技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以降低源極和漏極與溝道區(qū)之間的寄生電阻。所述薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底上的有源層，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；還包括設(shè)置在所述有源層上表面且分別與所述源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)對(duì)應(yīng)第一源極、第一漏極、和柵絕緣層；所述柵絕緣層在所述襯底上的正投影與所述溝道區(qū)在所述襯底上的正投影重合；所述第一源極和所述第一漏極到所述柵絕緣層的距離不大于1μm。

技術(shù)研發(fā)人員：宋振;王國(guó)英
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.11
技術(shù)公布日：2017.09.15