本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種像素界定層及其制造方法、顯示基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(英文：organiclight-emittingdiode；簡稱：oled)顯示面板是由玻璃基板上依次形成陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)材料膜層、電子傳輸層、電子注入層和陰極等制作完成。其中，有機(jī)材料膜層可以使用噴墨打印技術(shù)制造而成。在使用噴墨打印技術(shù)制造有機(jī)材料膜層時，需要先在玻璃基板上形成像素界定層，然后將有機(jī)發(fā)光材料的溶液噴墨到形成有像素界定層的玻璃基板上，以形成有機(jī)材料膜層。

相關(guān)技術(shù)中，像素界定層由含氟樹脂材料制成，并在制造過程中對該含氟樹脂材料進(jìn)行烘烤處理，在該處理過程中，含氟樹脂材料中的含氟成分上移至像素界定層的上部，形成具有一定厚度的含氟層，該含氟層具有較好的疏液性，含氟層以下的像素界定層的下部具有較好的親液性。噴墨打印時，親液性的像素界定層下部對溶解有有機(jī)發(fā)光材料的溶液有吸引作用，使像素區(qū)域內(nèi)形成厚度均一的有機(jī)材料膜層，疏液性的像素界定層上部對溶解有有機(jī)發(fā)光材料的溶液有排斥作用，以避免溶液被噴墨到相鄰像素區(qū)域中。

但是，含氟成分只上移至像素界定層的上部，沒有或者很少上移到像素界定層的側(cè)表面，因此，噴墨時溶液在該側(cè)表面上會有一定程度的攀爬，從而影響溶液在像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決相關(guān)技術(shù)中有機(jī)發(fā)光材料的溶液在像素界定層斜面上的攀爬影響溶液在像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性的問題，本發(fā)明實施例提供了一種像素界定層及其制造方法、顯示基板、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種像素界定層的制造方法，所述方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層；

去除覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使所述親液層的側(cè)表面裸露；

其中，所述親液層對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有吸引性，所述疏液層對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性。

可選地，所述疏液層包括所述表面覆蓋層，

所述在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，包括：

在所述襯底基板上形成親液材料層；

對所述親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，得到所述親液層和覆蓋所述親液層上表面和側(cè)表面的疏液層。

可選地，所述對所述親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，包括：

在所述親液材料層裸露的表層上形成反應(yīng)涂層，使所述反應(yīng)涂層與所述親液材料層反應(yīng)，以得到所述疏液層。

可選地，所述疏液層包括所述表面覆蓋層，

所述在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，包括：

在所述襯底基板上依次形成第一親液材料層和覆蓋所述第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層，所述第一親液材料層和所述第二親液材料層的材料不同；

在所述第二親液材料層裸露的表層形成用于與所述第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層，使所述反應(yīng)涂層與所述第二親液材料層的表層反應(yīng)；

其中，所述第一親液材料層和未與所述反應(yīng)涂層反應(yīng)的所述第二親液材料層的底層構(gòu)成所述親液層，與所述反應(yīng)涂層反應(yīng)后的所述第二親液材料層的表層為所述疏液層。

可選地，所述在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，包括：

在所述襯底基板上依次形成第一親液材料層和覆蓋所述第一親液材料層上表面的第二親液材料層，所述第一親液材料層和所述第二親液材料層的材料不同；

在所述第一親液材料層的側(cè)表面形成所述表面覆蓋層；

在所述第二親液材料層裸露的表層形成用于與所述第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層，使所述反應(yīng)涂層與所述第二親液材料層的表層反應(yīng)；

其中，所述第一親液材料層和未與所述反應(yīng)涂層反應(yīng)的所述第二親液材料層的底層構(gòu)成所述親液層，與所述反應(yīng)涂層反應(yīng)后的所述第二親液材料層的表層為所述疏液層。

可選地，所述第二親液材料層由二氧化硅制成，所述反應(yīng)涂層由氟化氫制成。

可選地，所述第二親液材料層的厚度為0.1至0.5微米。

可選地，所述第一親液材料層由聚酰亞胺制成。

可選地，所述裸露的側(cè)表面的高度為0.5微米。

可選地，所述在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，包括：

在所述襯底基板上形成親液材料層；

在所述親液材料層的側(cè)表面的下半部分設(shè)置所述表面覆蓋層；

對所述親液材料層裸露的表層進(jìn)行表面疏液處理，使得所述親液材料層裸露的表層形成所述疏液層，所述親液材料層未裸露的底層形成所述親液層，以在所述襯底基板上形成親液層、覆蓋所述親液層的上表面的疏液層和覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層。

