本申請要求于2016年5月2日提交到韓國知識產(chǎn)權局的第10-2016-0054105號韓國專利申請的權益，該專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

本發(fā)明涉及一種半導體裝置和一種包括該半導體裝置的顯示裝置。

背景技術：

顯示裝置是顯示圖像的設備。顯示裝置的變化形式包括液晶顯示器(lcd)、電泳顯示器、有機發(fā)光顯示器(oled)、無機發(fā)光顯示器、場發(fā)射顯示器、表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器、等離子體顯示器和陰極射線顯示器。

顯示裝置可以包括顯示元件、薄膜晶體管、電容器和布線。布線將顯示元件、薄膜晶體管和電容器彼此連接。為了提供顯示裝置的高分辨率，會期望高性能的薄膜晶體管。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實施例提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括半導體層、第一柵電極和第二柵電極。半導體層包括從共用的溝道區(qū)延伸的第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)。第一柵電極設置在半導體層下方。第一柵電極通過第一柵極絕緣層與半導體層絕緣。第一柵電極與共用的溝道區(qū)至少部分地疊置。第二柵電極設置在半導體層上方。第二柵電極通過第二柵極絕緣層與半導體層絕緣。第二柵電極與共用的溝道區(qū)至少部分地疊置。

第一薄膜晶體管可以包括共用的溝道區(qū)、第一源區(qū)、第一漏區(qū)和第一柵電極。第二薄膜晶體管可以包括共用的溝道區(qū)、第二源區(qū)、第二漏區(qū)和第二柵電極。

第一柵極絕緣層的厚度可以與第二柵極絕緣層的厚度不同。

半導體裝置還可以包括層間絕緣層。層間絕緣層可以設置在第二柵電極上方。半導體裝置還可以包括設置在層間絕緣層上方的第一源電極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極。第一源電極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極可以經(jīng)由接觸孔分別連接到第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)。

半導體裝置還可以包括電容器。電容器可以包括第一電極和第二電極。第一電極可以連接到第二柵電極。第二電極可以設置在第一電極上方。第二電極可以與第一電極絕緣。第二柵電極和第一電極可以在同一層中形成單個結構。

電容器可以包括第三柵極絕緣層。第三柵極絕緣層可以設置在第一電極與第二電極之間。

第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)可以彼此分隔開。

第一源區(qū)和第二源區(qū)可以形成單個區(qū)。第一漏區(qū)可以與第二漏區(qū)分隔開。

第一源區(qū)可以與第二源區(qū)分隔開。第一漏區(qū)和第二漏區(qū)可以形成單個區(qū)。

本發(fā)明的示例性實施例提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括所述半導體裝置、平坦化層、像素電極、對電極和中間層。平坦化層覆蓋半導體裝置。像素電極設置在平坦化層上方。像素電極連接到第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)中的一個。對電極面對像素電極。中間層設置在像素電極與對電極之間。

第一薄膜晶體管可以包括共用的溝道區(qū)、第一源區(qū)、第一漏區(qū)和第一柵電極。第二薄膜晶體管可以包括共用的溝道區(qū)、第二源區(qū)、第二漏區(qū)和第二柵電極。

顯示裝置還可以包括被構造為傳輸柵極信號的柵極線、被構造為傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線和被構造為傳輸驅動電壓的驅動電壓線。柵極線可以連接到第一柵電極，數(shù)據(jù)線可以連接到第一源區(qū)，驅動電壓線可以連接到第二源區(qū)，像素電極可以連接到第二漏區(qū)。

第二柵極絕緣層的厚度可以比第一柵極絕緣層的厚度大。

顯示裝置還可以包括電容器。電容器可以包括第一電極和第二電極。第一電極可以連接到第二柵電極。第二電極可以設置在第一電極上方。第二電極可以與第一電極絕緣。第二柵電極和第一電極可以在同一層中形成單個結構。

