本發(fā)明涉及顯示器件制程技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

平面顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛地應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(organiclightemittingdisplay，oled)。

薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)是平面顯示裝置的重要組成部分。tft可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作為開(kāi)關(guān)部件和驅(qū)動(dòng)部件用在諸如lcd、oled等平面顯示裝置上。

金屬氧化物半導(dǎo)體tft技術(shù)是當(dāng)前的熱門(mén)技術(shù)。由于氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率，而且相比低溫多晶硅(ltps)，金屬氧化物半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)單，與非晶硅制程相容性較高，且與高世代生產(chǎn)線(xiàn)兼容，具有良好的應(yīng)用發(fā)展前景。

目前，在有源陣列平面顯示裝置中，tft基板大多采用單柵極金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(single-gatetft)，而雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(dual-gatetft)相比單柵極金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管具有更優(yōu)的性能，如電子遷移率更高，開(kāi)態(tài)電流較大、亞閾值擺幅更小、閾值電壓的穩(wěn)定性及均勻性更好、柵極偏壓及照光穩(wěn)定性更好等，所以雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的應(yīng)用范圍在逐漸擴(kuò)大。

請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板中，底柵極200與源極501、及漏極502在垂直于基板100的方向上存在部分重疊區(qū)域，頂柵極701與源極501、及漏極502在垂直于基板100的方向上也存在部分重疊區(qū)域，會(huì)引發(fā)兩個(gè)比較突出的問(wèn)題：一是頂柵極701處于重疊區(qū)域的部分無(wú)法作用；二是在tft器件工作時(shí)，重疊區(qū)域會(huì)產(chǎn)生寄生電容，降低tft器件的響應(yīng)時(shí)間和電學(xué)性能。

經(jīng)實(shí)驗(yàn)研究、驗(yàn)證，發(fā)現(xiàn)使用半色調(diào)(halftone)掩膜板對(duì)光阻曝光后，半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)下所殘留的光阻厚度與該區(qū)域光阻下的圖案是否反光有較大的相關(guān)性：反光區(qū)域的光阻殘膜厚度與不反光區(qū)域的光阻殘膜厚度差異達(dá)到以上，達(dá)到進(jìn)行圖案化定義所需的殘膜厚度差異，因此可利用此現(xiàn)象作為圖案化定義的一種方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，能夠使得底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，從而能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，提高tft器件的穩(wěn)定性，改善tft器件的電性。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的結(jié)構(gòu)，其中的底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，tft器件的穩(wěn)定性好、電性?xún)?yōu)良。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板上沉積第一金屬層并對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成底柵極；

在所述底柵極與襯底基板上依次沉積第一絕緣隔離層、與金屬氧化物半導(dǎo)體層，并在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上涂布負(fù)性光阻層；

提供第一塊半色調(diào)掩膜板，所述第一塊半色調(diào)掩膜板包括第一半透光區(qū)、及分別連接所述第一半透光區(qū)兩側(cè)的第一遮光區(qū)、與第二遮光區(qū)，所述第一半透光區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述底柵極上方，且第一半透光區(qū)的兩側(cè)分別超出底柵極的兩側(cè)；使用所述第一塊半色調(diào)掩膜板曝光所述負(fù)性光阻層并進(jìn)行顯影，在第一半透光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)得到負(fù)性光阻塊,所述負(fù)性光阻塊正對(duì)底柵極的部分受到底柵極反光照射，該部分的厚度大于負(fù)性光阻塊的其它部分的厚度；

以所述負(fù)性光阻塊為遮蔽層對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化處理；

去除所述負(fù)性光阻塊的其它部分，保留負(fù)性光阻塊正對(duì)底柵極的部分，以保留的負(fù)性光阻塊正對(duì)底柵極的部分為遮蔽層對(duì)圖案化的金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行處理，得到金屬氧化物半導(dǎo)體有源層,其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層正對(duì)底柵極的部分保持為半導(dǎo)體，其它部分轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體；

