本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體處理領(lǐng)域，更具體地涉及封裝方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件制造涉及存儲(chǔ)器堆疊的形成，存儲(chǔ)器堆疊通常對(duì)氧化和水分敏感，并且可能不能承受高溫操作或暴露于能量物質(zhì)。因此，在后續(xù)處理之前，存儲(chǔ)器堆疊通常被封裝。然而，沉積封裝層的常規(guī)方法可能損壞處理室的部件，或損壞襯底材料。此外，常規(guī)技術(shù)可能不能形成足夠薄且密封的層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文提供了用于在存儲(chǔ)器裝置上形成封裝層的方法和裝置。一個(gè)方面涉及一種封裝襯底上的存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包括：(i)在低于300℃的襯底溫度下將具有存儲(chǔ)器裝置的襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物；和(ii)點(diǎn)燃等離子體以在存儲(chǔ)器裝置上沉積封裝層，封裝層是密封的并且具有小于15％的氫含量。

在多種實(shí)施方式中，該方法還包括在低于300℃的溫度下將封裝層暴露于后處理工藝。

例如，在一些實(shí)施方式中，后處理工藝包括將襯底暴露于后處理氣體并在沒有反應(yīng)物的情況下點(diǎn)燃第二等離子體。襯底可以暴露于后處理氣體和第二等離子體持續(xù)介于約10秒至約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。在一些實(shí)施方式中，后處理氣體是氮、氨、氦、氬及其組合中的任一種。該方法還可以包括重復(fù)(i)和(ii)以形成封裝層。

在另一個(gè)示例中，在一些實(shí)施方式中，后處理工藝包括將襯底暴露于紫外輻射。紫外輻射可以在約180nm和約600nm之間的波長下發(fā)射約60秒至約600秒之間的持續(xù)時(shí)間。

在多種實(shí)施方式中，沉積的封裝層是氮化硅、未摻雜碳化硅、摻雜氧的碳化硅、氮化鍺、未摻雜碳化鍺和摻雜氧的碳化鍺中的任何一種。

在多種實(shí)施方式中，該方法包括對(duì)等離子體施以脈沖以沉積封裝層。等離子體的脈沖可以具有在約0.02毫秒至約5毫秒之間的脈沖持續(xù)時(shí)間。等離子體可以以約100hz和約6hz之間的脈沖頻率施以脈沖。在一些實(shí)施方式中，原位產(chǎn)生等離子體。在一些實(shí)施方式中，沉積前體是含硅前體或含鍺前體。

在多種實(shí)施方式中，通過遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積封裝層。例如，在一些實(shí)施方式中，等離子體是在其中容納襯底的處理區(qū)域上游并與該處理區(qū)域分離的區(qū)域中產(chǎn)生的。在一些實(shí)施方式中，遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積包括：(a)使反應(yīng)物流到遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生區(qū)域并點(diǎn)燃等離子體以產(chǎn)生反應(yīng)物自由基；(b)通過噴頭將反應(yīng)物自由基引入襯底；和(c)在引入反應(yīng)物自由基的同時(shí)將噴頭下游的沉積前體引導(dǎo)至襯底。襯底可以在具有約1.5托和約7托之間的室壓強(qiáng)的室中進(jìn)行處理。

在多種實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器裝置是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。在多種實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器裝置包括磁隧道結(jié)。

封裝層可以沉積到約50埃至約500埃之間的厚度。在其中使用后處理工藝的一些實(shí)施方式中，后處理工藝可以在封裝層沉積到約20埃至約50埃之間的厚度之后進(jìn)行。

在多種實(shí)施方式中，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積沉積封裝層。沉積在存儲(chǔ)器裝置上的封裝層可以具有在約70％和約90％之間的臺(tái)階覆蓋率。在多種實(shí)施方式中，襯底被圖案化有約1.5:1和約20:1之間的深寬比的特征。

封裝層可以是通過將襯底暴露于含硅前體和含氮反應(yīng)物而沉積的氮化硅膜。在一些實(shí)施方式中，封裝層是通過將襯底暴露于含硅和碳的前體和氫而沉積的碳化硅膜。

該方法還可以包括在沉積封裝層之前，將襯底加熱至約300℃的溫度。

另一方面涉及一種封裝襯底上的存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包括(i)在低于約300℃的襯底溫度下將襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物；和(b)當(dāng)襯底暴露于沉積反應(yīng)物時(shí)，以約100hz和約6hz之間的脈沖頻率對(duì)等離子體施以脈沖持續(xù)約0.02毫秒和約5毫秒的持續(xù)時(shí)間，以形成封裝層，使得形成的封裝層是氮化硅、未摻雜碳化硅、摻雜氧的碳化硅、氮化鍺、未摻雜碳化鍺和摻雜氧的碳化鍺中的任何一種。

該方法可以進(jìn)一步包括在沉積膜之后，在低于約300℃的襯底溫度下將膜暴露于后處理工藝以形成封裝層。后處理工藝可以包括將襯底暴露于后處理氣體并在沒有含硅或含鍺反應(yīng)物的情況下點(diǎn)燃等離子體。在一些實(shí)施方式中，后處理工藝包括將襯底暴露于紫外輻射。

另一方面涉及存儲(chǔ)器裝置，所述存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器堆疊；氣密封裝層，其被沉積在存儲(chǔ)器堆疊上并封裝存儲(chǔ)器堆疊，封裝層通過暴露于沉積前體、反應(yīng)物和等離子體而在低于約300℃的襯底溫度下沉積，所述封裝層具有低于15％的氫含量。在多種實(shí)施方式中，封裝層具有至少70％的臺(tái)階覆蓋率。在一些實(shí)施方式中，暴露可以包括使用在約0.02毫秒至約5毫秒之間的等離子體脈沖持續(xù)時(shí)間對(duì)等離子體施以脈沖。可以在低于約300℃的襯底溫度下使用uv暴露對(duì)封裝層進(jìn)行后處理。在一些實(shí)施方式中，在具有后處理氣體的情況下利用暴露于第二等離子體持續(xù)約10秒至約50秒之間的持續(xù)時(shí)間來對(duì)封裝層進(jìn)行后處理。

在一些實(shí)施方式中，封裝層是氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、摻雜氧的碳化硅(sico)、氮化鍺(gen)、碳化鍺(gec)和摻雜氧的碳化鍺(geco)中的任何一種。

可以使用遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積來沉積封裝層。

另一方面涉及一種用于處理包括半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體襯底的裝置，該裝置包括：一個(gè)或多個(gè)處理室，由此至少一個(gè)處理室包括用于加熱半導(dǎo)體襯底的加熱基座；等離子體發(fā)生器；通向處理室的一個(gè)或多個(gè)氣體入口和相關(guān)聯(lián)的流控制硬件；以及控制器，其具有至少一個(gè)處理器和存儲(chǔ)器，由此所述至少一個(gè)處理器和所述存儲(chǔ)器彼此通信地連接，所述至少一個(gè)處理器至少與所述流控制硬件可操作地連接，并且所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于通過下列操作控制所述至少一個(gè)處理器以至少控制所述流控制硬件的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令：(i)將所述基座溫度設(shè)置為低于約300℃的溫度；(ii)將沉積前體和反應(yīng)物引入所述一個(gè)或多個(gè)處理室；和(iii)當(dāng)沉積前體和反應(yīng)物被引入一個(gè)或多個(gè)處理室時(shí)，以脈沖方式點(diǎn)燃等離子體以形成氫含量小于15％的氣密密封層。

計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令可以包括以約100hz和約6hz之間的脈沖頻率在(iii)對(duì)等離子體施以脈沖持續(xù)介于約0.02毫秒和約5毫秒之間的脈沖持續(xù)時(shí)間。在一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器還存儲(chǔ)用于通過下列操作控制至少一個(gè)處理器以至少控制流控制硬件的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令：(iv)在以脈沖方式點(diǎn)燃等離子體之后，停止沉積前體和反應(yīng)物流入一個(gè)或多個(gè)處理室；(v)將惰性氣體引入所述一個(gè)或多個(gè)處理室；和(vi)將等離子體點(diǎn)燃持續(xù)介于約10秒至約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。

在一些實(shí)施方式中，裝置還包括紫外線輻射源，由此存儲(chǔ)器還存儲(chǔ)用于控制至少一個(gè)處理器以至少通過接通紫外線輻射源來控制流控制硬件的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種封裝襯底上的存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包括：

(i)在低于300℃的襯底溫度下將具有存儲(chǔ)器裝置的所述襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物；以及

(ii)點(diǎn)燃等離子體以在所述存儲(chǔ)器裝置上沉積封裝層，所述封裝層是密封的并且具有小于15％的氫含量。

2.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括在低于300℃的溫度下將所述封裝層暴露于后處理工藝。

3.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述封裝層選自氮化硅、未摻雜的碳化硅、摻雜氧的碳化硅、氮化鍺、未摻雜的碳化鍺和摻雜氧的碳化鍺。

4.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括對(duì)所述等離子體施以脈沖以沉積所述封裝層。

5.根據(jù)條款4所述的方法，其中所述等離子體的脈沖具有介于約0.02毫秒和約5毫秒之間的脈沖持續(xù)時(shí)間。

6.根據(jù)條款4所述的方法，其中所述等離子體以介于約100hz和約6hz之間的脈沖頻率被施以脈沖。

7.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述封裝層通過遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積沉積。

8.如條款7所述的方法，其中遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積包括：

(a)使所述反應(yīng)物流到遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生區(qū)域并點(diǎn)燃等離子體以產(chǎn)生反應(yīng)物自由基；

(b)通過噴頭將所述反應(yīng)物自由基引入所述襯底；以及

(c)在引入所述反應(yīng)物自由基時(shí)將所述噴頭下游的所述沉積前體引入所述襯底。

9.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述后處理工藝包括將所述襯底暴露于后處理氣體并在沒有反應(yīng)物的情況下點(diǎn)燃第二等離子體。

10.根據(jù)條款9所述的方法，其中所述襯底暴露于所述后處理氣體和所述第二等離子體持續(xù)介于約10秒和約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。

11.根據(jù)條款9所述的方法，其中所述后處理氣體選自氮、氨、氦、氬及其組合。

12.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述后處理工藝包括將所述襯底暴露于紫外輻射。

13.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器裝置是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

14.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器裝置包括磁隧道結(jié)。

15.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述封裝層被沉積到介于約50埃和約500埃之間的厚度。

16.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述封裝層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積。

17.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中沉積在所述存儲(chǔ)器裝置上的所述封裝層具有介于約70％和約90％之間的臺(tái)階覆蓋率。

18.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述封裝層是通過將所述襯底暴露于含硅前體和含氮反應(yīng)物而沉積的氮化硅膜。

19.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述封裝層是通過將所述襯底暴露于含硅和含碳的前體和氫而沉積的碳化硅膜。

20.根據(jù)條款1-12中任一項(xiàng)所述的方法，其還包括在沉積所述封裝層之前，將所述襯底加熱至約300℃的溫度。

21.一種封裝襯底上的存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包括：

(i)在低于約300℃的襯底溫度下將所述襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物；以及

(b)當(dāng)所述襯底暴露于沉積反應(yīng)物時(shí)，以介于約100hz和約6hz之間的脈沖頻率對(duì)等離子體施以脈沖持續(xù)介于約0.02毫秒和約5毫秒的持續(xù)時(shí)間，以形成封裝層，

