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      顯示面板制造方法、顯示面板的制造設(shè)備和顯示面板與流程

      文檔序號(hào):11547073閱讀:374來(lái)源:國(guó)知局
      顯示面板制造方法、顯示面板的制造設(shè)備和顯示面板與流程

      本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板制造方法、顯示面板的制造設(shè)備和顯示面板。



      背景技術(shù):

      顯示面板中通常包括有多個(gè)薄膜晶體管(英文:thinfilmtransistor;簡(jiǎn)稱:tft),根據(jù)顯示面板種類(lèi)的不同,這些tft可以對(duì)顯示面板進(jìn)行不同的控制。tft通常包括柵極、有源層和源漏極(源漏極包括源極和漏極)。

      相關(guān)技術(shù)中在制造顯示面板時(shí),首先在襯底基板上形成柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層,然后在形成有柵絕緣層的襯底基板上通過(guò)掩膜工藝形成有源層圖案,之后在形成有有源層圖案的襯底基板上形成其它結(jié)構(gòu)。

      在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板制造方法、顯示面板的制造設(shè)備和顯示面板。所述技術(shù)方案如下:

      根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種顯示面板制造方法,所述方法包括:

      通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴;

      對(duì)所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴進(jìn)行固化處理,固化處理后的所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴形成半導(dǎo)體層圖案。

      可選的,所述通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴之前,所述方法還包括:

      在所述襯底基板上依次形成柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層,所述柵導(dǎo)電圖形包括多條柵線,所述多條柵線中的每條柵線上均包括有多個(gè)柵極,所述半導(dǎo)體材料溶液池設(shè)置有多個(gè)通道,任一所述通道的一端與所述半導(dǎo)體材料溶液池的內(nèi)部連通,另一端設(shè)置在所述多條柵線中的指定柵線上的一個(gè)柵極的流動(dòng)區(qū)域,所述多條柵線中的任一柵極的流動(dòng)區(qū)域?yàn)樗鋈我粬艠O在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域;

      所述通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴,包括:

      以所述多條柵線中的柵極作為第一電潤(rùn)濕電極,控制所述半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向形成有所述柵絕緣層的襯底基板,并在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴。

      可選的,所述多條柵線的柵極在所述襯底基板上成行列排布,

      所述以所述多條柵線中的柵極作為第一電潤(rùn)濕電極,控制所述半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向形成有所述柵絕緣層的襯底基板,并在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴,包括:

      向所述指定柵線施加電壓,使所述半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向所述指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中,并在所述多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中形成半導(dǎo)體材料液滴組,所述多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中的流動(dòng)區(qū)域與所述半導(dǎo)體材料液滴組中的半導(dǎo)體材料液滴一一對(duì)應(yīng);

      以所述多條柵線中的柵極作為所述第一電潤(rùn)濕電極,控制所述半導(dǎo)體材料液滴組移動(dòng)到目標(biāo)柵線的柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域,所述目標(biāo)柵線為當(dāng)前距離所述指定柵線最遠(yuǎn)且在柵極的流動(dòng)區(qū)域中未設(shè)置有半導(dǎo)體材料液滴的柵線。

      可選的,所述以所述多條柵線中的柵極作為所述第一電潤(rùn)濕電極,控制所述半導(dǎo)體材料液滴組移動(dòng)到目標(biāo)柵線的柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域,包括:

      在所述指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中的半導(dǎo)體材料液滴組移動(dòng)出所述指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域時(shí),向所述指定柵線施加電壓,控制所述半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向所述指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域。

      可選的,所述多條柵線在所述襯底基板上沿預(yù)設(shè)方向排布,

      所述指定柵線為所述預(yù)設(shè)方向上位于所述多條柵線兩端的兩條柵線中的任意一條柵線。

      可選的,所述多條柵線中任意相鄰的兩條柵線之間設(shè)置有第二電潤(rùn)濕電極圖案,所述第二電潤(rùn)濕電極圖案用于控制所述半導(dǎo)體材料液滴移動(dòng)。