電容器可以包括第三柵極絕緣層。第三柵極絕緣層可以設置在第一電極與第二電極之間。

顯示裝置還可以包括輔助電容器。輔助電容器可不與半導體裝置疊置。

顯示裝置還可以包括像素限定層。像素限定層可以使像素電極的一部分暴露，覆蓋像素電極的表面，并且限定像素。

中間層可以包括有機發(fā)射層。

本發(fā)明的示例性實施例提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括半導體層、第一柵電極和第二柵電極。半導體層包括溝道區(qū)。第一柵電極與溝道區(qū)至少部分地疊置。第二柵電極設置在半導體層上方。第二柵電極與溝道區(qū)至少部分地疊置。當從半導體層上方向著基底觀察時，半導體層與第一柵電極疊置。

半導體層還可以包括第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)。

第一薄膜晶體管可以包括溝道區(qū)、第一源區(qū)、第一漏區(qū)和第一柵電極。第二薄膜晶體管可以包括溝道區(qū)、第二源區(qū)、第二漏區(qū)和第二柵電極。

第一柵電極可以通過第一柵極絕緣層與半導體層絕緣。第二柵電極可以通過第二柵極絕緣層與半導體層絕緣。

第一柵極絕緣層的厚度可以與第二柵極絕緣層的厚度不同。

附圖說明

通過以下結合附圖對示例性實施例進行描述，這些和/或其它特征將變得明顯并且更容易理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的平面圖；

圖1a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的半導體層的平面圖；

圖1b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的半導體層的平面圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖1的半導體裝置沿線i-i'的剖視圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的平面圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖3的半導體裝置沿線ii-ii'的剖視圖；

圖5a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的平面圖；

圖5b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的平面圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一部分的平面圖；

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖6的顯示裝置的像素的等效電路圖；

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖6的顯示裝置的像素的平面圖；以及

圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的沿圖8的線iii-iii'示出圖6的顯示裝置的像素的剖視圖。

具體實施方式

將在附圖中示出并且在這里詳細地描述本發(fā)明構思的示例性實施例。當參照參考附圖描述的示例性實施例時，發(fā)明構思的效果和特征以及實現(xiàn)其的方法將是明顯的。然而，發(fā)明構思可以以許多不同的形式實施，并且不應該解釋為限于在這里闡述的示例性實施例。

在下文中，將參照示出發(fā)明構思的示例性實施例的附圖來更充分地描述發(fā)明構思。當參照附圖進行描述時，在附圖中同樣的附圖標記表示同樣的或相應的元件，并且可以省略對其重復的描述。

如這里使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項的任何和所有組合。

將理解的是，雖然術語“第一”、“第二”等可以在此用于描述各種組件，但這些組件不應受限于這些術語。這些組件僅用來將一個組件與另一組件區(qū)分。

為了便于說明，會夸大附圖中的元件的尺寸。因此，因為為了便于說明而任意示出附圖中的組件的尺寸和厚度，所以以下實施例不限于此。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的平面圖。圖1a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的半導體層的平面圖。圖1b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置的半導體層的平面圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖1的半導體裝置沿線i-i'的剖視圖。

參照圖1和圖2，半導體裝置10可以包括第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2。第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以共用半導體層211(參見圖9)的溝道區(qū)211c。第一薄膜晶體管tft1可以與第二薄膜晶體管tft2疊置。

半導體裝置10可以包括半導體層211、第一柵電極g1和第二柵電極g2。半導體層211可以包括第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1、第二源區(qū)211s2和第二漏區(qū)211d2。半導體層211可以從設置在基底100上方的溝道區(qū)211c延伸。第一柵電極g1可以設置在半導體層211下方。第二柵電極g2可以設置在半導體層211上方。第一柵電極g1和第二柵電極g2可以與溝道區(qū)211c部分地疊置。

半導體裝置10還可以包括第一柵極絕緣層121。第一柵極絕緣層121可以使第一柵電極g1與半導體層211絕緣。半導體裝置10還可以包括第二柵極絕緣層123。第二柵極絕緣層123可以使第二柵電極g2與半導體層211絕緣。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，半導體裝置10可以包括第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2。第一薄膜晶體管tft1可以包括溝道區(qū)211c、第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1和第一柵電極g1。第二薄膜晶體管tft2可以包括溝道區(qū)211c、第二源區(qū)211s2、第二漏區(qū)211d2和第二柵電極g2。

半導體裝置10可以設置在基底100上方。半導體裝置10還可以包括第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2。第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以分別連接到第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1、第二源區(qū)211s2和第二漏區(qū)211d2。