其中所形成的所述封裝層選自氮化硅、未摻雜的碳化硅、摻雜氧的碳化硅、氮化鍺、未摻雜的碳化鍺和摻雜氧的碳化鍺。

22.根據(jù)條款21所述的方法，其還包括在沉積所述膜之后，在低于約300℃的襯底溫度下將所述膜暴露于后處理工藝以形成所述封裝層。

23.根據(jù)條款22所述的方法，其中所述后處理工藝包括將所述襯底暴露于后處理氣體并在沒有含硅或含鍺反應(yīng)物的情況下點(diǎn)燃等離子體。

24.根據(jù)條款22所述的方法，其中所述后處理工藝包括將所述襯底暴露于紫外輻射。

25.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括：

存儲(chǔ)器堆疊；

氣密封裝層，其沉積在所述存儲(chǔ)器堆疊上并封裝所述存儲(chǔ)器堆疊，所述封裝層通過暴露于沉積前體、反應(yīng)物和等離子體在低于約300℃的襯底溫度下沉積，所述封裝層具有低于15％的氫含量。

26.根據(jù)條款25所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述封裝層具有至少70％的臺(tái)階覆蓋率。

27.根據(jù)條款25所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述封裝層選自氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、摻雜氧的碳化硅(sico)、氮化鍺(gen)、碳化鍺(gec)和摻雜氧的碳化鍺(geco)。

28.根據(jù)條款25-27中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述暴露于所述沉積前體包括使用介于約0.02毫秒和約5毫秒之間的等離子體脈沖持續(xù)時(shí)間對(duì)所述等離子體施以脈沖。

29.根據(jù)條款25-27中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述封裝層在低于約300℃的襯底溫度下使用uv暴露進(jìn)行后處理。

30.根據(jù)條款25-27中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述封裝層在具有后處理氣體的情況下利用暴露于第二等離子體持續(xù)介于約10秒和約50秒之間的持續(xù)時(shí)間進(jìn)行后處理。

31.根據(jù)條款25-27中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器裝置，其中使用遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積來沉積所述封裝層。

32.一種用于處理包含半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體襯底的裝置，所述裝置包括：

一個(gè)或多個(gè)處理室，其中至少一個(gè)處理室包括用于加熱所述半導(dǎo)體襯底的加熱基座；

等離子體發(fā)生器；

通向所述處理室的一個(gè)或多個(gè)氣體入口和相關(guān)聯(lián)的流控制硬件；以及

控制器，其具有至少一個(gè)處理器和存儲(chǔ)器，其中所述至少一個(gè)處理器和所述存儲(chǔ)器彼此通信地連接，

所述至少一個(gè)處理器至少與所述流控制硬件可操作地連接，以及

所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令用于控制所述至少一個(gè)處理器，以至少通過以下操作控制所述流控制硬件：

(i)將基座溫度設(shè)定為低于約300℃的溫度；

(ii)將沉積前體和反應(yīng)物引入所述一個(gè)或多個(gè)處理室；以及

(iii)當(dāng)將所述沉積前體和所述反應(yīng)物引入所述一個(gè)或多個(gè)處理室時(shí)，以脈沖方式點(diǎn)燃等離子體，以形成小于15％氫含量的氣密封裝層。

33.根據(jù)條款32所述的裝置，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令包括在(iii)中以介于約100hz和約6hz之間的脈沖頻率對(duì)等離子體施以脈沖持續(xù)介于約0.02毫秒和約5毫秒之間的脈沖持續(xù)時(shí)間。

34.根據(jù)條款32所述的裝置，其中所述存儲(chǔ)器還存儲(chǔ)用于控制所述至少一個(gè)處理器以至少通過以下操作來控制所述流控制硬件的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令：

(iv)在以脈沖方式點(diǎn)燃所述等離子體之后，使所述沉積前體和所述反應(yīng)物停止流到所述一個(gè)或多個(gè)處理室；

(v)將惰性氣體引入所述一個(gè)或多個(gè)處理室；以及

(vi)將等離子體點(diǎn)燃持續(xù)介于約10秒和約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。

35.根據(jù)條款32所述的裝置，其還包括紫外輻射源，其中所述存儲(chǔ)器還存儲(chǔ)用于控制所述至少一個(gè)處理器以通過接通所述紫外輻射源來至少控制所述流控制硬件的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令。

參照附圖進(jìn)一步描述這些方面和其它方面。

附圖說明

圖1是具有經(jīng)受潮水分和空氣暴露的封裝層的示例性存儲(chǔ)器堆疊的示意圖。

圖2a-2c是描繪根據(jù)所公開的實(shí)施方式的方法的操作的工藝流程圖。

圖3是示出根據(jù)某些公開的實(shí)施方式的方法的示例的時(shí)序圖。

圖4-6是用于執(zhí)行所公開的實(shí)施方式的示例性處理室的示意圖。

圖7是用于執(zhí)行所公開的實(shí)施方式的示例性處理工具的示意圖。

圖8是來自實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的膜的傅立葉變換紅外光譜。

圖9是具有根據(jù)所公開的實(shí)施方式進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)中沉積的封裝層的襯底的示意圖。

圖10是來自實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的膜的傅里葉變換紅外光譜。

圖11是來自實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的膜的傅里葉變換紅外光譜。

圖12a和12b是具有根據(jù)所公開的實(shí)施方式進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)中沉積的封裝層的襯底的圖像。

圖13a是在實(shí)驗(yàn)中沉積的多種封裝層的氫含量的圖形。

圖13b是在實(shí)驗(yàn)中沉積的多種封裝層的濕蝕刻速率的圖形。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的透徹理解。所公開的實(shí)施方式可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)現(xiàn)。在其他情況下，未詳細(xì)描述公知的處理操作，以免不必要地使所公開的實(shí)施方式不清楚。雖然將結(jié)合具體實(shí)施方式描述所公開的實(shí)施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，并不意圖限制所公開的實(shí)施方式。

在本發(fā)明中，術(shù)語“半導(dǎo)體晶片”、“晶片”、“襯底”、“晶片襯底”和“部分制造的集成電路”可互換使用。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會(huì)理解，術(shù)語“部分制造的集成電路”可以指在其上的集成電路制造的許多階段的任何階段期間的硅晶片。在半導(dǎo)體器件工業(yè)中使用的晶片或襯底通常具有200mm、或300mm或450mm的直徑。除非另有說明，否則本文所述的處理細(xì)節(jié)(例如，流率、功率電平等)與300mm直徑襯底的處理相關(guān)，或與被配置成處理300mm直徑襯底的處理室相關(guān)，并且可以適當(dāng)?shù)乜s放用于其他尺寸的襯底或室。

半導(dǎo)體制造工藝涉及制造通常包括對(duì)氧化和水分敏感的材料的存儲(chǔ)器堆疊。此外，存儲(chǔ)器堆疊還可以包括不能承受高溫操作或暴露于能量物質(zhì)的材料。因此，存儲(chǔ)器堆疊通常在后續(xù)處理之前被封裝。

存儲(chǔ)器的一個(gè)示例是包括多個(gè)薄金屬層或膜的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)，多個(gè)薄金屬層或膜可以被順序蝕刻以形成磁隧道結(jié)堆疊。磁隧道結(jié)(mtj)包含兩種磁性材料之間的薄電介質(zhì)阻擋層。電子通過量子隧穿的過程通過勢壘。這可以作為磁基存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)。圖1提供了具有存儲(chǔ)器堆疊的襯底101的示例，存儲(chǔ)器堆疊具有包括第一磁性層105a，電介質(zhì)層105b和第二磁性層105c的磁隧道結(jié)。層103設(shè)置在第一磁性層105a和襯底103之間，層107可以是阻擋層。各種合適的化學(xué)物質(zhì)可以用于這些層中的每一層，并且每個(gè)層可以包括多于一層。

保形封裝層109覆蓋兩個(gè)堆疊。常規(guī)封裝層109可以包括氫115，氫115可以擴(kuò)散到磁隧道結(jié)中并且導(dǎo)致含氮層110的形成。缺陷封裝層109也可以容易受到損傷120的影響，當(dāng)材料暴露于水分(如水分子130)時(shí)可能形成損傷120。

沉積封裝層的常規(guī)技術(shù)不足以實(shí)現(xiàn)最佳結(jié)果。例如，使用常規(guī)技術(shù)沉積的封裝層導(dǎo)致高的氫含量，這可能引起如上文關(guān)于圖1所述的擴(kuò)散；低的密度和氣密性，這可能導(dǎo)致封裝層的剝離或去除以及質(zhì)量不足以保護(hù)下面的存儲(chǔ)器；以及低臺(tái)階覆蓋率，例如針對(duì)具有4:1的深寬比的通孔具有大致約30％至約50％的臺(tái)階覆蓋率，從而可以引起存儲(chǔ)材料的部分暴露的側(cè)壁。

沉積的膜也是保形的。膜的一致性可以通過臺(tái)階覆蓋率來衡量。本文所述的“臺(tái)階覆蓋率”通過將側(cè)壁上的沉積膜的平均厚度除以在特征頂部的沉積膜的平均厚度并將其乘以100來獲得百分比來計(jì)算。

為了解決這些問題中的一些問題，已經(jīng)開發(fā)了在封裝層中實(shí)現(xiàn)低氫含量的技術(shù)，但是這種技術(shù)通常在存儲(chǔ)器堆疊不能忍受的高溫下進(jìn)行，從而導(dǎo)致對(duì)存儲(chǔ)器(例如磁隧道結(jié)中的電介質(zhì)層)的蝕刻或損壞，導(dǎo)致不均勻的存儲(chǔ)器堆疊。

本文提供了用于使用在低于約300℃的低溫下進(jìn)行的技術(shù)沉積具有低氫含量、高密度和氣密性以及高臺(tái)階覆蓋率的密封層的方法和裝置。多種公開的實(shí)施方式可以在約0.1托和約20托之間的壓強(qiáng)下進(jìn)行。在許多實(shí)施方式中，所公開的方法可以在低于約300℃，例如約250℃或約200℃，或在介于約200℃和約250℃之間的襯底溫度下進(jìn)行。在這樣的實(shí)施方式中，基座可以被設(shè)定為低于約300℃的溫度以控制襯底溫度。例如，對(duì)于mram和相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pcram)應(yīng)用，襯底上的材料可能對(duì)高溫敏感。

可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)和/或遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(rpcvd)沉積膜。在多種實(shí)施方式中，通過將襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物，同時(shí)以短脈沖對(duì)等離子體施以脈沖，從而沉積膜，短脈沖例如具有介于約0.01毫秒和約5毫秒之間，或介于約0.02毫秒和約5毫秒之間，或介于約0.05毫秒和約5毫秒之間，或介于約0.05毫秒和約1.9毫秒之間，介于約0.5毫秒和約1.9毫秒之間的脈沖持續(xù)時(shí)間的脈沖。在多種實(shí)施方式中，使用介于約100hz和約6hz之間的脈沖頻率對(duì)等離子體施以脈沖。

多種實(shí)施方式涉及沉積，隨后進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)后處理工藝操作。后處理工藝操作包括在暴露于惰性氣體期間周期性地暴露于惰性氣體和點(diǎn)燃等離子體。例如，在一些實(shí)施方式中，在封裝層被沉積之后，封裝層可以暴露于氬等離子體持續(xù)介于約10秒和約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。在多種實(shí)施方式中，可以通過在(1)包括短脈沖等離子體的pecvd沉積和(2)暴露于惰性氣體和等離子體之間的循環(huán)來沉積封裝層。另一種后處理工藝操作包括在低于300℃的襯底溫度下將沉積的封裝層暴露于紫外輻射。

由公開的實(shí)施方式沉積的膜的氫含量具有比通過常規(guī)技術(shù)沉積的封裝層(通常具有25％和35％之間的氫含量)的氫含量低約50％至70％。在多種實(shí)施方式中，沉積的封裝膜具有原子百分比介于約10％和15％之間的氫含量(用ftir)。