      可選的,所述第二電潤(rùn)濕電極圖案為線柵偏振結(jié)構(gòu),所述第二電潤(rùn)濕電極圖案起到偏光片的效果。

      可選的,所述多條柵線中,任一柵線的任一柵極的面積大于預(yù)設(shè)柵線的面積,所述預(yù)設(shè)柵線為位于所述任一柵極在所述任一柵線上的正投影中的柵線。

      可選的,所述使所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴固化,固化后的所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴為半導(dǎo)體層圖案之后,所述方法還包括:

      在形成有所述半導(dǎo)體層圖案的襯底基板上形成絕緣層;

      在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成公共電極圖案,所述公共電極圖案與所述第二電潤(rùn)濕電極構(gòu)成觸控電極。

      可選的,所述對(duì)所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴進(jìn)行固化處理,包括:

      加熱形成有所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴的襯底基板,使所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴固化。

      可選的,所述半導(dǎo)體材料液滴的材料包括有機(jī)半導(dǎo)體材料,或所述有機(jī)半導(dǎo)體材料和聚合物高分子材料的混合物,所述有機(jī)半導(dǎo)體材料包括小分子半導(dǎo)體材料和高分子半導(dǎo)體材料。

      根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供一種顯示面板的制造設(shè)備,用于使用第一方面提供的方法制造顯示面板,所述顯示面板的制造設(shè)備包括:

      半導(dǎo)體材料溶液池和控制電路,所述控制電路與所述半導(dǎo)體材料溶液池電連接;

      所述控制電路用于通過(guò)微流控技術(shù)控制所述半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液在所述顯示面板的襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴,固化處理后的所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴為半導(dǎo)體層圖案。

      可選的,所述襯底基板上依次設(shè)置有柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層,所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴設(shè)置在設(shè)置有所述柵絕緣層的襯底基板上,所述柵導(dǎo)電圖形包括多條柵線,

      所述控制電路分別與所述多條柵線連接。

      可選的,所述顯示面板上設(shè)置有陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路,

      所述控制電路設(shè)置在所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中。

      根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供一種顯示面板,所述顯示面板包括第一方面提供的方法制造的顯示面板。

      本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:

      通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成半導(dǎo)體層圖案,無(wú)需使用光刻膠。解決了相關(guān)技術(shù)中由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題。達(dá)到了可以使用各種半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層圖案的效果。

      附圖說(shuō)明

      為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1是本發(fā)明實(shí)施例中電潤(rùn)濕原理示意圖;

      圖2是本發(fā)明實(shí)施例示出的一種顯示面板制造方法的流程圖;

      圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例示出的另一種顯示面板制造方法的流程圖;

      圖3-2是圖3-1所示實(shí)施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3-3是圖3-1所示實(shí)施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3-4是圖3-1所示實(shí)施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3-5是本發(fā)明實(shí)施例中一種形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴的流程圖;

      圖3-6是圖3-1所示實(shí)施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3-7是圖3-1所示實(shí)施例中一種半導(dǎo)體層材料液滴移動(dòng)的示意圖;

      圖3-8是本發(fā)明實(shí)施例中一種控制半導(dǎo)體材料液滴的流程圖;

      圖3-9是本發(fā)明實(shí)施例中一種電潤(rùn)濕電極上的電壓示意圖;

      圖3-10是圖3-1所示實(shí)施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3-11是圖3-1所示實(shí)施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

      通過(guò)上述附圖,已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例,后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過(guò)任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍,而是通過(guò)參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明的概念。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

      如圖1所示,其為本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)電潤(rùn)濕(英文:electrowetting)原理控制半導(dǎo)體材料液滴移動(dòng)的原理示意圖。其中,襯底層01上依次形成有電潤(rùn)濕電極02和絕緣層03,電潤(rùn)濕電極02包括電極021、電極022和電極023。絕緣層03上可以設(shè)置有液滴04。

