本發(fā)明涉及顯示裝置領域，特別涉及一種oled顯示基板及oled顯示裝置。

背景技術：

目前常見的顯示裝置有被動發(fā)光顯示裝置(如液晶顯示裝置)和主動發(fā)光顯示裝置(如oled(organiclightemittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示裝置)，由于主動發(fā)光顯示裝置不需要設置背光板，相比被動發(fā)光顯示裝置具有厚度小，功耗低，響應速度快等優(yōu)勢，因此主動發(fā)光顯示裝置具有更大的市場競爭力。

在oled顯示裝置中，通常包括陣列布置的多個像素，每一個像素都包括并排布置的三個子像素，三個子像素分別發(fā)出不同顏色的光，通過控制同一個像素中的三個子像素的發(fā)光亮度，就可以使像素顯示出不同的顏色。通常，三個子像素中的一個子像素用于發(fā)射紅光，一個子像素用于發(fā)射藍光，另一個用于發(fā)射綠光。每個子像素均包括陽極、發(fā)光層和陰極。陽極提供的空穴和陰極提供的電子在發(fā)光層形成激子，當激子落入基態(tài)時發(fā)出預定波長的光。根據發(fā)光層的材料特性的不同，可以形成紅光、綠光和藍光。

但是，由于每個子像素都需要獨立驅動，所以需要設置像素定義層等隔離結構和tft陣列等驅動結構，這導致開口率較低。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有的oled顯示基板的開口率較低的問題，本發(fā)明實施例提供了一種oled顯示基板及oled顯示裝置。所述技術方案如下：

一方面，本發(fā)明實施例提供了一種oled顯示基板，所述oled顯示基板包括陣列布置的多個像素，每個像素包括兩個子像素，所述兩個子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括堆疊設置的第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，所述第二子像素包括第三發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元用于發(fā)射不同顏色的光。

在一種實施方式中，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的一個用于發(fā)射紅光，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的另一個用于發(fā)射藍光，所述第三發(fā)光單元用于發(fā)射綠光。

優(yōu)選地，所述第一子像素的發(fā)光面積大于所述第二子像素的發(fā)光面積。。

在另一種實施方式中，所述第二子像素還包括第四發(fā)光單元，所述第四發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元堆疊設置，所述第四發(fā)光單元用于發(fā)射的光的顏色與所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元以及所述第三發(fā)光單元中任意一個發(fā)射的光的顏色相同，或者所述第四發(fā)光單元用于發(fā)射的光的顏色與所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元以及所述第三發(fā)光單元中任意一個發(fā)射的光的顏色均不相同。

可選地，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的一個用于發(fā)射紅光，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的另一個用于發(fā)射藍光，所述第三發(fā)光單元和所述第四發(fā)光單元中的一個用于發(fā)射綠光，所述第三發(fā)光單元和所述第四發(fā)光單元中的另一個用于發(fā)射藍光。

可選地，所述第一發(fā)光單元用于發(fā)射紅光，所述第二發(fā)光單元和所述第四發(fā)光單元用于發(fā)射藍光，所述第三發(fā)光單元用于發(fā)射綠光，且所述第二發(fā)光單元和所述第四發(fā)光單元位于所述第一發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元的同側。

可選地，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的一個用于發(fā)射紅光，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元中的另一個用于發(fā)射綠光，所述第三發(fā)光單元用于發(fā)射藍光。

在一種實施方式中，所述第一發(fā)光單元包括依次堆疊的第一陽極、第一發(fā)光層和第一陰極，所述第二發(fā)光單元包括依次堆疊在所述第一陰極上的第二陽極、第二發(fā)光層和第二陰極。

進一步地，任意一個第一子像素中，所述第二陽極和所述第一陰極與同一薄膜晶體管連接，所述第一陽極和所述第二陰極與同一信號線連接。

更進一步地，所述信號線用于輸入交流信號，所述交流信號的頻率不小于30hz。

可選地，所述第一陽極采用ag制成，所述第二陰極采用au制成。

可選地，所述第一陽極的厚度為2～5nm，所述第二陰極的厚度為5～10nm。

另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種oled顯示裝置，所述顯示裝置包括前述任一種oled顯示基板。