本文所述的方法可以用于沉積具有任何合適化學(xué)物質(zhì)的封裝層，化學(xué)物質(zhì)可以包括iv族元素氮化物或碳化物，其中任何一種可以被摻雜(例如用氧)或未摻雜。在多種實(shí)施方式中，封裝層可以是以下化學(xué)物或其組合中的任一種：氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、摻雜氧的碳化硅(sico)、氮化鍺(gen)、碳化鍺gec)和摻雜氧的碳化鍺(geco)。

公開的實(shí)施方式可適用于將封裝層沉積達(dá)到介于約50埃和約500埃之間的厚度。例如，沉積在mram堆疊上的封裝層可以具有約150埃和約300埃之間的厚度。沉積在pcram堆疊上的另一示例性封裝層的厚度可以為約50埃。公開的實(shí)施方式可以實(shí)現(xiàn)大于約70％，或大于約90％，或介于約70％和約90％之間的臺(tái)階覆蓋率。

圖2a提供了描繪根據(jù)所公開的實(shí)施方式可以執(zhí)行的操作的工藝流程圖。在操作201中，提供包括存儲(chǔ)器堆疊的襯底。在多種實(shí)施方式中，將襯底提供到處理室。下面將參考圖4-6進(jìn)一步描述示例性處理室。

襯底可以是硅晶片(例如200mm晶片、300mm晶片或450mm晶片)，包括具有沉積在其上的一層或多層材料(例如電介質(zhì)、導(dǎo)電或半導(dǎo)體材料)的晶片。下伏層的非限制性示例包括電介質(zhì)層和導(dǎo)電層，例如氧化硅、氮化硅、碳化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物和金屬層。在一些實(shí)施方式中，襯底包括諸如磁隧道結(jié)之類的堆疊。在一些實(shí)施方式中，襯底包括兩個(gè)或更多個(gè)堆疊，每個(gè)堆疊包括諸如圖1所示的層之類的層。堆疊之間的間隔可以是窄的，使得堆疊之間的深寬比可以介于約1:1和約60：1之間，或大于約1.5：1，或大于約4：1，或介于約1.5：1和60：1之間，或介于約1.5：1和40：1之間，或介于約1.5：1和20：1之間，如約5：1。在一些實(shí)施方式中，堆疊之間的空間可以被稱為“特征”。堆疊可以包含非揮發(fā)性和鐵磁性材料，例如co、fe、mn、ni、pt、pd、ru及其組合(例如cofe)，并且可以包括電介質(zhì)層，例如在兩層鐵磁材料之間的mgo層。一些堆疊材料可以包括與硼組合的任何上述鐵磁層，例如cofeb。

在操作201之后和操作203之前，襯底可以經(jīng)受“溫度浸泡”，由此將襯底加熱到對(duì)襯底進(jìn)行如本文所述的各種操作時(shí)的處理溫度。例如，所公開的方法可以在低于約300℃，例如約250℃或約200℃，或介于約200℃和約250℃之間的襯底溫度下進(jìn)行。因此，在一些實(shí)施方式中，將襯底暴露于溫度浸泡，使得將保持處理室中的襯底的基座被設(shè)置到例如約250℃的溫度以將襯底加熱至工藝溫度并在處理之前穩(wěn)定溫度。

在操作203中，將封裝層沉積在存儲(chǔ)器堆疊上。在多種實(shí)施方式中，將封裝層沉積在兩個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器堆疊上。在許多實(shí)施方式中，封裝層作為保形膜沉積。

封裝層可以通過各種方法沉積。圖2b和2c提供了根據(jù)所公開的實(shí)施方式的描繪沉積封裝層的兩個(gè)示例性方法的操作的工藝流程圖。

可以使用圖2b的操作來執(zhí)行圖2a的操作203。在圖2b的操作213a中，可以在低襯底溫度下將襯底暴露于沉積前體和反應(yīng)物。例如，在多種實(shí)施方式中，當(dāng)襯底在低于約300℃的溫度下被加熱時(shí)，沉積前體和反應(yīng)物的連續(xù)流可以流到容納襯底的處理室中。

取決于要沉積的封裝層的類型，可以使用多種反應(yīng)物沉積封裝層。例如，氮化硅封裝層的沉積可以通過將襯底暴露于含硅前體和含氮反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，碳化硅前體的沉積可以通過將襯底暴露于含硅前體和含碳反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，摻雜氧的碳化硅前體的沉積可以通過將襯底暴露于含硅前體和含氧和碳的反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，摻雜氧的碳化硅前體的沉積可以通過將襯底暴露于含硅和碳的前體和氫來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，氮化鍺封裝層的沉積可以通過將襯底暴露于含鍺前體和含氮反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，碳化鍺前體的沉積可以通過將襯底暴露于含鍺前體和含碳反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，摻雜氧的碳化鍺前體的沉積可以通過將襯底暴露于含鍺前體和含氧和碳的反應(yīng)物來進(jìn)行。在另一個(gè)示例中，摻雜氧的碳化鍺前體的沉積可以通過將襯底暴露于含鍺和碳的前體和氫來進(jìn)行。

在本文所述的方法中使用的一般含硅前體可以具有以下結(jié)構(gòu)：

其中r1、r2和r3可以是相同或不同的取代基，并且可以包括硅烷、胺、鹵化物、氫或有機(jī)自由基，例如烷基胺，烷氧基、烷基、烯基、炔基和芳基。

示例性含硅前體包括聚硅烷(h3si2-(sih2)n→sih3)，其中n≥1，例如硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷；和三甲硅烷胺：

在一些實(shí)施方式中，含硅前體是烷氧基硅烷?？梢允褂玫耐檠趸柰榘ǖ幌抻谝韵拢?/p>

hx-si-(or)y，其中x＝1-3，x+y＝4，r為取代的或未取代的烷基；以及

hx(ro)y-si-si-(or)yhx，其中x＝1-2，x+y＝3，r是取代的或未取代的烷基。

含硅前體的示例包括：甲基硅烷；三甲基硅烷(3ms)；乙基硅烷；丁硅烷；戊硅烷；辛硅烷；庚硅烷；己硅烷；環(huán)丁硅烷；環(huán)庚硅烷；環(huán)己硅烷；環(huán)辛硅硅；環(huán)戊硅烷；1,4-二氧雜-2,3,5,6-四硅環(huán)己烷；二乙氧基甲基硅烷(dems)；二乙氧基硅烷(des)；二甲氧基甲基硅烷；二甲氧基硅烷(dmos)；甲基二乙氧基硅烷(mdes)；甲基二甲氧基硅烷(mdms)；八甲氧基十二硅氧烷(omodds)；叔丁氧基二硅烷；四甲基環(huán)四硅氧烷(tmcts)；四氧甲基環(huán)四硅氧烷(tomcts)；三乙氧基硅烷(tes)；三乙氧基硅氧烷(tries)；和三甲氧基硅烷(tms或trimos)。

在一些實(shí)施方式中，含硅前體可以是具有氫原子的氨基硅烷，例如雙二乙基氨基硅烷，二異丙基氨基硅烷，叔丁基氨基硅烷(btbas)或三(二甲基氨基)硅烷。氨基硅烷前體包括但不限于以下：hx-si-(nr)y，其中x＝1-3，x+y＝4，r是有機(jī)或氫化物自由基。

在一些實(shí)施方式中，可以使用含鹵素的硅烷，使得硅烷包括至少一個(gè)氫原子。這樣的硅烷可以具有其中y≥1的化學(xué)式sixahy。例如，在一些實(shí)施方式中可以使用二氯硅烷(h2sicl2)。

示例性含氮反應(yīng)物包括氮?dú)夂桶睔狻?/p>

可以使用包括可以反應(yīng)以形成氮化鍺、碳化鍺或摻雜氧的碳化鍺層的任何含鍺化合物的示例性含鍺反應(yīng)物。示例包括鍺烷，如genhn+4、genhn+6、genhn+8和genhm，其中n是1至10的整數(shù)，n是不同于m的整數(shù)。還可以使用其它含鍺化合物，例如烷基鍺烷、烷基鍺、氨基鍺烷、碳鍺烷和鹵代烷烴。

示例性含碳反應(yīng)物包括四甲基硅烷、三甲基硅烷和雙三丁基氨基硅烷。在一些實(shí)施方式中，可以通過使含硅和含碳前體與氫反應(yīng)來沉積碳化硅或碳化鍺封裝層。

可以通過使用不同于一種或多種含硅前體的共反應(yīng)物來沉積摻雜氧的的碳化物或者除了一種或多種含硅前體以外還使用共反應(yīng)物來沉積摻雜氧的的碳化物。這種共反應(yīng)物的示例包括二氧化碳(co2)、一氧化碳(co)、水(h2o)、甲醇(ch3oh)、氧(o2)、臭氧(o3)、氮(n2)、一氧化氮(n2o)、氨(nh3)、甲烷(ch4)、乙烷(c2h6)、乙炔(c2h2)、乙烯(c2h4)、乙硼烷及其組合。

在一些實(shí)施方式中，將氧和/或二氧化碳與前體一起引入以通過在沉積期間從膜或前體中除去碳來改變碳化硅膜的組成。在一些實(shí)施方式中，可以使用含有氧和碳的反應(yīng)物(如甲醇)。

在多種實(shí)施方式中，為了沉積摻雜氧的碳化硅封裝層或摻雜氧的碳化鍺封裝層，可以使用氫氣作為反應(yīng)物。

在操作213b中，當(dāng)前體和反應(yīng)物連續(xù)流動(dòng)時(shí)，原位等離子體可通過接通或關(guān)斷等離子體而點(diǎn)燃和施以脈沖。等離子體可以在13.56mhz的等離子體頻率下點(diǎn)燃。在一些實(shí)施方式中，使用雙頻射頻發(fā)生器產(chǎn)生等離子體。在一些實(shí)施方式中，使用單頻射頻發(fā)生器產(chǎn)生等離子體。在多種實(shí)施方式中，高頻等離子體的等離子體功率在約400w(0.1w/cm²)和約5000w(1.5w/cm²)之間。在多種實(shí)施方式中，低頻等離子體的等離子體功率在約400w(0.1w/cm²)和約3000w(1w/cm²)之間。等離子體可以以約2hz和約100khz之間的脈沖頻率施以脈沖，占空比在約1％至約95％的范圍。占空比被定義為在持續(xù)時(shí)間t的時(shí)段期間等離子體接通的持續(xù)時(shí)間。在給定的時(shí)間段內(nèi)，持續(xù)時(shí)間t包括脈沖接通時(shí)間的持續(xù)時(shí)間(等離子體處于on狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間)和等離子體關(guān)斷時(shí)間的持續(xù)時(shí)間(等離子體處于off狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間)。脈沖頻率將被理解為1/t。例如，對(duì)于等離子體脈沖周期t＝100μs，頻率為1/t＝1/100μs或10khz。占空比或占空度是等離子體處于接通狀態(tài)的周期t的分?jǐn)?shù)或百分比，使得占空比或占空度是脈沖接通時(shí)間除以t。例如，對(duì)于等離子體脈沖周期t＝100，如果脈沖接通時(shí)間為70μs(使得等離子體在周期內(nèi)處于接通狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間為70μs)并且脈沖關(guān)斷時(shí)間為30μs(使得等離子體在周期內(nèi)處于關(guān)斷狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間為30μs)，占空比為70％。在一些實(shí)施方式中，脈沖臺(tái)階期間的最短rf接通時(shí)間可以低至約5微秒。在一些實(shí)施方式中，最短的rf關(guān)斷時(shí)間可以是約5微秒。根據(jù)占空比和頻率，可以進(jìn)行rf接通/rf關(guān)斷脈沖的各種組合。例如，在一些實(shí)施方式中，該操作可以執(zhí)行約0.01毫秒至約5毫秒，或介于約0.02毫秒和約5毫秒之間，或介于約0.05毫秒和約5毫秒之間，或介于約0.05毫秒和約1.9毫秒之間，介于約0.5毫秒和約1.9毫秒之間的持續(xù)時(shí)間。在操作213b期間，根據(jù)總等離子體持續(xù)時(shí)間，等離子體可以被施以脈沖數(shù)百到數(shù)千次。