      在向電極022施加電壓而不向電極021施加電壓時(shí),電極022上的電壓比電極021上的電壓大,且電極022和電極021之間存在一個(gè)經(jīng)過(guò)液滴04的電場(chǎng),該電場(chǎng)使電極022上方的部分液滴與絕緣層03的接觸角(英文:contactangle)05變小,而電極021上方的部分液滴與絕緣層03的接觸角無(wú)變化,液滴04內(nèi)部將產(chǎn)生水平方向的壓強(qiáng)差,驅(qū)動(dòng)液滴04移動(dòng)向電極022的方向。之后可以交替變換相鄰的兩個(gè)電極的電壓就能驅(qū)動(dòng)液滴04不斷的移動(dòng)。

      圖1中的電極可以相當(dāng)于本申請(qǐng)中的柵極,液滴可以相當(dāng)于本申請(qǐng)中的半導(dǎo)體材料液滴。

      圖2是本發(fā)明實(shí)施例示出的一種顯示面板制造方法的流程圖,本實(shí)施例以該顯示面板制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來(lái)舉例說(shuō)明。該顯示面板制造方法可以包括如下幾個(gè)步驟:

      步驟201、通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴。

      步驟202、對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴進(jìn)行固化處理,固化處理后的多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴形成半導(dǎo)體層圖案。

      此外,本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板制造方法還可以包括用于制造顯示面板其他結(jié)構(gòu)的步驟,這些步驟可以參考相關(guān)技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例不作出限制。

      綜上所述,本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板制造方法,通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成半導(dǎo)體層圖案,無(wú)需使用光刻膠。解決了相關(guān)技術(shù)中由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題。達(dá)到了可以使用各種半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層圖案的效果。

      圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例示出的另一種顯示面板制造方法的流程圖,本實(shí)施例以該顯示面板制造方法應(yīng)用于制造顯示面板來(lái)舉例說(shuō)明。該顯示面板制造方法可以包括如下幾個(gè)步驟:

      步驟301、在襯底基板上依次形成柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層。

      在使用本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板制造方法時(shí),首先可以在襯底基板上依次形成柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層。其中,柵導(dǎo)電圖形可以包括多條柵線,多條柵線中的每條柵線上均包括有多個(gè)柵極,半導(dǎo)體材料溶液池可以設(shè)置有多個(gè)通道,這多個(gè)通道中的任一通道的一端與半導(dǎo)體材料溶液池的內(nèi)部連通,另一端設(shè)置在多條柵線中的指定柵線上的一個(gè)柵極的流動(dòng)區(qū)域(英文:fluidplace),多條柵線中的任一柵極的流動(dòng)區(qū)域?yàn)槿我粬艠O在柵絕緣層上的正投影區(qū)域。其中,指定柵線可以是多條柵線中的任意一條柵線。

      可選的,多條柵線在襯底基板上沿預(yù)設(shè)方向排布,指定柵線為預(yù)設(shè)方向上位于多條柵線兩端的兩條柵線中的任意一條柵線。指定柵線位于兩端時(shí),能夠較為容易的將通道的另一端設(shè)置在指定柵線上的流動(dòng)區(qū)域中,減小了工藝難度。

      可選的,多條柵線中,任一柵線的任一柵極的面積大于預(yù)設(shè)柵線的面積,預(yù)設(shè)柵線為位于任一柵極在任一柵線上的正投影中的柵線。

      本步驟結(jié)束時(shí),襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-2所示,襯底基板11上依次形成有柵導(dǎo)電圖形12和柵絕緣層13(為了便于說(shuō)明,柵絕緣層13在圖3-2中以透明狀態(tài)示出,但這并非是對(duì)柵絕緣層13的限制),柵導(dǎo)電圖形中的多條柵線121、122和123沿預(yù)設(shè)方向a排布,指定柵線可以為預(yù)設(shè)方向a上位于多條柵線兩端的兩條柵線中的柵線121或柵線123。這樣半導(dǎo)體材料溶液池20就更容易將通道21的一端設(shè)置在指定柵線的柵極的流動(dòng)區(qū)域中。在圖3-2中,可以將柵極g所在的區(qū)域作為柵極的流動(dòng)區(qū)域。半導(dǎo)體材料溶液池20可以將通道21的一端設(shè)置在半導(dǎo)體材料溶液池20中,另一端設(shè)置在柵極g的流動(dòng)區(qū)域中。多條柵線的柵極在襯底基板上成行列排布。半導(dǎo)體材料溶液池20上還可以設(shè)置有引線22,引線22用于與控制電路連接。