基底100可以包括諸如玻璃、金屬或塑料的各種材料；然而本發(fā)明的示例性實施例不限于此。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，基底100可以包括柔性基底100。柔性基底100可以包括可以彎曲、折彎、折疊或卷曲的基底?；?00可以包括具有柔性或可折彎特性的各種材料。例如，基底100可以包括諸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纖維素(cap)的聚合物樹脂；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

緩沖層110可以設置在基底100上方。緩沖層110可以減少或可以阻擋外來物質(zhì)、濕氣或外部空氣從下方的基底100滲透。此外，緩沖層110可以在基底100上方提供平坦化的表面。緩沖層110可以包括諸如氧化物或氮化物的無機材料，或者有機材料，或者有機/無機復合材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。緩沖層110可以包括無機材料和/或有機材料的單層或多層。

半導體層211可以包括溝道區(qū)211c以及從溝道區(qū)211c延伸的第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1、第二源區(qū)211s2和第二漏區(qū)211d2。當驅動第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2時，可以分別通過第一源區(qū)211s1與第一漏區(qū)211d1之間以及第二源區(qū)211s2與第二漏區(qū)211d2之間的距離來確定溝道的長度。為了確保長的溝道長度，第一源區(qū)211s1可以與第一漏區(qū)211d1充分遠地分隔開，并且溝道區(qū)211c設置在第一源區(qū)211s1與第一漏區(qū)211d1之間。相似地，第二源區(qū)211s2可以與第二漏區(qū)211d2充分遠地分隔開，并且溝道區(qū)211c設置在第二源區(qū)211s2與第二漏區(qū)211d2之間。如圖1中所示，第一源區(qū)211s1和第二源區(qū)211s2可以設置在溝道區(qū)211c的第一端部上。第一漏區(qū)211d1和第二漏區(qū)211d2可以設置在溝道區(qū)211c的第二端部上。然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。可以各種修改第一源區(qū)211s1、第二源區(qū)211s2、第一漏區(qū)211d1和第二漏區(qū)211d2的布置，而本發(fā)明的示例性實施例不限于此。例如，半導體層211可以設置為'+'形狀。第一源區(qū)211s1、第二源區(qū)211s2、第一漏區(qū)211d1和第二漏區(qū)211d2可以分別設置在其邊緣處。

可以各種修改溝道區(qū)211c的形狀。如圖1a和圖1b中所示，溝道區(qū)211c可以具有彎曲形狀。具有彎曲形狀的溝道區(qū)211c可以確保溝道長度。如圖1a中所示，溝道區(qū)211c可以具有形狀。如圖1b中所示，溝道區(qū)211c可以具有形狀?？梢愿鞣N修改溝道區(qū)211c的形狀，而本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

半導體層211可以包括非晶硅(α-si)、多晶硅(poly-si)、氧化物半導體或有機半導體材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。當半導體層211包括硅(si)時，第一源區(qū)211s1、第二源區(qū)211s2、第一漏區(qū)211d1和第二漏區(qū)211d2可以通過使半導體層211摻雜有雜質(zhì)來形成。當半導體層211包括氧化物半導體時，第一源區(qū)211s1、第二源區(qū)211s2、第一漏區(qū)211d1和第二漏區(qū)211d2可以通過增加氧化物半導體的載流子濃度來形成。因此，氧化物半導體可以通過等離子體工藝被制成導電的；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

第一柵電極g1可以設置在溝道區(qū)211c下方。第一柵電極g1可以與溝道區(qū)211c部分地疊置。第一柵電極g1可以連接到布線。連接到布線的第一柵電極g1可以將on/off信號施加到第一薄膜晶體管tft1。第二柵電極g2可以設置在溝道區(qū)211c上方。第二柵電極g2可以與溝道區(qū)211c部分地疊置。第二柵電極g2可以連接到布線。連接到布線的第二柵電極g2可以將on/off信號施加到第二薄膜晶體管tft2。第一柵電極g1可以與第二柵電極g2疊置。

第一柵電極g1和第二柵電極g2可以包括低電阻金屬。例如，第一柵電極g1和第二柵電極g2可以具有包括鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)和/或鈦(ti)的導電材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。第一柵電極g1和第二柵電極g2可以包括單層或多層。

