技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種復合鈍化層柵場板GaN?HEMT器件元胞結構，制作該器件的半導體材料為GaN外延片或單晶片，襯底可以是Si，SiC或者藍寶石等，器件表面在柵和漏之間的鈍化層為復合鈍化層，如圖1所示，在柵場板底下的鈍化層淀積或生長的是Low?K的介質，而柵場板之外的部分為High?K介質層。其中，High?K鈍化層有助于提高器件的耐壓和保持較低的表面漏電，而柵場板結構下的Low?K介質層降低了器件場板引起的寄生電容，有助于提升器件的頻率特性。

技術研發(fā)人員：袁俊;楊永江;倪煒江;張敬偉;李明山;牛喜平;胡羽中
受保護的技術使用者：北京華進創(chuàng)威電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.19
技術公布日：2017.09.15