不受任何特定理論的約束，認(rèn)為對(duì)等離子體施以脈沖達(dá)到足以在襯底上形成具有高的臺(tái)階覆蓋率的保形封裝層的條件。在連續(xù)pecvd等離子體沉積中，當(dāng)?shù)入x子體接通時(shí)，在室中產(chǎn)生離子、自由基、中性物質(zhì)和其它反應(yīng)性物質(zhì)。離子的存在導(dǎo)致方向性，使得沉積在特征的側(cè)壁上的膜可能不能均勻地沉積并且可能不能實(shí)現(xiàn)高的臺(tái)階覆蓋率。

在如本文所述的脈沖等離子體pecvd沉積中，認(rèn)為當(dāng)在每個(gè)脈沖之后等離子體被關(guān)斷時(shí)，反應(yīng)性物質(zhì)按照以下順序重新組合：電子消失/重組，離子重組和自由基重組。由于脈沖非常短(例如，等離子體接通持續(xù)短時(shí)間，然后關(guān)斷較長持續(xù)時(shí)間以允許沉積)，當(dāng)?shù)入x子體關(guān)斷時(shí)，電子和離子重新組合，消除了在沉積材料中離子的方向性。自由基需要更長的時(shí)間來重組，因此沉積主要是由自由基而不是由離子驅(qū)動(dòng)的。然后，自由基可以深深鉆入高深寬比特征(1.5：1-20：1，特別適用于大于4：1的應(yīng)用)，并且即使在特征底部也沉積了保形的高臺(tái)階覆蓋率的膜也如此。

圖2c提供了根據(jù)所公開的實(shí)施方式的沉積封裝層的第二示例性方法。可以使用圖2c中的操作來執(zhí)行圖2a的操作203。圖2c可以在用于遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(rpcvd)的任何合適的裝置中進(jìn)行。在圖6中提供了一個(gè)示例性裝置，并在下面進(jìn)一步詳細(xì)描述。

在圖2c的操作223a中，將反應(yīng)物引入到容納襯底的處理室的噴頭的上游的等離子體產(chǎn)生區(qū)域。將反應(yīng)物引入該區(qū)域以產(chǎn)生反應(yīng)物自由基。應(yīng)當(dāng)理解，盡管操作223a的工藝條件可以被變化以產(chǎn)生大多數(shù)反應(yīng)物自由基，但是可能在等離子體中產(chǎn)生一些離子、電子和其它物質(zhì)。例如，在一些實(shí)施方式中，氮?dú)?、或氮?dú)夂蜌錃獾幕旌衔锟梢员惠斔偷降入x子體產(chǎn)生區(qū)域并點(diǎn)燃以形成主要含有反應(yīng)物自由基的等離子體。

在多種實(shí)施方式中，反應(yīng)物可以是上述關(guān)于圖2b的操作213a所述的含氮反應(yīng)物、含碳反應(yīng)物、含氧和碳的反應(yīng)物、氫或其組合中的任何一種，除了氨(nh3)氣體以外，因?yàn)榘睔饪赡懿惶菀自谶h(yuǎn)程等離子體中形成反應(yīng)物自由基。注意，為了沉積含硅膜或含鍺膜，在該操作中，含硅或鍺的前體可能不是被輸送到等離子體產(chǎn)生區(qū)域的反應(yīng)物。

注意，在一些實(shí)施方式中，等離子體產(chǎn)生區(qū)域可以在遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中。例如，在一些實(shí)施方式中，可以使用電容耦合等離子體發(fā)生器。通過將介于約500w和約500w之間的等離子體功率以13.56mhz的頻率施加到等離子體產(chǎn)生區(qū)域來產(chǎn)生等離子體?？梢允褂眉s0.1w/cm²至約1.5w/cm²之間的功率密度來產(chǎn)生等離子體。

在操作223b中，從等離子體產(chǎn)生區(qū)域產(chǎn)生的反應(yīng)物自由基通過噴頭傳送到容納襯底的處理室。

在操作223c中，將沉積前體引入到噴頭下游的襯底以與反應(yīng)物自由基反應(yīng)并在襯底上形成封裝層。在一些實(shí)施方式中，沉積前體被引入等離子體產(chǎn)生區(qū)域的下游。沉積前體可以流動(dòng)或注入到處理室中。在多種實(shí)施方式中，沉積前體經(jīng)由與噴頭分開的入口輸送到處理室。沉積前體可以是任何含iv族的前體，例如上面關(guān)于圖2b的操作213a所述的含硅前體或含鍺前體。

認(rèn)為從等離子體產(chǎn)生區(qū)域輸送的反應(yīng)物自由基會(huì)與沉積前體反應(yīng)以形成復(fù)合自由基，其沉積到襯底表面上作為封裝層。進(jìn)一步認(rèn)為，由于輸送到室中的等離子體物質(zhì)主要包含反應(yīng)物自由基，與離子相反，由于在襯底表面上的離子轟擊，很少甚至沒有離子引起的損傷。沉積期間處理室的壓強(qiáng)可以在約1.5托和約7托之間。在一些實(shí)施方式中，處理室可具有大于約7托的壓強(qiáng)以沉積較保形的膜。

在處理室中的襯底被加熱到低于約300℃的溫度時(shí)可以執(zhí)行操作223a-223c。例如，在操作223c中形成的封裝層可以在處理室中的基座上的襯底上形成，其中基座的溫度被設(shè)定為低于約300℃，例如約250℃的溫度。

使用關(guān)于圖2c描述的封裝方法沉積的膜可以具有高的臺(tái)階覆蓋率。例如，對(duì)于具有深寬比為8:1的特征的襯底，根據(jù)諸如關(guān)于操作223a-223c所描述的方法沉積的摻雜氧的碳化硅封裝層可以具有大于約90％的臺(tái)階覆蓋率。這樣的膜也可能具有降低的氫含量，這可能是由于其中沉積膜的機(jī)理。在多種實(shí)施方式中，這樣的膜可以具有較高的質(zhì)量，使得膜是薄的但密封的。這些膜在側(cè)壁上表現(xiàn)出相同的膜質(zhì)量，例如在與磁隧道結(jié)相鄰的區(qū)域上，如在襯底的場區(qū)域上。

返回到圖2a，在操作205中，執(zhí)行可選的后處理。在一些實(shí)施方式中，本文所述的后處理方法可以與封裝層的常規(guī)pecvd一起使用以減少氫含量并提高沉積層的質(zhì)量。然而，使用傳統(tǒng)的pecvd沉積的和使用公開的實(shí)施方式后處理的封裝層可能不會(huì)產(chǎn)生具有與使用公開的實(shí)施方式(如上文關(guān)于圖2b和2c所述)和本文描述的后處理實(shí)施方式沉積的封裝層一樣的具有高臺(tái)階覆蓋率的高質(zhì)量膜。

在一些實(shí)施方式中，后處理可以是可選的，使得使用諸如關(guān)于圖2b或2c所描述的方法來沉積封裝層。使用如本文所述的沉積方法和下面進(jìn)一步詳細(xì)描述的后處理方法的組合沉積的封裝層會(huì)比沒有后處理沉積的膜表現(xiàn)出更高的質(zhì)量、更高的臺(tái)階覆蓋率的膜。實(shí)施例在本文進(jìn)一步詳細(xì)描述。

可以通過執(zhí)行周期性等離子體處理來執(zhí)行操作205，其示例在圖2a的操作215a和215b中示出。替代地，可以通過執(zhí)行在圖2a的操作225中描繪的紫外(uv)曝光后處理工藝來執(zhí)行操作205。在一些實(shí)施方式中，襯底可以經(jīng)受兩種后處理的一種或組合。例如，在一些實(shí)施方式中，在沉積封裝層之后，可以將襯底暴露于周期性等離子體處理。在一些實(shí)施方式中，可以對(duì)包括暴露于周期性等離子體處理的第一封裝層的襯底重復(fù)操作，使得在周期性等離子體處理之后，第二封裝層可以沉積在經(jīng)處理的第一封裝層上。在一些實(shí)施方式中，在沉積封裝層之后，可將襯底暴露于uv以進(jìn)行uv后處理。在一些實(shí)施方式中，在沉積封裝層之后，可以將襯底暴露于周期性等離子體處理，然后進(jìn)行uv后處理。

在操作215a中，作為一種執(zhí)行后處理工藝的方法，將包含沉積的封裝層的襯底在低于約300℃的襯底溫度下暴露于沒有含硅或含鍺反應(yīng)物的等離子體，以處理沉積的封裝層。在其中使用后處理工藝的一些實(shí)施方式中，后處理工藝可以在封裝層沉積到介于約20埃和約50埃之間的厚度之后進(jìn)行。在一些實(shí)施方式中，結(jié)合操作215a執(zhí)行如上文關(guān)于圖2b所述的脈沖等離子體沉積，使得周期性地執(zhí)行操作215a。例如，在一些實(shí)施方式中，在執(zhí)行圖2a中的操作203之后，由此在執(zhí)行圖2b的操作213a和213b之后，停止含硅前體和反應(yīng)物的流，引入后處理氣體，并且點(diǎn)燃連續(xù)等離子體以在沒有含硅或含鍺反應(yīng)物的情況下處理沉積的膜。與單獨(dú)執(zhí)行脈沖等離子體pecvd相比，執(zhí)行脈沖等離子體pecvd和后處理等離子體暴露于后處理等離子體的組合實(shí)現(xiàn)了較高的質(zhì)量、較高的臺(tái)階覆蓋率和較低氫含量的含硅膜。雖然使用連續(xù)等離子體沉積的常規(guī)沉積的pecvd膜可以與后處理組合使用，但是這樣的膜可能不會(huì)產(chǎn)生具有與使用脈沖等離子體pecvd和后處理的組合沉積的膜一樣的高臺(tái)階覆蓋率的高質(zhì)量膜。在其中通過如上參照?qǐng)D2b所述的脈沖等離子體pecvd工藝來沉積封裝層的多種實(shí)施方式中，在操作215a期間的等離子體暴露可以比圖2b的操作213b的每個(gè)等離子體脈沖的時(shí)間長。例如，在多種實(shí)施方式中，在操作215b期間的等離子體暴露可以具有約10秒至約50秒之間的持續(xù)時(shí)間，而例如在操作213b的脈沖期間用于在操作203中沉積封裝層的每個(gè)等離子體脈沖可具有短的持續(xù)時(shí)間，為百分之一毫秒到幾毫秒。上面參考圖2b描述了操作213b中等離子體脈沖化的示例性脈沖持續(xù)時(shí)間。

此外，與操作213b不同，在操作215a期間，使沒有含硅或含鍺的反應(yīng)物流到處理室。相反，在操作215期間，當(dāng)?shù)入x子體被點(diǎn)燃時(shí)，使諸如惰性氣體之類的后處理氣體流到處理室，從而產(chǎn)生能夠改變和致密化沉積的封裝層的等離子體物質(zhì)?？梢愿鶕?jù)待沉積的膜的類型和在封裝層沉積工藝期間使用的反應(yīng)物來選擇惰性氣體?？赡艿亩栊詺怏w的一般列表包括氮?dú)狻睔夂腿绾夂蜌鍤庵惖亩栊詺怏w?？梢愿鶕?jù)待沉積的膜的類型和沉積過程中使用的反應(yīng)物來選擇氣體。后處理氣體可以包括僅氮?dú)?、僅氨、氮/氨混合物、僅氬氣、僅氦氣、氬/氦混合物及其組合。也可以使用其它惰性氣體。在一些實(shí)施方式中，即使在操作205中使用氮來形成氮化硅，操作207可以涉及在后處理期間暴露于氮等離子體以減少氫含量并致密化膜。據(jù)認(rèn)為，定期暴露于較長持續(xù)時(shí)間的等離子體和惰性氣體降低沉積的封裝層的氫含量。封裝層的上部區(qū)域可具有降低的氫含量。例如，在一些實(shí)施方式中，封裝層的頂部約25埃至約30?？删哂薪档偷臍浜俊?/p>

