本申請涉及像素設計技術領域，具體而言，涉及一種具有像素結構的基板、含其的光電器件和打印方法。

背景技術：

近些年，溶液法逐漸替代傳統(tǒng)的蒸鍍法成為制作電致發(fā)光器件的研究熱點，制作電致發(fā)光器件的過程主要包括將相應功能墨水設置到對應的像素中，一般像素包括像素界定層和發(fā)光區(qū)域，發(fā)光區(qū)域是像素界定層和基板圍成的凹坑，該凹坑用于盛放墨水，墨水干燥后形成各個膜層(各個功能層和發(fā)光層)，各膜層與上下電極構成發(fā)光器件。

溶液法中的噴墨打印法因可適用于大規(guī)模發(fā)光器件的生產，而被視為最具前景的方法之一。然而現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件由于像素發(fā)光區(qū)域設計的局限性容易出現(xiàn)膜層不均勻的現(xiàn)象。現(xiàn)有的發(fā)光區(qū)域通常呈圓角矩形，如圖1所示，發(fā)光區(qū)域1’由像素界定層2’隔離開，發(fā)光區(qū)域1’可容納墨水的體積相對較大，需要打印設備打印多滴墨水3’于發(fā)光區(qū)域，以滿足設置要求，在此過程中由于打印的墨滴在發(fā)光區(qū)域內有重疊，需要依靠墨滴的自然流動而鋪展，往往在發(fā)光區(qū)域的上下兩頭(近似半圓形)出現(xiàn)墨滴空白，或者出現(xiàn)在交叉部位墨水固含量高于非交叉部位的現(xiàn)象，這樣的發(fā)光區(qū)域設計會加重膜層不均勻的程度，而膜層不均勻常會導致器件的發(fā)光性能降低。

現(xiàn)有技術中有通過調節(jié)墨水的配方以期改善膜層不均勻的方案，但改善效果并不理想，用于調節(jié)配方的調節(jié)劑本身可能對發(fā)光器件的發(fā)光和導電等性能帶來不良影響，此外，由于引入了調節(jié)工藝還會增加墨水配置工藝的復雜程度。

由上可知，現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題仍需進一步的研究解決。

技術實現(xiàn)要素：

本申請的主要目的在于提供一種具有像素結構的基板、含其的光電器件和打印方法，以解決現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種具有像素結構的基板，像素結構包括一個或多個像素單元，每個像素單元包括一個或多個子像素，每個子像素包括像素隔離區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，像素隔離區(qū)域對應的基板上設置有像素隔離結構，發(fā)光區(qū)域為像素隔離結構和基板圍成的凹陷所在區(qū)域，凹陷用于盛放噴墨打印裝置噴出的液體材料，發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀為第一平面圖形s1，s1的大小由如下公式確定：1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，交集為s1，其中，s2為噴墨打印裝置在與測試基板距離特定高度下單次打印噴出的液體材料在測試基板的平坦表面上干燥后形成的第二平面圖形，測試基板為未設置有像素結構的導電基板。

進一步地，每個像素單元包括多個子像素，多個發(fā)光區(qū)域對應的多個第一平面圖形s1的形狀選自圓形、橢圓形和正n邊形中的一種或多種，其中，n為大于等于6的整數(shù)。

進一步地，在發(fā)光區(qū)域為橢圓形的情況下，橢圓形的長軸的長度2a和短軸的長度2b滿足如下公式：b≤a≤2b。

進一步地，特定高度為噴墨打印裝置打印時噴嘴距離具有像素結構的基板的凹陷底面的高度，優(yōu)選特定高度大于等于0.4mm，且小于等于1mm。

進一步地，子像素中發(fā)光區(qū)域對應凹陷的容積為v1，單次噴射出的液體材料的體積為v2，則v2≤v1≤10v2，優(yōu)選1pl≤v2≤10pl。

進一步地，像素隔離結構為像素界定層，像素界定層的高度大于等于1μm，且小于等于5μm。

進一步地，像素單元中包括三個子像素，三個子像素分別用于發(fā)紅光、綠光和藍光中的任意一種或多種。

進一步地，位于同一像素單元的三個子像素并列排布，各像素單元呈矩陣排布，相鄰兩個相同子像素間的距離為d，d＝25.4mm/r，其中，r為像素分辨率，單位是每英寸像素，x、y分別為橫縱方向的像素單元的個數(shù)，l是矩陣所在矩形區(qū)域的斜邊長，l的單位為英寸。

