本申請(qǐng)為分案申請(qǐng)，其母案的申請(qǐng)?zhí)枮椋?01610124463.8；申請(qǐng)日為：2016年3月4日；申請(qǐng)人為：友達(dá)光電股份有限公司；發(fā)明名稱(chēng)為：光感測(cè)裝置。

本發(fā)明涉及一種感測(cè)裝置，且特別是有關(guān)于一種光感測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

一般而言，光感測(cè)裝置包括光感測(cè)面板以及外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊。背光模塊用以發(fā)出光束。光感測(cè)面板配置于光束的傳遞路徑上。光感測(cè)面板包括第一基板、陣列排列于第一基板上的多個(gè)感光單元以及多個(gè)主動(dòng)元件。多個(gè)主動(dòng)元件與多個(gè)感光單元電性連接，以讀取感光單元接收的信號(hào)。

光感測(cè)裝置的應(yīng)用方式多元，以指紋掃描為例，當(dāng)使用者手指觸碰光感測(cè)裝置時(shí)，指紋的波峰與波谷會(huì)反射強(qiáng)度不同的光束，而使分別對(duì)應(yīng)波峰與波谷的多個(gè)感光單元接收到強(qiáng)度不同的反射光束。借此，光感測(cè)裝置便可獲得使用者的指紋影像。為了使光束準(zhǔn)直地通過(guò)光感測(cè)面板，以提升光感測(cè)裝置的性能，背光模塊需采用多個(gè)棱鏡片。然而，此舉不利于光感測(cè)裝置的成本降低，且使光感測(cè)裝置的厚度減薄不易。此外，雖背光模塊已采用棱鏡片，但背光模塊發(fā)出的光束仍有部分會(huì)傳遞至感光單元，而造成信號(hào)干擾的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種性能良好的光感測(cè)裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種光感測(cè)裝置，包括第一基板、第一反射層、發(fā)光二極管、第一絕緣層、第二反射層、感光單元以及與感光單元電性連接的主動(dòng)元件。第一反射層覆蓋第一基板。發(fā)光二極管位于第一反射層上。第一絕緣層覆蓋第一反射層與發(fā)光二極管。第二反射層配置于第一絕緣層上且位于發(fā)光二極管正上方。發(fā)光二極管發(fā)出的光束被第一反射層及第二反射層反射后從感光單元旁出射。

為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光感測(cè)裝置，包括第一基板、主動(dòng)元件、感光單元、發(fā)光二極管以及擋光結(jié)構(gòu)。主動(dòng)元件配置于第一基板上。感光單元配置于第一基板上且與主動(dòng)元件電性連接。感光單元包括第一感光電極、相對(duì)于第一感光電極的第二感光電極以及感光層。感光層夾設(shè)于第一感光電極與第二感光電極之間。第一感光電極位于感光層與第一基板之間。發(fā)光二極管配置于第一基板上且位于感光單元旁。擋光結(jié)構(gòu)與感光單元及發(fā)光二極管實(shí)質(zhì)上位于同一平面，且位于感光單元的兩側(cè)。

為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光感測(cè)裝置，包括第一基板、第一主動(dòng)元件、第一絕緣層、反射電極、發(fā)光二極管、第二絕緣層以及感光單元。第一基板具有承載面。第一主動(dòng)元件配置于第一基板的承載面上。第一絕緣層覆蓋第一主動(dòng)元件且具有第一開(kāi)口。第一絕緣層具有定義出第一開(kāi)口的側(cè)壁。反射電極位于第一開(kāi)口中且至少覆蓋所述側(cè)壁。發(fā)光二極管配置于第一開(kāi)口中。反射電極環(huán)繞發(fā)光二極管。感光單元配置于第二絕緣層上。感光單元包括第一感光電極。第一感光電極配置于第二絕緣層上且不與發(fā)光二極管于垂直方向上重疊。垂直方向平行于承載面的法線(xiàn)方向。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

基于上述，在本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中，因此，背光模塊不需額外設(shè)置于光感測(cè)面板外的，從而光感測(cè)裝置整體的厚度能夠減薄。此外，由于發(fā)光二極管設(shè)置于第一、二反射層之間且感光單元設(shè)置于第二反射層上方，因此發(fā)光二極管所發(fā)出的光束被第一、二反射層反射后，會(huì)從感光單元旁穿出光感測(cè)裝置，而不容易誤入感光單元的感光層。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。

在本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，除了因發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中而使光感測(cè)裝置整體的厚度能夠減薄外，更借由配置擋光結(jié)構(gòu)于發(fā)光二極管的兩側(cè)，發(fā)光二極管發(fā)出的光束會(huì)被擋光結(jié)構(gòu)阻擋，而不容易誤入感光單元的感光層中。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。

在本發(fā)明再一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，除了因發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中而使光感測(cè)裝置整體的厚度能夠減薄之外，借由環(huán)繞在發(fā)光二極管的反射層，能夠?qū)l(fā)光二極管發(fā)出的光束往正視方向集中。借此，當(dāng)光感測(cè)裝置檢測(cè)物體時(shí)，被物體反射的光束可以較小的反射角進(jìn)入對(duì)應(yīng)的感光單元中。如此一來(lái)，光感測(cè)裝置檢測(cè)到的物體影像銳利度便能夠提升，從而獲得清晰的物體影像。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1a至圖1f為本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的制造流程剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖；

圖3為本發(fā)明又一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖；

圖4a至圖4f為本發(fā)明再一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的制造流程剖面示意圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖。