第一柵極絕緣層121可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。第一柵極絕緣層121可以設置在半導體層211與第一柵電極g1之間。第一柵極絕緣層121可以被構造為使半導體層211與第一柵電極g1之間的區(qū)域絕緣。第二柵極絕緣層123可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。第二柵極絕緣層123可以設置在半導體層211與第二柵電極g2之間。第二柵極絕緣層123可以被構造為使半導體層211與第二柵電極g2之間的區(qū)域絕緣。另外，層間絕緣層130可以設置在第二柵電極g2上方。層間絕緣層130可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以設置在層間絕緣層130上方。包括無機材料的層間絕緣層130可以通過化學氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來形成；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

第一柵極絕緣層121的厚度t1和第二柵極絕緣層123的厚度t2可以不同。第一薄膜晶體管tft1的驅動范圍和第二薄膜晶體管tft2的驅動范圍可以分別通過調(diào)整第一柵極絕緣層121的厚度t1和第二柵極絕緣層123的厚度t2來調(diào)整。

第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以包括單層或多層。第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以包括具有高導電性的導電材料。第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以分別連接到半導體層211的第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1、第二源區(qū)211s2和第二漏區(qū)211d2。例如，第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以包括具有鋁(al)、銅(cu)和/或鈦(ti)的導電材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以包括單層或多層。

第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2可以經(jīng)由接觸孔cnt連接到半導體層211。接觸孔cnt可以穿過層間絕緣層130。接觸孔cnt還可以穿過第二柵極絕緣層123。接觸孔cnt可以通過基本同時蝕刻層間絕緣層130和第二柵極絕緣層123來形成。

第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以被單獨地驅動。例如，當向第一薄膜晶體管tft1的第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1和第一柵電極g1施加驅動電壓，而未向第二薄膜晶體管tft2的第二源區(qū)211s2、第二漏區(qū)211d2和第二柵電極g2施加驅動電壓時，可以驅動第一薄膜晶體管tft1，而不會驅動第二薄膜晶體管tft2。當向第一源區(qū)211s1、第一漏區(qū)211d1、第一柵電極g1、第二源區(qū)211s2、第二漏區(qū)211d2和第二柵電極g2施加驅動電壓時，可以基本同時驅動第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，因為半導體裝置10可以具有其中堆疊有共用半導體層211的溝道區(qū)211c的第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2的結構，所以包括半導體裝置10的顯示裝置可以允許高度集成。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置20的平面圖。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖3的半導體裝置20沿線ii-ii'的剖視圖。

參照圖3和圖4，半導體裝置20還可以包括電容器cap。電容器cap可以包括第一電極c1。第一電極c1可以連接到第二柵電極g2。第一電極c1還可以與第二電極c2疊置。第二電極c2可以設置在第一電極c1上方。第二電極c2可以與第一電極c1絕緣。第二柵電極g2和第一電極c1可以整體地設置在同一層中。例如，第二柵電極g2可以被構造為第二薄膜晶體管tft2的柵電極。第二柵電極g2可以基本同時被構造為電容器cap的第一電極c1。

第三柵極絕緣層125可以設置在第二柵電極g2與第二電極c2之間。第三柵極絕緣層125可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。第三柵極絕緣層125可以通過化學氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來形成。第三柵極絕緣層125可以被構造為使第二柵電極g2與第二電極c2之間的區(qū)域絕緣。

因為電容器cap可以在半導體裝置20中與第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2疊置，所以可以獲得高度集成。

圖5a和圖5b是分別示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導體裝置30和半導體裝置40的平面圖。

參照圖5a，半導體裝置30的第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以共用源區(qū)。例如，在半導體裝置30中，第一源區(qū)和第二源區(qū)可以整體地設置為211s。第一漏區(qū)211d1可以與第二漏區(qū)211d2分隔開。因此，第一源電極和第二源電極可以整體地設置為s。