進一步地，位于同一像素單元的三個子像素分別為第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素和第二子像素并列排布于第一行，第三子像素與第一子像素和第二子像素錯位排列于第二行，第三子像素與第一子像素和第二子像素的中間位置對齊設置。

進一步地，第一子像素和第二子像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1為圓形，第三子像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1為橢圓形；優(yōu)選第一子像素和第二子像素用于發(fā)紅光和綠光中的一種，第三子像素用于發(fā)藍光。

根據(jù)本申請的第二個方面，提供了一種光電器件，該光電器件包括上述具有像素結構的基板。

根據(jù)本申請的第三個方面，提供了一種打印方法，該打印方法包括：準備上述的具有像素結構的基板；利用噴墨打印裝置將液體材料打印于像素結構的凹陷中，液體材料干燥形成膜層。

應用本申請的技術方案，由于基板上的像素結構中的發(fā)光區(qū)域具有凹陷，該凹陷用于盛放噴墨打印裝置噴出的液體材料，該具有像素結構的基板適用于噴墨打印，且上述凹陷底面的形狀為第一平面圖形s1，由噴墨打印裝置在與測試基板距離特定高度下單次打印噴出的相同的液體材料，在該測試基板的平坦表面上干燥后形成的圖形為第二平面圖形s2，s1的大小由第二平面圖形s2確定，1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，交集為s1，那么s1的面積接近s2，s2可全部覆蓋s1。本申請的具有像素結構的基板的發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀(s1)接近于噴墨打印的液體材料在沒有像素結構的測試基板上干燥鋪展的形狀(s2)，當噴墨打印的液體材料落入具有像素結構的凹陷的發(fā)光區(qū)域后，更容易在發(fā)光區(qū)域底面自然鋪展開，并覆蓋整個底面，從而相對于采用現(xiàn)有的長寬比較大的矩形或跑道形發(fā)光區(qū)域的像素來說，避免了噴墨打印時噴射的發(fā)光材料不能在發(fā)光區(qū)域完全鋪展，或者在多次錯位打印發(fā)光材料時在交叉部位發(fā)光材料固含量高于非交叉部位而鋪展不均勻的現(xiàn)象，從而本申請的像素結構更適用于噴墨打印的工藝制備發(fā)光器件，實現(xiàn)了提高發(fā)光區(qū)域的膜層均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光均勻性的效果，進而解決了現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題。

除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本申請還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將參照圖，對本申請作進一步詳細的說明。

附圖說明

構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進一步理解，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術的噴墨打印墨水至發(fā)光區(qū)域的示意圖；

圖2示出了本申請所提供的一種可選的像素結構中發(fā)光區(qū)域的示意圖；以及

圖3示出了本申請所提供的另一種可選的像素單元中發(fā)光區(qū)域的示意圖。

其中，上述附圖包括以下附圖標記：

1’、發(fā)光區(qū)域；2’、像素界定層；3’、墨水；1、發(fā)光區(qū)域；2、像素隔離結構；4、第一子像素；5、第二子像素；6、第三子像素。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。

為了使本技術領域的人員更好地理解本申請方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。

需要說明的是，本申請的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當情況下可以互換，以便這里描述的本申請的實施例。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對于這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。