可選地，所述去除覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，包括：

剝離覆蓋所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層；

或者，通過刻蝕工藝去除所述親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層。

第二方面，提供了一種像素界定層，所述像素界定層由第一方面所述的方法制成。

第三方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層為第二方面所述的像素界定層。

第四方面，提供了一種顯示裝置，包括：第三方面所述的顯示基板。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明實施例提供的像素界定層及其制造方法、顯示基板、顯示裝置，通過在襯底基板上形成親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露，使得制造的像素界定層中包括疏液層，該疏液層的上表面和側(cè)表面均對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性，減小了噴墨時溶液在該側(cè)表面上的攀爬程度，進(jìn)而減小了對像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性的影響。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1-1是相關(guān)技術(shù)中一種像素界定層的局部放大圖；

圖1-2是圖1-1所示的像素界定層的制造流程示意圖；

圖1-3是圖1-1所示的像素界定層對應(yīng)的像素的輪廓示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種像素界定層的制造方法的流程圖；

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成親液層，并對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，以得到覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層的方法流程圖；

圖3-2是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成親液材料層，并在形成有親液材料層的襯底基板上形成疏液層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-1是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一親液材料層、覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層和第二親液材料層裸露的表層的反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層的方法流程圖；

圖4-2是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一親液材料層和覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-1是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一親液材料層、覆蓋第一親液材料層上表面的第二親液材料層、第一親液材料層側(cè)表面的表面覆蓋層和反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層的方法流程圖；

圖5-2是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一親液材料層、覆蓋第一親液材料層上表面的第二親液材料層、在第一親液材料層的側(cè)表面形成的表面覆蓋層和在第二親液材料層裸露的表層形成用于與第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6-1是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成親液材料層，在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層，并對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層的方法流程圖；

圖6-2是本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成親液材料層、在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層和在親液材料層裸露的表層形成的疏液材料層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7-1是本發(fā)明實施例提供的一種通過刻蝕工藝去除圖3-2中的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7-2是本發(fā)明實施例提供的一種通過刻蝕工藝去除圖4-2中的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7-3是本發(fā)明實施例提供的一種剝離了圖5-2中覆蓋在親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7-4是本發(fā)明實施例提供的一種剝離了圖6-2中在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

有機(jī)電致發(fā)光器件顯示器相對于液晶顯示器具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷和輕薄等優(yōu)點(diǎn)，制造有機(jī)電致發(fā)光器件中的膜層的方法主要有蒸鍍制程和溶液制程兩種。蒸鍍制程適用于有機(jī)小分子材料的成膜，具有成膜均勻性好和技術(shù)相對成熟的優(yōu)點(diǎn)。溶液制程包括旋涂、噴墨打印、噴嘴涂覆和絲網(wǎng)印刷等方法，其中，由于噴墨打印技術(shù)的材料利用率較高，以及在大尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn)上具有突出的優(yōu)勢等優(yōu)點(diǎn)，其被廣泛應(yīng)用于大尺寸的有機(jī)電致發(fā)光器件顯示器的制造過程中。在使用噴墨打印技術(shù)制造有機(jī)材料膜層時，需要先在玻璃基板上形成像素界定層，然后將有機(jī)發(fā)光材料的溶液噴墨到形成有像素界定層的玻璃基板上，以形成有機(jī)材料膜層。