其中，附圖標(biāo)記

110、310、510第一基板

120、120a、120b第一反射層

130、130a、130b發(fā)光二極管

132、134、352、354電極

136發(fā)光層

140、160、330、520第一絕緣層

180、370、410、592絕緣層

142、182、372、382、412、592a開(kāi)口

150第二反射層

170、364、560:第一感光電極

200、420、570第二感光電極

190、400、580感光層

210、430、590保護(hù)層

220、340粘性體

310a表面

320、360導(dǎo)電層

322遮光圖案

332接觸洞

350、540發(fā)光二極管

350a頂面

362線(xiàn)路圖案

380擋光結(jié)構(gòu)

380a內(nèi)緣

380b外緣

380c底面

380d頂面

390反射層

400a接觸面

510a承載面

522第一開(kāi)口

524側(cè)壁

526第二開(kāi)口

530反射電極

532導(dǎo)電圖案

540a點(diǎn)

550第二絕緣層

550a:第二絕緣層(第二基板)

552第三開(kāi)口

1000、1000a、1000b、2000、3000、3000a光感測(cè)裝置

ch、ch1、ch2通道層

d、d1、d2漏極

d內(nèi)徑

f物體

gi柵絕緣層

g、g1、g2柵極

h1、h2、h3、h1、h2距離

l、l1、l2、l3光束

pd感光單元

s、s1、s2源極

t、t1、t2主動(dòng)元件

w寬度

x水平方向

y垂直方向

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

圖1a至圖1f為本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的制造流程剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1a，首先，提供第一基板110。第一基板110可為透光第一基板或不透光/反光第一基板。舉例而言，透光第一基板的材質(zhì)可為玻璃、石英、塑膠或其它適當(dāng)材料，不透光/反光第一基板的材質(zhì)可為晶圓、陶瓷或其它適當(dāng)材料，但本發(fā)明不以此為限。接著，形成第一反射層120，以覆蓋第一基板110。在本實(shí)施例中，第一反射層120可為導(dǎo)電材料，例如：金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它不透明的導(dǎo)電材料、或是前述至少二種材料的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。

接著，將發(fā)光二極管130配置于第一反射層120上。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管130可為垂直式晶片。換言之，發(fā)光二極管130的第一、二電極132、134可分別位于發(fā)光層136的不同兩側(cè)。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，發(fā)光二極管也可為水平式晶片，即第一、二電極132、134位于發(fā)光層136同一側(cè)，或其他適當(dāng)型式的晶片。發(fā)光層136材料包括第一型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及第二型半導(dǎo)體層，其中第一型半導(dǎo)體層舉例為p型半導(dǎo)體，第二半型導(dǎo)體層舉例為n型半導(dǎo)體。于其它實(shí)施例中，發(fā)光層136材料也可包括第一型半導(dǎo)體層以及第二型半導(dǎo)體層，且第一型半導(dǎo)體層與第二半型導(dǎo)體層極性不同，或其它合適的材料。接著，形成第一絕緣層140，以覆蓋第一反射層120與發(fā)光二極管130。在本實(shí)施例中，第一絕緣層140的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D1b，接著，在本實(shí)施例中，可選擇性地圖案化第一絕緣層140，以使第一絕緣層140具有開(kāi)口142。在本實(shí)施例中，開(kāi)口142暴露出發(fā)光二極管130的第二電極134，開(kāi)口142的垂直投影面積與發(fā)光二極管130的第二電極134的垂直投影面積基本上不限制二者之間的關(guān)系，只要開(kāi)口142與發(fā)光二極管130的第二電極134至少一部分重疊。本實(shí)施例中，為了后續(xù)工藝的容許度，第一絕緣層140的開(kāi)口142可暴露出發(fā)光二極管130的第二電極134及其附近的第一絕緣層，即開(kāi)口142的垂直投影面積大于發(fā)光二極管130的第二電極134的垂直投影面積，且開(kāi)口142與發(fā)光二極管130的第二電極134至少一部分重疊，但不限于此。請(qǐng)參照?qǐng)D1c，接著，形成第二反射層150與柵極g。第二反射層150以及柵極g配置于第一絕緣層140上。在本實(shí)施例中，柵極g與第二反射層150分離且柵極g垂直投影于第一基板110上不與發(fā)光二極管130重疊。在垂直方向y上，第二反射層150遮蔽發(fā)光二極管130。在本實(shí)施例中，第一反射層120可超出第二反射層150的邊緣。換言之，第二反射層150的邊緣在第一基板110上的正投影可完全在第一反射層120的面積內(nèi)，但本發(fā)明不以此為限。于本發(fā)明中垂直方向y與第一基板110的表面垂直。水平方向x與第一基板110的表面平行，且垂直方向y與水平方向x互相垂直，詳細(xì)而言垂直方向y與水平方向x夾角為90度角。

在本實(shí)施例中，第二反射層150可填入第一絕緣層140的開(kāi)口142，以和發(fā)光二極管130的第二電極134連接。本實(shí)施例中，為了后續(xù)工藝的平坦度，第二反射層150僅位于開(kāi)口142內(nèi)，但不限于此。于其它實(shí)施例中，第二反射層150也可延伸過(guò)開(kāi)口142的邊緣，覆蓋開(kāi)口142附近的第一絕緣層140。發(fā)光二極管130的第一電極132可與第一反射層120連接。換言之，在本實(shí)施例中，第一、二反射層120、150除了用以反射發(fā)光二極管130發(fā)出的光束外，部分的第一、二反射層120、150也可做為發(fā)光二極管130的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路。此舉有助于光感測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，發(fā)光二極管130也可選擇性地不與第一反射層120、第二反射層150或其組合電性連接。

