本申請涉及l(fā)ed外延設計應用技術領域，具體地說，涉及一種led外延生長方法。

背景技術：

目前l(fā)ed(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)是一種固體照明，因體積小、耗電量低、使用壽命長、高亮度、環(huán)保、堅固耐用等優(yōu)點受到廣大消費者認可，國內生產led的規(guī)模也在逐步擴大。市場上對led亮度和光效的需求與日俱增，客戶關注的是led更省電，亮度更高、光效更好，這就為led外延生長提出了更高的要求。如何生長更好的外延片日益受到重視。因為外延層晶體質量的提高，led器件的性能可以得到提升，led的發(fā)光效率、壽命、抗老化能力、抗靜電能力、穩(wěn)定性會隨著外延層晶體質量的提升而提升。

目前，led市場上現在要求led芯片驅動電壓低，特別是大電流下驅動電壓越小越好、光效越高越好；led市場價值的體現為(光效)/單價，光效越好，價格越高，所以led高光效一直是led廠家和院校led研究所追求的目標。

因此，如何通過led外延生長提高led的發(fā)光效率成為現階段亟待解決的技術問題。

技術實現要素：

有鑒于此，本申請所要解決的技術問題是提供了一種led外延生長方法，把傳統(tǒng)的n型gan層，設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，以增強發(fā)光輻射效率，提高led的發(fā)光效率。

為了解決上述技術問題，本申請有如下技術方案：

一種led外延生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層gan、生長高溫gan緩沖層、生長非摻雜u-gan層、生長溫度壓力漸變n-gan層、生長發(fā)光層、生長p型algan層、生長p型gan層、生長p型gan接觸層、降溫冷卻，

其中，所述溫度壓力漸變n-gan層包括溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層；

所述溫度壓力漸變n-gan層為：

通入n2和sih4，在n2氣氛下，保持生長壓力為500torr～600torr，生長溫度由500～800℃漸變至1000～1300℃，生長厚度為100nm至150nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

降低溫度至600℃～800℃，通入h2和sih4，在h2氣氛下，保持生長溫度為600℃～800℃，生長壓力由500torr～600torr漸變至800torr～1000torr，生長厚度為5nm至10nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

通入n2、h2和sih4，在n2和h2的混合氣氛下，生長溫度由600℃～800℃漸變至900℃～1150℃，生長壓力由800torr～1000torr漸變至200torr～400torr，生長厚度為10nm至100nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³。

其中，生長溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層通入的mo源為tmga。

可選地，其中：

所述處理襯底，具體為：將藍寶石襯底在h2氣氛里進行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

可選地，其中：

所述生長低溫成核層gan和生長高溫gan緩沖層，具體為：

降低溫度至500℃至620℃，保持反應腔壓力400torr至650torr，通入nh3和tmga，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層gan；

停止通入tmga，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時間為5min至10min；

退火之后，將溫度調節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入tmga，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫gan緩沖層，生長壓力控制在400torr-650torr。

可選地，其中：

所述生長非摻雜u-gan層，具體為：

升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應腔壓力100torr-500torr，通入nh3和tmga，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-gan層。

可選地，其中：

所述生長發(fā)光層，具體為：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度700℃至800℃，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長摻雜in的厚度為2nm至5nm的量子阱層inyga(1-y)n，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應腔壓力100torr至500torr，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長厚度為8nm至15nm的壘層gan，壘層gan進行si摻雜，si摻雜濃度為8e16atoms/cm³至6e17atoms/cm³；

重復inyga(1-y)n的生長，然后重復gan的生長，交替生長inyga(1-y)n/gan發(fā)光層，控制周期數為5至15個。

可選地，其中：

所述生長p型algan層，具體為：

保持反應腔壓力20torr至200torr、溫度900℃至1100℃，通入mo源為tmal、tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的p型algan層，生長時間為3min至10min，al的摩爾組分為10％至30％，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

可選地，其中：

所述生長p型gan層，具體為：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1000℃，通入mo源為tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為100nm至800nm的p型gan層，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

可選地，其中：

所述生長p型gan接觸層，具體為：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1050℃，通入mo源為tega和cp2mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜mg的p型gan接觸層，mg摻雜濃度1e19atoms/cm³-1e22atoms/cm³。

可選地，其中：

所述降溫冷卻，具體為：

外延生長結束后，將反應時的溫度降至650℃至800℃，采用純n2氛圍進行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結束生長。