當將基本相同的電勢供應到半導體裝置30的第一薄膜晶體管tft1的源區(qū)和第二薄膜晶體管tft2的源區(qū)時，可以設置共用源區(qū)的結構。

參照圖5b，半導體裝置40的第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以共用漏區(qū)。如所示的，在半導體裝置40中，第一源區(qū)211s1可以與第二源區(qū)211s2分隔開。第一漏區(qū)和第二漏區(qū)可以整體地設置為211d。因此，第一漏電極和第二漏電極可以整體地設置為d。

當將基本相同的電勢供應到半導體裝置40的第一薄膜晶體管tft1的漏區(qū)和第二薄膜晶體管tft2的漏區(qū)時，可以設置共用漏區(qū)的結構。

半導體裝置10、20、30和40以及它們的修改可以應用于顯示裝置。

顯示裝置是顯示圖像的設備。顯示裝置可以是液晶顯示器(lcd)、電泳顯示器、有機發(fā)光顯示器(oled)、無機發(fā)光顯示器、場發(fā)射顯示器、表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器、等離子體顯示器和陰極射線顯示器；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

雖然在這里描述了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的有機發(fā)光顯示(oled)裝置，但本發(fā)明的示例性實施例不限于此，可以使用各種類型的顯示裝置。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一部分的平面圖。如圖6中所示，顯示裝置可以包括基底100。如圖6中所示，顯示裝置的基底100可以包括顯示區(qū)域da。顯示裝置的基底100還可以包括外圍區(qū)域pa。外圍區(qū)域pa可以設置在顯示區(qū)域da外部。諸如有機發(fā)光二極管(oled)的各種顯示元件可以設置在基底100的顯示區(qū)域da上。各種布線可以設置在基底100的外圍區(qū)域pa上。各種布線可以傳輸電信號。各種布線的電信號可以施加到顯示區(qū)域da。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖6的顯示裝置的像素的等效電路圖。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括有機發(fā)光二極管oled的像素。

參照圖7，每個像素px可以包括像素電路pc。像素電路pc可以連接到掃描線sl。像素電路pc還可以連接到數(shù)據(jù)線dl。有機發(fā)光二極管oled可以連接到像素電路pc。

像素電路pc可以包括第一薄膜晶體管tft1、第二薄膜晶體管tft2和電容器cap。第一薄膜晶體管tft1可以連接到掃描線sl。第一薄膜晶體管tft1還可以連接到數(shù)據(jù)線dl。第一薄膜晶體管tft1可以響應于經(jīng)由掃描線sl輸入的掃描信號sn來將經(jīng)由數(shù)據(jù)線dl輸入的數(shù)據(jù)信號dm傳輸?shù)降诙∧ぞw管tft2。

電容器cap可以連接到第一薄膜晶體管tft1。電容器cap還可以連接到驅動電壓線pl。電容器cap可以存儲電壓。該電壓可以與從第一薄膜晶體管tft1接收的電壓與供應給驅動電壓線pl的驅動電壓elvdd之間的差對應。

第二薄膜晶體管tft2可以連接到驅動電壓線pl。第二薄膜晶體管tft2還可以連接到電容器cap。第二薄膜晶體管tft2可以控制驅動電流。驅動電流可以響應于存儲在電容器cap中的電壓值而從驅動電壓線pl流經(jīng)有機發(fā)光二極管oled。有機發(fā)光二極管oled可以發(fā)射光。通過有機發(fā)光二極管oled發(fā)射的光可以通過使用驅動電流而具有預定亮度。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖6的顯示裝置的像素的平面圖。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖8的沿線iii-iii'的像素的剖視圖。

參照圖8和圖9，除了如在圖4中示出的半導體裝置20之外，顯示裝置可以包括各種信號線和顯示元件。各種信號線可以包括柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl和驅動電壓線pl。顯示元件可以包括有機發(fā)光二極管(oled)300。信號線可以被多個像素共用。

半導體裝置可以包括第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2。有機發(fā)光二極管(oled)300可以連接到第一薄膜晶體管tft1?？蛇x地，有機發(fā)光二極管(oled)300可以連接到第二薄膜晶體管tft2。如圖9中所示，有機發(fā)光二極管(oled)300可以連接到第二薄膜晶體管tft2。因此，第二薄膜晶體管tft2可以被構造為驅動薄膜晶體管。驅動薄膜晶體管可以驅動有機發(fā)光二極管(oled)300。第一薄膜晶體管tft1可以被構造為開關薄膜晶體管。

