本發(fā)明涉及顯示基板制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版、過孔的制作方法及顯示基板的制作方法。

背景技術(shù)：

目前，在顯示基板的制作工藝中，通常需要在某些薄膜中制作過孔。現(xiàn)有技術(shù)中，制作過孔時，通常在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠，然后用掩膜版對光刻膠進行曝光，然后對曝光后的光刻膠進行顯影，光刻膠內(nèi)形成與待制作的過孔對應(yīng)的孔狀結(jié)構(gòu)，然后對薄膜與光刻膠內(nèi)孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行刻蝕，形成過孔。

采用上述方法制作過孔時，掩膜版上的透光孔的直徑與過孔的直徑相對應(yīng)，對光刻膠進行曝光和顯影后，光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度通常較大，甚至接近垂直，因而對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行刻蝕時，使得刻蝕介質(zhì)(例如干刻時所使用的等離子體、濕刻時所使用的蝕刻液等)穿過孔狀結(jié)構(gòu)與薄膜接觸的量減少，刻蝕介質(zhì)不能對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行充分刻蝕，造成對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版，用于解決對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種掩膜版，包括板體和呈環(huán)狀的半色調(diào)片，所述板體上開設(shè)有透光孔，所述透光孔包括位于所述透光孔的中部、且與待制作的過孔對應(yīng)的全透區(qū)，所述半色調(diào)片環(huán)繞所述全透區(qū)設(shè)置，并遮蔽所述透光孔除所述全透區(qū)以外的區(qū)域。

優(yōu)選地，由所述半色調(diào)片的內(nèi)環(huán)指向所述半色調(diào)片的外環(huán)的方向，所述半色調(diào)片的透光率逐漸減小。

優(yōu)選地，所述透光孔的半徑與所述半色調(diào)片的內(nèi)環(huán)半徑之差為0.5μm～1μm。

優(yōu)選地，所述半色調(diào)片位于所述透光孔內(nèi)。

在本發(fā)明提供的掩膜版中，板體上的透光孔包括位于透光孔的中部、且與待制作的過孔對應(yīng)的全透區(qū)，以及由半色調(diào)片遮蔽的區(qū)域，由半色調(diào)片遮蔽的區(qū)域可認為是非全透區(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)，當(dāng)利用本發(fā)明提供的掩膜版對光刻膠進行曝光時，光刻膠與全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，光刻膠與由半色調(diào)片遮蔽的非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，對曝光后的光刻膠進行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺狀，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，與現(xiàn)有技術(shù)中對光刻膠進行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)中，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較大甚至垂直相比，當(dāng)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行刻蝕時，使得進入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加，增加與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量，改善對薄膜進行刻蝕時的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行充分刻蝕，從而防止對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

本發(fā)明的目的還在于提供一種過孔的制作方法，用于解決對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種過孔的制作方法，包括：

在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠；

利用如上述技術(shù)方案所述的掩膜版，對所述光刻膠進行曝光；

對曝光后的所述光刻膠進行顯影，暴露出所述薄膜；

對暴露的所述薄膜進行刻蝕，形成過孔。

優(yōu)選地，對暴露的所述薄膜進行刻蝕的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

進一步地，對暴露的所述薄膜進行刻蝕，形成過孔的步驟之后，所述過孔的制作方法還包括：

去除殘留的所述光刻膠。

所述過孔的制作方法與上述掩膜版相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

本發(fā)明的目的還在于提供一種顯示基板的制作方法，用于解決對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述顯示基板的制作方法包括如上述技術(shù)方案所述的過孔的制作方法。

進一步地，在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠的步驟之前，所述顯示基板的制作方法還包括：

在襯底基板上形成柵極層，所述柵極層包括薄膜晶體管的柵極和連接驅(qū)動電路的第一驅(qū)動電極；

形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述襯底基板和所述柵極層；

在所述柵極絕緣層上形成有源層；

形成源漏極層，所述源漏極層包括薄膜晶體管的源極和漏極，以及第二驅(qū)動電極，所述源極和所述漏極分別與所述有源層接觸，所述第二驅(qū)動電極與所述第一驅(qū)動電極連接；

形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述柵極絕緣層、所述有源層和所述源漏極層；所述鈍化層為待制作過孔的薄膜，所述過孔包括對應(yīng)于所述漏極的第一過孔或/和對應(yīng)于所述第二驅(qū)動電極的第二過孔。

所述顯示基板的制作方法與上述過孔的制作方法相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例提供的掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的過孔的制作方法的流程圖；

圖3至圖7為本發(fā)明實施例提供的制作過孔的工藝流程圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的顯示基板的制作方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