相關(guān)技術(shù)中，像素界定層的結(jié)構(gòu)主要有兩種，一方面，像素界定層由一個膜層構(gòu)成，該像素界定層由含氟材料制成，其上表面表現(xiàn)為疏液性，其余部分表現(xiàn)為親液性，其局部放大圖請參考圖1-1，其中，1為表現(xiàn)為疏液性的像素界定層部分，2為表現(xiàn)為親液性的像素界定層部分。該像素界定層的制造過程請參考圖1-2，其中，黑點(diǎn)表示含氟材料中的含氟成分，且黑點(diǎn)的密度表示含氟成分的濃度，在制造過程中含氟成分在烘烤作用下會上移至像素界定層的上表面，使得像素界定層的上表面表現(xiàn)為疏液性，其余部分表現(xiàn)為親液性；另一方面，像素界定層由層疊的兩個膜層構(gòu)成，下層由親液性材料(無機(jī)或其他有機(jī)材料)制成，上層由疏液性的含氟樹脂材料制成，在該像素界定層的制造過程中，烘烤也會使上層中的含氟樹脂材料的含氟成分上移至上層的上表面，使得上表面表現(xiàn)為疏液性，其余部分表現(xiàn)為親液性。在上述相關(guān)技術(shù)中，由于像素界定層的上表面表現(xiàn)為疏液性，其余部分表現(xiàn)為親液性，也即是，像素界定層的側(cè)表面的疏液性不夠，因此，噴墨打印時，墨水在像素界定層的側(cè)表面會有一定程度的攀爬(如圖1-1中的虛線所示)，進(jìn)而導(dǎo)致在像素界定層對應(yīng)的像素區(qū)域中形成的膜厚達(dá)不到預(yù)定值，且像素內(nèi)部的均勻性不好且像素輪廓呈u形(如圖1-3中的曲線所示，圖中的尺寸為像素的相關(guān)尺寸)。

針對相關(guān)技術(shù)存在的以上問題，本發(fā)明實施例提供了一種像素界定層的制造方法，如圖2所示，該方法可以包括：

步驟101、提供襯底基板。

步驟102、在襯底基板上形成親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層。

步驟103、去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露。

其中，親液層對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有吸引性，疏液層對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的像素界定層的制造方法，通過在襯底基板上形成親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露，使得制造的像素界定層中包括疏液層，該疏液層的上表面和側(cè)表面均對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性，減小了噴墨時溶液在該側(cè)表面上的攀爬程度，減小了對像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性的影響。

在步驟步驟101中，襯底基板可以為由玻璃、硅片、石英以及塑料等具有一定堅固性的導(dǎo)光的且非金屬材料制成的基板，通常為透明基板，該襯底基板的材料優(yōu)選為玻璃。

在步驟102中，在襯底基板上形成親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層的過程，可以有多種可實現(xiàn)方式，本發(fā)明實施例以以下四種可實現(xiàn)方式為例對其形成過程進(jìn)行說明。

第一種可實現(xiàn)方式，在襯底基板上形成親液層，并對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，以得到覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，如圖3-1所示，該過程可以包括：

步驟1021a、在襯底基板上形成親液材料層。

可選地，親液材料層可以由聚酰亞胺(英文：polyimide；簡稱：pi)制成，或者，也可以由二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種。

示例地，當(dāng)親液材料層由pi制成時，可以在襯底基板上涂覆一層具有一定厚度的pi，得到pi膜層，然后對pi膜層進(jìn)行曝光、顯影和烘烤等處理得到具有一定圖形的親液材料層。

示例地，當(dāng)親液材料層由二氧化硅和氮化硅等無機(jī)親液材料中的任意一種制成時，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；簡稱：pecvd)等方法在襯底基板上沉積一層具有一定厚度的親液材料，得到親液材料膜層，然后通過構(gòu)圖工藝對親液材料膜層進(jìn)行處理得到具有一定圖形的親液材料層。其中，構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

步驟1022a、對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，得到親液層和覆蓋親液層上表面和側(cè)表面的疏液層。

其中，對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理的過程，可以包括：

在親液材料層裸露的表層上形成反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與親液材料層反應(yīng)，以得到疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層。或者，在親液材料層裸露的表層上形成疏液材料層，該疏液材料層由疏液材料制成，該形成的疏液材料層即為疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層。其中，可以使用噴涂的方式將反應(yīng)涂層的材料噴涂在親液材料層裸露的表層上，以形成具有一定厚度的反應(yīng)涂層，該反應(yīng)涂層與親液材料層反應(yīng)能夠得到疏液層。疏液材料可以為氟化聚甲基丙烯酸甲酯或聚硅氧烷等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有排斥性的材料。

示例地，請參考圖3-2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板011上形成親液材料層012，并在形成有親液材料層012的襯底基板011上形成疏液層013后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，親液材料層012和疏液材料層013的厚度的取值范圍可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