當?shù)诙∧ぞw管tft2被構造為驅動薄膜晶體管時，第二薄膜晶體管tft2可能需要驅動。因此，可以提供比第一薄膜晶體管tft1較精細的調(diào)整。因為可以通過第二柵極絕緣層123的厚度t2來調(diào)整驅動范圍，所以可以通過比第一柵極絕緣層121的厚度t1大的第二柵極絕緣層123的厚度t2來獲得較精細的調(diào)整。

顯示裝置還可以包括輔助電容器cap1。輔助電容器cap1可不與半導體裝置疊置。輔助電容器cap1可以包括第三電極c3。輔助電容器cap1還可以包括第四電極c4。第四電極c4可以與第三電極c3疊置。絕緣層可以設置在第三電極c3與第四電極c4之間。絕緣層可以被構造為介電層。如圖9中所示，第三柵極絕緣層125可以設置在第三電極c3與第四電極c4之間。還如圖9中所示，第三電極c3可以與第二柵電極g2分隔開。第三電極c3可以包括與第二柵電極g2基本相同的材料。第三電極c3可以與第二柵電極g2設置在同一層中。第四電極c4可以與電容器cap的第二電極c2分隔開。第四電極c4可以包括與第二電極c2基本相同的材料。第四電極c4可以與第二電極c2設置在同一層上。然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。例如，層間絕緣層130可以設置在第三電極c3與第四電極c4之間。第三電極c3可以與第二電極c2設置在同一層上。第四電極c4可以與第一源電極s1設置在同一層上；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。輔助電容器cap1可以連接到電容器cap。輔助電容器cap1可以被構造為存儲電容器。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，因為電容器cap可以與第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2疊置，所以顯示裝置可以確保用于形成輔助電容器cap1的額外空間。

如圖8中所示，柵極線gl可以連接到第一柵電極g1。數(shù)據(jù)線dl可以連接到第一源電極s1。驅動電壓線pl可以連接到第二源電極s2；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此，可以根據(jù)第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2的構造來提供各種修改。

平坦化層140可以設置在半導體裝置上方。例如，當有機發(fā)光二極管(oled)300如圖9中所示設置在半導體裝置上方時，平坦化層140可以大體上使覆蓋半導體裝置的保護層的上部平坦化。平坦化層140可以包括諸如亞克力、苯并環(huán)丁烯(bcb)或六甲基二硅醚(hmdso)的有機材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。如圖9中所示，平坦化層140可以包括單層。平坦化層140還可以包括多層。然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此，可以進行各種修改。

有機發(fā)光二極管(oled)300可以設置在平坦化層140上方。有機發(fā)光二極管(oled)300可以包括像素電極310、對電極330和中間層320。中間層320可以設置在像素電極310與對電極330之間。中間層320可以包括發(fā)射層。像素電極310可以連接到第一薄膜晶體管tft1?？蛇x地，像素電極310可以連接到第二薄膜晶體管tft2。參照圖8和圖9，像素電極310可以經(jīng)由平坦化層140中的開口通過接觸第一源電極s1、第一漏電極d1、第二源電極s2和第二漏電極d2中的一個來連接到第一薄膜晶體管tft1或第二薄膜晶體管tft2。如圖8和圖9中所示，像素電極310可以連接到第二漏電極d2。

像素電極310可以設置為透明電極?？蛇x地，像素電極310可以設置為反射電極。當像素電極310是透明電極時，像素電極310可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或氧化銦(iii)(in2o3)。當像素電極310是反射電極時，像素電極310可以包括反射層和透明層。反射層可以包括銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)或它們的混合物。透明層可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或氧化銦(iii)(in2o3)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，像素電極310可以具有氧化銦錫(ito)/銀(ag)/氧化銦錫(ito)的結構。

像素限定層150可以設置在平坦化層140上方。像素限定層150可以通過具有與各自子像素對應的開口來限定像素。如此，像素限定層150可以通過具有使像素電極310的至少中間部分暴露的開口來限定像素。如圖9中所示，像素限定層150可以防止在像素電極310的邊緣處發(fā)生電弧等。像素限定層150可以使像素電極310的邊緣與設置在像素電極310上方的對電極330之間的距離增加。像素限定層150可以包括有機材料，諸如聚酰亞胺(pi)或六甲基二硅醚(hmdso)；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