請(qǐng)參照?qǐng)D1d，接著，形成柵極絕緣層160，以覆蓋柵極g以及第二反射層150。在本實(shí)施例中，柵極絕緣層160的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。接著，在柵極絕緣層160上形成通道層ch。通道層ch設(shè)置于柵極g上方。在本實(shí)施例中，通道層ch可為單層或多層結(jié)構(gòu)，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述的組合)、或其它合適的材料、或含有摻雜物(dopant)于上述材料中、或上述組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D1d，接著，形成源極s、漏極d以及第一感光電極170。第一感光電極170、源極s以及漏極d位于同一膜層。源極s與漏極d位于通道層ch及部分柵極絕緣層160上，且分別與通道層ch的兩側(cè)電性連接。第一感光電極170與源極s、漏極d其中之一(例如：漏極d)電性連接，即第一感光電極170與其所連接的電極(源極或漏極其中之一)可同時(shí)作為主動(dòng)元件中的電極與感光單元pd中的電極。源極s、漏極d、通道層ch與柵極g構(gòu)成主動(dòng)元件t。源極s、漏極d以及第一感光電極170為導(dǎo)電材料。舉例而言，在本實(shí)施例中，源極s、漏極d以及第一感光電極170的材質(zhì)可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是其它導(dǎo)電材料、或是前述材料至少二種的堆疊層。

請(qǐng)參照?qǐng)D1e，接著，形成絕緣層180。絕緣層180覆蓋源極s、漏極d以及部分絕緣層170且具有開(kāi)口182。開(kāi)口182暴露出第一感光電極170。絕緣層180的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。接著，形成感光層190。感光層190設(shè)置于第一感光電極170上。感光層190填入絕緣層180的開(kāi)口182而與第一感光電極170電性連接。在本實(shí)施例中，感光層190的材質(zhì)主要為硅例如為sivow，其中v、w均不為零。感光層190例如為包括依序堆疊的一第一型半導(dǎo)體材料層、一本征半導(dǎo)體材料層以及一第二型半導(dǎo)體材料層，且第一型半導(dǎo)體材料層以及第二型半導(dǎo)體材料層其中一為p型半導(dǎo)體材料，另一為n型半導(dǎo)體材料。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，感光層190的材質(zhì)也可為依序堆疊的一第一型半導(dǎo)體材料層以及一第二型半導(dǎo)體材料層，且第一型半導(dǎo)體材料層與第二型半導(dǎo)體材料層極性不同、或是第一型半導(dǎo)體材料層與本征半導(dǎo)體材料層，或是其他適合的材料。接著，在感光層190上形成第二感光電極200。第二感光電極200設(shè)置于感光層190上且與感光層190電性連接。于本實(shí)施例中，第二感光電極200會(huì)暴露出部分的絕緣層180，即第二感光電極200不會(huì)與柵極g、源極s及通道ch重疊于范例，但不限于此。

第一感光電極170、感光層190以及第二感光電極200構(gòu)成感光單元pd。主動(dòng)元件t與感光單元pd電性連接。感光單元pd位于第二反射層150的正上方。第二感光電極200為透光導(dǎo)電圖案。在本實(shí)施例中，第二感光電極200的材質(zhì)可選用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、石墨烯、納米銀、納米炭管/桿、或者其它合適的材料、或者上述至少二者的堆疊層。請(qǐng)參照?qǐng)D1f，接著，形成保護(hù)層210，以覆蓋保護(hù)層210下方的所有構(gòu)件，例如：主動(dòng)元件t、感光單元pd等。在本實(shí)施例中，保護(hù)層210的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D1f，發(fā)光二極管130發(fā)出的光束l1、l2、l3會(huì)被第一反射層120與第二反射層150其中至少一個(gè)或者第一、二反射層120、150與柵極g反射后從感光單元pd旁邊射出。詳言之，光束l1可先被第二反射層150反射到第一反射層120，然后，再被第一反射層120反射而從第二反射層150旁邊穿出光感測(cè)裝置1000；光束l2可先被第一反射層120反射后直接由第二反射層150旁邊穿出光感測(cè)裝置1000；光束l3可依序被第二反射層150、第一反射層120、柵極g以及第一反射層120反射，然后，由主動(dòng)元件t旁邊穿出光感測(cè)裝置1000。光束l1、l2、l3穿出光感測(cè)裝置1000后，可被使用者的手指或物件反射至對(duì)應(yīng)的感光單元pd，則對(duì)應(yīng)的感光單元pd可接收被使用者手指或物件反射的光束l1、l2、l3，進(jìn)而使光感測(cè)裝置1000獲得使用者的手指或物件影像或其觸碰位置。

由于發(fā)光二極管130與感光單元pd是位于同一第一基板110上，也就是說(shuō)，發(fā)光二極管130內(nèi)建在感光單元pd所屬的光感測(cè)面板中，因此，光感測(cè)裝置1000可不包括位于光感測(cè)面板外的背光模塊，從而光感測(cè)裝置1000的厚度能夠大幅減薄。此外，由于發(fā)光二極管130設(shè)置于第一、二反射層120、150之間且感光單元pd設(shè)置于第二反射層150上方，因此發(fā)光二極管130所發(fā)出的光束l1、l2、l3被第一、二反射層120、150其中至少一個(gè)或者第一、二反射層120、150與柵極g反射后，會(huì)從感光單元pd以外的地方穿出光感測(cè)裝置1000，而不容易誤入感光單元pd的感光層190。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板的外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖。圖2的光感測(cè)裝置1000a與圖1f的光感測(cè)裝置1000類(lèi)似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件，以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。光感測(cè)裝置1000a與光感測(cè)裝置1000的差異在于：光感測(cè)裝置1000a的發(fā)光二極管130a及第一反射層120a與光感測(cè)裝置1000的發(fā)光二極管130及第一反射層120不同。以下主要就此差異處說(shuō)明，兩者相同處還請(qǐng)依照?qǐng)D2中的標(biāo)號(hào)參照前述說(shuō)明，于此便不再重述。