與現有技術相比，本申請所述的方法，達到了如下效果：

第一、本發(fā)明led外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的n型gan層，設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，目的是先通過生長溫度漸變n型gan層，能提供較多空穴進入量子阱區(qū)域，以及更好地保護量子阱。同時溫度漸變條件下，原子較難達到襯底表面反應，橫向生長受到抑制，能形成較粗的界面，更有利于量子阱的反射出光。接著生長壓力漸變n型gan層，加快橫向生長，修補溫度漸變生長的缺陷，解決電子和空穴擁堵效應，改善電壓。最后通過生長溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，防止電子泄漏出量子阱區(qū)域，同時能夠提高空穴的遷移率，提升了電子和空穴在量子阱區(qū)域分布的均衡性，從而有效提高電子和空穴的復合幾率，提高led的發(fā)光效率。

第二、本發(fā)明led外延生長方法，有利于提高大尺寸芯片的亮度，并降低了驅動電壓。

第三、本發(fā)明led外延生長方法，使得電流輸送過程中，電子橫向擴展能力加強，從而降低了驅動電壓，同時提升了亮度和光效。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明中l(wèi)ed外延層的結構示意圖；

圖2為對比實施例中l(wèi)ed外延層的結構示意圖；

其中，1、基板，2、緩沖層gan，3、u-gan層，4、溫度壓力漸變n-gan層，4.1、溫度漸變n型gan層，4.2、壓力漸變n型gan層，4.3、溫度、壓力同時漸變n型gan層，5、發(fā)光層，6、p型algan層，7、p型gan層，8、p型gan接觸層；9、傳統(tǒng)n-gan層。

具體實施方式

如在說明書及權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領域技術人員應可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。如在通篇說明書及權利要求當中所提及的“包含”為一開放式用語，故應解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮盏恼`差范圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差范圍內解決所述技術問題，基本達到所述技術效果。說明書后續(xù)描述為實施本申請的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護范圍當視所附權利要求所界定者為準。

實施例1

本發(fā)明運用veecomocvd來生長高亮度gan基led外延片。采用高純h2或高純n2或高純h2和高純n2的混合氣體作為載氣，高純nh3(nh3純度99.999％)為n源，金屬有機源三甲基鎵(tmga)和金屬有機緣三乙基鎵(tega)作為鎵源，三甲基銦(tmin)作為銦源，n型摻雜劑為硅烷(sih4)，三甲基鋁(tmal)作為鋁源，p型摻雜劑為二茂鎂(cp2mg)，襯底為(0001)面藍寶石，反應壓力在100torr到1000torr之間。具體生長方式如下：

本申請led外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層gan、生長高溫gan緩沖層、生長非摻雜u-gan層、生長溫度壓力漸變n-gan層、生長發(fā)光層、生長p型algan層、生長p型gan層、生長p型gan接觸層、降溫冷卻，

其中，所述生長溫度壓力漸變n-gan層包括溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層；

所述溫度壓力漸變n-gan層為：

通入n2和sih4，在n2氣氛下，保持生長壓力為500torr～600torr，生長溫度由500～800℃漸變至1000～1300℃，生長厚度為100nm至150nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

降低溫度至600℃～800℃，通入h2和sih4，在h2氣氛下，保持生長溫度為600℃～800℃，生長壓力由500torr～600torr漸變至800torr～1000torr，生長厚度為5nm至10nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

通入n2、h2和sih4，在n2和h2的混合氣氛下，生長溫度由600℃～800℃漸變至900℃～1150℃，生長壓力由800torr～1000torr漸變至200torr～400torr，生長厚度為10nm至100nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³。

其中，生長溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層通入的mo源為tmga。

本發(fā)明led外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的n型gan層，設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，目的是先通過生長溫度漸變n型gan層，能提供較多空穴進入量子阱區(qū)域，以及更好地保護量子阱。同時溫度漸變條件下，原子較難達到襯底表面反應，橫向生長受到抑制，能形成較粗的界面，更有利于量子阱的反射出光。接著生長壓力漸變n型gan層，加快橫向生長，修補溫度漸變生長的缺陷，解決電子和空穴擁堵效應，改善電壓。最后通過生長溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，防止電子泄漏出量子阱區(qū)域，同時能夠提高空穴的遷移率，提升了電子和空穴在量子阱區(qū)域分布的均衡性，從而有效提高電子和空穴的復合幾率，提高led的發(fā)光效率。

實施例2

以下提供本發(fā)明的led外延生長方法的應用實施例，其外延結構參見圖1，圖1為本發(fā)明中l(wèi)ed外延層的結構示意圖。本申請運用veecomocvd來生長高亮度gan基led外延片。采用高純h2或高純n2或高純h2和高純n2的混合氣體作為載氣，高純nh3(nh3純度99.999％)為n源，金屬有機源三甲基鎵(tmga)和金屬有機緣三乙基鎵(tega)作為鎵源，三甲基銦(tmin)作為銦源，n型摻雜劑為硅烷(sih4)，三甲基鋁(tmal)作為鋁源，p型摻雜劑為二茂鎂(cp2mg)，襯底為(0001)面藍寶石，反應壓力在100torr到1000torr之間。具體生長方式如下：