有機發(fā)光二極管(oled)300的中間層320可以包括低分子材料或聚合物材料。當中間層320包括低分子材料時，中間層320可以具有如下結構：空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、有機發(fā)射層(eml)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)以單一結構或復合結構堆疊。中間層320可以包括諸如銅酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)和三-8-羥基喹啉鋁(alq3)的有機材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。中間層320的層可以通過使用真空沉積方法來形成。

當中間層320包括聚合物材料時，中間層320可以具有包括空穴傳輸層(htl)和有機發(fā)射層(eml)的結構?？昭▊鬏攲?htl)可以包括聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(pedot)。有機發(fā)射層(eml)可以包括諸如聚苯撐乙烯撐(ppv)類材料和/或聚芴類材料的聚合物材料；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。中間層320可以通過使用絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷方法或激光誘導熱成像(liti)來形成；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

中間層320可以具有各種結構。中間層320可以包括整體地形成在多個像素電極310之上的層。中間層320也可以包括圖案化為與多個像素電極310對應的層。

對電極330可以面朝像素電極310。中間層320可以設置在對電極330與像素電極310之間。對電極330可以整體地設置在多個有機發(fā)光二極管(oled)300上。對電極330可以與多個像素電極310對應。例如，像素電極310可以在基本每個像素處被圖案化。對電極330可以形成為使得共電壓可以施加到基本所有像素。對電極330可以是透明電極?？蛇x地，對電極330可以是反射電極。

從有機發(fā)光二極管(oled)300的像素電極310和對電極330注入的空穴和電子可以在中間層320的發(fā)射層中結合，從而發(fā)射光。

因為有機發(fā)光二極管(oled)300可能容易被外部濕氣或氧等損壞，所以薄膜包封層400可以覆蓋并且可以保護有機發(fā)光二極管(oled)。薄膜包封層400可以包括至少一個有機包封層。薄膜包封層400還可以包括至少一個無機包封層。例如，薄膜包封層400可以包括第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430，如圖9中所示。

第一無機包封層410可以覆蓋對電極330。第一無機包封層410可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。諸如覆蓋層的其它層可以設置在第一無機包封層410與對電極330之間。如圖9中所示，因為第一無機包封層410可以沿設置在其下方的結構來設置，所以第一無機包封層410的上表面不會被平坦化。有機包封層420可以覆蓋第一無機包封層410。與第一無機包封層410不同，有機包封層420的上表面可以被近似基本平坦化。有機包封層420可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亞胺(pi)、聚乙烯磺酸鹽、聚甲醛(pom)、聚丙烯酸酯和六甲基二硅醚(hmdso)中的至少一種；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。第二無機包封層430可以覆蓋有機包封層420。第二無機包封層430可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅；然而，本發(fā)明的示例性實施例不限于此。

因為薄膜包封層400可以包括第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430，所以當在包封層400內(nèi)部出現(xiàn)裂縫時，由于多層結構而不會允許裂縫在第一無機包封層410與有機包封層420之間或有機包封層420與第二無機包封層430之間連接。因此，可以防止外部濕氣或氧可能滲透到有機發(fā)光二極管(oled)300中所經(jīng)由的路徑的形成或者可以使該路徑的形成最小化。

參照圖6和圖9，可以用密封基底來代替薄膜包封層400。密封基底可以包括玻璃等。密封基底可以通過密封構件附著到基底100。密封構件可以圍繞顯示區(qū)域da。另外，偏振板、濾色器或觸摸面板等還可以設置在薄膜包封層400或密封基底上方。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，因為顯示裝置可以包括具有其中堆疊有共用半導體層的溝道區(qū)的第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2的結構的半導體裝置10、20、30或40，所以可以實施高度集成。

雖然已經(jīng)參照在附圖中示出的示例性實施例描述了發(fā)明構思，但本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離如權利要求所限定的發(fā)明構思的精神和范圍的情況下，可以在這里做出形式和細節(jié)上的各種改變及其等同物。