技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種膜層的摻雜方法、薄膜晶體管及其制作方法，用以簡化工藝流程，提高產能，提升產品良率。膜層的摻雜方法包括：在襯底基板上通過構圖工藝制作一層待摻雜的膜層，該膜層包括第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)，第一區(qū)位于中間區(qū)，第三區(qū)位于邊緣區(qū)，第二區(qū)位于第一區(qū)和第三區(qū)之間；在膜層上通過構圖工藝依次形成第一阻擋層和第二阻擋層，第一阻擋層在膜層上的正投影區(qū)域覆蓋第一區(qū)，第二阻擋層在膜層上的正投影區(qū)域覆蓋第一區(qū)和第二區(qū)；采用與襯底基板垂直的離子束對膜層進行第一次摻雜，完成第三區(qū)的摻雜；將襯底基板沿平行于離子束的方向旋轉預設角度，使得第二阻擋層不遮擋第二區(qū)，采用離子束對膜層進行第二次摻雜，完成第二區(qū)的摻雜。

技術研發(fā)人員：王學偉
受保護的技術使用者：京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
技術研發(fā)日：2017.05.19
技術公布日：2017.09.12