10-掩膜版，11-板體，

12-透光孔，13-全透區(qū)，

14-半色調(diào)片，21-襯底基板，

22-柵極，23-第一驅(qū)動電極，

24-柵極絕緣層，25-有源層，

26-源極，27-漏極，

28-第二驅(qū)動電極，29-鈍化層，

291-第一過孔，292-第二過孔，

30-光刻膠，31-完全曝光區(qū)，

32-部分曝光區(qū)，33-孔狀結(jié)構(gòu)。

具體實施方式

為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的掩膜版、過孔的制作方法及顯示基板的制作方法，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。

請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的掩膜版10包括板體11和呈環(huán)狀的半色調(diào)片14，板體11上開設(shè)有透光孔12，透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過孔對應(yīng)的全透區(qū)13，半色調(diào)片14環(huán)繞全透區(qū)13設(shè)置，并遮蔽透光孔12除全透區(qū)13以外的區(qū)域。

舉例來說，請繼續(xù)參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的掩膜版10可以用于對形成在薄膜上的光刻膠進行曝光，以便后續(xù)在薄膜上形成過孔，本發(fā)明實施例提供的掩膜版10包括板體11和呈環(huán)狀的半色調(diào)片14，板體11上開設(shè)有透光孔12，透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過孔對應(yīng)的全透區(qū)13，透光孔12除全透區(qū)13以外的區(qū)域為非全透區(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)13，半色調(diào)片14環(huán)繞全透區(qū)13，并遮蔽非全透區(qū)，其中，半色調(diào)片14可以遮擋部分光，并使部分光透過。當(dāng)利用本發(fā)明實施例提供的掩膜版10對形成在待制作過孔的薄膜上的光刻膠進行曝光時，光刻膠與透光孔12的全透區(qū)13對應(yīng)的區(qū)域形成完全曝光區(qū)，光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域形成部分曝光區(qū)，完全曝光區(qū)在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，而部分曝光區(qū)在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，即完全曝光區(qū)的曝光深度等于光刻膠的厚度，而部分曝光區(qū)的曝光深度小于光刻膠的厚度，對曝光后的光刻膠進行顯影后，在光刻膠中形成呈倒錐臺狀的孔狀結(jié)構(gòu)，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行刻蝕時，進入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加。

由上述可知，在本發(fā)明實施例提供的掩膜版10中，板體11上的透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過孔對應(yīng)的全透區(qū)13，以及由半色調(diào)片14遮蔽的區(qū)域，由半色調(diào)片14遮蔽的區(qū)域可認為是非全透區(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)13，當(dāng)利用本發(fā)明實施例提供的掩膜版10對光刻膠進行曝光時，光刻膠與全透區(qū)13對應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，光刻膠與由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，對曝光后的光刻膠進行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺狀，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，與現(xiàn)有技術(shù)中對光刻膠進行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)中，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較大甚至垂直相比，當(dāng)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行刻蝕時，使得進入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加，增加與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量，改善對薄膜進行刻蝕時的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行充分刻蝕，從而防止對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

另外，由于利用本發(fā)明實施例提供掩膜版10對光刻膠進行曝光后，可以防止后續(xù)在薄膜中形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料，因而可以防止薄膜上側(cè)和下側(cè)的兩個導(dǎo)電層出現(xiàn)連接不良的現(xiàn)象，例如，顯示基板中像素電極通過鈍化層中的過孔與薄膜晶體管的漏極連接時，出現(xiàn)像素電極與漏極連接不良的現(xiàn)象，從而防止顯示裝置顯示畫面時出現(xiàn)暗點、黑線等不良現(xiàn)象，改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量。

在本發(fā)明實施例中，半色調(diào)片14的透光率可以根據(jù)實際需要進行設(shè)定，例如，半色調(diào)片14的各個區(qū)域的透光率可以均相等；或者，半色調(diào)片14的各個區(qū)域的透光率可以均不相等，例如，由半色調(diào)片14的內(nèi)環(huán)指向所述半色調(diào)片14的外環(huán)的方向，半色調(diào)片14的透光率逐漸減小，此時，當(dāng)利用本發(fā)明實施例提供的掩膜版10對形成在待制作過孔的薄膜上的光刻膠進行曝光時，光刻膠與透光孔12的全透區(qū)13對應(yīng)的區(qū)域的曝光深度等于光刻膠的厚度，而光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域中，光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)邊緣指向外邊緣的方向，光刻膠的曝光深度逐漸減小，當(dāng)對曝光后的光刻膠進行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁較平滑，不會出現(xiàn)較多且較平的臺階，從而可以防止孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁出現(xiàn)的較明顯的臺階對刻蝕介質(zhì)進行阻擋，進一步使得刻蝕介質(zhì)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域進行充分刻蝕，防止對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