正如背景技術中所介紹的，現(xiàn)有技術中利用噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題。本申請的申請人針對上述問題進行研究，提出了一種具有像素結構的基板、含其的光電器件和打印方法，在該具有像素結構的基板中，像素結構包括一個或多個像素單元，每個像素單元包括一個或多個子像素，每個子像素包括像素隔離區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，像素隔離區(qū)域對應的基板上設置有像素隔離結構，發(fā)光區(qū)域為像素隔離結構和基板圍成的凹陷所在區(qū)域，凹陷用于盛放噴墨打印裝置噴出的液體材料，發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀為第一平面圖形s1，s1的大小由如下公式確定：1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，該交集為s1，其中，s2為噴墨打印裝置在與測試基板距離特定高度下單次打印噴出的上述液體材料在測試基板的平坦表面上干燥后形成的圖形，測試基板為未設置有像素結構的導電基板。

上述實施例中的測試基板與上述的具有像素結構的基板相比，除了沒有像素結構之外，其他結構相同，測試基板的表面是相對平滑的。第一平面圖形s1代表發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀和大小，第二平面圖形s2代表噴墨打印裝置單次打印液體材料至測試基板的平坦表面上，液體材料干燥后形成的圖形的形狀和大小，其中，打印在測試基板上的液體材料、和打印在發(fā)光區(qū)域對應凹陷中的液體材料的化學性質相同，噴墨打印裝置單次噴出的液體材料體積相同。

上述“s2與s1具有交集，交集為s1”中的交集是通過數(shù)學方法將s1、s2圖形移動至一個平面后可得到最大的交叉區(qū)域；上述的第一平面圖形s1的面積小于第二平面圖形s2的面積，且將s1和s2置于同一個平面內時，s1和s2可以重疊，或者s2可以完全覆蓋s1，或者說，可以存在一個狀態(tài)，s1在s2內，s1邊緣和內部的任何一點都處于s2圍成區(qū)域(包括在邊緣)的內部。發(fā)光區(qū)域的凹陷底部可以是平坦的，也可以是略有不平的，該底面的形狀可以是底面邊線圍成圖形或者底面投影對應的平面圖形。

采用本申請，由于基板上的像素結構中的發(fā)光區(qū)域具有凹陷，該凹陷用于盛放噴墨打印裝置噴出的液體材料，該具有像素結構的基板適用于噴墨打印，且上述凹陷底面的形狀為第一平面圖形s1，由噴墨打印裝置在與測試基板距離特定高度下單次打印噴出的液體材料在該測試基板的平坦表面上干燥后形成的圖形為第二平面圖形s2，s1的大小由第二平面圖形s2確定，1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，交集為s1，那么s1的面積接近s2，s2可全部覆蓋s1。本申請的具有像素結構的基板的發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀(s1)接近于噴墨打印的液體材料在沒有像素結構的測試基板上干燥鋪展的形狀(s2)，當噴墨打印的液體材料落入具有像素結構的凹陷的發(fā)光區(qū)域后，更容易在發(fā)光區(qū)域底面自然鋪展開，并覆蓋整個底面，從而相對于采用現(xiàn)有的長寬比較大的矩形或跑道形發(fā)光區(qū)域的像素來說，避免了噴墨打印時噴射的發(fā)光材料不能在發(fā)光區(qū)域完全鋪展，或者在多次錯位打印發(fā)光材料時在交叉部位發(fā)光材料固含量高于非交叉部位而鋪展不均勻的現(xiàn)象，從而本申請的像素結構更適用于噴墨打印的工藝制備發(fā)光器件，實現(xiàn)了提高發(fā)光區(qū)域的膜層均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光均勻性的效果，進而解決了現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題。

上述實施例中干燥可以為自然干燥、真空干燥和熱干燥等任意一種或多種干燥方式組合，上述的特定高度與選擇的噴墨打印裝置的類型有關，優(yōu)選地，該特定高度大于等于0.4mm，且小于等于1mm。本申請中具有像素結構的基板可以為較方正的矩形基板，也可以為任意形狀的設置像素結構的基板，且基板并不限于現(xiàn)有技術中的基板材質和類型，具有承載能力且可以設置像素結構的任何材料都可以作為基板的材料，均可視為本申請中的基板。