本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：一方面，在相同的分辨率的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發(fā)光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現(xiàn)有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種oled顯示基板的結構示意圖；

圖2a是圖1中的oled顯示基板的一個像素的一個實施例的放大結構示意圖；

圖2b是圖2a中的像素的層級結構示意圖；

圖2c是傳統(tǒng)的oled顯示基板的一個像素的結構示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的第一子像素的截面結構示意圖；

圖4a-4e顯示了本發(fā)明實施例提供一個像素的不同的驅動信號的波形示意圖；

圖5a-5e顯示了圖2a-2b中的第一子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發(fā)光的光譜圖；

圖6a-6e顯示了圖2a-2b中的第二子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發(fā)光的光譜圖；

圖7a是本發(fā)明實施例提供的一個像素的另一實施例的放大結構示意圖；

圖7b是圖7a中的像素的層級結構示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的一個像素的又一實施例的放大結構示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種oled顯示基板的結構示意圖，如圖1所示，oled顯示基板100包括陣列布置的多個像素200，每個像素200均包括二個子像素，這兩個子像素分別為第一子像素210和第二子像素220。

圖2a是圖1中的oled顯示基板的一個像素的一個實施例的放大結構示意圖，圖2b是圖2a的層級結構示意圖。如圖2a和圖2b所示，第一子像素210包括堆疊設置的第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212，第二子像素220包括堆疊設置的第三發(fā)光單元213和第四發(fā)光單元214。其中，第一發(fā)光單元211、第二發(fā)光單元212和第三發(fā)光單元213用于發(fā)射不同顏色的光，第四發(fā)光單元214發(fā)射的光的顏色可以與第一至第三發(fā)光單元中任意一個發(fā)射的光的顏色相同。也就是說，在本實施例中，每個像素200中設有四個發(fā)光單元，這四個發(fā)光單元兩兩堆疊設置。

如圖2a所示，本發(fā)明實施例的像素區(qū)域(如圖1和圖2a中的虛線框所示)呈矩形，且長度為l，寬度為p，第一子像素的發(fā)光區(qū)域也為矩形，長度為l1，寬度為p1，第二子像素的發(fā)光區(qū)域也為矩形，長度為l2，寬度為p2，該像素的開口率為(p1+p2)*l1/(p*l)。

圖2c是傳統(tǒng)的oled顯示基板的一個像素的結構示意圖。如圖2c所示，現(xiàn)有的oled顯示基板包括三個子像素，該像素區(qū)域與圖2a所示的像素區(qū)域的形狀和大小均相同，即形狀為矩形，長度為l，寬度為p。其中，三個子像素的發(fā)光區(qū)域均為矩形，且長度均為l1，從左到右，三個子像素的寬度分別為p3、p4、p5，該像素的開口率為(p3+p4+p5)*l1/(p*l)。在相鄰子像素之間的間距為定值的情況下，p1+p2＞p3+p4+p5，因此，圖2a所示像素的開口率大于圖2c所示的像素的開口率。

可見，在相同的分辨率(即每個像素的大小相等)的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發(fā)光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現(xiàn)有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

在圖2a和圖2b所示實施例中，第一發(fā)光單元211用于發(fā)射綠光，第二發(fā)光單元212用于發(fā)射藍光，第三發(fā)光單元213用于發(fā)射紅光，第四發(fā)光單元214用于發(fā)射藍光。這些發(fā)光單元(包括第一發(fā)光單元211、第二發(fā)光單元212、第三發(fā)光單元213和第四發(fā)光單元214)均設置在基板300上。

需要說明的是，在其他實施例中，第四發(fā)光單元214也可以用于發(fā)射紅光或綠光。在另外一些實施例中，第四發(fā)光單元還可以用于發(fā)射黃光等不同于第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元以及第三發(fā)光單元所發(fā)射的光的顏色的光。

在圖2a和圖2b所示實施例中，第二發(fā)光單元212位于第一發(fā)光單元211下方，第四發(fā)光單元214位于第三發(fā)光單元213的下方。圖2a中帶括號的顏色表示位于下方(離基板300較遠的方向)的發(fā)光單元的發(fā)光顏色，未帶括號的顏色表示位于上方(離基板300較近的方向)的發(fā)光單元的發(fā)光顏色。