步驟101、處理襯底：

將藍寶石襯底在氫氣氣氛里進行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

步驟102、生長低溫成核層gan：

降低溫度至500℃至620℃，保持反應腔壓力400torr至650torr，通入nh3和tmga，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層gan。

步驟103，生長高溫gan緩沖層：

停止通入tmga，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時間為5min至10min；

退火之后，將溫度調節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入tmga，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫gan緩沖層，生長壓力控制在400torr-650torr。

步驟104、生長非摻雜u-gan層：

升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應腔壓力100torr-500torr，通入nh3和tmga，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-gan層。

步驟105、生長溫度壓力漸變n-gan層：

通入n2和sih4，在n2氣氛下，保持生長壓力為500torr～600torr，生長溫度由500～800℃漸變至1000～1300℃，生長厚度為100nm至150nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

降低溫度至600℃～800℃，通入h2和sih4，在h2氣氛下，保持生長溫度為600℃～800℃，生長壓力由500torr～600torr漸變至800torr～1000torr，生長厚度為5nm至10nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³；

通入n2、h2和sih4，在n2和h2的混合氣氛下，生長溫度由600℃～800℃漸變至900℃～1150℃，生長壓力由800torr～1000torr漸變至200torr～400torr，生長厚度為10nm至100nm的n型gan層，si摻雜濃度為1e18atoms/cm³至1e21atoms/cm³。

其中，生長溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層通入的mo源為tmga。

本申請中，1e18代表1乘以10的18次方也就是1*10¹⁸，以此類推，atoms/cm³為摻雜濃度單位，表示一立方厘米容積中的原子個數，下同。

步驟106、生長發(fā)光層：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度700℃至800℃，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長摻雜in的厚度為2nm至5nm的量子阱層inyga(1-y)n，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應腔壓力100torr至500torr，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長厚度為8nm至15nm的壘層gan，壘層gan進行si摻雜，si摻雜濃度為8e16atoms/cm³至6e17atoms/cm³；

重復inyga(1-y)n的生長，然后重復gan的生長，交替生長inyga(1-y)n/gan發(fā)光層，控制周期數為5至15個。

步驟107、生長p型algan層：

保持反應腔壓力20torr至200torr、溫度900℃至1100℃，通入mo源為tmal、tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的p型algan層，生長時間為3min至10min，al的摩爾組分為10％至30％，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

步驟108、生長p型gan層：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1000℃，通入mo源為tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為100nm至800nm的p型gan層，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

步驟109、生長p型gan接觸層：

保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1050℃，通入mo源為tega和cp2mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜mg的p型gan接觸層，mg摻雜濃度1e19atoms/cm³-1e22atoms/cm³。

步驟110、降溫冷卻：

外延生長結束后，將反應時的溫度降至650℃至800℃，采用純n2氛圍進行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結束生長。

外延結構經過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導體加工工藝制成單顆小尺寸芯片。

與傳統(tǒng)方法相比，本申請led外延生長方法的步驟105中，把傳統(tǒng)的n型gan層，設計為設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，目的是先通過生長溫度漸變n型gan層，能提供較多空穴進入量子阱區(qū)域，以及更好地保護量子阱。同時溫度漸變條件下，原子較難達到襯底表面反應，橫向生長受到抑制，能形成較粗的界面，更有利于量子阱的反射出光。接著生長壓力漸變n型gan層，加快橫向生長，修補溫度漸變生長的缺陷，解決電子和空穴擁堵效應，改善電壓。最后通過生長溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，防止電子泄漏出量子阱區(qū)域，同時能夠提高空穴的遷移率，提升了電子和空穴在量子阱區(qū)域分布的均衡性，從而有效提高電子和空穴的復合幾率，提高led的發(fā)光效率。

實施例3

以下提供一種常規(guī)led外延生長方法作為本發(fā)明的對比實施例，圖2為對比實施例中l(wèi)ed外延層的結構示意圖。

常規(guī)led外延的生長方法為(外延層結構參見圖2)：

1、將藍寶石襯底在氫氣氣氛里進行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

2、降低溫度至500℃至620℃，保持反應腔壓力400torr至650torr，通入nh3和tmga，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層gan。

3、停止通入tmga，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時間為5min至10min；退火之后，將溫度調節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入tmga，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫gan緩沖層，生長壓力控制在400torr-650torr。

4、升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應腔壓力100torr-500torr，通入nh3和tmga，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-gan層。

5、保持反應腔溫度為1050℃至1200℃，保持反應腔壓力為100torr-600torr，通入nh3、tmga和sih4，持續(xù)生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的、厚度為2μm至4μm摻雜si的n-gan層，其中，si摻雜濃度為8e18atoms/cm³-2e19atoms/cm³。