上述實施例中的液體材料可以為用于發(fā)光的發(fā)光材料，比如量子點發(fā)光材料，或可以是用于電子或空穴傳輸?shù)牟牧?，又或者是用于電子或空穴注入的材料，液體材料可以為制備發(fā)光器件中各個膜層的其他材料，本領域技術人員可以根據(jù)實際需要進行材料的選擇。

需要指出的是，第二平面圖形s2形狀和大小與測試基板的表面能、噴墨打印的液體材料的化學性質、表面張力及打印的特定高度有關，其中，在噴墨打印液體材料時，可能會先后分別打印不同種類的液體材料至發(fā)光區(qū)域的凹陷處，干燥后得到具有不同功能的膜層。此時，在確定第二平面圖形s2的形狀和大小時，是根據(jù)打印多個液體材料干燥后對應的多個平面圖形的形狀和大小來確定的，該第二平面圖形s2的面積可以選擇上述多個平面圖形的面積的平均值，s2的形狀選擇中間面積對應的圖形的形狀或選擇最接近圓形的形狀。

上述實施例中的像素單元可以呈矩陣排列，上述的像素隔離結構是用于隔離各個發(fā)光區(qū)域的結構，可以為像素界定層的結構，也可以是其他可以阻擋或減弱光和/或液體材料流動的結構，從而防止相鄰發(fā)光區(qū)域的液體材料之間混溶，也可以防止具有該像素結構的發(fā)光器件的各個發(fā)光區(qū)域形成混光。

如圖2所示，該像素結構包括一個或多個像素單元，每個像素單元包括多個的子像素(圖2中示出了每個像素單元包括三個子像素)，每個子像素包括像素隔離區(qū)域2和發(fā)光區(qū)域1，像素隔離區(qū)域對應的基板上設置有像素隔離結構，發(fā)光區(qū)域是像素隔離結構和基板圍成的凹陷所在區(qū)域，凹陷用于盛放液體材料，多個發(fā)光區(qū)域對應的多個第一平面圖形s1的形狀選自圓形(如圖2所示，其中，s1未在圖2中示出)、橢圓形和正n邊形中的一種或多種，其中，n為大于等于6的整數(shù)。

采用本申請，將像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面s1的形狀設計成圓形、橢圓形或者正n邊形(n為整數(shù)，n≥6)，與現(xiàn)有的較長的圓角矩形相比，形狀更接近于噴墨打印墨水(液體材料)時墨滴在基板上自然平鋪的形狀，有助于墨水在打印至發(fā)光區(qū)域后均勻地自然鋪展至整個像素發(fā)光區(qū)域，該像素結構更適用于噴墨打印的工藝制備發(fā)光器件，實現(xiàn)了提高發(fā)光區(qū)域的膜層均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光均勻性的效果。

在一個優(yōu)選的實施例中，上述發(fā)光區(qū)域也可以設置成橢圓形，若設2a是橢圓形發(fā)光區(qū)域的長軸的長度，2b是其短軸的長度，可以將上述發(fā)光區(qū)域設計成滿足b≤a≤2b的形狀，這樣橢圓形區(qū)域不至于過長而難以使液體材料自然鋪展。更為優(yōu)選地，將上述發(fā)光區(qū)域設計成圓形，即長軸2b和短軸2a長度相等，也即a＝b。通過采用上述實施例，將發(fā)光區(qū)域的凹陷底面(即第一平面圖形s1)的形狀設置成為圓形或者橢圓形，從而更加有助于噴墨打印后的墨水自然鋪展開，且加工工藝簡單，降低了生產成本。