需要說明的是，在其他實施例中，也可以調換其中一對或者兩對的上下位置，例如，將第一發(fā)光單元211設置在第二發(fā)光單元212下方、或者將第三發(fā)光單元213設置在第四發(fā)光單元214下方、或者兩對同時調換。為了便于制作，優(yōu)選將發(fā)出相同顏色的光的發(fā)光單元設置在一層，即同時設置在上方或者同時設置在下方。

在本發(fā)明實施例中，每個發(fā)光單元均包括依次堆疊設置的陽極、發(fā)光層和陰極。具體地，如圖2b所示，第一發(fā)光單元211包括依次堆疊在第二發(fā)光單元212上的第一陽極2111、第一發(fā)光層2113和第一陰極2115，第二發(fā)光單元212包括依次堆疊在基板300上的第二陽極2121、第二發(fā)光層2123和第二陰極2125。

其中，基板300可以為襯底基板(可以采用玻璃、聚合物、金屬箔等制成)，也可以為tft陣列基板(即陣列布置有多個tft的襯底基板)，tft陣列基板包括陣列布置的多個tft，每個子像素均包括一個tft，用于控制所屬子像素內的發(fā)光單元發(fā)光。

第二陽極2121可以采用氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)薄膜、氧化銦鋅(indiumzinkoxide，izo)薄膜或者其他透明的導電材料形成，優(yōu)選功函數大于4.0ev的導電材料。第一陽極2111可以采用功函數大于4.0ev的材料制成，例如au等。第二陰極2125可以采用金屬、或者合金制成，例如：ag、mg:ag、al等，優(yōu)選功函數小于4.0ev的導電材料。第一陰極2115可以采用功函數小于4.0ev的導電材料制成，例如al等。實現(xiàn)時，可以采用濺射、蒸鍍等方式形成導電材料層，然后通過構圖工藝形成前述陽極或陰極。

第二發(fā)光層2123可以采用有機材料發(fā)光層(用于發(fā)射藍光的熒光有機材料)或者基于量子點的發(fā)光層。第一發(fā)光層2113可以采用有機材料發(fā)光層(用于發(fā)射綠光的磷光有機材料)或者基于量子點的發(fā)光層。實現(xiàn)時，發(fā)光層可以通過打印的方式形成或者通過沉積配合構圖工藝形成。

進一步地，當第一陽極2111采用ag制成而第二陰極2125采用au制成時，較薄的au層作為潤濕層，可以保證其上形成的ag層可以以較低的厚度連續(xù)成膜，在這種情況下，第一陽極2111的厚度可以為2～5nm，第二陰極2125的厚度可以為5～10nm。這樣，將第一陽極2111和第二陰極2125的厚度設置地較薄，使得其呈半透明狀態(tài)，減少其對發(fā)光單元的發(fā)光性能的影響；同時該厚度范圍可以保證第一陽極2111和第二陰極2125可以連續(xù)成膜。若采用其他材料形成第一陽極2111和第二陰極2125，則兩者的厚度均為10nm～20nm，透光效果將有所下降。

第一陰極2115的厚度可以為100～200nm。由于第一陰極2115通常采用金屬制成，該厚度可以起到反光的作用，以進一步提高出光效率?？蛇x地，第二陽極2121的厚度可以為5～5000nm，第一發(fā)光層2113的厚度可以為5-200nm，第二發(fā)光層2123的厚度可以為5-200nm。

第二陽極2121和第一陰極2115在顯示裝置內部連接，可以與一個外部走線(即信號線)連接，在施加電壓時，處于相同的電位。第一陽極2111和第二陰極2125直接堆疊，形成獨立的對電極。第二陽極2121和對電極之間的電壓以及第一陰極2115和對電極之間的電壓控制第一子像素210中的第一發(fā)光單元211或者第二發(fā)光單元212發(fā)光。具體地，當第二陽極2121和第一陰極2115相對于對電極接入正電壓時，我們可以看到第二發(fā)光單元212在正偏壓作用下發(fā)出藍光，而第二發(fā)光單元212受到反向偏壓不發(fā)光。當第二陽極2121和第一陰極2115相對于對電極接入負電壓時，第一發(fā)光單元211受到正向偏壓發(fā)出綠光，而第二發(fā)光單元212不發(fā)光。

