本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種oled器件制造方法、oled器件以及顯示面板。

背景技術(shù)：

近年來，oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)作為一種新型的平板顯示技術(shù)逐漸受到更多的關(guān)注。由于oled顯示面板具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光亮度高、分辨率高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點(diǎn)，成為有可能代替液晶顯示的下一代顯示技術(shù)。

oled顯示面板包括陣列分布的不同顏色(如rgb三色)的子像素，在對(duì)oled顯示面板中的各oled器件進(jìn)行蒸鍍時(shí)，空穴注入層(hil)和空穴傳輸層(htl)往往是通過掩膜完成蒸鍍的，而目前蒸鍍所用的空穴注入材料中載流子的橫向傳輸速率較高，且不同顏色子像素間的點(diǎn)亮電壓具有較大差異即壓差，從而易于造成載流子的定向傳輸，使其他顏色的子像素同時(shí)點(diǎn)亮，這樣在高分辨率顯示屏中，極易造成rgb三色的串?dāng)_。

因此，需要提供一種能夠解決上述問題中的一個(gè)或多個(gè)問題的oled器件制造方法以及oled器件。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種oeld器件制造方法、oled器件以及顯示面板，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問題。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種oled器件制造方法，包括：

在襯底上形成第一電極層；

在所述第一電極層上與像素界定層對(duì)應(yīng)的位置處形成一層或多層無機(jī)膜；

通過刻蝕方式調(diào)整所述一層或多層無機(jī)膜的刻蝕角，使得在形成第一有機(jī)層時(shí)所述第一有機(jī)層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂；

在所述無機(jī)膜上形成所述像素界定層；

在所述第一電極層、所述無機(jī)膜以及所述像素界定層上形成所述第一有機(jī)層；以及

在所述第一有機(jī)層上依次形成發(fā)光層、第二有機(jī)層以及第二電極層。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述無機(jī)膜為氮化硅膜或氧化硅膜。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，使得在形成第一有機(jī)層時(shí)所述第一有機(jī)層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂包括：

在所述第一有機(jī)層包括空穴注入層和空穴傳輸層時(shí)，使得在形成所述空穴注入層時(shí)所述空穴注入層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述oled器件制造方法還包括：

對(duì)所述像素界定層進(jìn)行曝光以形成多個(gè)開口和多個(gè)像素間隔體。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述刻蝕角的角度為90度或負(fù)角度。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種oled器件，包括：

襯底；

第一電極層，設(shè)置在所述襯底上；

一層或多層無機(jī)膜，設(shè)置在所述第一電極層上，所述無機(jī)膜具有預(yù)設(shè)刻蝕角；

像素界定層，設(shè)置在所述一層或多層無機(jī)膜上；

第一有機(jī)層，設(shè)置在所述第一電極層、所述無機(jī)膜以及所述像素界定層上，并且所述第一有機(jī)層在所述無機(jī)膜的所述預(yù)設(shè)刻蝕角處發(fā)生斷裂；

依次設(shè)置在所述第一有機(jī)層上的發(fā)光層、第二有機(jī)層以及第二電極。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述無機(jī)膜為氮化硅膜或氧化硅膜。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)刻蝕角的角度為90度或負(fù)角度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述第一電極層為氧化銦錫/銀/氧化銦錫復(fù)合層。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種顯示面板，包括根據(jù)上述任意一項(xiàng)所述的oled器件。

根據(jù)本公開的示例實(shí)施例的oled器件制造方法、oled器件以及顯示面板，一方面，在像素界定層下增加一層或多層無機(jī)膜，使第一有機(jī)層在無機(jī)膜的刻蝕角處發(fā)生斷裂，能夠避免第一有機(jī)層的載流子在像素間的橫向傳輸，減少了rgb像素間的串?dāng)_情況；另一方面，由于增加無機(jī)膜層是在蒸鍍流程開始前進(jìn)行的，能夠減少對(duì)蒸鍍流程的干擾。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示意性示出了根據(jù)本公開一示例性實(shí)施例的oled器件制造方法的流程圖；

圖2示意性示出了根據(jù)本公開一示例性實(shí)施例的oled器件結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3示意性示出了根據(jù)本公開另一示例性實(shí)施例的oled器件結(jié)構(gòu)的示意圖；以及

圖4示意性示出了根據(jù)本公開一示例性實(shí)施例的與不同第一有機(jī)層hi/ht厚度對(duì)應(yīng)的oled器件壽命的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施例。然而，示例實(shí)施例能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將更加全面和完整，并將示例實(shí)施例的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開的實(shí)施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知技術(shù)方案以避免使本公開的各方面變得模糊。