上述各子像素中的發(fā)光區(qū)域(對應的第一平面圖形s1)的形狀可以都為圓形，且是半徑相等的圓形，這樣由于各個子像素的發(fā)光區(qū)域為相等半徑的圓形設計，相比于現(xiàn)有的長寬比較大的圓角矩形設計，更加適合噴墨打印下來的液體材料在發(fā)光區(qū)域的自然鋪展，同時也有利于噴墨打印設備的批量噴射液體材料于發(fā)光區(qū)域，更有利于批量生產。

本申請上述像素結構適用于噴墨打印裝置，發(fā)光區(qū)域出的凹陷用于盛放的液體材料可以為噴墨打印裝置噴出的，發(fā)光區(qū)域的形狀可以由噴墨打印裝置單次噴射出的液體材料，在平面載體的干燥鋪展面積確定，平面載體為未設置有像素隔離結構的基板，優(yōu)選發(fā)光區(qū)域面積小于等于自然干燥面積。在一個可選的實施例中，子像素中發(fā)光區(qū)域對應凹陷的容積為v1，單次噴射出的液體材料的體積為v2，則v2≤v1≤10v2，優(yōu)選1pl≤v2≤10pl。

下面對上述實施例中的像素結構的發(fā)光區(qū)域的最大內徑(或面積)的確定方法展開具體介紹：

上面所說的最大內徑指位于同一個發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1中的兩點之間的最大距離，比如，當發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1是橢圓形時，最大內徑指的是橢圓形的長軸2a，當發(fā)光區(qū)域是圓形時，最大內徑即為圓形的直徑，當發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1是正n邊形時，最大內徑是該正n邊形的外接圓的直徑。在確定上述發(fā)光區(qū)域的最大內徑時，可以先選定用于測試的噴墨打印設備的噴嘴，然后用選定的噴嘴在其正常的工作高度(此時的特定高度為正常的工作高度)打印一滴墨水(即上述液體材料)至測試基板上，待該滴墨水干燥后，用顯微鏡觀察實際干燥形狀，該形狀為第二平面圖形s2，然后測出實際干燥形狀(即第二平面圖形s2)的最大內徑或面積，比如該實際干燥形狀(第二平面圖形)為圓形，則測出圓形的直徑長度d，最后根據(jù)測量出的d來設計具有像素結構的基板中的發(fā)光區(qū)域(即第一平面圖形s1)的大小，可以設計發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1的直徑2a≤d，并且1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，交集為s1，這樣有助于墨滴的自然平鋪，且克服了長條形像素兩頭鋪展不到液滴的缺陷，適用于噴墨打印方法制備膜層，提高了膜層制備的均勻性。更加優(yōu)選的，發(fā)光區(qū)域的直徑2a要以能夠使噴墨打印噴出的墨滴進入到發(fā)光區(qū)域內部為佳，也即發(fā)光區(qū)域的最大內徑小于等于墨滴下落的最大內徑，其中，發(fā)光區(qū)域設置在像素隔離結構內，像素隔離結構可以為像素界定層，優(yōu)選像素界定層的高度可以設置為1微米至5微米。

在一個可選的實施例中，像素單元中可以包括三個子像素，三個子像素分別用于發(fā)紅光、綠光和藍光中的任意一種或多種。比如，三個子像素可以分別為用于發(fā)射紅光的第一子像素(紅色像素結構r)、用于發(fā)射綠光的第二子像素(綠色像素結構g)及用于發(fā)射藍光的第三子像素(藍色像素結構b)。

位于同一像素單元的三個子像素并列排布，各像素單元呈矩陣排布，相鄰兩個相同子像素間的距離為d，這個距離d＝25.4mm/r，其中，r為像素分辨率，單位是ppi(pixelperinch，每英寸像素)，x、y分別為橫縱方向的像素單元的個數(shù)，l是矩陣所在矩形區(qū)域的斜邊長，l的單位為英寸。