第一發(fā)光單元211還可以包括其他層結構，例如，如圖2b所示，第一發(fā)光單元211還包括空穴注入層(holeinjectionlayer，hil)2112、空穴傳輸層(holetransportinglayer，htl)2114、電子傳輸層(electrontransportinglayer，etl)2116和電子注入層(electroninjectionlayer，eil)2118。同樣的，第二發(fā)光單元212也可以包括其他層結構，例如，如圖2b所示，第二發(fā)光單元212還包括hil2122、htl2124、etl2126和eil2128等其他層結構。

其中，hil2112、2122可以采用有機(例如lg-101及其類似物、p型摻雜的有機空穴傳輸材料等)或無機材料(例如氧化鉬、氧化釩等)制成。htl2114、2124可以采用tpd、cbp、npd、聚苯胺、npb等材料制成。etl2116、2126可以采用有機材料、n型摻雜材料、無機納米粒子等材料制成。eil2118、2128可以采用氟化鋰、鋰喹啉(lithiumquinolate)等材料制成。實現(xiàn)時，hil、htl、etl、eil均可以通過打印的方式形成或者通過沉積配合構圖工藝形成。

可選地，hil2112、2122的厚度均可以為5～200nm；htl2114、2124的厚度均可以為5～200nm；etl2116、2126的厚度均可以為5～200nm；eil2118、2128的厚度均可以為0.2～50nm。

堆疊設置的第三發(fā)光單元213和第四發(fā)光單元214的層級結構與第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212的層級結構相同，包括依次層疊設置在基板300上的第二陽極2141、hil2142、htl2144、第二發(fā)光層2143、etl2146、eil2148、第二陰極2145、第一陽極2131、hil2132、htl2134、第一發(fā)光層2133、etl2136、eil2138和第一陰極2135。各層的材料和厚度可以參見第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212的相關描述，在此省略詳細描述。值得注意的是，第三發(fā)光層2133用于發(fā)出紅光，可以采用磷光有機材料或者基于量子點的發(fā)光層。

圖3是本發(fā)明實施例提供的第一子像素的截面結構示意圖。如圖3所示，襯底基板50上設有用于控制第一子像素210中的發(fā)光單元(包括第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212)發(fā)光的薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括設置在襯底基板50上的緩沖層51、設置在緩沖層51上的具有預定圖案的有源層52、設置在有源層52上的柵絕緣層53、設置在柵絕緣層53的預定區(qū)域上的柵極54、設置在柵極54上的中間絕緣層55、以及形成在中間絕緣層55上的源極56和漏極57。該源極56和漏極57分別與有源層52的源極區(qū)域52b和漏極區(qū)域52c通過過孔連接。其中，襯底基板50可以為玻璃或塑料基板。

此外，該薄膜晶體管還包括設置在源極56和漏極57上的鈍化層58和設置在鈍化層上的平坦化層59。鈍化層58可以采用二氧化硅或者氮化硅制成。平坦化層59可以采用有機物質制成，例如壓克力材料、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(bcb)等制成。

前述第一子像素210的發(fā)光單元設置在平坦化層59上。具體地，為了便于描述，在圖3中，僅示出了第一子像素210中第一陽極2111、第一發(fā)光層2113、第二發(fā)光層2123和第二陰極2125，并且還示出了一個中間電極60，該中間電極60由前述第一陽極2111和第二陰極2125堆疊而成。

如圖3所示，中間電極60通過過孔61與tft的源極57連接。第二陽極2121和第一陰極2115通過過孔62連接，從而可以通過同一信號線(圖未示)與驅動集成電路(ic)連接。實現(xiàn)時，中間電極60為塊狀電極，各子像素內的中間電極獨立設置，而第二陽極2121為面電極，各子像素的第二陽極2121相互連接。