第二種可實現(xiàn)方式，在襯底基板上形成第一親液材料層、覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層和第二親液材料層裸露的表層的反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，如圖4-1所示，該過程可以包括：

步驟1021b、在襯底基板上依次形成第一親液材料層和覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層。

其中，第一親液材料層可以由pi、二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種材料制成，第二親液材料層也可以由pi、二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種材料制成，且該第二親液材料層的材料與第一親液材料層的材料不同?？蛇x地，第二親液材料層的厚度可以為0.1微米至0.5微米。示例地，當(dāng)?shù)谝挥H液材料層由pi制成時，第二親液材料層可以由二氧化硅制成。

在襯底基板上形成第一親液材料層的過程，和在形成有第一親液材料層的襯底基板上形成覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層的過程，可以相應(yīng)參考步驟1021a中在襯底基板上形成親液材料層的過程，此處不再贅述。

步驟1022b、在第二親液材料層裸露的表層形成用于與第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)。

其中，第一親液材料層和未與反應(yīng)涂層反應(yīng)的第二親液材料層的底層構(gòu)成親液層，與反應(yīng)涂層反應(yīng)后的第二親液材料層的表層為疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層。

可選地，當(dāng)?shù)诙H液材料層由二氧化硅制成時，反應(yīng)涂層可以由氟化氫制成，可以使用噴涂的方式將氟化氫的水溶液噴涂在親液材料層裸露的表層上，以形成具有一定厚度的氟化氫層，該氟化氫層能夠與二氧化硅制成的親液材料層反應(yīng)，且兩者反應(yīng)后生成的硅氟化合物的接觸角約為70度，其對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性，該反應(yīng)后生成的硅氟化合物形成的膜層即為疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層，第一親液材料層和未與氟化氫反應(yīng)的第二親液材料層公共構(gòu)成親液層。

示例地，請參考圖4-2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板021上形成第一親液材料層022和覆蓋第一親液材料層022上表面和側(cè)表面的第二親液材料層023后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，第一親液材料層022和第二親液材料層023的厚度的取值范圍可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。實際應(yīng)用中，第二親液材料層裸露的表層上還應(yīng)該包括反應(yīng)涂層，由于反應(yīng)涂層的厚度很薄，且反應(yīng)涂層與第二親液材料層反應(yīng)后可以視為一層，因此，圖4-2中未示出反應(yīng)涂層。

第三種可實現(xiàn)方式，在襯底基板上形成第一親液材料層、覆蓋第一親液材料層上表面的第二親液材料層、第一親液材料層側(cè)表面的表面覆蓋層和反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，如圖5-1所示，該過程可以包括：

步驟1021c、在襯底基板上依次形成第一親液材料層和覆蓋第一親液材料層上表面的第二親液材料層。

其中，第一親液材料層可以由pi、二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種材料制成，第二親液材料層也可以由pi、二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種材料制成，且該第二親液材料層的材料與第一親液材料層的材料不同。

在襯底基板上形成第一親液材料層的過程，以及在形成有第一親液材料層的襯底基板上形成覆蓋第一親液材料層上表面的第二親液材料層的過程，可以相應(yīng)參考步驟1021a中在襯底基板上形成親液材料層的過程，此處不再贅述。

步驟1022c、在第一親液材料層的側(cè)表面形成表面覆蓋層。

該形成的表面覆蓋層能夠?qū)Φ谝挥H液材料層的側(cè)表面形成遮擋，以便于對覆蓋在第一親液材料層上表面的第二親液材料層進(jìn)行處理時，第一親液材料層的側(cè)表面不會受到處理過程的影響。該表面覆蓋層的材料需要根據(jù)對第二親液材料層進(jìn)行處理的處理方式進(jìn)行確定，只要處理方式不會對該表面覆蓋層產(chǎn)生影響即可。例如，當(dāng)對第二親液材料層的處理為在第二親液材料層上形成反應(yīng)涂層，使該反應(yīng)涂層與第二親液材料層反應(yīng)時，該表面覆蓋層由不與該反應(yīng)涂層反應(yīng)的材料制成。

示例地，當(dāng)表面覆蓋層的材料為無機(jī)材料時，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者pecvd等方法在形成有第二親液材料層的襯底基板上沉積一層具有一定厚度的無機(jī)材料，得到表面覆蓋膜層，然后通過構(gòu)圖工藝對表面覆蓋膜層進(jìn)行處理得到具有一定圖形的表面覆蓋層，使該表面覆蓋層覆蓋在第一親液材料層的側(cè)表面上。其中，構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