      圖3-2中任一柵線(121、122或123)的任一柵極g的面積大于預(yù)設(shè)柵線121a的面積,預(yù)設(shè)柵線121a為位于任一柵極在該任一柵線上的正投影中的柵線(圖3-2中示出的預(yù)設(shè)柵線121a為柵線121最左側(cè)的第一個(gè)柵極g在柵線121上的投影中的一段柵線)。即將柵極的尺寸設(shè)置的比柵線大,以加強(qiáng)柵極對(duì)于半導(dǎo)體材料液滴的控制,避免半導(dǎo)體材料液滴不受控制的流動(dòng)。多條柵線的柵極在襯底基板上成行列排布。

      可選的,柵導(dǎo)電圖案中還可以包括第二電潤(rùn)濕電極圖案,第二電潤(rùn)濕電極圖案可以包括多個(gè)第二電潤(rùn)濕電極,多條柵線中任意相鄰的兩條柵線之間設(shè)置有第二電潤(rùn)濕電極,由于兩條柵線之間的距離可能較遠(yuǎn),在任意相鄰的兩條柵線之間設(shè)置第二電潤(rùn)濕電極能夠避免半導(dǎo)體材料液滴不受控制的流動(dòng)。

      如圖3-3所示,其為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種設(shè)置有第二電潤(rùn)濕電極圖案124的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖,第二電潤(rùn)濕電極圖案124包括第二電潤(rùn)濕電極1241和1242。由圖3-3可以看出,設(shè)置在柵線121和122之間的第二電潤(rùn)濕電極1241,以及設(shè)置在柵線122和123之間的第二電潤(rùn)濕電極1242,增加了方向a上用于控制半導(dǎo)體材料液滴的電極的密度,使得對(duì)于半導(dǎo)體材料液滴的控制更加穩(wěn)定。第二電潤(rùn)濕電極在絕緣層上的正投影區(qū)域可以為該第二電潤(rùn)濕電極的流動(dòng)區(qū)域。圖3-3中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2,在此不再贅述。

      需要說(shuō)明的是,圖3-3示出的襯底基板中,任意兩條相鄰的柵線之間設(shè)置的第二電潤(rùn)濕電極還可以有多個(gè),本發(fā)明實(shí)施例不作出限制。

      可選的,第二電潤(rùn)濕電極圖案為線柵偏振結(jié)構(gòu),第二電潤(rùn)濕電極圖案可以起到偏光片的效果。本發(fā)明實(shí)施例中,第二電潤(rùn)濕電極圖案可以作為相關(guān)技術(shù)中位于出光側(cè)的偏光片,這樣可以節(jié)省偏光片的使用,降低顯示面板的成本。

      如圖3-4所示,其為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種設(shè)置有第二電潤(rùn)濕電極圖案124的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖,其中,第二電潤(rùn)濕電極圖案124為線柵偏振結(jié)構(gòu),該線柵偏振結(jié)構(gòu)的具體參數(shù)可以參考相關(guān)技術(shù)中的偏光片。示例性的,在顯示面板的像素密度(英文:pixelsperinch;簡(jiǎn)稱:ppi)為300,則相鄰的兩條柵線之間的距離大約為80微米,則流動(dòng)區(qū)域的尺寸可以為4微米×5微米,線柵偏振結(jié)構(gòu)中一條“線”的寬度為250納米,“線”與“線”之間的距離也為250納米,則相鄰的兩條柵線之間可以設(shè)置160條線。并且相鄰的8條線上可制備一個(gè)與柵極尺寸大小相等的電極,用于控制半導(dǎo)體材料液滴流動(dòng)。圖3-4中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-3,在此不再贅述,