例如要打印分辨率為100dpi的像素時，相鄰發(fā)紅光的第一子像素沿x與y方向的距離都是0.254mm，其中，打印像素指的就是將墨水打印至子像素中的發(fā)光區(qū)域的凹陷中。

在一個可選的實施例中，可以在像素結構的發(fā)光區(qū)域內打印一滴或多滴墨水。假設上述發(fā)光區(qū)域的容積為v1，每滴墨滴的體積為v2，則有v2≤v1≤10v2，也即子像素的發(fā)光區(qū)域可以至少容納1至10滴墨水。

上述的發(fā)光區(qū)域對應的基板的設計方法適用于多種驅動方式的基板制作，既可以適用于被動式矩陣(passivematrix)也可以適用于主動式矩陣(activematrix)的基板，其中，被動式矩陣可以為被動式有機發(fā)光二極體(passivematrixorganiclightemittingdiode，pm-oled)或者被動式量子點發(fā)光二極管(pm-qled)，包括rgb三個子像素，并且這三個像素是呈陣列排布的，其結構可以如圖2所示。

此外，上述發(fā)光區(qū)域所對應的基板還適用于主動矩陣有機發(fā)光二極體面板(activematrix/organiclightemittingdiode，am-oled)或主動式量子點發(fā)光二極管(am-qled)，am-oled無須背光模塊及彩色濾光片等材料。

當基板采用am-oled時，像素單元中的三個子像素的排列結構可以根據(jù)實際需要進行任意調整設計，為了提高像素的分辨率，在一個優(yōu)選的實施例中，像素單元中的三個子像素的排列結構可以如下：位于同一像素單元的三個子像素分別為第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素和第二子像素可以并列排布于第一行，第三子像素與第一子像素和第二子像素錯位排列于第二行，第三子像素與第一子像素和第二子像素的中間位置對齊設置。此時，子像素在像素單元內以“品”字或倒“品”字結構排布，且子像素可以根據(jù)需要任意指定。上述三個子像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形的形狀可以是圓形、橢圓形或正n變形中的一種或多種，n≥6，為了提高像素單元的發(fā)光效果，在一個可選的實施例中，第一子像素和第二子像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1為圓形，第三子像素的發(fā)光區(qū)域對應的第一平面圖形s1為橢圓形；優(yōu)選第一子像素和第二子像素用于發(fā)紅光和綠光，第三子像素用于發(fā)藍光。

如圖3所示，可以將r和g子像素(即發(fā)紅光和綠光的第一子像素4和第二子像素5)設置在一行，都呈圓形，將b子像素(即發(fā)藍光的第三子像素6)設置在rg子像素(第一子像素4和第二子像素5)下方，且b子像素可以設置成橢圓形結構，可以通過上述的像素發(fā)光區(qū)域的設置方式，調節(jié)各個像素的占比，根據(jù)實際的發(fā)光情況來進行調整設置。

通過上述實施例，采用將子像素的發(fā)光區(qū)域變小的方式，實現(xiàn)了容易鋪展的效果，且具發(fā)光區(qū)域的面積變小后，像素結構的設置數(shù)量可以相對變多，由于像素分辨率的公式可知，同樣尺寸區(qū)域內，像素結構數(shù)量設置的越多，分辨率越大，從而上述實施例中的設置方式還有助于提高像素分辨率，其中，像素分辨率公式如下所示：

其中，r是像素分辨率，單位是ppi(pixelperinch，每英寸像素)，x、y分別是橫縱方向的像素單元的個數(shù)，l是斜邊長(單位英寸)。

采用本申請的具有像素結構的基板，巧妙設計發(fā)光區(qū)域對應第一平面圖形s1的形狀、大小以及子像素的排列方式，使噴墨打印的墨水能夠在基板的發(fā)光區(qū)域均勻鋪展，省去了后續(xù)的均勻膜層的復雜工藝，采用較為簡單的方式從根本上解決了現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題，實現(xiàn)了提高發(fā)光區(qū)域的膜層均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光均勻性的效果。