在操作215b中，可以可選地重復(fù)操作203-215a，使得封裝層在不同的循環(huán)中沉積，每個(gè)循環(huán)包括沉積和后處理。可以執(zhí)行重復(fù)循環(huán)以提高沉積的封裝層的質(zhì)量。

在操作225中，襯底可以在低于約300℃的襯底溫度下暴露于uv輻射。對(duì)于操作225，襯底可以從沉積處理室轉(zhuǎn)移到uv輻射處理室。下面參照?qǐng)D5描述示例性裝置?？梢栽诩s180nm和約600nm之間的波長下發(fā)射紫外輻射持續(xù)介于約60秒至約600秒之間的持續(xù)時(shí)間。

在一些實(shí)施方式中，操作225可以在高于封裝層沉積期間使用的襯底溫度的溫度下進(jìn)行。在一些實(shí)施方式中，如果在高于300℃的溫度下沉積常規(guī)pecvd封裝層，則封裝層可以具有比在低于300℃的溫度下沉積的封裝層少的氫含量，但在高于300℃的溫度下沉積的封裝層可能不太容易受uv處理引起的改變的影響，因此uv處理可能無助于降低這種封裝層的總體氫含量。因此，uv處理適合于其中在低于約300℃的溫度下沉積封裝層的實(shí)施方式。

在一些實(shí)施方式中，沉積期間的襯底溫度可以不同于uv處理期間的襯底溫度。在其中在沉積和uv處理之間也使用周期性等離子體處理的一些實(shí)施方式中，周期性等離子體處理期間的襯底溫度可以與沉積期間的襯底溫度相同或不同。在多種實(shí)施方式中，盡管襯底溫度不同，但是每個(gè)操作期間的襯底溫度可以低于約300℃。針對(duì)沉積和uv處理所選擇的溫度可取決于待沉積的封裝層材料。例如，含鍺的封裝層包括鍺-氫鍵，其具有比硅-氫鍵的能量低的能量。因此，對(duì)于含鍺的封裝層的沉積和處理，沉積可以在較高的溫度(例如在約300℃)下進(jìn)行，并且可以在相同的較高溫度下用uv輻射進(jìn)行處理，因?yàn)楹N的封裝層(盡管該層在較高溫度下沉積以產(chǎn)生比在較低溫度下沉積的層具有更少氫含量的層)鍺與氫之間的鍵能小于硅與氫之間的鍵能，因此uv輻射能夠改變?cè)谳^高溫度下沉積的膜的鍺-氫鍵，而uv輻射可能不能改變?cè)谙嗤瑴囟认鲁练e的膜的硅-氫鍵。因此，在一些實(shí)施方式中，為了沉積含硅封裝層，可以在較低的沉積溫度(例如低于約250℃的溫度)沉積含硅封裝層，然后在例如約300℃的溫度下進(jìn)行uv輻射。

在一個(gè)示例中，可以通過上面關(guān)于圖2b描述的方法沉積封裝層，然后可以在低于約300℃(例如約300℃，或約250℃)的溫度下進(jìn)行uv處理。在另一個(gè)示例中，可以通過上述關(guān)于圖2c描述的方法沉積封裝層，然后可以在低于約300℃的溫度下進(jìn)行uv處理。在另一個(gè)示例中，可以通過上述關(guān)于圖2b描述的方法沉積封裝層，然后可以進(jìn)行如關(guān)于操作215a和215b所述的后處理，然后可以在低于約300℃的溫度下進(jìn)行uv處理。在另一個(gè)示例中，可以通過上述關(guān)于圖2c描述的方法沉積封裝層，然后可以進(jìn)行如關(guān)于操作215a和215b所述的后處理，然后可以在低于約300℃溫度下進(jìn)行uv處理。

圖3是示出根據(jù)某些公開的實(shí)施方式的方法的示例的示例性時(shí)序圖。方法300包括沉積階段303、周期性等離子體后處理階段315和uv處理階段325。沉積階段303可對(duì)應(yīng)于圖2a的操作203。在該示例性工藝300中，沉積階段303包括使用如上文關(guān)于圖2b所述的脈沖等離子體pecvd沉積封裝層。當(dāng)沉積含硅封裝層時(shí)提供示例性工藝300。如圖所示，在沉積階段303期間可以使惰性氣體流動(dòng)。在沉積階段303期間含硅前體也是恒定流動(dòng)的，并且第二反應(yīng)物可以是上面關(guān)于圖2b的操作213a描述的任何反應(yīng)物，其也可以在沉積階段303期間恒定流動(dòng)。如沉積階段303所示，等離子體可以被施以脈沖，使得等離子體以短脈沖形式接通和關(guān)斷。在此階段，不使用紫外線暴露。

在周期性等離子體后處理階段315中，惰性氣體可以繼續(xù)流動(dòng)。注意，盡管在方法300中使用的惰性氣體作為后處理氣體用于后處理以點(diǎn)燃等離子體，但是在一些實(shí)施方式中，周期性等離子體后處理可以使用后處理氣體(其不是惰性氣體和/或不是用于輸送工藝氣體的載氣)進(jìn)行。例如，可以使用如上文關(guān)于圖2a所述的任何合適的后處理氣體來產(chǎn)生用于后處理的等離子體。周期性等離子體后處理階段315可以對(duì)應(yīng)于圖2a的操作215a和215b。在該階段期間，關(guān)斷含硅前體流和第二反應(yīng)物流，以防止任何材料沉積到襯底上。例如，如圖3所示，等離子體被接通和關(guān)斷兩個(gè)循環(huán)。注意，在周期性等離子體后處理階段的每次暴露期間的等離子體接通的持續(xù)時(shí)間長于沉積期間使用的短脈沖。注意，盡管在這里描述了兩個(gè)周期，但是在一些實(shí)施方式中，周期性等離子體后處理可以執(zhí)行一個(gè)循環(huán)，或者可以執(zhí)行兩個(gè)或更多個(gè)循環(huán)。盡管在該實(shí)施例中uv處理階段325緊接周期性等離子體后處理階段315，但在一些實(shí)施方式中，可以在周期性等離子體后處理階段315之后執(zhí)行另一沉積階段。在周期性等離子體后處理階段315期間，沒有uv暴露。

在uv處理階段325中，可以關(guān)斷惰性氣體，并且包括含硅前體和第二反應(yīng)物流動(dòng)的所有反應(yīng)物流被切斷。這里，等離子體沒有被點(diǎn)燃，并且只有uv輻射被接通以改變、致密化和/或固化沉積的封裝層。uv處理階段325可對(duì)應(yīng)于圖2a的操作225。

裝置

本文提供的沉積技術(shù)可以在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)室或保形膜沉積(cfd)室中實(shí)施，或在一些實(shí)施方式中，在原子層沉積(ald)室中實(shí)施。這樣的室可以采取多種形式，并且可以是包括一個(gè)或多個(gè)室或反應(yīng)器(有時(shí)包括多個(gè)站)的裝置的一部分，一個(gè)或多個(gè)室或反應(yīng)器例如關(guān)于圖7進(jìn)一步詳細(xì)描述的，其各自可以容納一個(gè)或多個(gè)襯底或晶片并且可以被配置為執(zhí)行各種襯底處理操作。一個(gè)或多個(gè)室可以將襯底保持在限定的一個(gè)或多個(gè)位置(在該位置內(nèi)具有或不具有運(yùn)動(dòng)，例如旋轉(zhuǎn)、振動(dòng)或其它攪動(dòng))上。在一個(gè)實(shí)施方式中，在該工藝期間，經(jīng)歷膜沉積的襯底可以從室內(nèi)的一個(gè)站傳送到另一個(gè)站(或從裝置內(nèi)的一個(gè)室傳送到另一個(gè)室)。在其它實(shí)施方式中，襯底可以從裝置內(nèi)的室傳送到室以執(zhí)行不同的操作，例如uv暴露操作、蝕刻操作或光刻操作。完整的膜沉積可以完全在單個(gè)站進(jìn)行，或者對(duì)于任何沉積步驟可以進(jìn)行總膜厚度的任何部分。在處理時(shí)，每個(gè)襯底可以通過基座、襯底卡盤和/或其它襯底保持裝置保持在合適位置。對(duì)于其中要加熱襯底的某些操作，該裝置可以包括加熱器，例如加熱板。

圖4提供了描述為了實(shí)現(xiàn)本文所述的方法而布置的各種反應(yīng)器組件的簡單框圖。反應(yīng)器400可用于沉積如本文所述的封裝層。如圖所示，反應(yīng)器400包括處理室424，處理室424包圍反應(yīng)器的其它部件并且用于容納由包括與接地加熱器塊420一起工作的噴頭414的電容放電型系統(tǒng)產(chǎn)生的等離子體。高頻(hf)射頻(rf)發(fā)生器404和低頻(lf)rf發(fā)生器402可以連接到匹配網(wǎng)絡(luò)406和噴頭414。由匹配網(wǎng)絡(luò)406提供的功率和頻率可以足以從提供給處理室424的工藝氣體產(chǎn)生等離子體。例如，匹配網(wǎng)絡(luò)406可提供100w至1000w的功率。hfrf組件通常可以在1mhz至100mhz之間，例如13.56mhz。在存在lf組件的操作中，lf組件可以小于約1mhz，例如100khz。在一些實(shí)施方式中，等離子體可以以約300hz和約1.5khz之間的脈沖頻率(例如對(duì)于占空比為約500hz)施以脈沖?？刂破?28可以被配置為將每個(gè)等離子體脈沖的持續(xù)時(shí)間設(shè)置為約0.05毫秒到約5毫秒，例如介于約0.02毫秒到約1.9毫秒之間的持續(xù)時(shí)間。在一些實(shí)施方式中，等離子體可以接通以進(jìn)行作為如本文所述的后處理的周期性等離子體處理。對(duì)于周期性等離子體處理，等離子體可以接通持續(xù)介于約10秒和約50秒之間的持續(xù)時(shí)間。

在反應(yīng)器400內(nèi)，基座418可以支撐襯底416?；?18可以包括卡盤、叉或升降銷(未示出)，以在沉積和/或后處理操作期間和之間保持和傳送襯底416?？ūP可以是可用于工業(yè)和/或研究的靜電卡盤、機(jī)械卡盤或各種其他類型的卡盤。

可以經(jīng)由入口412引入多種工藝氣體。例如，氣體可以包括含iv族的前體，例如含硅前體或含鍺前體。氣體可以包括第二反應(yīng)物，例如氫、含碳反應(yīng)物、含氧反應(yīng)物、含氧和碳的反應(yīng)物、含氮反應(yīng)物(例如氮或氨)及其組合。在一些實(shí)施方式中，也可以使惰性氣體或載氣流動(dòng)。示例性的惰性氣體包括氬氣、氦氣，并且在一些情況下，包括氮?dú)狻Ｔ谝恍?shí)施方式中，在將工藝氣體輸送到處理室424之前轉(zhuǎn)移載氣。

多個(gè)源氣體管線410連接到歧管408。氣體可以是預(yù)混合的或不是預(yù)混合的?？梢圆捎眠m當(dāng)?shù)拈y和質(zhì)量流量控制機(jī)構(gòu)來確保在該工藝的沉積和后處理階段期間輸送正確的工藝氣體。在以液體形式輸送化學(xué)前體的情況下，可以采用液體流控制機(jī)構(gòu)。然后，在加熱到以液體形式供應(yīng)的化學(xué)前體的蒸發(fā)點(diǎn)以上的溫度的歧管中運(yùn)輸期間，這樣的液體可以被蒸發(fā)并與工藝氣體混合，之后到達(dá)處理室424。