請(qǐng)參照?qǐng)D2，光感測(cè)裝置1000a包括第一基板110、覆蓋第一基板110的第一反射層120a、位于第一反射層120a上的發(fā)光二極管130a、覆蓋第一反射層120a與發(fā)光二極管130a的第一絕緣層140a、配置于第一絕緣層140a上且位于發(fā)光二極管130a正上方的第二反射層150、位于第二反射層150正上方的感光單元pd以及與感光單元pd電性連接的主動(dòng)元件t。發(fā)光二極管130a發(fā)出的光束l1、l2、l3被第一反射層120與第二反射層150其中至少一個(gè)或者第一、二反射層120、150與柵極g反射后從感光單元pd旁邊出射。

與光感測(cè)裝置1000不同的是，光感測(cè)裝置1000a的發(fā)光二極管130a是水平式發(fā)光二極管。換言之，發(fā)光二極管130a的第一、二電極132、134位于發(fā)光層136的同一側(cè)。舉例而言第一、二電極132、134位于發(fā)光層136遠(yuǎn)離第一反射層120a的一側(cè)。發(fā)光二極管130a可透過(guò)粘性體220固定于第一反射層120a上。發(fā)光二極管130a的第一電極132可透過(guò)導(dǎo)電圖案230與第一反射層120電性連接，即導(dǎo)電圖案230一端與第一電極132連接，且導(dǎo)電圖案230往第一反射層120a方向延伸，而導(dǎo)電圖案230另一端與第一反射層120a連接。第一絕緣層140a的開(kāi)口142僅暴露發(fā)光二極管130a的第二電極134，第二反射層150填入開(kāi)口142而與發(fā)光二極管130a的第二電極134電性連接。光感測(cè)裝置1000a具有與光感測(cè)裝置1000類(lèi)似的優(yōu)點(diǎn)與功效，于此便不再重述。

圖3為本發(fā)明又一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖。圖3的光感測(cè)裝置1000b與圖1的光感測(cè)裝置1000類(lèi)似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件，以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。光感測(cè)裝置1000b與光感測(cè)裝置1000的主要差異在于：光感測(cè)裝置1000b的發(fā)光二極管130b與光感測(cè)裝置1000的發(fā)光二極管130不同；此外，光感測(cè)裝置1000b的發(fā)光二極管130b可不與第二反射層150b電性連接，且光感測(cè)裝置1000b的第一反射層120b與光感測(cè)裝置1000的第一反射層120略有不同。以下主要就此差異處說(shuō)明，兩者相同處還請(qǐng)依照?qǐng)D3中的標(biāo)號(hào)參照前述說(shuō)明，于此便不再重述。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，光感測(cè)裝置1000b包括第一基板110、覆蓋第一基板110的第一反射層120b、位于第一反射層120b上的發(fā)光二極管130b、覆蓋第一反射層120b與發(fā)光二極管130b的第一絕緣層140b、配置于第一絕緣層140b上且位于發(fā)光二極管130b正上方的第二反射層150b、位于第二反射層150b正上方的感光單元pd以及與感光單元pd電性連接的主動(dòng)元件t。發(fā)光二極管130b發(fā)出的光束l1、l2、l3被第一反射層120b以及第二反射層150b其中至少一個(gè)或者第一、二反射層120、150與柵極g反射后從感光單元pd旁邊射出。

與光感測(cè)裝置1000不同的是，光感測(cè)裝置1000b的發(fā)光二極管130b是水平式發(fā)光二極管。換言之，發(fā)光二極管130b的第一、二電極132、134位于發(fā)光層136的同一側(cè)。發(fā)光二極管130b可透過(guò)粘性體220固定于第一反射層120b上。發(fā)光二極管130b的第一、二電極132、134可分別透過(guò)導(dǎo)電圖案232、234分別與第一反射層120b上的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路電性連接，即導(dǎo)電圖案232一端與第二電極134連接，且導(dǎo)電圖案232往第一反射層120a方向延伸，而導(dǎo)電圖案232另一端與第一反射層120a連接，導(dǎo)電圖案234一端與第一電極132連接，且導(dǎo)電圖案234往第一反射層120a方向延伸，而導(dǎo)電圖案234另一端與第一反射層120a連接，其中，導(dǎo)電圖案232、234是往發(fā)光二極管130b不同邊的第一反射層120a方向延伸，即第一反射層120a具有第一部分(未圖示)與第二部分(未圖示)，第一部分與第二部分分隔開(kāi)來(lái)，以傳遞不同的電位且防止發(fā)光二極管130b的第一與第二電極132與134發(fā)生短路。因此，導(dǎo)電圖案232是往第一反射層120a的第一部分(未圖示)延伸，導(dǎo)電圖案234是往第一反射層120a的第二部分(未圖示)延伸。第二反射層150b可不與發(fā)光二極管130b連接，即第一絕緣層140b不存在任何開(kāi)口142，且第二反射層150b設(shè)置于發(fā)光二極管130b上方的第一絕緣層140b上。光感測(cè)裝置1000b具有與光感測(cè)裝置1000類(lèi)似的優(yōu)點(diǎn)與功效，于此便不再重述。