根據(jù)本申請的另一個方面，還提供了一種光電器件，該光電器件包括上述各實施例的具有像素結構的基板。

上述實施例中的光電器件可以為發(fā)光器件，如電致發(fā)光器件或光致發(fā)光器件等，可以用在顯示或照明領域，但并不限于上述列舉的領域，其他涉及到像素結構的領域的器件也同樣適用。

通過上述實施例，由于基板上的像素結構中的發(fā)光區(qū)域具有凹陷，該凹陷用于盛放噴墨打印裝置噴出的液體材料，該具有像素結構的基板適用于噴墨打印，且上述凹陷底面的形狀為第一平面圖形s1，由噴墨打印裝置在與測試基板距離特定高度下單次打印噴出的液體材料在該測試基板的平坦表面上干燥后形成的圖形為第二平面圖形s2，s1的大小由第二平面圖形s2確定，1≤s2的面積/s1的面積≤1.5，且s2與s1具有交集，交集為s1，那么s1的面積接近s2，s2可全部覆蓋s1。本申請的具有像素結構的基板的發(fā)光區(qū)域的凹陷底面的形狀(s1)接近于噴墨打印的液體材料在沒有像素結構的測試基板上干燥鋪展的形狀(s2)，當噴墨打印的液體材料落入具有像素結構的凹陷的發(fā)光區(qū)域后，更容易在發(fā)光區(qū)域底面自然鋪展開，并覆蓋整個底面，從而相對于采用現(xiàn)有的長寬比較大的矩形或跑道形發(fā)光區(qū)域的像素來說，避免了噴墨打印時噴射的發(fā)光材料不能在發(fā)光區(qū)域完全鋪展，或者在多次錯位打印發(fā)光材料時在交叉部位發(fā)光材料固含量高于非交叉部位而鋪展不均勻的現(xiàn)象，從而本申請的像素結構更適用于噴墨打印的工藝制備發(fā)光器件，實現(xiàn)了提高發(fā)光區(qū)域的膜層均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光均勻性的效果，進而解決了現(xiàn)有的噴墨打印法所制備的發(fā)光器件容易出現(xiàn)膜層不均勻的問題。

根據(jù)本申請的第三個方面，還提供了一種打印方法，該打印方法包括如下步驟：準備上述各實施例中的具有像素結構的基板；利用噴墨打印裝置將液體材料打印于像素結構的凹陷中，液體材料干燥形成膜層。

上述實施例中的液體材料可以為用于發(fā)光的發(fā)光材料，比如量子點發(fā)光材料，或可以是用于電子或空穴傳輸?shù)牟牧?，又或者是用于電子或空穴注入的材料，液體材料可以為制備發(fā)光器件中各個膜層的其他材料，本領域技術人員可以根據(jù)實際需要進行材料的選擇。上述的膜層可以為顯示領域、照明領域、太陽能電池領域的器件中的膜層。

在一個可選的實施例中，利用噴墨打印裝置將液體材料打印于像素結構的凹陷中之前，打印方法還包括：調整噴墨打印裝置與基板的相對位置，更為優(yōu)選地，調整噴墨打印裝置的噴嘴至基板的距離為特定高度，其中，該特定高度可以為噴墨打印裝置打印時噴嘴距離具有像素結構的基板的凹陷底面的高度。

通過上述打印方法，由于采用了更加適用于噴墨打印裝置的像素結構的基板，在利用噴墨打印裝置設置液體材料時，液體材料更容易在像素隔離結構的發(fā)光區(qū)域自然鋪展開，從而打印出的液體材料干燥后鋪展更加均勻，提高了膜層的均勻性，進而提高了包括該方法制備的膜層的光電器件的發(fā)光均勻性。

以上所述僅為本申請的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本申請，對于本領域的技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護范圍之內。