在本發(fā)明實施例提供的掩膜板中，透光孔12的半徑與半色調(diào)片14的內(nèi)環(huán)半徑之差可以為0.5μm～1μm，即透光孔12的半徑與全透區(qū)13的半徑之差為0.5μm～1μm，也可以理解為呈環(huán)狀的半色調(diào)片14覆蓋透光孔12的區(qū)域的寬度為0.5μm～1μm，或者，透光孔12內(nèi)非全透區(qū)的寬度為0.5μm～1μm，如此設(shè)計，可以防止因透光孔12內(nèi)非全透區(qū)的寬度太小(例如小于0.5μm)而造成光刻膠進行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面的坡度太大，防止穿過孔狀結(jié)構(gòu)與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量減少，同時，還可以防止因非全透區(qū)的寬度太大而造成對光刻膠進行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對薄膜朝向光刻膠的表面過于平坦，防止孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁對刻蝕介質(zhì)產(chǎn)生阻擋。

在上述實施例中，半色調(diào)片14的設(shè)置方式可以為多種，例如，半色調(diào)片14可以位于透光孔12外板體11的一側(cè)，此時，半色調(diào)片14的外環(huán)直徑可以大于透光孔12的直徑；或者，半色調(diào)片14可以位于透光孔12內(nèi)，此時，半色調(diào)片14的外環(huán)面與透光孔12的孔壁貼合。

請參閱圖2，本發(fā)明實施例還提供一種過孔的制作方法，包括：

步驟s100、在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠。

步驟s200、利用如上述實施例所述的掩膜版，對光刻膠進行曝光。

步驟s300、對曝光后的光刻膠進行顯影，暴露出薄膜。

步驟s400、對暴露的薄膜進行刻蝕，形成過孔。

具體地，在步驟s100中，請參閱圖3，在完成待制作過孔的薄膜的形成后，在該薄膜上形成光刻膠30，光刻膠30可以為正性光刻膠。

在步驟s200中，請參閱圖4，利用上述實施例提供的掩膜版10，對光刻膠30進行曝光，其中，掩膜版10中板體11的透光孔12的數(shù)量可以根據(jù)薄膜中需要制作的過孔的數(shù)量確定，例如，薄膜中需要制作的過孔的數(shù)量為兩個，則掩膜版10中板體11的透光孔12的數(shù)量可以為兩個，而且，掩膜版10中板體11的透光孔12的尺寸可以根據(jù)薄膜中待制作的、對應(yīng)的過孔的尺寸確定；光刻膠30與掩膜版10中板體11的透光孔12的全透區(qū)13對應(yīng)的區(qū)域為完全曝光區(qū)31，光刻膠30與透光孔12中半色調(diào)片14對應(yīng)的區(qū)域為部分曝光區(qū)32，即光刻膠30與透光孔12中非全透區(qū)對應(yīng)的區(qū)域為部分曝光區(qū)32，對光刻膠30進行曝光時，與透光孔12的全透區(qū)13對應(yīng)的光全部穿過全透區(qū)13照射在光刻膠30的完全曝光區(qū)31，與透光孔12的非全透區(qū)或半色調(diào)片14對應(yīng)的光中的部分光穿過非全透區(qū)或半色調(diào)片14照射在光刻膠30的部分曝光區(qū)32，使光刻膠30的完全曝光區(qū)31在光刻膠30的厚度方向上完全曝光，使光刻膠30的部分曝光區(qū)32的曝光深度小于光刻膠30的厚度。

在步驟s300中，請參閱圖5，對曝光后的光刻膠30進行顯影，暴露出薄膜，其中，對曝光后的光刻膠30進行顯影后，在光刻膠30中形成孔狀結(jié)構(gòu)33，孔狀結(jié)構(gòu)33呈倒錐臺狀，孔狀結(jié)構(gòu)33的孔壁相對薄膜朝向光刻膠30的表面具有一定的坡度，孔狀結(jié)構(gòu)33的孔底暴露出薄膜。

在步驟s400中，請參閱圖6，對暴露的薄膜進行刻蝕，形成過孔，其中，對暴露的薄膜進行刻蝕時，使刻蝕介質(zhì)穿過光刻膠30中的孔狀結(jié)構(gòu)33與暴露的薄膜接觸，以實現(xiàn)對暴露的薄膜進行刻蝕，形成過孔，由于光刻膠30中的孔狀結(jié)構(gòu)33呈倒錐臺狀，因而穿過孔狀結(jié)構(gòu)33與暴露的薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量增加，改善改善對薄膜進行刻蝕時的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)33對應(yīng)的區(qū)域進行充分刻蝕，從而防止對薄膜進行刻蝕后形成的過孔遠離光刻膠30的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