圖4a至圖4f為本發(fā)明再一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的制造流程剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4a，首先，提供第一基板310。第一基板310可為透光第一基板或不透光/反光第一基板。舉例而言，透光第一基板的材質(zhì)可為玻璃、石英、塑膠或其它適當(dāng)材料，不透光/反光第一基板的材質(zhì)可為晶圓、陶瓷或其它適當(dāng)材料，但本發(fā)明不以此為限。接著，形成導(dǎo)電層320，以覆蓋第一基板310。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層320包括彼此分離的柵極g與遮光圖案322。柵極g設(shè)置于第一基板310上且與遮光圖案322位于同一膜層。導(dǎo)電層320可選用導(dǎo)電材料，例如：金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D4a，接著，形成第一絕緣層330，以覆蓋柵極g與遮光圖案322。第一絕緣層330可具有暴露出部分遮光圖案322的接觸洞332。在本實(shí)施例中，第一絕緣層330的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。接著，在第一絕緣層330上形成通道層ch。通道層ch設(shè)置于柵極g上方。在本實(shí)施例中，通道層ch可為單層或多層結(jié)構(gòu)，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述的組合)、或其它合適的材料、或含有摻雜物(dopant)于上述材料中、或上述組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D4a，接著，可于第一絕緣層330上形成粘性體340與發(fā)光二極管350。發(fā)光二極管350可透過(guò)粘性體340固定在第一基板310上。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管350可為水平式發(fā)光二極管。換言之，發(fā)光二極管350的第一、二電極352、354可位于發(fā)光層356的同一側(cè)，但本發(fā)明不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D4a，接著，形成導(dǎo)電層360。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層360的材質(zhì)可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。導(dǎo)電層360包括線(xiàn)路圖案362、源極s、漏極d與第一感光電極364。線(xiàn)路圖案362、源極s、漏極d以及第一感光電極364屬于同一膜層。線(xiàn)路圖案362與發(fā)光二極管350的第一電極352以及第二電極354電性連接。線(xiàn)路圖案362還可填入第一絕緣層330的接觸洞332，以和遮光圖案322電性連接。舉例而言，與第一電極352連接的線(xiàn)路圖案362可稱(chēng)為第一線(xiàn)路圖案，與第二電極354連接的線(xiàn)路圖案362可稱(chēng)為第二線(xiàn)路圖案，則第一線(xiàn)路圖案一端與第一電極352連接，第一線(xiàn)路圖案另一端經(jīng)由接觸洞332與遮光圖案322連接，而第二線(xiàn)路圖案一端與第二電極354連接，第二線(xiàn)路圖案另一端設(shè)置于第一絕緣層330上，其中，第一與第二線(xiàn)路圖案分隔開(kāi)來(lái)，以傳遞不同的電位且防止發(fā)光二極管350的第一與第二電極332與334發(fā)生短路。源極s與漏極d設(shè)置于通道層ch上，且分別與通道層ch的兩側(cè)電性連接。源極s與漏極d其中之一(例如：漏極d)與第一感光電極364電性連接，且第一感光電極364與遮光圖案322至少一部分重疊。源極s、漏極d、通道層ch以及柵極g構(gòu)成主動(dòng)元件t。本實(shí)施例的主動(dòng)元件t以底柵型晶體管為范例。于其它實(shí)施例中，主動(dòng)元件t可為頂柵型晶體管或其它合適的類(lèi)型的晶體管。

請(qǐng)參照?qǐng)D4a，接著，形成絕緣層370。絕緣層370覆蓋發(fā)光二極管350、線(xiàn)路圖案362、源極s與漏極d。絕緣層370具有暴露出部分第一感光電極364的開(kāi)口372。絕緣層370的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。接著，于絕緣層370的開(kāi)口372邊緣上，形成擋光結(jié)構(gòu)380。擋光結(jié)構(gòu)380具有暴露部分第一感光電極364的開(kāi)口382。擋光結(jié)構(gòu)380還具有定義出開(kāi)口382的內(nèi)緣380a、相對(duì)于內(nèi)緣380a的外緣380b、面向第一基板310的底面380c以及遠(yuǎn)離第一基板310的第一頂面380d。本實(shí)例的擋光結(jié)構(gòu)380的開(kāi)口382正投影面積小于絕緣層370的開(kāi)口372正投影面積，且開(kāi)口382位于開(kāi)口372內(nèi)，即內(nèi)緣380a會(huì)各別覆蓋開(kāi)口372的內(nèi)緣及部分第一感光電極364為范例，可使得后續(xù)工藝有較佳的容許度。于其它實(shí)施例中，擋光結(jié)構(gòu)380的開(kāi)口382正投影面積大于絕緣層370的開(kāi)口372正投影面積，且開(kāi)口372位于開(kāi)口382內(nèi)，可使得感光層400正投影面積變大，即光感應(yīng)面積變大，也可使得后續(xù)工藝有較佳的容許度?；蛘呤牵瑩豕饨Y(jié)構(gòu)380的開(kāi)口382與絕緣層370的開(kāi)口372重疊，且開(kāi)口382的邊緣與開(kāi)口372的邊緣對(duì)應(yīng)。