該信號線用于輸入交流信號，所述交流信號的頻率不小于30hz，優(yōu)選不小于50hz，更優(yōu)選為100～120hz，以使得人眼不會感覺到發(fā)光單元的閃爍，并且通過設置該頻率，雖然第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元實際上沒有同時發(fā)光，但是人眼看到的是兩個發(fā)光單元同時發(fā)光。需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，交流信號為交替提供正電壓和負電壓的信號，并且，正電壓和負電壓的交替頻率、幅度、以及正電壓的持續(xù)時間、負電壓的持續(xù)時間均可以根據實際需要設置。該交流信號優(yōu)選采用方波信號，以便于實現(xiàn)。并且，本實施例中的正電壓和負電壓均可以等于0。采用交流信號驅動發(fā)光單元發(fā)光，正電壓和負電壓可以交替作用在同一發(fā)光單元上，可以減小發(fā)光單元的發(fā)光層中的電荷積聚，從而可以延長其使用壽命。

需要說明的是，圖3所示的tft與發(fā)光單元的位置關系僅為示例，在具體實現(xiàn)時，tft可以設置在發(fā)光單元的正下方。

圖4a-4e顯示了本發(fā)明實施例提供一個像素的不同的驅動信號的波形示意圖，其中所示驅動信號(即前述交流信號)均為方波信號，該驅動信號分為多個周期，每個周期均包括正半周期和負半周期，圖4a-圖4e中的多個驅動信號的區(qū)別在于正半周期和負半周期的電壓的幅度不同。在圖4a-4e中，橫坐標表示時間，單位為μs；縱坐標為相對強度，故未顯示具體的單位量級。圖5a-5e顯示了圖2a-2b中的第一子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發(fā)光的光譜圖，其中，橫坐標表示波長，單位為nm；縱坐標表示相對強度，故未顯示具體的單位量級。圖6a-6e顯示了圖2a-2b中的第二子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發(fā)光的光譜圖，其中，橫坐標表示波長，單位為nm；縱坐標表示相對強度，故未顯示具體的單位量級。下面按照其對應關系分別說明各驅動信號下子像素的發(fā)光情況。

在圖4a所示驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓為0。如圖5a所示，在圖4a所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發(fā)光單元212在1正電壓的作用下發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發(fā)光單元211不發(fā)光，在0負電壓的作用下，第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212均不發(fā)光。如圖6a所示，在圖4a所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發(fā)光單元214在1正電壓的作用下也發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發(fā)光單元213不發(fā)光；在0負電壓的作用下，第三發(fā)光單元213和第四發(fā)光單元214均不發(fā)光。

在圖4b所示的驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓為0.5。如圖5b所示，在圖4b所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發(fā)光單元212在1正電壓的作用下發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發(fā)光單元211不發(fā)光，在0.5負電壓的作用下，第一發(fā)光單元211發(fā)出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發(fā)光單元212不發(fā)光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度大(即電壓值高)，所以第二發(fā)光單元212發(fā)出的藍光的亮度比第一發(fā)光單元211發(fā)出的綠光的亮度高。如圖6b所示，在圖4b所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發(fā)光單元214在1正電壓的作用下也發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發(fā)光單元213不發(fā)光；在0.5負電壓的作用下，第三發(fā)光單元213發(fā)出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發(fā)光單元214不發(fā)光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度大(即電壓值高)，所以第四發(fā)光單元214發(fā)出的藍光的亮度比第三發(fā)光單元213發(fā)出的紅光的亮度高。

在圖4c所示的驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓的幅度為1。如圖5c所示，在圖4c所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發(fā)光單元212在1正電壓的作用下發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發(fā)光單元211不發(fā)光，在1負電壓的作用下，第一發(fā)光單元211發(fā)出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發(fā)光單元212不發(fā)光。并且，由于正電壓與負電壓的幅度相等(即電壓值相等)，所以第二發(fā)光單元212發(fā)出的藍光的亮度于第一發(fā)光單元211發(fā)出的綠光的亮度相當。如圖6c所示，在圖4c所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發(fā)光單元214在1正電壓的作用下也發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發(fā)光單元213不發(fā)光；在1負電壓的作用下，第三發(fā)光單元213發(fā)出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發(fā)光單元214不發(fā)光。并且，由于正電壓與負電壓的幅度相等，所以第四發(fā)光單元214發(fā)出的藍光的亮度與第三發(fā)光單元213發(fā)出的紅光的亮度相當。

