本發(fā)明屬于儲能工藝領(lǐng)域，具體地說，涉及到一種新型鋁箔納米復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
：鋁電解電容器的電容量大小，一般取決于其表面積、介電常數(shù)和極間距離的大小，具體為：其中ε0-真空介電常數(shù)εr-電介質(zhì)相對介電常數(shù)s-電極的表面積d-極極間的距離由上所述可以看出如要提高其容量，其解決辦法主要來源于：1>擴大陽極表面積s。2>提高電介質(zhì)相對介電常數(shù)εr。3>減小陽極極間的距離d，也就是減小電介質(zhì)厚度。對于鋁電解電容器而言，其εr為固定三氧化二鋁(al2o3)介質(zhì)膜，其值一般為7.0左右，為提升c一般科研人員工作重心放在腐蝕擴面上，即提高鋁陽極箔的表面積s，而這方面的研究工作已接近極限。技術(shù)實現(xiàn)要素：針對上述問題，本發(fā)明提供了一種新型鋁箔納米復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，大大提高εr，從而提高電容器的容量。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種新型鋁箔納米復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟：(1)、選材：選用鋁光箔、腐蝕箔或化成箔作為基材；(2)、熱噴涂：基材的表面通過等離子熱噴涂技術(shù)將高介電常數(shù)納米級材料均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩(wěn)定的5-10μm的復(fù)合介質(zhì)層；(3)、電化學(xué)處理：通過電化學(xué)方法將復(fù)合介質(zhì)層中可能存在的縫隙形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復(fù)合介質(zhì)層，從而提高相對介電常數(shù)εr。作為優(yōu)選，所述的高介電常數(shù)納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，所述高介電常數(shù)納米級材料的目數(shù)不大于100納米，所述的高介電常數(shù)納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經(jīng)等離子噴涂設(shè)備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面。作為優(yōu)選，所述的電化學(xué)處理為將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學(xué)處理，以填補基材表面的復(fù)合介質(zhì)層在熱噴涂過程中產(chǎn)生縫隙，使基材的表面形成致密復(fù)合介質(zhì)層。本發(fā)明通過上述方法處理εr可達(dá)到70-1500，與常規(guī)的鋁電解電容器的εr相比，εr大大得到了提高，從而大大提升電容量c。具體實施方式下面通過具體的實施例對本發(fā)明做進一步的詳細(xì)描述。實施例1：(1)、選材：選用厚度為115μm的鋁光箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數(shù)納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數(shù)納米級材料的目數(shù)不大于100納米，高介電常數(shù)納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經(jīng)等離子噴涂設(shè)備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩(wěn)定的5-10μm的復(fù)合介質(zhì)層，；(3)、電化學(xué)處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學(xué)處理，以填補基材表面的復(fù)合介質(zhì)層在熱噴涂過程中產(chǎn)生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復(fù)合介質(zhì)層，從而提高相對介電常數(shù)εr。實施例2：(1)、選材：選用厚度為110μm的腐蝕箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數(shù)納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數(shù)納米級材料的目數(shù)不大于100納米，高介電常數(shù)納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經(jīng)等離子噴涂設(shè)備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩(wěn)定的5-10μm的復(fù)合介質(zhì)層，；(3)、電化學(xué)處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學(xué)處理，以填補基材表面的復(fù)合介質(zhì)層在熱噴涂過程中產(chǎn)生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復(fù)合介質(zhì)層，從而提高相對介電常數(shù)εr。實施例3：(1)、選材：選用厚度為116μm的化成箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數(shù)納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數(shù)納米級材料的目數(shù)不大于100納米，高介電常數(shù)納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經(jīng)等離子噴涂設(shè)備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩(wěn)定的5-10μm的復(fù)合介質(zhì)層，；(3)、電化學(xué)處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學(xué)處理，以填補基材表面的復(fù)合介質(zhì)層在熱噴涂過程中產(chǎn)生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復(fù)合介質(zhì)層，從而提高相對介電常數(shù)εr。實施例1、2、3基材表面形成復(fù)合介質(zhì)膜的厚度及復(fù)合介電常數(shù)如下：基材類型復(fù)合介質(zhì)膜厚度(μm)復(fù)合介電常數(shù)鋁光箔120-122εrmax＝320εrmin＝35腐蝕箔116-118εrmax＝1532εrmin＝800化成箔121-123εrmax＝530εrmin＝230在同等條件下，將鋁光箔、腐蝕箔、化成箔三種箔片分別進行比容測試其相關(guān)電性能參數(shù)見下表(箔片化成電壓520vf)：基材類型比容(μf/cm2)復(fù)合比容(μf/cm2)鋁光箔0.041.52腐蝕箔0.74632化成箔0.72117從上表可以看出，腐蝕箔經(jīng)過本發(fā)明工藝處理后，εr得到的提高最大，能夠最大限度地提升電容器的容量。當(dāng)前第1頁12