請(qǐng)參照?qǐng)D4b，接著，形成反射層390。反射層390至少覆蓋擋光結(jié)構(gòu)380的外緣380b以及部分頂面380d且暴露出部分第一感光電極364。反射層390的材質(zhì)可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是其它的合適的材料、或是前述材料至少二種的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。請(qǐng)參照?qǐng)D4c，接著，于第一感光電極364上形成感光層400。反射層390仍然會(huì)暴露出感光層400。感光層400位于擋光結(jié)構(gòu)380的開(kāi)口382中。擋光結(jié)構(gòu)380至少位于感光層400的相對(duì)兩側(cè)。在本實(shí)施例中，擋光結(jié)構(gòu)380可圍繞感光層400。感光層400的材質(zhì)例如為sivow，其中v、w均不為零，但不限于此。感光層400例如為包括依序堆疊的一第一型半導(dǎo)體材料層、一本征半導(dǎo)體材料層以及一第二型半導(dǎo)體材料層，且第一型半導(dǎo)體材料層以及第二型半導(dǎo)體材料層其中一個(gè)為p型半導(dǎo)體材料，另一個(gè)為n型半導(dǎo)體材料。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，感光層400的材質(zhì)也可為依序堆疊的一第一型半導(dǎo)體材料層以及一第二型半導(dǎo)體材料層，且第一型半導(dǎo)體材料層與第二型半導(dǎo)體材料層極性不同、或是第一型半導(dǎo)體材料層與本征半導(dǎo)體材料層，或是其他適合的材料。

請(qǐng)參照?qǐng)D4d，接著，形成絕緣層410。絕緣層410覆蓋反射層390、主動(dòng)元件t、發(fā)光二極管350以及部分絕緣層370。絕緣層410具有開(kāi)口412。開(kāi)口412至少暴露出感光層400。在本實(shí)施例中，開(kāi)口412還可暴露出擋光結(jié)構(gòu)380的內(nèi)緣380a，但本發(fā)明不以此為限。絕緣層410的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D4e，接著，形成第二感光電極420，以覆蓋感光層400。第二感光電極420為透光電極。在本實(shí)施例中，第二感光電極420的材質(zhì)可選用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、石墨烯、納米銀、納米炭管/桿、或者其它合適的氧化物、或者上述至少二者的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。第一感光電極364、感光層400與第二感光電極420構(gòu)成感光單元pd。第二感光電極420相對(duì)于第一感光電極364。感光層400夾設(shè)于第一感光電極364與第二感光電極420之間。第一感光電極364位于感光層400與第一基板310之間。在本實(shí)施例中，第二感光電極420可跨越擋光結(jié)構(gòu)380其中至少一個(gè)。換言之，部分第二感光電極420可位于開(kāi)口382之外，但本發(fā)明不以此為限。在本實(shí)施例中，遮光圖案322可位于第一基板310與感光單元pd之間，以遮蔽感光層400。遮光圖案322與柵極g可為同一步驟形成，位于第一基板310的表面310a上方。發(fā)光二極管350可借由第一絕緣層330的接觸洞332與遮光圖案322接觸。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，發(fā)光二極管350電性連接至遮光圖案322，而遮光圖案322可作為發(fā)光二極管350的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路，但本發(fā)明不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D4f，接著，形成保護(hù)層430，以覆蓋保護(hù)層430下方的所有構(gòu)件，例如：主動(dòng)元件t、感光單元pd等。于此，便完成了本實(shí)施例的光感測(cè)裝置2000。在本實(shí)施例中，保護(hù)層430的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

圖4f所示，發(fā)光二極管350配置于第一基板310上且位于感光單元pd旁。擋光結(jié)構(gòu)380與感光單元pd及發(fā)光二極管350實(shí)質(zhì)上位于同一平面，且擋光結(jié)構(gòu)380至少位于感光單元pd的兩側(cè)。更進(jìn)一步地說(shuō)，感光層400具有與第二感光電極420接觸的接觸面400a。發(fā)光二極管350具有遠(yuǎn)離第一基板110的頂面350a。在本實(shí)施例中，擋光結(jié)構(gòu)380的頂面380d與第一基板310的距離h1大于接觸面400a與第一基板310的距離h2以及發(fā)光二極管350的頂面350a與第一基板310的距離h3。簡(jiǎn)言之，擋光結(jié)構(gòu)380高于發(fā)光二極管350及感光層400。

由于發(fā)光二極管350與感光單元pd是位于同一第一基板310上，也就是說(shuō)，發(fā)光二極管350內(nèi)建在感光單元pd所屬的光感測(cè)面板中，因此，光感測(cè)裝置2000可省去外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊，從而光感測(cè)裝置2000的厚度能夠減薄。此外，借由擋光結(jié)構(gòu)380的設(shè)計(jì)，發(fā)光二極管350所發(fā)出的光束l會(huì)被擋光結(jié)構(gòu)380阻擋，而不容易誤入感光單元pd的感光層400中。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。此外，透過(guò)反射層390的設(shè)置，除了可降低不當(dāng)?shù)墓馐鴏進(jìn)入感光層400的機(jī)率外，還可將光束l反射至光感測(cè)裝置2000外，以提高光束l的利用效率。

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，光感測(cè)裝置3000包括第一基板510、主動(dòng)元件t1、第一絕緣層520、反射電極530、發(fā)光二極管540、第二絕緣層550以及感光單元pd。第一基板510具有承載面510a。第一基板510可為透光第一基板或不透光/反光第一基板。舉例而言，透光第一基板的材質(zhì)可為玻璃、石英、塑膠或其它適當(dāng)材料，不透光/反光第一基板的材質(zhì)可為晶圓、陶瓷或其它適當(dāng)材料，但本發(fā)明不以此為限。