在圖4d所示的驅動信號中，正電壓的幅度為0.5，負電壓為1。如圖5d所示，在圖4d所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發(fā)光單元212在0.5正電壓的作用下發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發(fā)光單元211不發(fā)光，在1負電壓的作用下，第一發(fā)光單元211發(fā)出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發(fā)光單元212不發(fā)光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度小，所以第二發(fā)光單元212發(fā)出的藍光的亮度小于第一發(fā)光單元211發(fā)出的綠光的亮度。如圖6d所示，在圖4d所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發(fā)光單元214在1正電壓的作用下也發(fā)出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發(fā)光單元213不發(fā)光；在1負電壓的作用下，第三發(fā)光單元213發(fā)出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發(fā)光單元214不發(fā)光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度小，所以第四發(fā)光單元214發(fā)出的藍光的亮度小于第三發(fā)光單元213發(fā)出的紅光的亮度。

在圖4e所示的驅動信號中，正電壓的幅度為0，負電壓為1。如圖5e所示，在圖4e所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發(fā)光單元212在0正電壓的作用下，第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212均不發(fā)光，在1負電壓的作用下，第一發(fā)光單元211發(fā)出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發(fā)光單元212不發(fā)光。如圖6e所示，在圖4e所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第三發(fā)光單元213和第四發(fā)光單元214在0正電壓的作用下均不發(fā)光；在1負電壓的作用下，第三發(fā)光單元213發(fā)出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發(fā)光單元214不發(fā)光。

需要說明的是，在另一些實施例中，還可以采用以下方式布置第一子像素210和第二子像素220，第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212中的一個發(fā)射紅光，另一個發(fā)射綠光；第三發(fā)光單元211和第四發(fā)光單元211均用于發(fā)射藍光。由于用于發(fā)射綠光和紅光的發(fā)光層可以采用發(fā)光效率較高的磷光有機發(fā)光材料，而用于發(fā)射藍光的發(fā)光層采用發(fā)光效率較低的熒光發(fā)光材料，所以可以將用于發(fā)射綠光和用于發(fā)射紅光的發(fā)光單元設置在同一子像素中，而將用于發(fā)射藍光的兩個發(fā)光單元設置在同一子像素中，從而可以將用于發(fā)射藍光的兩個發(fā)光單元所屬的子像素的面積設置得較大，進而避免兩個子像素發(fā)出的光的亮度的差距過大，提高顯示面板的顯示效果；或者，可以將屬于一個子像素的用于發(fā)射藍光的兩個發(fā)光單元設置為在同一驅動信號下同時發(fā)光，從而可以在相同的發(fā)光面積的情況下增大藍光的亮度，以提高顯示面板的顯示效果。進一步地，將兩個發(fā)光單元設置為在同一驅動信號下同時發(fā)光時，兩個發(fā)光單元的層級結構可以包括依次堆疊的第一陽極、第一發(fā)光層、公共陰極、第二發(fā)光層和第二陽極，第一陽極和第二陽極與電源的一端連接，公共陰極與電源的另一端連接。

圖7a為圖1中的oled顯示基板的一個像素的又一實施例的放大結構示意圖。圖7b為圖7a所示像素的層級結構示意圖。如圖7a和圖7b所示，該像素200包括兩個子像素，分別為第一子像素710和第二子像素720。第一子像素710包括堆疊設置的第一發(fā)光單元711和第二發(fā)光單元712，第二子像素720包括第三發(fā)光單元713。其中，第一發(fā)光單元711用于發(fā)射藍光，第二發(fā)光單元712用于發(fā)射紅光，第三發(fā)光單元713用于發(fā)射綠光。