對(duì)保留的負(fù)性光阻塊進(jìn)行制絨處理；

在所述第一絕緣隔離層、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層、及制絨處理的負(fù)性光阻塊上沉積第二金屬層，先后通過(guò)光阻涂布、曝光、顯影、與光阻剝離制程對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，且第二金屬層正對(duì)底柵極的部分在光阻剝離制程中被一并去除，得到與底柵極完全不重疊的源極、與漏極；

在所述第一絕緣隔離層、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層、源極、與漏極上沉積第二絕緣隔離層，并對(duì)第二絕緣隔離層與第一絕緣隔離層進(jìn)行圖案化處理，得到暴露出漏極部分表面的第一過(guò)孔、及暴露出底柵極部分表面的第二過(guò)孔；

在所述第二絕緣隔離層上沉積透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層上涂布正性光阻層；

提供第二塊半色調(diào)掩膜板，所述第二塊半色調(diào)掩膜板包括第二半透光區(qū)、及分別連接第二半透光區(qū)兩側(cè)的透光區(qū)、與第三遮光區(qū),所述第二半透光區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述底柵極、源極、與漏極上方，所述第三遮光區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述第一過(guò)孔上方；使用所述第二塊半色調(diào)掩膜板曝光所述正性光阻層并進(jìn)行顯影；在第二半透光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)，所述正性光阻層正對(duì)底柵極的部分形成第一正性光阻塊，所述正性光阻層受到源極與漏極反光照射的部分被去除；在所述第三遮光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)的正性光阻層得以保留，形成第二正性光阻塊；

以所述第一正性光阻塊、與第二正性光阻塊為遮蔽層，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，得到與源極和漏極完全不重疊的頂柵極、以及圖案化的像素電極；

所述像素電極經(jīng)由第一過(guò)孔接觸漏極，所述頂柵極經(jīng)由第二過(guò)孔接觸底柵極。

通過(guò)光阻揮發(fā)制程去除所述負(fù)性光阻塊的其它部分。

通過(guò)對(duì)圖案化的金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行激光照射或離子摻雜，得到金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。

所述第一金屬層與第二金屬層的材料均為銅、鉬、鋁中的一種或至少兩種的疊層。

所述第一絕緣隔離層與第二絕緣隔離層的材料均為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。

所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。

所述透明導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫。

本發(fā)明還提供一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，包括襯底基板、設(shè)在所述襯底基板上的底柵極、覆蓋所述底柵極與襯底基板的第一絕緣隔離層、于所述底柵極上方設(shè)在第一絕緣隔離層上的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層、設(shè)在所述第一絕緣隔離層上分別接觸金屬氧化物半導(dǎo)體有源層兩側(cè)的源極與漏極、覆蓋所述第一絕緣隔離層、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層、源極、與漏極的第二絕緣隔離層、以及設(shè)在所述第二絕緣隔離層上的頂柵極與像素電極；

所述底柵極與源極和漏極完全不重疊；所述頂柵極與源極和漏極完全不重疊；

所述像素電極經(jīng)由貫穿第二絕緣隔離層的第一過(guò)孔接觸漏極，所述頂柵極經(jīng)由貫穿第二絕緣隔離層與第一絕緣隔離層的第二過(guò)孔接觸底柵極。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，根據(jù)金屬反光增強(qiáng)曝能量的原理，以半色調(diào)掩膜板為工具，在半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)通過(guò)底柵極、源極、與漏極的反光使得不同部位的光阻厚度有差異，并利用光阻厚度的差異來(lái)實(shí)施相應(yīng)的圖案化處理，能夠使得底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，從而能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，提高tft器件的穩(wěn)定性，改善tft器件的電性。本發(fā)明提供的一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，采用上述方法制得，其中的底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，tft器件的穩(wěn)定性好、電性?xún)?yōu)良。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s1的示意圖；

圖4為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s3的示意圖；

圖6為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s4的示意圖；

圖7為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s5的示意圖；

圖8為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s6的示意圖；

圖9為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s7的示意圖；

圖10為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s8的示意圖；

圖11為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的步驟s9的示意圖；

圖12為本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、如圖3所示，提供襯底基板1，在所述襯底基板1上沉積第一金屬層并對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成底柵極2。