主動(dòng)元件t1配置于第一基板510的承載面510a上。主動(dòng)元件t1包括薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極g1、與柵極g1重疊的通道層ch1以及分別與通道層ch1兩側(cè)電性連接的源極s1與漏極d1。柵極g1與通道層ch1之間夾有柵絕緣層gi。在本實(shí)施例中，通道層ch1可位于柵極g1上方。換言之，主動(dòng)元件t1可為底部柵極型薄膜晶體管(bottomgatetft)。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，主動(dòng)元件t1可為頂部柵極型薄膜晶體管(topgatetft)或其他適當(dāng)元件。本實(shí)施例的光感測(cè)裝置3000可進(jìn)一步包括主動(dòng)元件t2。主動(dòng)元件t1與主動(dòng)元件t2可位于同一平面(例如：承載面510a)上，但本發(fā)明不以此為限。主動(dòng)元件t2包括薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極g2、與柵極g2重疊的通道層ch2以及分別與通道層ch2兩側(cè)電性連接的源極s2與漏極d2。柵極g2與通道層ch2之間夾有柵絕緣層gi。在本實(shí)施例中，通道層ch2可位于柵極g2上方。換言之，主動(dòng)元件t2可為底部柵極型薄膜晶體管。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，主動(dòng)元件t2可為頂部柵極型薄膜晶體管或其他適當(dāng)元件。

第一絕緣層520覆蓋主動(dòng)元件t1且具有第一開(kāi)口522。第一絕緣層520具有定義出第一開(kāi)口522的側(cè)壁524。在本實(shí)施例中，第一絕緣層520的第一開(kāi)口522可暴露出主動(dòng)元件t1的源極s1與漏極d1其中之一(例如：漏極d1)。第一絕緣層520還可具有第一開(kāi)口522外的另一第二開(kāi)口526。第二開(kāi)口526可暴露出主動(dòng)元件t2的源極s2與漏極d2其中之一(例如：漏極d2)。第一絕緣層520的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

反射電極530位于第一開(kāi)口522中，且至少覆蓋第一絕緣層520的側(cè)壁524。在本實(shí)施例中，反射電極530可完全地覆蓋側(cè)壁524。更進(jìn)一步地說(shuō)，反射電極530還覆蓋被第一開(kāi)口522暴露出的源極s1與漏極d1其中之一(例如：漏極d1)。換言之，在本實(shí)施例中，反射電極530可呈杯狀物，且完全地覆蓋第一開(kāi)口522的側(cè)壁524與第一開(kāi)口522暴露的構(gòu)件(例如：部分的漏極d1)。所述杯狀物的內(nèi)徑d可隨著遠(yuǎn)離第一基板510而漸增。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，反射電極530也可覆蓋側(cè)壁524而不覆蓋被第一開(kāi)口522暴露出的構(gòu)件。在本實(shí)施例中，反射電極530的材質(zhì)可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是其它合適的材料、或是上述至少二種材料的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。

本實(shí)施例的光感測(cè)裝置3000還包括導(dǎo)電圖案532。導(dǎo)電圖案532可與反射電極530位于同一膜層。導(dǎo)電圖案532配置于第一絕緣層520上，即導(dǎo)電圖案532會(huì)配置于主動(dòng)元件t1與t2上方的第一絕緣層520上。導(dǎo)電圖案532填入第一絕緣層520的第二開(kāi)口526而與主動(dòng)元件t2的源極s2與漏極d2之一電性連接，其中，導(dǎo)電圖案532與反射電極530相分隔開(kāi)來(lái)，以使得導(dǎo)電圖案532與反射電極530所分別連接的主動(dòng)元件t1與t2能夠各別運(yùn)作，而不相互干擾。需說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限制光感測(cè)裝置一定要還包括導(dǎo)電圖案532，在其他實(shí)施例中，也可不設(shè)置導(dǎo)電圖案532，以下將于后續(xù)實(shí)施例中舉例說(shuō)明。

發(fā)光二極管540配置于第一開(kāi)口522中。反射電極530環(huán)繞發(fā)光二極管540。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管540可位于反射電極530上，且可透過(guò)反射電極530與第一主動(dòng)元件t1的源極s1與漏極d1之一電性連接。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，反射電極530也可暴露出的源極s1與漏極d1其中之一，即反射電極530不與源極s1以及漏極d1連接，而發(fā)光二極管540可直接位于源極s1與漏極d1之一上而與主動(dòng)元件t1電性連接。

反射電極530在與垂直方向y平行的方向上具有離第一基板510最遠(yuǎn)的一點(diǎn)530a。垂直方向y平行于承載面510a的法線(xiàn)方向。點(diǎn)530a與第一基板510的距離為h1。發(fā)光二極管540在與方向y平行的方向上具有離第一基板510最遠(yuǎn)的一點(diǎn)540a。點(diǎn)540a與第一基板510的距離為h2。在本實(shí)施例中，h1≥h2。換言之，反射電極530的高度可等于或大于發(fā)光二極管540的高度，但本發(fā)明不以此為限。另一方面，發(fā)光二極管540在與垂直方向y垂直的水平方向x上具有最大寬度w，而h1、h2、w可滿(mǎn)足下式：0≤(h1-h2)≤(2/3w)。當(dāng)h1、h2、w滿(mǎn)足下式：0≤(h1-h2)≤(2/3w)時(shí)，光感測(cè)裝置3000的視角及感測(cè)功能可同時(shí)最佳化。

第二絕緣層550覆蓋發(fā)光二極管540以及反射電極530。在本實(shí)施例中，第二絕緣層550還覆蓋導(dǎo)電圖案532。第二絕緣層550具有第三開(kāi)口552。第三開(kāi)口552暴露出部分導(dǎo)電圖案532。第二絕緣層550的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