      步驟302、以多條柵線中的柵極作為第一電潤(rùn)濕電極,控制半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向形成有柵絕緣層的襯底基板,并在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴。

      由于本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)微流控技術(shù)來(lái)形成半導(dǎo)體層圖案,可以不使用光刻膠,因而半導(dǎo)體材料可以為有機(jī)半導(dǎo)體材料,這避免了相關(guān)技術(shù)中使用光刻工藝形成半導(dǎo)體層圖案時(shí),光刻膠可能污染有機(jī)材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題,同時(shí)也避免了使用噴墨打印技術(shù)形成半導(dǎo)體層圖案的成本較高的問(wèn)題。其中,半導(dǎo)體材料液滴的材料可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料,或有機(jī)半導(dǎo)體材料和聚合物高分子材料的混合物,其中有機(jī)半導(dǎo)體材料包括小分子半導(dǎo)體材料和高分子半導(dǎo)體材料;聚合物高分子材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(英文:pmma)和聚苯乙烯(英文:polystyrene;簡(jiǎn)稱:ps)。小分子半導(dǎo)體材料可以包括:并五苯、pbttt(英文:poly(2,5-bis(3-alkylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene))、btbt(英文:2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene)、dnnt(英文:dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene)和tes-adt(英文:5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene)。高分子半導(dǎo)體材料可以包括:3-己基噻吩的聚合物和pbttt(英文:poly(2,5-bis(3-hexadecyllthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene))。

      而為了避免半導(dǎo)體材料液滴過(guò)早的固化,半導(dǎo)體材料溶液的溶劑可以選用沸點(diǎn)較高的溶劑,比如二氯苯和三氯苯等。

      如圖3-5所示,本步驟可以包括下面兩個(gè)子步驟:

      子步驟3021、向指定柵線施加電壓,使半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中,并在多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中形成半導(dǎo)體材料液滴組。

      半導(dǎo)體材料溶液池相當(dāng)于一個(gè)電潤(rùn)濕電極,在向指定柵線施加電壓后,半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液會(huì)流向指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中。其中,多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中的流動(dòng)區(qū)域與半導(dǎo)體材料液滴組中的半導(dǎo)體材料液滴一一對(duì)應(yīng)。

      本步驟結(jié)束時(shí),襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-6所示,多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴y位于多個(gè)柵極g的流動(dòng)區(qū)域中,且流動(dòng)區(qū)域與半導(dǎo)體材料液滴y一一對(duì)應(yīng)。圖3-6是以指定柵線為柵線121為例進(jìn)行說(shuō)明。圖3-6中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-3,在此不再贅述。

      子步驟3022、以第一電潤(rùn)濕電極和第二電潤(rùn)濕電極控制半導(dǎo)體材料液滴組移動(dòng)到目標(biāo)柵線的柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域。

      在本發(fā)明實(shí)施例中,柵線和第二電潤(rùn)濕電極可以共同作為電潤(rùn)濕電極控制半導(dǎo)體材料液滴移動(dòng)。其中多條柵線中的柵極為第一電潤(rùn)濕電極,半導(dǎo)體材料液滴在襯底基板上移動(dòng)的方向和柵線在襯底基板上的排布方向是一致的,即某個(gè)電潤(rùn)濕電極(電潤(rùn)濕電極可以包括第一電潤(rùn)濕電極和第二電潤(rùn)濕電極)的流動(dòng)區(qū)域中的半導(dǎo)體材料液滴會(huì)沿著柵線在襯底基板上的排布方向向相鄰的電潤(rùn)濕電極的流動(dòng)區(qū)域中移動(dòng)。

      目標(biāo)柵線為當(dāng)前距離指定柵線最遠(yuǎn)且在柵極的流動(dòng)區(qū)域中未設(shè)置有半導(dǎo)體材料液滴的柵線,這樣可以避免半導(dǎo)體材料液滴相互阻擋。