諸如含硅前體或含氮?dú)怏w之類的工藝氣體可經(jīng)由出口422離開處理室424。真空泵440，例如一級(jí)或兩級(jí)機(jī)械干式泵和/或渦輪分子泵，可用于將工藝氣體從處理室424中抽出并通過使用閉環(huán)控制的流限制裝置(例如節(jié)流閥或擺閥)在處理室424內(nèi)保持適當(dāng)?shù)牡蛪骸?/p>

裝置400包括控制器428，控制器428可以包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置、一個(gè)或多個(gè)大容量存儲(chǔ)裝置以及一個(gè)或多個(gè)處理器。處理器可以包括cpu或計(jì)算機(jī)、模擬和/或數(shù)字輸入/輸出連接、步進(jìn)電機(jī)控制器板等。裝置400包括用于控制處理工具400的工藝狀態(tài)和硬件狀態(tài)的系統(tǒng)控制器428?？刂破?28可以被配置為以各種流率輸送某些工藝氣體持續(xù)某些持續(xù)時(shí)間，并且控制等離子體頻率、等離子體脈沖頻率、等離子體功率和其它工藝條件，如本文所述?？刂破?28可以被配置為根據(jù)一些實(shí)施方式來接通和關(guān)斷等離子體?？刂破?28可以具有下面關(guān)于圖7描述的控制器750的任何特性。

在一些實(shí)施方式中，封裝層可以在遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(rpcvd)室中沉積。圖5示出了可以用于某些基于自由基的工藝(例如基于自由基的封裝層沉積工藝)的裝置500的簡化視圖。根據(jù)某些實(shí)施方式，也可以使用其它基于自由基的方法和反應(yīng)室。裝置500包括處理室524，處理室524包括室壁503、室底板504和室頂板505。處理室524內(nèi)部是襯底支撐件518，襯底516位于襯底支撐件518上。處理室524還包括入口508和排出口509。遠(yuǎn)程等離子體源510設(shè)置在處理室524上方。遠(yuǎn)程等離子體源510包括用于在遠(yuǎn)程等離子體源內(nèi)產(chǎn)生等離子體的等離子體發(fā)生器(未示出)。等離子體發(fā)生器包括用于產(chǎn)生等離子體的硬件(例如，線圈、電極等)，等離子體可以是電感耦合等離子體、電容耦合等離子體、微波耦合等離子體等。遠(yuǎn)程等離子體源510與處理室524由具有多個(gè)噴頭孔514的噴頭514a分開。遠(yuǎn)程等離子體源510具有用于提供用于產(chǎn)生遠(yuǎn)程等離子體的氣體的入口512。裝置500包括用于控制處理工具500的工藝狀態(tài)和硬件狀態(tài)的系統(tǒng)控制器550?？刂破?50可以具有下面關(guān)于圖7描述的控制器750的任何特性。

在多種實(shí)施方式中，沉積的封裝層可以進(jìn)行如所公開的實(shí)施方式中所述的紫外(uv)后處理，例如關(guān)于如上所述的圖2a的操作225。在一些實(shí)施方式中，包括沉積的封裝層的襯底可以被轉(zhuǎn)移到室中，以固化襯底或?qū)⒁r底暴露于uv輻射。圖6示出了用于將襯底616暴露于uv的暴露室624的示例的示意圖。例如，圖6所示的裝置600可以用于執(zhí)行如上文關(guān)于圖2a所述的操作225。裝置600具有由噴頭組件或面板617分隔開的等離子體產(chǎn)生部分611和暴露室624。在暴露室624內(nèi)，臺(tái)板(或臺(tái))618提供晶片支撐。臺(tái)板618配有加熱/冷卻元件。在一些實(shí)施方式中，臺(tái)板618還被配置成將偏置施加到襯底616上。通過管道607經(jīng)由真空泵在曝光室624中獲得低壓。氣態(tài)處理氣體的來源通過入口612提供氣體流到裝置600的等離子體產(chǎn)生部分611。等離子體產(chǎn)生部分611可以由感應(yīng)線圈(未示出)包圍。在操作期間，將氣體混合物引入等離子體產(chǎn)生部分611，感應(yīng)線圈被通電，并且在等離子體產(chǎn)生部分611中產(chǎn)生等離子體。噴頭組件614可以具有施加的電壓并且終止一些離子的流并允許中性流物質(zhì)流入暴露室624。裝置600包括用于控制裝置600的工藝條件和硬件狀態(tài)的系統(tǒng)控制器650?？刂破?50可以具有下面關(guān)于圖7描述的控制器750的任何特性。

如上所述，本文所討論的用于沉積和后處理封裝的技術(shù)可以在多站或單站工具上實(shí)現(xiàn)。圖7是這種工具的示例的示意圖。在具體實(shí)施方式中，可以使用具有4站沉積方案的300mmlamvector^tm工具或具有6站沉積方案的200mmsequel^tm工具。在一些實(shí)施方式中，可以使用用于處理450mm襯底的工具。在多種實(shí)施方式中，可以在每次沉積和/或后沉積等離子體處理之后對(duì)襯底進(jìn)行換位，或者如果蝕刻室或站也是相同工具的一部分，則可以在蝕刻步驟之后進(jìn)行換位，或者可以在單個(gè)站進(jìn)行多次沉積和處理之后對(duì)襯底進(jìn)行換位。

圖7示出了具有入口負(fù)載鎖702和出口負(fù)載鎖704的多站處理工具700的實(shí)施方式的示意圖，入口負(fù)載鎖702和出口負(fù)載鎖704中的一者或兩者可以包括遠(yuǎn)程等離子體源。機(jī)械手706在大氣壓強(qiáng)下被配置成經(jīng)由大氣端口710將晶片從通過艙708裝載的片盒移動(dòng)到入口負(fù)載鎖702中。通過機(jī)械手706將晶片放置在入口負(fù)載鎖702中的基座712上，關(guān)閉大氣端口710，并且負(fù)載鎖702被抽氣。在入口負(fù)載鎖702包括遠(yuǎn)程等離子體源的情況下，在入口負(fù)載鎖702，可以將晶片暴露于入站負(fù)載鎖702中的遠(yuǎn)程等離子體處理，然后引入到處理室714。此外，也可以在入口負(fù)載鎖702中加熱晶片，例如，以去除水分和吸附的氣體。在一些實(shí)施方式中，晶片可以經(jīng)受入站負(fù)載鎖702中的如本文其他地方所描述的“溫度浸泡”。

打開處理室714的室輸送端口716，另一個(gè)機(jī)械手(未示出)將晶片放置在反應(yīng)器中所示的第一站的基座上的反應(yīng)器中，以用于處理。雖然圖7所示的實(shí)施方式包括負(fù)載鎖，但是應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施方式中，可以使晶片直接進(jìn)入處理站。

所描繪的處理室714包括在圖7所示的實(shí)施方式中從1到4編號(hào)的四個(gè)處理站。每個(gè)站具有加熱的基座(對(duì)于站1示出為718)和氣體管線入口。應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施方式中，每個(gè)處理站可以具有不同目的或多個(gè)目的。例如，在一些實(shí)施方式中，處理站可以在pecvd沉積模式和周期性等離子體后處理工藝模式之間切換。在一些實(shí)施方式中，處理站可以在化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝模式和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝模式之間切換。在一些實(shí)施方式中，處理站可以在pecvd工藝模式和rpcvd工藝模式之間切換。附加地或替代地，在一些實(shí)施方式中，處理室714可以包括一個(gè)或多個(gè)匹配成對(duì)的原子層沉積或等離子體增強(qiáng)的原子層沉積處理站。雖然所描繪的處理室714包括四個(gè)站，但是應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)某些公開的實(shí)施方式的處理室可以具有任何合適數(shù)量的站。例如，在一些實(shí)施方式中，處理室可具有五個(gè)或更多個(gè)站，而在其它實(shí)施方式中，處理室可具有三個(gè)或更少站。

圖7描繪了用于在處理室714內(nèi)傳送晶片的晶片處理系統(tǒng)790的一種實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，晶片搬運(yùn)系統(tǒng)790可以在各個(gè)處理站之間和/或處理站和負(fù)載鎖之間傳送晶片。應(yīng)當(dāng)理解，可以采用任何合適的晶片搬運(yùn)系統(tǒng)。非限制性示例包括晶片傳送帶和晶片搬運(yùn)機(jī)械手。圖7還描繪了用于控制處理工具700的工藝狀態(tài)和硬件狀態(tài)的系統(tǒng)控制器750的一種實(shí)施方式。系統(tǒng)控制器750可以包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置756、一個(gè)或多個(gè)大容量存儲(chǔ)裝置754和一個(gè)或多個(gè)處理器752。一個(gè)或多個(gè)處理器752可以包括cpu或計(jì)算機(jī)、模擬和/或數(shù)字輸入/輸出連接、步進(jìn)電機(jī)控制器板等。

在一些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制器750控制處理工具700的所有活動(dòng)。系統(tǒng)控制器750執(zhí)行存儲(chǔ)在大容量存儲(chǔ)裝置754中、加載到存儲(chǔ)器裝置756和在處理器752上執(zhí)行的系統(tǒng)控制軟件758。替代地，控制邏輯可以在控制器750中硬編碼。專用集成電路、可編程邏輯器件(例如，現(xiàn)場可編程門陣列或fpga)等可用于這些目的。在下面的討論中，無論何處使用“軟件”或“代碼”，功能上可比較的硬編碼邏輯都可以在其中使用。系統(tǒng)控制軟件758可以包括用于控制定時(shí)、氣體混合物、氣體流量、室和/或站壓強(qiáng)、室和/或站溫度、晶片溫度、目標(biāo)功率電平、rf功率電平、襯底基座、卡盤和/或基座位置、等離子體脈沖頻率、等離子體暴露持續(xù)時(shí)間、uv輻射持續(xù)時(shí)間以及由處理工具700執(zhí)行的特定工藝的其它參數(shù)的指令。系統(tǒng)控制軟件758可以以任何合適的方式配置。例如，可以編寫各種處理工具組件子程序或控制對(duì)象，以控制執(zhí)行各種處理工具工藝所必需的處理工具組件的操作。系統(tǒng)控制軟件758可以以任何合適的計(jì)算機(jī)可讀編程語言進(jìn)行編碼。

在一些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制軟件758可以包括用于控制上述各種參數(shù)的輸入/輸出控制(ioc)排序指令。在一些實(shí)施方式中可以采用存儲(chǔ)在與系統(tǒng)控制器750相關(guān)聯(lián)的大容量存儲(chǔ)裝置754和/或存儲(chǔ)裝置756上的其他計(jì)算機(jī)軟件和/或程序。用于此目的的程序或程序段的示例包括襯底定位程序、工藝氣體控制程序、壓強(qiáng)控制程序、加熱器控制程序、uv暴露控制程序和等離子體控制程序。

襯底定位程序可以包括用于處理工具組件的指令，該處理工具組件用于將襯底加載到基座上并控制襯底和處理工具的其它部件之間的間隔。

工藝氣體控制程序可包括用于控制氣體組成(例如含硅氣體、含鍺氣體、含氮?dú)怏w、含碳?xì)怏w、含氧和碳?xì)怏w、含碳?xì)怏w，后處理氣體和本文所述的其它氣體)和流率的指令和任選地用于使氣體在沉積之前流到一個(gè)或多個(gè)處理站中以穩(wěn)定在這些處理站中的壓強(qiáng)的代碼。壓強(qiáng)控制程序可以包括用于通過調(diào)節(jié)例如在處理站的排放系統(tǒng)中的節(jié)流閥、流入處理站內(nèi)的氣流等等來控制處理站內(nèi)的壓強(qiáng)的代碼。