具體地，所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板；所述第一金屬層的材料為銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)中的一種或至少兩種的疊層。

步驟s2、如圖4所示，在所述底柵極2與襯底基板1上依次沉積第一絕緣隔離層3、與金屬氧化物半導(dǎo)體層4，并在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層4上涂布負(fù)性光阻層5。

具體地，所述負(fù)性光阻層5的特性是被光照射的區(qū)域不會(huì)被顯影液去除，而不被光照射的區(qū)域則會(huì)被顯影液去除。

所述第一絕緣隔離層3的材料均為氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、或二者的組合。

所述金屬氧化物半導(dǎo)體層4的材料優(yōu)選銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)。

步驟s3、如圖5所示，首先提供第一塊半色調(diào)掩膜板ht1，所述第一塊半色調(diào)掩膜板ht1包括第一半透光區(qū)ht11、及分別連接所述第一半透光區(qū)ht11兩側(cè)的第一遮光區(qū)ht12、與第二遮光區(qū)ht13，所述第一半透光區(qū)ht11對(duì)應(yīng)位于所述底柵極2上方，且第一半透光區(qū)ht11的兩側(cè)分別超出底柵極2的兩側(cè)；

然后使用所述第一塊半色調(diào)掩膜板ht1曝光所述負(fù)性光阻層5并進(jìn)行顯影，在第一遮光區(qū)ht12與第二遮光區(qū)ht13的曝光區(qū)域內(nèi)的負(fù)性光阻層5被去除掉，在第一半透光區(qū)ht11的曝光區(qū)域內(nèi)得到負(fù)性光阻塊5’，所述負(fù)性光阻塊5’正對(duì)底柵極2的部分由于受到底柵極2反光照射增強(qiáng)了曝光能量，從而該部分的厚度大于負(fù)性光阻塊5’的其它部分的厚度，整個(gè)負(fù)性光阻塊5’呈“凸”字形；

再以所述負(fù)性光阻塊5’為遮蔽層對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層4進(jìn)行圖案化處理。

步驟s4、如圖6所示，通過(guò)光阻揮發(fā)制程去除所述負(fù)性光阻塊5’的其它部分，保留負(fù)性光阻塊5’正對(duì)底柵極2的部分，以保留的負(fù)性光阻塊5’正對(duì)底柵極2的部分為遮蔽層對(duì)圖案化的金屬氧化物半導(dǎo)體層4進(jìn)行激光照射或離子摻雜處理，得到金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’正對(duì)底柵極2的部分保持為半導(dǎo)體，其它部分轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體。

步驟s5、如圖7所示，對(duì)保留的負(fù)性光阻塊5’進(jìn)行制絨處理，使得保留的負(fù)性光阻塊5’的上表面形成微小的凹凸結(jié)構(gòu)。

步驟s6、如圖8所示，在所述第一絕緣隔離層3、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’、及制絨處理的負(fù)性光阻塊5’上沉積第二金屬層6，先后通過(guò)光阻涂布、曝光、顯影、與光阻剝離制程對(duì)第二金屬層6進(jìn)行圖案化處理，且第二金屬層6正對(duì)底柵極2的部分在光阻剝離制程中被一并去除，得到與底柵極2完全不重疊的源極61、與漏極62。

具體地，在該步驟s6中，所述經(jīng)過(guò)制絨處理負(fù)性光阻塊5’一方面能夠阻擋第二金屬層6沉積到金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’正對(duì)底柵極2的部分上，一方面使得在剝離該負(fù)性光阻塊5’時(shí)能夠?qū)⑵渖系牡诙饘賹?一并去除。

所述第二金屬層6的材料亦為cu、mo、al中的一種或至少兩種的疊層。

進(jìn)一步地，該步驟s6所涂布的光阻pr可以是正性光阻，使用普通的掩膜板mk來(lái)進(jìn)行曝光，但需注意要將掩膜板mk對(duì)應(yīng)位于金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’上方的部分做成遮光，其它部分做成透光；當(dāng)然，該步驟6所涂布的光阻pr也可以是負(fù)性光阻，使用普通的掩膜板mk來(lái)進(jìn)行曝光，但需注意要將掩膜板mk對(duì)應(yīng)位于金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’上方的部分做成透光，其它部分做成遮光。