      本發(fā)明實(shí)施例是通過(guò)微流控(英文:microfluidics)技術(shù)來(lái)對(duì)半導(dǎo)體材料液滴進(jìn)行控制的,微流控技術(shù)指的是使用微管道(尺寸為數(shù)十到數(shù)百微米)處理或操縱微小流體(體積為納升到阿升)的技術(shù),本發(fā)明中,多條柵線的陣列排布的柵極中,平行于多條柵線的排布方向的一列電潤(rùn)濕電極即可以認(rèn)為是微管道。

      如圖3-7所示,其為半導(dǎo)體材料液滴移動(dòng)到目標(biāo)柵線的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域的示意圖,其為控制如圖3-6所示的襯底基板上的半導(dǎo)體材料液滴的示意圖,在圖3-6中,指定柵線為121,半導(dǎo)體材料液滴y位于柵線121的柵極的流動(dòng)區(qū)域中,距離指定柵線121最遠(yuǎn)的柵線且在柵極的流動(dòng)區(qū)域中未設(shè)置有半導(dǎo)體材料液滴的目標(biāo)柵線為柵線123,如圖3-7所示,此時(shí)可以控制半導(dǎo)體材料液滴y沿著軌跡s移動(dòng)到柵線123的柵極的流動(dòng)區(qū)域中。每個(gè)柵線(121、122或123)和第二電潤(rùn)濕電極(1241和1242)均可以在襯底基板的邊緣設(shè)置單獨(dú)的接口,該接口用于與控制電路30連接,控制電路30可以由邏輯電路構(gòu)成,用于向柵線(121、122或123)和第二電潤(rùn)濕電極(1241和1242)施加電壓,以控制半導(dǎo)體材料液滴的移動(dòng)??刂齐娐?0還可以通過(guò)引線22與半導(dǎo)體材料溶液池20電連接。

      此外,柵線連接的控制電路可以為陣列基板行驅(qū)動(dòng)(英文:gatedriveronarray;簡(jiǎn)稱:goa)電路,第二電潤(rùn)濕電極連接的控制電路也可以是goa電路。md可以為微管道。

      圖3-7中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-6,在此不再贅述。

      如圖3-8所示,本步驟可以包括下面一個(gè)子步驟:

      子步驟30221、在指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域中的半導(dǎo)體材料液滴組移動(dòng)出指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域時(shí),向指定柵線施加電壓,控制半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料溶液流向指定柵線中柵極的多個(gè)流動(dòng)區(qū)域。

      這樣能夠連續(xù)不斷的移動(dòng)半導(dǎo)體材料液滴至目標(biāo)柵線的柵極的流動(dòng)區(qū)域,加快半導(dǎo)體圖案的形成速度。

      以圖3-6所示的襯底基板為例,在本步驟中,電潤(rùn)濕電極上所施加的電壓與時(shí)間的關(guān)系圖可以如圖3-9所示,其示出了半導(dǎo)體材料溶液池20、柵線121、柵線122和第二電潤(rùn)濕電極1241的電壓示意圖,橫向從左到右代表時(shí)間的增長(zhǎng),矩形凸起代表處于較高電位,未凸起時(shí)間段代表處于較低電位(半導(dǎo)體材料溶液池20始終處于較低的電位)。通過(guò)這種控制方式,能夠源源不斷的將半導(dǎo)體材料溶液池中的半導(dǎo)體材料液滴移動(dòng)到目的柵線的柵極的流動(dòng)區(qū)域。

      步驟302結(jié)束時(shí),襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖3-10所示,每個(gè)柵線的柵極的流動(dòng)區(qū)域均形成有半導(dǎo)體材料液滴。圖3-10中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-6,在此不再贅述。

      步驟302結(jié)束后,可以將半導(dǎo)體材料溶液池與襯底基板分離。

      步驟303、加熱形成有多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴的襯底基板,使多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴固化。