為易于描述，諸如“在…下方”、“在…下面”，“下部”、“在…上方”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，在此處可用于描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征(或者其它元件或特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括使用中或操作中的裝置除圖中所示的方位之外的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其它元件或特征的“下面”或“下方”的元件將位于其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“在…下面”可包括“在…上方”和“在…下面”兩者的方位?？闪硗鈱?duì)設(shè)備進(jìn)行定位(被旋轉(zhuǎn)90度或在其它的方位)，并且相應(yīng)地解釋在此處使用的空間關(guān)系描述符。

此處所使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體示例性實(shí)施例的目的，而不旨在對(duì)本發(fā)明的限制。如此處所使用的那樣，單數(shù)形式“一個(gè)”、“所述”及其變體旨在也包含復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地做出指示。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”在本申請(qǐng)文件中使用時(shí)指定所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)以上的其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組合的存在或增加。

此外，附圖僅為本公開的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。附圖中所示的一些方框圖是功能實(shí)體，不一定必須與物理或邏輯上獨(dú)立的實(shí)體相對(duì)應(yīng)?？梢圆捎密浖问絹韺?shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體，或在一個(gè)或多個(gè)硬件模塊或集成電路中實(shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體，或在不同網(wǎng)絡(luò)和/或處理器裝置和/或微控制器裝置中實(shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體。

本示例實(shí)施例中，首先提供了一種oled器件制造方法。參照?qǐng)D1和圖2所示，該oled器件制造方法可以包括以下步驟：

步驟s110.在襯底210上形成第一電極層220；

步驟s120.在所述第一電極層220上與像素界定層240對(duì)應(yīng)的位置處形成一層或多層無機(jī)膜230；

步驟s130.通過刻蝕方式調(diào)整所述一層或多層無機(jī)膜230的刻蝕角，使得在形成第一有機(jī)層250時(shí)所述第一有機(jī)層250在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂；

步驟s140.在所述無機(jī)膜230上形成所述像素界定層240；

步驟s150.在所述第一電極層220、所述無機(jī)膜230以及所述像素界定層240上形成所述第一有機(jī)層250；以及

步驟s160.在所述第一有機(jī)層上250依次形成發(fā)光層260、第二有機(jī)層270以及第二電極層280。

根據(jù)本示例實(shí)施例中的oled器件制造方法，一方面，在像素界定層下增加一層或多層無機(jī)膜，使第一有機(jī)層在無機(jī)膜的刻蝕角處發(fā)生斷裂，能夠避免第一有機(jī)層的載流子在像素間的橫向傳輸，減少了rgb像素間的串?dāng)_情況；另一方面，由于增加無機(jī)膜層是在蒸鍍流程開始前進(jìn)行的，能夠減少對(duì)蒸鍍流程的干擾。

接下來，將對(duì)本示例實(shí)施例中的oled器件方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。

在步驟s110.在襯底210上形成第一電極層220。

在本示例實(shí)施例中，第一電極可以用作提供空穴的陽極，第一電極層可以形成在襯底上，襯底可以包括開關(guān)器件以及絕緣層等。第一電極層可以根據(jù)oled器件的類型而不同，例如在oled器件為底部發(fā)光時(shí)，第一電極層為透明電極層，在oled器件為頂部發(fā)光時(shí)，第一電極層為反射電極層，本公開對(duì)此不進(jìn)行特殊限定。

進(jìn)一步地，在第一電極層為透明電極層時(shí)，第一電極層可以利用具有相對(duì)較大的功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦錫(ito)、氧化鋅錫(zto)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅、氧化鎵銦鋅(gizo)等。此外，在本示例實(shí)施例中，第一電極層還可以為包括透明導(dǎo)電材料層和金屬層的復(fù)合層例如氧化銦錫/銀/氧化銦錫復(fù)合層即ito/ag/ito復(fù)合層。

在步驟s120中，在所述第一電極層220上與像素界定層240對(duì)應(yīng)的位置處形成一層或多層無機(jī)膜230。

在本示例實(shí)施例中，可以在第一電極層上與像素界定層對(duì)應(yīng)的位置即像素界定層的下方形成一層或多層無機(jī)膜。所述一層或多層無機(jī)膜可以為氮化硅sin膜、氧化硅sio膜，但是本公開的示例實(shí)施例中的無機(jī)膜不限于此，例如無機(jī)膜還可以為氧化鈦膜等無機(jī)膜，這同樣在本公開的保護(hù)范圍內(nèi)。

在本示例實(shí)施例中，可以通過化學(xué)氣相沉積、化學(xué)鍍等工藝在第一電極上形成所述一層或多層無機(jī)膜，也可以通過濺射沉積、物理氣相沉積等其他方式在第一電極上形成所述一層或多層無機(jī)膜，本公開對(duì)此不進(jìn)行特殊限定。

接下來，在步驟s130中，通過刻蝕方式調(diào)整所述一層或多層無機(jī)膜230的刻蝕角，使得在形成第一有機(jī)層250時(shí)所述第一有機(jī)層250在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂。