加熱器控制程序可包括用于控制流向用于加熱襯底的加熱單元的電流的代碼。可替代地，加熱器控制程序可控制傳熱氣體(如氦)朝向襯底上的輸送。

等離子體控制程序可包括用于根據(jù)本文的實(shí)施方式設(shè)置施加到一個(gè)或多個(gè)處理站中的處理電極上的rf功率電平的代碼。

uv暴露控制程序可以包括用于根據(jù)本文的實(shí)施方式設(shè)置一個(gè)或多個(gè)處理站中的uv輻射的暴露持續(xù)時(shí)間的代碼。

壓強(qiáng)控制程序可以包括用于根據(jù)本文的實(shí)施方式維持反應(yīng)室中的壓強(qiáng)的代碼。

在一些實(shí)施方式中，可以存在與系統(tǒng)控制器750相關(guān)聯(lián)的用戶界面。用戶界面可以包括顯示屏、裝置和/或工藝條件的圖形軟件顯示器、以及諸如定點(diǎn)設(shè)備、鍵盤、觸摸屏、麥克風(fēng)等用戶輸入裝置。

在一些實(shí)施方式中，由系統(tǒng)控制器750調(diào)節(jié)的參數(shù)會(huì)涉及工藝條件。非限制性實(shí)例包括工藝氣體組成和流率、溫度、壓強(qiáng)、等離子體條件(例如，rf偏置功率電平)等。這些參數(shù)可以以配方的形式提供給用戶，配方可以利用所述用戶界面輸入。

用于監(jiān)控處理的信號(hào)可以由系統(tǒng)控制器750的模擬和/或數(shù)字輸入連接件從各種處理工具傳感器提供。用于控制處理的信號(hào)可以在處理工具700的模擬和數(shù)字輸出連接件上輸出?？杀槐O(jiān)控的處理工具傳感器的非限制性實(shí)例包括質(zhì)量流量控制器、壓力傳感器(例如壓力計(jì))、熱電偶等。經(jīng)適當(dāng)編程的反饋和控制算法可以與來自這些傳感器的數(shù)據(jù)一起使用，以保持工藝條件。

系統(tǒng)控制器750可以提供用于執(zhí)行上述沉積處理的程序指令。所述程序指令可以控制多種處理參數(shù)，如dc功率電平、rf功率電平、壓強(qiáng)、溫度、等離子體脈沖頻率、等離子體暴露持續(xù)時(shí)間、uv暴露持續(xù)時(shí)間等。所述指令可以控制這些參數(shù)以根據(jù)本發(fā)明所描述的多種實(shí)施方式操作膜堆疊的原位沉積。

系統(tǒng)控制器750將通常包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置和被配置成執(zhí)行指令的一個(gè)或多個(gè)處理器以使該裝置將執(zhí)行根據(jù)本文所公開的方法。包含用于控制根據(jù)所公開的實(shí)施方式的處理操作的指令的機(jī)器可讀介質(zhì)可以耦合到系統(tǒng)控制器750。

在一些實(shí)施方式中，控制器750是系統(tǒng)的一部分，該系統(tǒng)可以是上述實(shí)施例的一部分。這樣的系統(tǒng)可以包括半導(dǎo)體處理設(shè)備，半導(dǎo)體處理設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)處理工具、一個(gè)或多個(gè)室、用于處理的一個(gè)或多個(gè)平臺(tái)、和/或特定的處理部件(晶片基座、氣體流系統(tǒng)等)。這些系統(tǒng)可與電子器件集成，以便在半導(dǎo)體晶片或襯底的處理之前、期間或之后控制這些系統(tǒng)的操作。電子器件可以被稱為“控制器”，其可以控制一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)的各種組件或子部分。根據(jù)處理要求和/或系統(tǒng)的類型的不同，控制器750可以被編程，以控制本發(fā)明所公開的工藝中的任何一些，包括控制處理氣體的輸送、溫度設(shè)置(例如，加熱和/或冷卻)、壓強(qiáng)設(shè)置、真空設(shè)置、功率設(shè)置、射頻(rf)發(fā)生器設(shè)置、rf匹配電路設(shè)置、頻率設(shè)置，流率設(shè)置、等離子體脈沖頻率設(shè)置、uv暴露設(shè)置、流體輸送設(shè)置、位置和操作設(shè)置、晶片的進(jìn)出工具和其他轉(zhuǎn)移工具和/或連接到特定系統(tǒng)的或與特定系統(tǒng)接口的負(fù)載鎖的傳送。

從廣義上講，控制器750可以被定義為接收指令、發(fā)出指令、控制操作、使能清潔操作、使能終點(diǎn)測量等的具有各種集成電路、邏輯、存儲(chǔ)器、和/或軟件的電子器件。該集成電路可以包括固件形式的存儲(chǔ)程序指令的芯片、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、定義為專用集成電路(asic)的芯片和/或執(zhí)行程序指令(例如，軟件)的一個(gè)或多個(gè)微處理器、或微控制器。程序指令可以是以各種不同的設(shè)置(或程序文件)形式輸送到控制器或系統(tǒng)的指令，不同的設(shè)置(或程序文件)定義用于在半導(dǎo)體晶片上或針對(duì)半導(dǎo)體晶片或向系統(tǒng)進(jìn)行特定處理的操作參數(shù)。在一些實(shí)施方式中，所述操作參數(shù)可以是由工藝工程師定義的以完成晶片的一或多個(gè)(種)層、材料、金屬、氧化物、硅、二氧化硅、表面、電路和/或裸芯片的制造過程中的一個(gè)或多個(gè)處理步驟的配方的一部分。

在一些實(shí)施方式中，控制器750可以是與系統(tǒng)集成、耦接或者說是通過網(wǎng)絡(luò)連接系統(tǒng)或它們的組合的計(jì)算機(jī)的一部分或者與該計(jì)算機(jī)耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是fab主機(jī)系統(tǒng)的全部或一部分，它們可以允許遠(yuǎn)程訪問晶片處理。計(jì)算機(jī)可以啟用對(duì)系統(tǒng)的遠(yuǎn)程訪問以監(jiān)測制造操作的當(dāng)前進(jìn)程，檢查過去的制造操作的歷史，檢查多個(gè)制造操作的趨勢或性能標(biāo)準(zhǔn)，以改變當(dāng)前處理的參數(shù)，設(shè)置處理步驟以跟隨當(dāng)前的處理或者開始新的工藝。在一些示例中，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如，服務(wù)器)可以通過網(wǎng)絡(luò)給系統(tǒng)提供工藝配方，網(wǎng)絡(luò)可以包括本地網(wǎng)絡(luò)或互聯(lián)網(wǎng)。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以包括允許輸入或編程參數(shù)和/或設(shè)置的用戶界面，這些參數(shù)和/或設(shè)置然后從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)傳輸?shù)较到y(tǒng)。在一些示例中，控制器750接收數(shù)據(jù)形式的指令，這些指令指明在一個(gè)或多個(gè)操作期間將要執(zhí)行的每個(gè)處理步驟的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，這些參數(shù)可以針對(duì)將要執(zhí)行的工藝類型以及工具類型，控制器被配置成連接或控制該工具類型。因此，如上所述，控制器750可以例如通過包括一個(gè)或多個(gè)分立的控制器而分布，這些分立的控制器通過網(wǎng)絡(luò)連接在一起并且朝著共同的目標(biāo)(例如，本文所述的工藝和控制)工作。用于這些目的的分布式控制器的實(shí)例可以是與一個(gè)或多個(gè)遠(yuǎn)程集成電路(例如，在平臺(tái)水平或作為遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的一部分)通信的在室內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)集成電路，它們結(jié)合以控制室內(nèi)的工藝。

在一些實(shí)施方式中，可以提供被配置為執(zhí)行本文描述的技術(shù)的裝置。合適的裝置可以包括用于執(zhí)行各種處理操作的硬件以及具有根據(jù)所公開的實(shí)施方式的用于控制處理操作的指令的系統(tǒng)控制器750。系統(tǒng)控制器750通常將包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置和與各種工藝控制設(shè)備(例如閥、rf發(fā)生器、襯底處理系統(tǒng)等)通信連接并被配置為執(zhí)行指令的一個(gè)或多個(gè)處理器，使得裝置將執(zhí)行根據(jù)所公開的實(shí)施方式所述的技術(shù)，例如諸如在圖2a-2c的操作中提供的技術(shù)。包含根據(jù)本公開的用于控制工藝操作的指令的機(jī)器可讀介質(zhì)可以耦合到系統(tǒng)控制器750。控制器750可以與各種硬件裝置(例如質(zhì)量流量控制器、閥、rf發(fā)生器、真空泵等等)通信地連接，以便于控制與本文所述的沉積操作相關(guān)聯(lián)的各種工藝參數(shù)。

在一些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制器750可以控制反應(yīng)器700的所有活動(dòng)。系統(tǒng)控制器750可以執(zhí)行存儲(chǔ)在大容量存儲(chǔ)裝置中的、加載到存儲(chǔ)器裝置中的以及在處理器上執(zhí)行的系統(tǒng)控制軟件。系統(tǒng)控制軟件可以包括用于控制氣流定時(shí)、襯底移動(dòng)、rf發(fā)生器激活等的指令，以及用于控制氣體混合物、室和/或站壓強(qiáng)、室和/或站溫度、襯底溫度、目標(biāo)功率電平、rf功率電平、襯底基座、卡盤和/或基座位置以及由反應(yīng)器裝置700執(zhí)行的特定工藝的其它參數(shù)的指令。例如，軟件可以包括用于控制含硅前體的流率、反應(yīng)物的流率、含氮?dú)怏w的流率、等離子體頻率、等離子體脈沖頻率、等離子體功率、uv暴露時(shí)間、前體和反應(yīng)物暴露時(shí)間、后處理氣體的流率，以及針對(duì)上述每種流化學(xué)品的uv暴露時(shí)間的指令或代碼?？梢砸匀魏魏线m的方式配置系統(tǒng)控制軟件。例如，可以編寫各種處理工具組件子程序或控制對(duì)象，以控制執(zhí)行各種處理工具工藝所必需的處理工具組件的操作。系統(tǒng)控制軟件可以以任何合適的計(jì)算機(jī)可讀編程語言進(jìn)行編碼。

系統(tǒng)控制器750通?？梢园ū慌渲脼閳?zhí)行指令的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置756和一個(gè)或多個(gè)處理器752，使得該裝置將執(zhí)行根據(jù)所公開的實(shí)施方式的技術(shù)。包含用于根據(jù)所公開的實(shí)施方式控制處理操作的指令的機(jī)器可讀介質(zhì)可以耦合到系統(tǒng)控制器750。

示例性系統(tǒng)可以包括但不限于：等離子體蝕刻室或模塊、沉積室或模塊、旋轉(zhuǎn)沖洗室或模塊、金屬電鍍室或模塊、清潔室或模塊、倒角邊緣蝕刻室或模塊、物理氣相沉積(pvd)室或模塊、化學(xué)氣相沉積(cvd)室或模塊、原子層沉積(ald)室或模塊、原子層蝕刻(ale)室或模塊、離子注入室或模塊、軌道室或模塊、以及在半導(dǎo)體晶片的制備和/或制造中可以關(guān)聯(lián)上或使用的任何其他的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。

如上所述，根據(jù)工具將要執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)工藝步驟，控制器可以與一個(gè)或多個(gè)其他的工具電路或模塊、其他工具組件、組合工具、其他工具界面、相鄰的工具、鄰接工具、位于整個(gè)工廠中的工具、主機(jī)、另一個(gè)控制器、或者將晶片的容器往來于半導(dǎo)體制造工廠中的工具位置和/或裝載口搬運(yùn)的材料搬運(yùn)中使用的工具通信。

