上形成第一電極，得到基底。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中形成第一電極的具體方法沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇任何已知的適于形成第一電極的方法。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以采用的方法包括但不限于物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法如濺射、蒸鍍等方法。由此，工藝成熟，成本較低，且操作簡單、方便，易于控制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中可以采用的襯底的種類和形成第一電極的材料與前面描述的襯底和第一電極一致，在此不再過多贅述。s20：確定所述基底上亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，造成像素亮點(diǎn)不良的因素通常為短路、少錫、缺件等，而自動光學(xué)檢測(aoi檢測)是基于光學(xué)原理來對焊接生產(chǎn)中遇到的常見缺陷進(jìn)行檢測的設(shè)備。檢測過程是當(dāng)自動檢測時(shí)，機(jī)器通過攝像頭自動掃描基底，采集圖像，測試的焊點(diǎn)與數(shù)據(jù)庫中的合格的參數(shù)進(jìn)行比較，經(jīng)過圖像處理，檢查出基底上缺陷，并通過顯示器或自動標(biāo)志把缺陷顯示/標(biāo)示出來，aoi檢測覆蓋以下缺陷或不良：錫膏印刷：有無、偏移、少錫、多錫、斷路、連錫、污染等，零件缺陷：缺件、偏移、歪斜、立碑、側(cè)立、翻件、錯(cuò)件，ocv、破損、電容極性反向等，波峰焊后和爐后焊點(diǎn)缺陷：錫多、錫少、虛焊、連錫、銅箔污染等。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例，采用自動光學(xué)檢測確定所述亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)。由此，可以簡單快速的檢測出亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的坐標(biāo)，且可以自動化操作，節(jié)省人力物力，且易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。s30：在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層的具體方法沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以采用具有定位功能的設(shè)備自動在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置注入絕緣材料以便在相應(yīng)位置形成絕緣層，也可以通過手動操作在所述坐標(biāo)對應(yīng)的位置注入絕緣材料以形成絕緣層。由此，操作簡單、方便，易于控制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述絕緣層的材料也沒有特別限制，只要能夠阻斷電子或空穴傳輸，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成絕緣層的材料可以為任何已知的絕緣材料。在本發(fā)明的一些具體示例中，形成絕緣層的材料包括聚酰亞胺。由此，原料來源廣泛，成本較低，且絕緣效果較佳。s40：在所述第一電極和所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成有機(jī)功能層和第二電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述第一電極和第二電極為可以為有機(jī)功能層施加電壓的一對電極，第一電極可以為陰極也可以為陽極，相應(yīng)的，第二電極為陽極或陰極。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一電極可以為陽極，相應(yīng)的，第二電極為陰極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有機(jī)功能層和第二電極的具體方法沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以采用的方法包括但不限于物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法如濺射、蒸鍍等方法。由此，工藝成熟，成本較低，且操作簡單、方便，易于控制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有機(jī)功能層的具體結(jié)構(gòu)也沒有特比限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，有機(jī)功能層可以僅由發(fā)光層構(gòu)成；在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，除了發(fā)光層外，有機(jī)功能層還可以包括電子傳輸層、空穴傳輸層、電子注入層、空穴注入層、電子阻擋層中的至少一種。由此，發(fā)光效率更好，獲得的有機(jī)電致發(fā)光器件的使用效果更佳。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第二電極的材料也沒有特別限制，可以為本領(lǐng)域任何適于形成第二電極的材料，例如透明導(dǎo)電氧化物如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、鋁摻雜氧化鋅等，金屬如銅、銀、鋁等。在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該有機(jī)電致發(fā)光器件是通過前面所述的方法制備的。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該有機(jī)電致發(fā)光器件亮點(diǎn)不良的數(shù)量顯著減少，顯示效果和品質(zhì)明顯提高，質(zhì)檢等級明顯提高。在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照圖5，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括：第一電極10；第二電極30，所述第二電極30與所述第一電極10相對設(shè)置；有機(jī)功能層20，所述有機(jī)功能層20設(shè)置于所述第一電極10和所述第二電極30之間；其中，與亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元中，所述第一電極10和所述有機(jī)功能層20之間還設(shè)置有絕緣層40。由此，絕緣層40可以有效阻斷空穴的傳輸，使得亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元不發(fā)光，即將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)，進(jìn)而該有機(jī)電致發(fā)光器件的質(zhì)檢等級有效提高，顯示效果明顯得到改善。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖5示出的為亮點(diǎn)對應(yīng)的子像素單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，合格子像素單元中不設(shè)置絕緣層40。另外，每個(gè)像素單元中包含的子像素單元的個(gè)數(shù)也沒有特別限制，例如可以為3、4、5或更多個(gè)，具體如rgb顯色、rgbyw顯色等方式。下面以rgb顯色方式的有機(jī)電致發(fā)光器件為例說明有機(jī)電致發(fā)光器件一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，參照圖6，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括：襯底100、第一電極10、絕緣層40、空穴注入層21、空穴傳輸層22、第一子空穴傳輸層221、第二子空穴傳輸層222，第一電子阻擋層231、第二電子阻擋層232、第三電子阻擋層233、紅色發(fā)光層241、綠色發(fā)光層242、藍(lán)色發(fā)光層243、電子傳輸層25、第二電極30和覆蓋層50。該像素單元中，由于存在絕緣層40，空穴無法從第一電極到達(dá)發(fā)光層，因此一直無法顯示圖片或信息，即轉(zhuǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，且設(shè)置覆蓋層可以有效消除雜散光，提高出光，且同時(shí)可以對下面的第二電極等結(jié)構(gòu)起到良好的保護(hù)作用。在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該顯示裝置出現(xiàn)亮點(diǎn)不良的可能性大大降低，顯示效果和品質(zhì)明顯改善。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置的具體種類沒有特別限制，可以為本領(lǐng)域任何具有顯示功能的裝置、設(shè)備，例如包括但不限于手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)顯示器、游戲機(jī)、電視機(jī)、顯示屏幕、可穿戴設(shè)備及其他具有顯示功能的生活電器或家用電器等。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了前面所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，本發(fā)明所述的顯示裝置還可以包括常規(guī)顯示裝置所具有的必要的結(jié)構(gòu)和部件，以手機(jī)為例進(jìn)行說明，除了具有本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件外，其還可以具有觸控屏、外殼、cpu、照相模組、指紋識別模組、聲音處理系統(tǒng)等等常規(guī)手機(jī)所具有的結(jié)構(gòu)和部件，在此不再過多贅述。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。當(dāng)前第1頁12