所述過孔的制作方法與上述掩膜版10相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

在上述實施例中，在步驟s400中，對暴露的薄膜進行刻蝕時，所采用的工藝可以為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，其中，采用干法刻蝕工藝時，刻蝕介質(zhì)為等離子體(plasma)，采用濕法刻蝕工藝時，刻蝕介質(zhì)為刻蝕液。

請繼續(xù)參閱圖2，在本發(fā)明實施例提供的過孔的制作方法中，在步驟s400、對暴露的薄膜進行刻蝕，形成過孔之后，所述過孔的制作方法還包括：

步驟s500、去除殘留的光刻膠。

具體地，在步驟s500中，請參閱圖7，去除殘留的光刻膠30，即去除在步驟s300中對曝光后的光刻膠30進行顯影后，殘留在薄膜上的光刻膠30。去除殘留的光刻膠30后，在制作有過孔的薄膜上形成一層功能膜層(例如像素電極)，該功能膜層則可以通過對應(yīng)的過孔與薄膜下側(cè)的功能膜層(例如漏極27)連接。

請參閱圖8，本發(fā)明實施例還提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板的制作方法包括如上述實施例所述的過孔的制作方法。

所述顯示基板的制作方法與上述過孔的制作方法相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

請繼續(xù)參閱圖8，在本發(fā)明實施例提供的顯示基板的制作方法中，過孔可以為制作在像素電極與薄膜晶體管的源漏極層之間的鈍化層29中的過孔，該鈍化層29則為待制作過孔的薄膜，則步驟s100、在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠30中，光刻膠30形成在該鈍化層29上，此時，在待制作過孔的薄膜上形成光刻膠30的步驟之前，本發(fā)明實施例提供的顯示基板的制作方法還包括：

步驟s10、在襯底基板上形成柵極層，柵極層包括薄膜晶體管的柵極和連接驅(qū)動電路的第一驅(qū)動電極。

步驟s20、形成柵極絕緣層，柵極絕緣層覆蓋襯底基板和柵極層。

步驟s30、在柵極絕緣層上形成有源層。

步驟s40、形成源漏極層，源漏極層包括薄膜晶體管的源極和漏極，以及第二驅(qū)動電極，源極和漏極分別與有源層接觸，第二驅(qū)動電極與第一驅(qū)動電極連接。

步驟s50、形成鈍化層，鈍化層覆蓋柵極絕緣層、有源層和源漏極層；鈍化層為待制作過孔的薄膜，過孔包括對應(yīng)于漏極的第一過孔或/和對應(yīng)于第二驅(qū)動電極的第二過孔。

請參閱圖7，本發(fā)明實施例提供的顯示基板包括襯底基板21、位于襯底基板21上的薄膜晶體管、位于襯底基板21上的第一驅(qū)動電極23、位于第一驅(qū)動電極23上方且與第一驅(qū)動電極23連接的第二驅(qū)動電極28、以及覆蓋薄膜晶體管、第二驅(qū)動電極28的鈍化層29，其中，薄膜晶體管包括柵極22、柵極絕緣層24、有源層25、源極26和漏極27，柵極22位于襯底基板21上，柵極22與第一驅(qū)動電極23同層設(shè)置，構(gòu)成柵極層的一部分，第一驅(qū)動電極23可以位于顯示基板的非顯示區(qū)或顯示區(qū)內(nèi)的非開口區(qū)；柵極絕緣層24覆蓋襯底基板21、柵極層；有源層25位于柵極絕緣層24上；源極26和漏極27位于有源層25上側(cè)，源極26、漏極27和第二驅(qū)動電極28同層設(shè)置，構(gòu)成源漏極層的一部分，源極26和漏極27分別與有源層25接觸，第二驅(qū)動電極28位于第一驅(qū)動電極23的上方，第二驅(qū)動電極28通過柵極絕緣層24中的過孔與第一驅(qū)動電極23連接；鈍化層29覆蓋柵極絕緣層24、有源層25、源漏極層，鈍化層29與漏極27對應(yīng)的區(qū)域具有第一過孔291，該第一過孔291用于位于鈍化層29上的像素電極與漏極27的連接，鈍化層29與第二驅(qū)動電極28對應(yīng)的區(qū)域具有第二過孔292，該第二過孔292用于第二驅(qū)動電極28與驅(qū)動電路的連接。

上述顯示基板的制作方法可以為：先在襯底基板21上形成包括柵極22和第一驅(qū)動電極23的柵極層；然后形成覆蓋襯底基板21和柵極層的柵極絕緣層24；然后在柵極絕緣層24上形成有源層25；然后形成包括源極26、漏極27和第二驅(qū)動電極28的源漏極層；然后形成覆蓋柵極絕緣層24、有源層25和源漏極27層的鈍化層29；然后在鈍化層29中形成對應(yīng)于漏極27的第一過孔291和對應(yīng)于第二驅(qū)動電極28的第二過孔292。

在上述實施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。