感光單元pd配置于第二絕緣層550上。感光單元pd包括第一感光電極560、相對(duì)于第一感光電極560的第二感光電極570以及夾設(shè)于第一感光電極560與第二感光電極570之間的感光層580。絕緣層592的開(kāi)口592a暴露出部分第一感光電極560，且感光層580可位于絕緣層592的開(kāi)口592a中。第一感光電極560填入第二絕緣層550的第三開(kāi)口552而與透過(guò)導(dǎo)電圖案532與主動(dòng)元件t2電性連接。第一感光電極560較第二感光電極570靠近第一基板510且為不透光/反光電極，且其材料可參閱前述的描述。第一感光電極560配置于第二絕緣層550上且于垂直方向y上不與發(fā)光二極管540重疊。換言之，不透光/反光的第一感光電極560與發(fā)光二極管540錯(cuò)開(kāi)。第二感光電極570為透光電極。此外，在本實(shí)施例中，光感測(cè)裝置3000可進(jìn)一步包括保護(hù)層590。保護(hù)層590覆蓋其下方的所有構(gòu)件，例如：感光單元pd等。保護(hù)層590的材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機(jī)材料或上述組合。

由于發(fā)光二極管540內(nèi)建在感光單元pd所屬的光感測(cè)面板中，因此，光感測(cè)裝置3000可省去外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊，從而光感測(cè)裝置3000的厚度能夠大幅減薄。此外，透過(guò)反射層530環(huán)繞發(fā)光二極管540周?chē)脑O(shè)計(jì)，反射層530可將發(fā)光二極管540發(fā)出的光束l往正視方向(即垂直方向y)集中。借此，當(dāng)光感測(cè)裝置3000檢測(cè)物體f(例如：使用者手指)時(shí)，被物體f反射的光束l可以較小的反射角進(jìn)入對(duì)應(yīng)的感光單元pd中。如此一來(lái)，光感測(cè)裝置3000檢測(cè)到的物體f影像銳利度便能夠提升，從而獲得清晰的物體f影像。

圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置的剖面示意圖。圖6的光感測(cè)裝置3000a與圖5的光感測(cè)裝置3000類(lèi)似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的表標(biāo)號(hào)表示。光感測(cè)裝置3000a與光感測(cè)裝置3000的主要差異在于：光感測(cè)裝置3000a的感光單元pd是配置在另一基板上，而不像光感測(cè)裝置3000的感光單元pd直接配置于第一絕緣層520上。以下主要就此差異說(shuō)明，兩者相同處還請(qǐng)參照前述說(shuō)明，于此便不再重述。

光感測(cè)裝置3000a包括第一基板510、主動(dòng)元件t1、第一絕緣層520、反射電極530、發(fā)光二極管540、第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a以及感光單元pd。第一基板510具有承載面510a。主動(dòng)元件t1配置于第一基板510的承載面510a上。第一絕緣層520覆蓋主動(dòng)元件t1且具有第一開(kāi)口522。第一絕緣層520具有定義出第一開(kāi)口522的側(cè)壁524。反射電極530位于第一開(kāi)口522中且至少覆蓋側(cè)壁524。發(fā)光二極管540配置于第一開(kāi)口522中。反射電極530環(huán)繞發(fā)光二極管540。第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a覆蓋發(fā)光二極管540、主動(dòng)元件t1與第一絕緣層520。感光單元pd配置于第二絕緣層550a(當(dāng)作第二基板)上。感光單元pd包括第一感光電極560。第一感光電極560配置于第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a上且不與發(fā)光二極管540于垂直方向y上重疊，其中垂直方向y平行于承載面510a的法線(xiàn)方向。與光感測(cè)裝置3000不同的是，第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a為另一基板而不與發(fā)光二極管540直接接觸。主動(dòng)元件t2與感光單元pd配置于另一基板上(即第二絕緣層(第二基板)550a)且與感光單元pd電性連接。換言之，主動(dòng)元件t2與感光單元pd位于第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a的內(nèi)表面上，而主動(dòng)元件t1與發(fā)光二極管540位于第二絕緣層(當(dāng)作第二基板)550a的外表面與第一基板510的承載面510a之間。發(fā)光二極管540與主動(dòng)元件t2及感光單元pd錯(cuò)開(kāi)。光感測(cè)裝置3000a具有與光感測(cè)裝置3000類(lèi)似的功效與優(yōu)點(diǎn)，于此便不再重述。

綜上所述，在本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中，因此，光感測(cè)裝置可不包括位于光感測(cè)面板外的背光模塊，從而光感測(cè)裝置的厚度能夠大幅減薄。此外，由于發(fā)光二極管設(shè)置于第一、二反射層之間且感光單元設(shè)置于第二反射層上方，因此發(fā)光二極管所發(fā)出的光束被第一、二反射層反射后，會(huì)從感光單元旁邊穿出光感測(cè)裝置，而不容易誤入感光單元的感光層。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。

在本發(fā)明另一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，除了因發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中而使光感測(cè)裝置的厚度能夠大幅減薄之外，借由至少配置于發(fā)光二極管兩側(cè)的擋光結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管發(fā)出的光束會(huì)被擋光結(jié)構(gòu)阻擋，而不容易誤入感光單元的感光層中。借此，可以改善外掛于光感測(cè)面板之外的背光模塊所造成的信號(hào)干擾問(wèn)題。

在本發(fā)明再一實(shí)施例的光感測(cè)裝置中，除了因發(fā)光二極管內(nèi)建在感光單元所屬的光感測(cè)面板中而使光感測(cè)裝置的厚度能夠大幅減薄之外，借由環(huán)繞在發(fā)光二極管的反射層，能夠?qū)l(fā)光二極管發(fā)出的光束往正視方向集中。借此，當(dāng)光感測(cè)裝置檢測(cè)物體時(shí)，被物體反射的光束可以較小的反射角進(jìn)入對(duì)應(yīng)的感光單元中。如此一來(lái)，光感測(cè)裝置檢測(cè)到的物體影像銳利度便能夠提升，從而獲得清晰的物體影像。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。