用于執(zhí)行本文公開的方法的適當(dāng)裝置在2011年4月11日提交的，名稱為“plasmaactivatedconformalfilmdeposition”，并于2014年5月20日授權(quán)的美國專利no.8,728,956；和在2011年4月11日提交的，名稱為“siliconnitridefilmsandmethods”的美國專利申請(qǐng)no.13/084,305中被進(jìn)一步討論并描述，其全部內(nèi)容并入本文。

本文所述的裝置和方法可以結(jié)合光刻圖案化工具或工藝使用，例如用于制造或制備半導(dǎo)體器件、顯示器、led、光伏面板等。典型地，但不是必然地，此類工具/工藝將與普通的制造設(shè)施一起使用或執(zhí)行。膜的光刻圖案化通常包括以下操作中的一些或全部，每個(gè)操作能夠使用多種可行的工具：(1)使用旋涂或噴涂工具將光致抗蝕劑涂覆在工件上，即襯底上；(2)使用熱板或爐或uv固化工具固化光致抗蝕劑；(3)使用例如晶片步進(jìn)式曝光機(jī)之類的工具將光致抗蝕劑暴露于可見光或紫外線或x射線；(4)使抗蝕劑顯影以便使用諸如濕式臺(tái)之類的工具選擇性地去除抗蝕劑，從而使其圖案化；(5)通過使用干式或等離子體輔助式的蝕刻工具將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移到下伏膜或工件中；以及(6)使用例如射頻或微波等離子體抗蝕劑剝離器之類的工具去除抗蝕劑。

實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)1

針對(duì)氮化硅(sin)封裝層的沉積進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。將包含4:1深寬比特征的第一襯底暴露于硅烷(sih4)和氮和氨(n2/nh3)的混合物中以沉積sin封裝層。第一襯底實(shí)現(xiàn)的臺(tái)階覆蓋率為40％。

在等離子體被以脈沖頻率為0.02毫秒接通和1.98毫秒關(guān)閉和等離子體頻率為13.56mhz在0w和500w之間施以脈沖時(shí)，將包含4:1深寬比特征的第二襯底在300℃下連續(xù)暴露于sih4和n2/nh3，以沉積300埃的sin封裝層。沉積膜的底部對(duì)頂部的比率為68％，側(cè)壁對(duì)頂部比率為71％。所得到的襯底的示例如圖9所示。圖9包括襯底901，其具有teos903和在低壓下沉積的sin層905以及通過ald沉積的氧化硅膜907。通過如本文所述的脈沖等離子體pecvd沉積的氮化硅層909被保形地沉積，襯底上的臺(tái)階覆蓋率為70％。

實(shí)驗(yàn)2

進(jìn)行了包括將非脈沖pecvd沉積的sin封裝層暴露于周期性等離子體后處理的實(shí)驗(yàn)。將包括通過非脈沖pecvd沉積的所沉積的sin封裝層的襯底暴露于具有氬/氦后處理氣體的等離子體，以用于后處理操作，持續(xù)時(shí)間為30秒，功率為2000w，等離子體頻率為13.56mhz。將襯底暴露于以下暴露順序：(a)等離子體接通0.02毫秒，(b)等離子體關(guān)掉1.98毫秒，(c)重復(fù)(a)和(b)，(d)使用10s-60s惰性等離子體進(jìn)行后處理，(e)重復(fù)(a)-(d)。

僅用沉積的襯底(虛線)和僅用周期性等離子體處理的襯底(實(shí)線)兩者的ftir光譜如圖10所示。如圖所示，實(shí)線顯示si-h鍵的減弱，其表明氫含量的降低和致密化峰的增強(qiáng)，兩者都表明由周期性等離子體處理產(chǎn)生了較高質(zhì)量的膜。

實(shí)驗(yàn)3

進(jìn)行了用于將非脈沖pecvd沉積的sin封裝層暴露于uv暴露后處理的實(shí)驗(yàn)。包含通過非脈沖pecvd沉積的所沉積的sin封裝層的襯底在300℃的溫度下以180nm至600nm的波長暴露于uv輻射持續(xù)300秒的持續(xù)時(shí)間。僅用沉積的襯底(實(shí)線)和用uv處理的襯底(虛線)的ftir光譜如圖11所示。如圖所示，虛線顯示1101處的n-h鍵的減弱，這表明氫含量減少；在1103處si-h鍵的減弱，這也表明氫含量的降低；以及致密化峰增強(qiáng)。這些特征表明，uv處理產(chǎn)生了較高質(zhì)量的膜。

實(shí)驗(yàn)4

使用遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積在250℃進(jìn)行封裝層的沉積實(shí)驗(yàn)。

通過將氮自由基從遠(yuǎn)程等離子體引入到襯底，以及將硅烷輸送到在噴頭下游的襯底上，并將保持襯底的基座設(shè)置在250℃的溫度下，在包含噴頭的rpcvd室中的包含4:1的深寬比特征的第一襯底上沉積封裝層。沉積膜的臺(tái)階覆蓋率大于80％。

通過將自由基從遠(yuǎn)程等離子體引入到襯底，以及將含硅前體輸送到在噴頭下游的襯底上，并將保持襯底的基座設(shè)置在250℃的溫度下，在包含噴頭的rpcvd室中的包含7:1的深寬比特征的第二襯底上沉積sico封裝層。圖12a示出了在執(zhí)行濕蝕刻速率實(shí)驗(yàn)之前的襯底。襯底1200具有下伏層1201和teos1203，具有在低壓強(qiáng)下沉積的sin層1207和保形地沉積在襯底上的sico封裝層1209。注意箭頭1219所示的保形性。

將襯底暴露于100:1稀釋的hf溶液中持續(xù)5分鐘。圖12b示出了該暴露后的襯底1220。如圖所示，由箭頭1229指示的特征的頂部和側(cè)壁沒有顯示蝕刻，從而表明沉積的封裝層1209的濕蝕刻速率接近于0。

實(shí)驗(yàn)5

通過各種方法進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)以沉積封裝層。對(duì)襯底進(jìn)行四種沉積方法。第一種方法包括使用常規(guī)pecvd暴露于連續(xù)等離子體(連續(xù)暴露于含硅前體和第二反應(yīng)物與連續(xù)等離子體)，而沒有后處理。等離子體功率設(shè)定為500w，等離子體頻率為13.5mhz。該方法在圖13a和13b中表示為白色條(1302)。

第二種方法涉及脈沖等離子體pecvd(連續(xù)暴露于含硅前體和第二反應(yīng)物與脈沖等離子體)，而沒有后處理。等離子體在0w和500w之間施以脈沖，占空比為10％，脈沖頻率為500hz。該方法在圖13a和13b中表示為對(duì)角條紋條(1304)。

第三種方法涉及脈沖等離子體pecvd(連續(xù)暴露于含硅前體和第二反應(yīng)物與脈沖等離子體)，具有周期性等離子體后處理。將脈沖等離子體沉積過程中的等離子體使用以500hz的脈沖頻率，在0w和500w之間，0.2毫秒rf接通/1.8毫秒rf關(guān)斷的脈沖進(jìn)行脈沖。在周期性等離子體后處理期間，等離子體接通持續(xù)60秒，等離子體功率為2000w(4站，功率密度＝0.6w/cm²)，等離子體頻率為13.56mhz。該方法在圖13a和13b中示出為水平條紋條(1306)。

第四種方法包括使用常規(guī)pecvd暴露于連續(xù)等離子體(連續(xù)暴露于含硅前體和第二反應(yīng)物與連續(xù)等離子體)與周期性等離子體后處理。等離子體功率設(shè)置為500w，等離子體頻率為13.56mhz。使用連續(xù)等離子體沉積膜持續(xù)幾秒鐘以沉積25埃-30埃。然后將該膜暴露于等離子體后處理，其接通60秒的持續(xù)時(shí)間，等離子體功率為2000w，等離子體頻率為13.56mhz。重復(fù)該循環(huán)，直到達(dá)到整個(gè)膜厚。該方法在圖13a和13b中表示為陰影條(1308)。

如圖13a和13b所示的工藝條件a、b和c的工藝條件在下表1中概述。

表1.用于沉積部分的工藝條件

圖13a示出了針對(duì)暴露于每組工藝條件并通過四種方法中的每一種沉積的襯底的所得氫含量。對(duì)于工藝條件a，經(jīng)周期性等離子體處理的襯底的氫含量小于用脈沖等離子體和周期性等離子體處理的襯底的氫含量，并且這兩種方法的氫含量都低于經(jīng)受連續(xù)等離子體處理的襯底和經(jīng)脈沖等離子體而無后處理處理的襯底的氫含量。這表明周期性等離子體后處理降低了氫含量，此外，在一些實(shí)施方式中，脈沖等離子體與后處理可能是可行的和合適的選擇。

對(duì)于工藝條件b，經(jīng)受脈沖等離子體的襯底的氫含量最高，這表明在高溫(400℃)下，脈沖等離子體在一些實(shí)施方式中可能不合適，但脈沖等離子體與周期性等離子體處理的組合顯著降低了氫含量。單獨(dú)的周期性等離子體處理也導(dǎo)致低的氫含量。這些結(jié)果表明，即使在400℃下沉積，脈沖體沉積與周期性等離子體處理的組合，或單獨(dú)的周期性等離子體處理也可導(dǎo)致低含量的膜。

對(duì)于工藝條件c，經(jīng)連續(xù)等離子體和脈沖等離子體兩者處理的襯底的氫含量都很高，但是任何一種與周期性等離子體處理的結(jié)合導(dǎo)致氫含量的顯著降低，對(duì)于一些實(shí)施方式這進(jìn)一步支持，即使襯底在400℃下沉積，周期性等離子體處理也可適用于降低氫含量。結(jié)果表明后處理降低了氫含量和濕蝕刻速率。

圖13b示出了當(dāng)經(jīng)受200:1氟化氫蝕刻劑時(shí)，圖13a中每個(gè)襯底的所得濕蝕刻速率。對(duì)于工藝條件a，具有通過脈沖等離子體沉積的封裝層，具有通過脈沖等離子體與周期性等離子體處理沉積的封裝層，和具有通過周期性等離子體處理沉積的封裝層的襯底的濕蝕刻速率低于具有通過連續(xù)等離子體沉積的封裝層的襯底的濕蝕刻速率。沉積并進(jìn)行周期性等離子體處理的封裝層的濕蝕刻速率甚至低于沒有后處理的脈沖等離子體沉積的封裝層的濕蝕刻速率。較低的濕蝕刻速率表明膜的質(zhì)量較高，因此可以在后續(xù)處理中承受暴露于較苛刻的條件，從而允許封裝層有效地保護(hù)下伏存儲(chǔ)器堆疊。

對(duì)于工藝條件b，顯示出類似的趨勢，因?yàn)橐策M(jìn)行周期性等離子體處理的封裝層比未進(jìn)行后處理的層導(dǎo)致較低的濕蝕刻速率。同樣，對(duì)于工藝條件c，也顯示出類似的趨勢，其中沉積并進(jìn)行周期性等離子體處理的封裝層的濕蝕刻速率與沒有進(jìn)行周期性等離子體處理的層相比具有顯著較低的濕蝕刻速率。

結(jié)論

盡管為了清楚理解的目的，已經(jīng)在一定程度上詳細(xì)描述了前面的實(shí)施方式，但顯而易見的是，可以在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)實(shí)施某些改變和修改。應(yīng)當(dāng)注意，存在實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式的方法、系統(tǒng)和裝置的許多替代方式。因此，本實(shí)施方式被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，并且實(shí)施方式不限于本文給出的細(xì)節(jié)。