技術特征：

技術總結
本發(fā)明提出一種多頻段左手材料結構，解決現有左手材料結構雙負頻段數目少的問題，包括介質基板、第一諧振單元、第二諧振單元，第一諧振單元和第二諧振單元由“I”型金屬細帶和兩個相同的“L”型金屬結構與“巾”型金屬結構組成，第一諧振單元和第二諧振單元印制在介質基板兩側，且三者的幾何中心重合，本發(fā)明通過兩層相互垂直交叉的諧振單元，使左手材料結構的雙負頻段達到三個，三個雙負頻段分別為2.7～4GHz、6.5～6.7GHz、10.1～10.7GHz，且最高相對帶寬達到38.8％。本發(fā)明有著雙負頻段數目多，最大相對帶寬高的特點，可用于實現左手材料在光學成像、微波器件、天線系統、電磁隱身等領域的應用。

技術研發(fā)人員：姜文;華烽;程通;龔書喜
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
技術研發(fā)日：2017.05.22
技術公布日：2017.09.29