      加熱溫度可以為80攝氏度,加熱時(shí)間可以為30分鐘。固化后的所述多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴形成半導(dǎo)體層圖案。

      步驟304、在形成有半導(dǎo)體層圖案的襯底基板上形成絕緣層。

      步驟305、在形成有絕緣層的襯底基板上形成公共電極圖案,公共電極圖案與第二電潤(rùn)濕電極構(gòu)成觸控電極。

      本步驟結(jié)束時(shí),襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-11所示,其中,公共電極c形成于襯底基板11上,公共電極c由透明導(dǎo)電材料制成,該透明導(dǎo)電材料可以為氧化銦錫(英文:indiumtinoxide;簡(jiǎn)稱:ito)。圖3-11中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-6,在此不再贅述。公共電極c可以和第二電潤(rùn)濕電極(1241和1242)構(gòu)成互容式的觸控電極,以實(shí)現(xiàn)觸控功能。觸控功能的實(shí)現(xiàn)可以參考相關(guān)技術(shù),在此不再贅述。

      綜上所述,本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板制造方法,通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成半導(dǎo)體層圖案,無(wú)需使用光刻膠。解決了相關(guān)技術(shù)中由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題。達(dá)到了可以使用各種半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層圖案的效果。

      下述為本公開(kāi)裝置實(shí)施例,可以用于執(zhí)行本公開(kāi)方法實(shí)施例。對(duì)于本公開(kāi)裝置實(shí)施例中未披露的細(xì)節(jié),請(qǐng)參照本公開(kāi)方法實(shí)施例。

      圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖,該顯示面板的制造設(shè)備用于使用圖2所示的方法或圖3-1所示的方法制造顯示面板,該顯示面板的制造設(shè)備包括:

      半導(dǎo)體材料溶液池20和控制電路30,控制電路30與半導(dǎo)體材料溶液池20電連接。

      控制電路30用于通過(guò)微流控技術(shù)控制半導(dǎo)體材料溶液池20中的半導(dǎo)體材料溶液在襯底基板11(襯底基板11可以不包括在本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的制造設(shè)備中)上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴,固化處理后的多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴為半導(dǎo)體層圖案。

      可選的,襯底基板11上依次設(shè)置有柵導(dǎo)電圖形和柵絕緣層,多個(gè)半導(dǎo)體材料液滴設(shè)置在設(shè)置有柵絕緣層的襯底基板上,柵導(dǎo)電圖形包括多條柵線。

      控制電路分別與多條柵線連接。

      可選的,顯示面板上設(shè)置有陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50,控制電路30可以設(shè)置在陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50中,即在形成陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50時(shí),可以將控制電路30直接形成于陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50中,該控制電路30可以在形成半導(dǎo)體層圖案時(shí)控制柵線的電壓以移動(dòng)半導(dǎo)體材料液滴。

      此外,控制電路30也可以一部分設(shè)置在陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50中,另一部分設(shè)置在外部電路板中,示例性的,控制電路30中用于控制第一電潤(rùn)濕電極的控制電路可以設(shè)置在陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路50中,而用于控制第二電潤(rùn)濕電極的控制電路可以設(shè)置在外部電路板中。

      可選的,該顯示面板的制造設(shè)備還包括卡槽40,該卡槽40用于設(shè)置襯底基板11。

      圖4中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-7,在此不再贅述。

      綜上所述,本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板制造設(shè)備,通過(guò)微流控技術(shù)在襯底基板上形成半導(dǎo)體層圖案,無(wú)需使用光刻膠。解決了相關(guān)技術(shù)中由于光刻膠可能污染有機(jī)半導(dǎo)體材料,因而無(wú)法用傳統(tǒng)的光刻工藝形成由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層圖案的問(wèn)題。達(dá)到了可以使用各種半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層圖案的效果。

      此外。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板,顯示面板包括圖2所示的方法或圖3-1所示的方法制造的顯示面板。

      本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)硬件來(lái)完成,也可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成,所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中,上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器,磁盤(pán)或光盤(pán)等。

      以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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