在本示例實(shí)施例中，刻蝕角可以表示無機(jī)膜層的側(cè)壁所在的面與第一電極層所在的平面的夾角，如果無機(jī)膜層的側(cè)壁為曲面，則刻蝕角可以表示無機(jī)膜層的側(cè)壁的切面與第一電極層所在的平面的夾角。

在本示例實(shí)施例中，可以通過刻蝕工藝調(diào)整所述一層或多層無機(jī)膜即無機(jī)膜層的刻蝕角，使得在形成第一有機(jī)層時(shí)所述第一有機(jī)層在該刻蝕角處發(fā)生斷裂。參照?qǐng)D2所示，圖2中的網(wǎng)狀填充部分為第一有機(jī)層250，豎線填充部分為無機(jī)膜層230，從圖2中可以看出第一有機(jī)層250在無機(jī)膜層230的刻蝕角部分發(fā)生了斷裂。

在本示例實(shí)施例中，刻蝕角為90度或負(fù)角度時(shí)可以使第一有機(jī)層在該刻蝕角處發(fā)生斷裂。圖3示出了無機(jī)膜層的刻蝕角為90度的oled器件結(jié)構(gòu)的示意圖。刻蝕角為負(fù)角度表示無機(jī)膜層的側(cè)壁所在的面與第一電極層所在的平面的夾角為銳角。

接下來，在步驟s140中，在所述無機(jī)膜230上形成所述像素界定層240。

在本示例實(shí)施例中，可以在第一電極層上形成像素界定材料層，通過構(gòu)圖工藝圖案化像素界定材料層，以形成包括多個(gè)開口和像素間隔體的像素界定層，其中，所述每個(gè)開口與每個(gè)或多個(gè)像素區(qū)相對(duì)應(yīng)，所述像素分隔體圍設(shè)成所述多個(gè)開口。本示例實(shí)施例的構(gòu)圖工藝可以至少包括曝光、顯影、刻蝕(濕法刻蝕或干法刻蝕)等過程。

接下來，在步驟s150中，在所述第一電極層220、所述無機(jī)膜230以及所述像素界定層240上形成所述第一有機(jī)層250。

在本示例實(shí)施例中，第一有機(jī)層可以包括空穴傳輸層(htl)，在這種情況下，由于無機(jī)膜層的刻蝕角較大，會(huì)使htl在刻蝕角處發(fā)生斷裂，從而可以避免htl層內(nèi)的載流子的橫向傳輸，進(jìn)而避免了rgb像素結(jié)構(gòu)間的串?dāng)_情況。htl可以利用空穴傳輸材料例如4,4'-雙[n-(1-萘基)-n-苯氨基]聯(lián)苯(npb)、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4-二胺(tpd)、n,n'-二-1-萘基-n,n'-聯(lián)苯-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等形成，或者利用這些材料的混合物形成。htl可以通過真空蒸發(fā)工藝、熱蒸發(fā)工藝、狹縫涂覆工藝、旋涂工藝、印刷工藝等工藝獲得。

進(jìn)一步地，在本示例實(shí)施例中，第一有機(jī)層還可以進(jìn)一步包括htl下方的空穴注入層(hil)，在這種情況下，由于無機(jī)膜層的刻蝕角較大，會(huì)使hil在刻蝕角處發(fā)生斷裂，從而可以避免hil層內(nèi)的載流子的橫向傳輸，進(jìn)而避免了rgb像素結(jié)構(gòu)間的串?dāng)_情況?？昭ㄗ⑷雽觝il可以便于從第一電極層到htl的空穴注入。hil可以利用空穴注入材料，例如銅鈦箐(cupc)、聚(3,4)-乙撐二氧噻吩(pedot)、聚苯胺(pani)形成，或者利用這些材料的混合物形成。hil可以通過真空蒸發(fā)工藝、熱蒸發(fā)工藝、狹縫涂覆工藝、旋涂工藝、印刷工藝等工藝獲得。

此外，在本示例實(shí)施例中，參照?qǐng)D3所示，第一有機(jī)層還可以包括電子阻擋層ebl。為了阻止電子越過發(fā)光層eml進(jìn)入空穴傳輸層htl而導(dǎo)致猝滅,可以在發(fā)光層eml與空穴傳輸層htl間增加電子阻擋層ebl,使部分電子滯留在發(fā)光層eml與注入的空穴在發(fā)光層eml中形成激子,以提高發(fā)光效率。