6、保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度700℃至800℃，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長摻雜in的厚度為2nm至5nm的量子阱層inyga(1-y)n，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應腔壓力100torr至500torr，所用mo源為tega、tmin和sih4，生長厚度為8nm至15nm的壘層gan，壘層gan進行si摻雜，si摻雜濃度為8e16atoms/cm³至6e17atoms/cm³；

重復inyga(1-y)n的生長，然后重復gan的生長，交替生長inyga(1-y)n/gan發(fā)光層，控制周期數為5至15個。

7、保持反應腔壓力20torr至200torr、溫度900℃至1100℃，通入mo源為tmal、tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的p型algan層，生長時間為3min至10min，al的摩爾組分為10％至30％，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

8、保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1000℃，通入mo源為tmga和cp2mg，持續(xù)生長厚度為100nm至800nm的p型gan層，mg摻雜濃度1e18atoms/cm³-1e21atoms/cm³。

9、保持反應腔壓力100torr至500torr、溫度850℃至1050℃，通入mo源為tega和cp2mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜mg的p型gan接觸層，mg摻雜濃度1e19atoms/cm³-1e22atoms/cm³。

10、外延生長結束后，將反應時的溫度降至650℃至800℃，采用純氮氣氛圍進行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結束生長。

外延結構經過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導體加工工藝制成單顆小尺寸芯片。

在同一機臺上，根據常規(guī)的led的生長方法(對比實施例的方法)制備樣品1，根據本專利描述的方法制備樣品2；樣品1和樣品2外延生長方法參數不同點在于把傳統(tǒng)的n型gan層設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，其它外延生長條件完全一樣，請參考表1。

樣品1和樣品2在相同的前工藝條件下鍍ito層約150nm，相同的條件下鍍cr/pt/au電極約70nm，相同的條件下鍍保護層sio2約30nm，然后在相同的條件下將樣品研磨切割成762μm*762μm(30mil*30mil)的芯片顆粒，然后樣品1和樣品2在相同位置各自挑選150顆晶粒，在相同的封裝工藝下，封裝成白光led。然后采用積分球在驅動電流350ma條件下測試樣品1和樣品2的光電性能。在同一臺led點測機在驅動電流350ma條件下測試樣品1和樣品2的光電性能，參見表2。

表1為樣品1和樣品2的生長參數對比表，表2為樣品1和樣品2的led測試機光電測試數據。

表1樣品1和樣品2生長參數對比表

表2樣品1和樣品2led測試機光電測試數據

表1中，樣品1采用傳統(tǒng)生長方式生長，生長傳統(tǒng)n-gan層；樣品2采用本專利生長方式，將傳統(tǒng)n-gan層替換為溫度壓力漸變n-gan層包括溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層。

將積分球獲得的數據進行分析對比，從表2數據得出樣品2較樣品1亮度從492mw左右增加至528mw，樣品2較樣品1驅動電壓從3.36v降低至3.09v。因此可得出以下結論：

本專利提供的生長方法提高了大尺寸芯片的亮度，降低了驅動電壓。實驗數據證明了本專利的方案能顯著提升led發(fā)光效率的可行性。

通過以上各實施例可知，本申請存在的有益效果是：

第一、本發(fā)明led外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的n型gan層，設計為溫度漸變n型gan層、壓力漸變n型gan層和溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，目的是先通過生長溫度漸變n型gan層，能提供較多空穴進入量子阱區(qū)域，以及更好地保護量子阱。同時溫度漸變條件下，原子較難達到襯底表面反應，橫向生長受到抑制，能形成較粗的界面，更有利于量子阱的反射出光。接著生長壓力漸變n型gan層，加快橫向生長，修補溫度漸變生長的缺陷，解決電子和空穴擁堵效應，改善電壓。最后通過生長溫度、壓力同時漸變n型gan層結構，防止電子泄漏出量子阱區(qū)域，同時能夠提高空穴的遷移率，提升了電子和空穴在量子阱區(qū)域分布的均衡性，從而有效提高電子和空穴的復合幾率，提高led的發(fā)光效率。

第二、本發(fā)明led外延生長方法，有利于提高大尺寸芯片的亮度，并降低了驅動電壓。

第三、本發(fā)明led外延生長方法，使得電流輸送過程中，電子橫向擴展能力加強，從而降低了驅動電壓，同時提升了亮度和光效。

本領域內的技術人員應明白，本申請的實施例可提供為方法、裝置、或計算機程序產品。因此，本申請可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本申請可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(包括但不限于磁盤存儲器、cd-rom、光學存儲器等)上實施的計算機程序產品的形式。

上述說明示出并描述了本申請的若干優(yōu)選實施例，但如前所述，應當理解本申請并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本申請的精神和范圍，則都應在本申請所附權利要求的保護范圍內。