示例地，當(dāng)表面覆蓋層的材料為有機(jī)材料時，可以在形成有第二親液材料層的襯底基板上涂覆一層具有一定厚度的無機(jī)材料，得到表面覆蓋膜層，然后對表面覆蓋膜層進(jìn)行曝光、顯影和烘烤等處理得到具有一定圖形的表面覆蓋層，使得該表面覆蓋層覆蓋在第一親液材料層的側(cè)表面上。

步驟1023c、在第二親液材料層裸露的表層形成用于與第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)。

其中，第一親液材料層和未與反應(yīng)涂層反應(yīng)的第二親液材料層的底層構(gòu)成親液層，與反應(yīng)涂層反應(yīng)后的第二親液材料層的表層為疏液層。

可選地，在第二親液材料層裸露的表層形成用于與第二親液材料層反應(yīng)的反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)的過程，可以相應(yīng)參考步驟1022b的實現(xiàn)過程，此處不再贅述。

示例地，請參考圖5-2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板031上形成第一親液材料層032、覆蓋第一親液材料層032上表面的第二親液材料層033、在第一親液材料層032的側(cè)表面形成的表面覆蓋層034和在第二親液材料層033裸露的表層形成用于與第二親液材料層033反應(yīng)的反應(yīng)涂層035(虛線所示涂層)后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，第一親液材料層032、第二親液材料層033、表面覆蓋層034和反應(yīng)涂層035的厚度的取值范圍均可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

第四種可實現(xiàn)方式，在襯底基板上形成親液材料層，在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層，并對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理，以得到親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，如圖6-1所示，該過程可以包括：

步驟1021d、在襯底基板上形成親液材料層。

可選地，親液材料層可以由pi、二氧化硅和氮化硅等對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性的材料中的任意一種。

在襯底基板上形成親液材料層的過程，可以相應(yīng)參考步驟1021a中在襯底基板上形成親液材料層的過程，此處不再贅述。

步驟1022d、在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層。

可選地，親液材料層的側(cè)表面的下半部分可以是距離襯底基板的高度為0.5微米的親液材料層部分。在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層的過程可以相應(yīng)參考步驟1022c中在第一親液材料層的側(cè)表面形成表面覆蓋層的過程，此處不再贅述。

步驟1023d、對親液材料層裸露的表層進(jìn)行表面疏液處理，使得親液材料層裸露的表層形成疏液層，親液材料層未裸露的底層形成親液層。

對親液材料層裸露的表層進(jìn)行表面疏液處理后，就能夠在襯底基板上形成親液層和覆蓋親液層的上表面的疏液層?？蛇x地，對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理的過程，可以包括：在親液材料層裸露的表層上形成反應(yīng)涂層，使反應(yīng)涂層與親液材料層反應(yīng)，以得到疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層?；蛘?，在親液材料層裸露的表層上形成疏液材料層，該疏液材料層由疏液材料制成，該形成的疏液材料層即為疏液層，該疏液層包括表面覆蓋層。

示例地，請參考圖6-2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板041上形成親液材料層042、在親液材料層042的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層043和在親液材料層042裸露的表層形成的疏液材料層044后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，親液材料層042、表面覆蓋層043和疏液材料層044的厚度的取值范圍可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

在步驟103中，去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露的過程，可以包括：剝離覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，或者，通過刻蝕工藝去除親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層。其中，裸露的側(cè)表面的高度可以為0.5微米，刻蝕工藝可以為干刻工藝。

該兩種去除的方法可以根據(jù)實際情況選擇執(zhí)行，示例地，當(dāng)疏液處理為親液層的側(cè)表面與反應(yīng)涂層反應(yīng)時，或者，疏液處理為覆蓋第一親液材料層上表面和側(cè)表面的第二親液材料層與反應(yīng)涂層反應(yīng)時，可以選擇使用刻蝕工藝去除覆蓋在親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層；當(dāng)在第一親液材料層的側(cè)表面形成表面覆蓋層，再使反應(yīng)涂層與第二親液材料層的表層反應(yīng)，或者，在親液材料層的側(cè)表面的下半部分形成表面覆蓋層，再對親液材料層裸露的表層進(jìn)行疏液處理時，可以選擇使用剝離的方法以去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層。