進(jìn)一步的，參照?qǐng)D4所示，在圖4中橫軸表示器件壽命，縱軸表示蒸鍍強(qiáng)度intensity，以方塊為點(diǎn)的曲線表示正常蒸鍍厚度情況下器件壽命與蒸鍍強(qiáng)度的變化關(guān)系，以圓圈為點(diǎn)的曲線表示增加hi/ht厚度后器件壽命與蒸鍍強(qiáng)度的變換關(guān)系。如圖4所示，不同第一有機(jī)層厚度的對(duì)oled器件性能影響較大，增加第一有機(jī)層的厚度可以較大地改善oled器件的壽命，但是增厚第一有機(jī)層就會(huì)增加oled顯示屏rgb串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)。因此，在本示例實(shí)施例中，在oled蒸鍍第一有機(jī)層前的襯底上增加了一層或多層無機(jī)物膜層，能夠?qū)崿F(xiàn)在后續(xù)蒸鍍過程中隔斷rgb像素間載流子的橫向流動(dòng)，從而避免了oled器件的rgb像素單元間的串?dāng)_。

接下來，在步驟s160中，在所述第一有機(jī)層250上依次形成發(fā)光層260、第二有機(jī)層270以及第二電極層280。

在本示例實(shí)施例中，發(fā)光層eml可以包括紅色發(fā)光層r-eml、綠色發(fā)光層g-eml和藍(lán)色發(fā)光層b-eml。eml可以根據(jù)eml的發(fā)光機(jī)制，例如熒光機(jī)制或磷光機(jī)制，而利用合適的用于產(chǎn)生紅色光、綠色光或藍(lán)色光的發(fā)光材料來形成。發(fā)光層eml可以通過包括噴墨、旋轉(zhuǎn)或噴嘴印刷工藝的印刷工藝、利用主體基板通過熱或激光等的轉(zhuǎn)印工藝來獲得。

在本示例實(shí)施例中，第二有機(jī)層可以包括電子傳輸層(etl)。etl可以利用例如三(8-羥基喹啉)鋁(iii)(alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔-丁基苯基-1,3,4-惡二唑(pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚根合-鋁(balq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)等形成?？梢詥为?dú)使用上述化合物或者以其混合物形式使用。

進(jìn)一步地，在本示例實(shí)施例中，第二有機(jī)層還可以包括在etl上的電子注入層eil。電子注入層eil可以利用堿金屬、堿土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氧化物等形成?？梢詥为?dú)使用上述原料或者以其混合物形式使用。

此外，在本示例實(shí)施例中，參照?qǐng)D3所示，第二有機(jī)層還可以包括空穴阻擋層hbl。由于空穴的遷移率大于電子的遷移速率，因此為了阻止空穴過快越過發(fā)光層eml進(jìn)入電子傳輸層etl而導(dǎo)致猝滅,可以在發(fā)光層eml與電子傳輸層etl間增加空穴阻擋層hbl,使部分空穴滯留在發(fā)光層eml與注入的電子在發(fā)光層eml中形成激子,以提高發(fā)光效率。

在本示例實(shí)施例中，第二電極層可以根據(jù)其類型例如透明電極或反射電極利用透明導(dǎo)電材料或金屬形成。透明導(dǎo)電材料可以包括ito、zto、izo、znox、snox、gizo、azo等。金屬可以包括例如ag、al、pt、au、cr、w、mo、ti、pd等或者這些材料的合金。第二電極層可以通過濺射工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝、原子層沉積(ald)工藝、真空沉積工藝、印刷工藝等獲得。

此外，在本示例實(shí)施例中，還提供了一種oled器件。參照?qǐng)D2所示，該oled器件可以包括：

襯底210；

第一電極層220，設(shè)置在所述襯底210上；

一層或多層無機(jī)膜230，設(shè)置在所述第一電極層220上，所述無機(jī)膜220具有預(yù)設(shè)刻蝕角；

像素界定層240，設(shè)置在所述一層或多層無機(jī)膜230上；

第一有機(jī)層250，設(shè)置在所述第一電極層220、所述無機(jī)膜230以及所述像素界定層240上，并且所述第一有機(jī)層250在所述無機(jī)膜230的所述預(yù)設(shè)刻蝕角處發(fā)生斷裂；

依次設(shè)置在所述第一有機(jī)層250上的發(fā)光層260、第二有機(jī)層270以及第二電極層280。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述無機(jī)膜為氮化硅膜或氧化硅膜。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)刻蝕角的角度為90度或負(fù)角度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述第一電極層為氧化銦錫/銀/氧化銦錫復(fù)合層。

此外，在本示例實(shí)施例中，還提供了一種顯示面板，包括根據(jù)上述示例實(shí)施例中所述的oled器件。由于本示例實(shí)施方式中的顯示面板采用了上述oled器件，因此至少具有與所述oled器件相應(yīng)的全部優(yōu)點(diǎn)。在本示例實(shí)施例中，所述顯示面板可以為：oled面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，本公開對(duì)此不進(jìn)行特殊限定。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實(shí)施例。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。