在該實施例中，將發(fā)射綠光的第三發(fā)光單元獨立設置，從而可以根據實際需要設置第二子像素的大小，以提高oled顯示面板的亮度的均勻性。

具體地，由于目前發(fā)射綠光的發(fā)光單元的發(fā)光效率較高，在相同的發(fā)光面積下，綠光的亮度大于藍光和紅光的亮度，所以可以將第二子像素的發(fā)光面積設置為大于第一子像素的發(fā)光面積，即將綠光對應的子像素的發(fā)光面積設置得較小，而將紅光和藍光對應的子像素的面積設置得較大(圖中未示出)，從而可以使得單位時間內，第一子像素發(fā)光的亮度和第二子像素發(fā)光的亮度相當，提高oled顯示基板的亮度的均勻度。

圖7b中的第一發(fā)光單元711、第二發(fā)光單元712的層級結構和圖2b所示實施例中的第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212的層級結構相同，區(qū)別僅在于圖7b中的各發(fā)光單元中的發(fā)光層需要采用所發(fā)出的顏色對應的材料制成，其他各層的材料和厚度可以參見第一發(fā)光單元211和第二發(fā)光單元212的相關描述，故在此省略。

參見圖7b，第三發(fā)光單元713包括依次層疊設置在基板300上的陽極7131、hil7132、htl7134、發(fā)光層7133、etl7136、eil7138和陰極7135。其中，陽極7131可以采用氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)薄膜、氧化銦鋅(indiumzinkoxide，izo)薄膜或者其他透明的導電材料形成，優(yōu)選功函數大于4.0ev的導電材料，厚度可以為5～5000nm。發(fā)光層7133可以采用有機材料發(fā)光層或者基于量子點的發(fā)光層，厚度可以為5～200nm。陰極7135可以采用鋁或者功函數小于4.0ev的其他導電材料，厚度可以為100nm～200nm。

hil7132可以采用有機(例如lg-101及其類似物、p型摻雜的有機空穴傳輸材料等)或無機材料(例如氧化鉬、氧化釩等)制成。htl7134可以采用三苯二胺(tpd)、cbp、npd、聚苯胺、npb等材料制成。etl7136可以采用有機材料、n型摻雜材料、無機納米粒子等材料制成。eil7138可以采用氟化鋰、鋰喹啉(lithiumquinolate)等材料制成。

可選地，hil7112的厚度可以為5～200nm；htl7114的厚度可以為5～200nm；etl7116的厚度可以為5～200nm；eil7118的厚度可以為0.2～50nm。

圖8為圖1中的oled顯示基板的一個像素的另一實施例的放大結構示意圖。在圖8所示實施例中，該像素200包括兩個子像素，分別為第一子像素810和第二子像素820。第一子像素810包括堆疊設置的第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，第二子像素820包括第三發(fā)光單元。其中，第一發(fā)光單元用于發(fā)射綠光，第二發(fā)光單元用于發(fā)射紅光，第三發(fā)光單元用于發(fā)射藍光。

圖8中，第一子像素810的層級結構可以與圖7b所示的第一子像素710的層級結構相同，第二子像素820的層級結構可以與圖7b所示的第二子像素720的層級結構相同，區(qū)別僅在于圖8中的各發(fā)光單元中的發(fā)光層需要采用所發(fā)出的顏色對應的材料制成，其他各層的材料和厚度可以參見第一發(fā)光單元211、第二發(fā)光單元212和第三發(fā)光單元713的相關描述，故在此不再贅述。

由于用于發(fā)射綠光和紅光的發(fā)光層可以采用發(fā)光效率較高的磷光有機發(fā)光材料，而用于發(fā)射藍光的發(fā)光層采用發(fā)光效率較低的熒光發(fā)光材料，所以可以將用于發(fā)射綠光和用于發(fā)射紅光的發(fā)光單元設置在同一子像素中，從而可以避免兩個子像素發(fā)出的光的亮度的差距過大，提高顯示面板的顯示效果。

需要說明的是，在圖所示實施例中，各個子像素均為矩形，在具體實現(xiàn)中，對于不同的顯示裝置，可以設置不同形狀的子像素，例如正六邊形、扇形等，以滿足不同的設計要求。

本發(fā)明實施例還提供了一種oled顯示裝置，該oled顯示裝置包括圖1所示的oled顯示基板100。在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的oled顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。

一方面，在相同的分辨率的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發(fā)光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現(xiàn)有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。