示例地，請參考圖7-1，圖7-1為通過刻蝕工藝去除圖3-2中的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖3-2中的親液材料層012的表層上形成了疏液材料層013，表面覆蓋層為親液材料層012側(cè)表面上高度為0.5微米的疏液材料層013，經(jīng)過刻蝕工藝后，親液材料層012為圖7-1所示的像素界定層中親液層014，刻蝕后剩下的疏液材料層013為圖7-1所示的像素界定層中的疏液層015。

示例地，請參考圖7-2，圖7-2為通過刻蝕工藝去除圖4-2中的表面覆蓋層后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖4-2中第一親液材料層022的上表面和側(cè)表面形成了第二親液材料層023，且該第二親液材料層023部分與反應(yīng)涂層發(fā)生了反應(yīng)，反應(yīng)后的第二親液材料層023的表層為疏液層，該疏液層在親液材料層012側(cè)表面上高度為0.5微米的膜層部分為表面覆蓋層，經(jīng)過刻蝕工藝后，第一親液材料層022和未與反應(yīng)涂層反應(yīng)的第二親液材料層023的底層構(gòu)成圖7-2所示的像素界定層中親液層024，刻蝕后剩下的疏液層為圖7-2所示的像素界定層中的疏液層025。

示例地，請參考圖7-3，圖7-3為剝離了圖5-2中覆蓋在親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層034后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖5-2中第一親液材料層032的上表面形成了第二親液材料層033，且該第二親液材料層023全部與反應(yīng)涂層發(fā)生了反應(yīng)，反應(yīng)后的第二親液材料層033表現(xiàn)為疏液性，剝離表面覆蓋層后，第一親液材料層032為圖7-3所示的像素界定層中親液層036，反應(yīng)后的第二親液材料層033為圖7-3所示的像素界定層中的疏液層037。

示例地，請參考圖7-4，圖7-4為剝離了圖6-2中在親液材料層042的側(cè)表面的下半部分形成的表面覆蓋層043后的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖6-2中的親液材料層042裸露的表層形成的疏液材料層044，剝離表面覆蓋層043后，親液材料層042為圖7-4所示的像素界定層中親液層045，親液材料層042裸露的表層形成的疏液材料層044為圖7-4所示的像素界定層中的疏液層046。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的像素界定層的制造方法，通過在襯底基板上形成親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，去除覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露，使得制造的像素界定層中包括疏液層，該疏液層的上表面和側(cè)表面均對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性，減小了噴墨時溶液在該側(cè)表面上的攀爬程度，減小了對像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性和像素輪廓的影響，并且可以按照需求控制噴墨口的高度，同時，由于減小了溶液在側(cè)表面上的攀爬高度，可以使用在誤差范圍內(nèi)計算出的墨水量打印出預(yù)設(shè)厚度的膜層，進(jìn)而改善打印效果。

需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的像素界定層的制造方法步驟的先后順序可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進(jìn)行相應(yīng)增減。任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，因此不再贅述。

本發(fā)明實施例提供了一種像素界定層，該像素界定層的結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖7-1至圖7-4，該像素界定層由圖2或圖3所示的像素界定層的制造方法制成。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的像素界定層，包括在襯底基板上的親液層、覆蓋親液層的上表面的疏液層和覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，去除了覆蓋親液層的側(cè)表面的表面覆蓋層，使親液層的側(cè)表面裸露，使得像素界定層中包括疏液層，該疏液層的上表面和側(cè)表面均對溶解有有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液具有排斥性，減小了噴墨時溶液在該側(cè)表面上的攀爬程度，減小了對像素區(qū)域內(nèi)的成膜均一性的影響。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板，該顯示基板可以包括：襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的像素界定層，該像素界定層為圖7-1至圖7-4所示的像素界定層。

實際應(yīng)用中，顯示基板上至少還可以包括：設(shè)置在襯底基板和像素界定層之間的陽極和設(shè)置在像素界定層上的陰極。并且，該顯示基板用于構(gòu)成oled顯示面板，該oled顯示面板可以包括：本發(fā)明實施例提供的顯示基板以及扣置在顯示基板的陰極上的蓋板。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，可以包括上述oled顯示面板，該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。