技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供了一種測試結構及測試方法，所述測試結構包括第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線設置在第一晶圓的第一表面上，所述第二金屬線設置在第二晶圓的第二表面上，將所述第一晶圓的第一表面與所述第二晶圓的第二表面進行鍵合工藝，并使所述第一金屬線與所述第二金屬線相交形成金屬鍵合區(qū)域。在本發(fā)明提供測試結構和測試方法中，通過將具有第一金屬線的第一晶圓與具有第二金屬線的第二晶圓進行鍵合，使第一金屬線與第二金屬線相交形成金屬鍵合區(qū)域，通過測量金屬鍵合區(qū)域的接觸電阻可精確表征鍵合工藝后金屬間擴散及重結晶的好壞程度，測試結構由于不包含非必要的通孔電阻和金屬線電阻，從而防止通孔電阻、金屬線電阻及對準不良等的影響。

技術研發(fā)人員：王帆
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.09
技術公布日：2017.09.08