步驟s7、如圖9所示，在所述第一絕緣隔離層3、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’、源極61、與漏極62上沉積第二絕緣隔離層7，并先后通過(guò)光阻涂布、曝光、顯影、與光阻剝離制程對(duì)第二絕緣隔離層7與第一絕緣隔離層3進(jìn)行圖案化處理，得到暴露出漏極62部分表面的第一過(guò)孔71、及暴露出底柵極2部分表面的第二過(guò)孔72。

具體地，所述第二絕緣隔離層7的材料亦為siox、sinx、或二者的組合。

步驟s8、如圖10所示，在所述第二絕緣隔離層7上沉積透明導(dǎo)電層8，在所述透明導(dǎo)電層8上涂布正性光阻層9。

具體地，所述透明導(dǎo)電層8的材料為氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)。

正性光阻層9的特性是被光照射的區(qū)域會(huì)被顯影液去除，而不被光照射的區(qū)域則不會(huì)被顯影液去除。

步驟s9、如圖11所示，先提供第二塊半色調(diào)掩膜板ht2，所述第二塊半色調(diào)掩膜板ht2包括第二半透光區(qū)ht21、及分別連接第二半透光區(qū)ht21兩側(cè)的透光區(qū)ht22、與第三遮光區(qū)ht23，所述第二半透光區(qū)ht21對(duì)應(yīng)位于所述底柵極2、源極61、與漏極62上方，所述第三遮光區(qū)ht23對(duì)應(yīng)位于所述第一過(guò)孔71上方；

然后使用所述第二塊半色調(diào)掩膜板ht2曝光所述正性光阻層9并進(jìn)行顯影；在透光區(qū)ht22的曝光區(qū)域內(nèi)的正性光阻層9被去除；在第二半透光區(qū)ht21的曝光區(qū)域內(nèi)，所述正性光阻層9正對(duì)底柵極2的部分形成第一正性光阻塊91，所述正性光阻層9受到源極61與漏極62反光照射的部分由于曝光能量增強(qiáng)的幅度較大而被去除；在所述第三遮光區(qū)ht23的曝光區(qū)域內(nèi)的正性光阻層9得以保留，形成第二正性光阻塊92；

再以所述第一正性光阻塊91、與第二正性光阻塊92為遮蔽層，對(duì)所述透明導(dǎo)電層8進(jìn)行圖案化處理，得到與源極61和漏極62完全不重疊的頂柵極81、以及圖案化的像素電極82。

具體地，所述像素電極82經(jīng)由第一過(guò)孔71接觸漏極62，所述頂柵極81經(jīng)由第二過(guò)孔72接觸底柵極2。

上述雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，根據(jù)金屬反光增強(qiáng)曝能量的原理，以半色調(diào)掩膜板為工具，在半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)通過(guò)底柵極、源極、與漏極的反光使得不同部位的光阻厚度有差異，并利用光阻厚度的差異來(lái)實(shí)施相應(yīng)的圖案化處理，能夠使得底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，從而能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，提高tft器件的穩(wěn)定性，改善tft器件的電性。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，如圖12所示，包括襯底基板1、設(shè)在所述襯底基板1上的底柵極2、覆蓋所述底柵極2與襯底基板1的第一絕緣隔離層3、于所述底柵極2上方設(shè)在第一絕緣隔離層3上的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’、設(shè)在所述第一絕緣隔離層3上分別接觸金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’兩側(cè)的源極61與漏極62、覆蓋所述第一絕緣隔離層3、金屬氧化物半導(dǎo)體有源層4’、源極61、與漏極62的第二絕緣隔離層7、以及設(shè)在所述第二絕緣隔離層7上的頂柵極81與像素電極82。

所述底柵極2與源極61和漏極62完全不重疊；所述頂柵極81與源極61和漏極62完全不重疊；所述像素電極82經(jīng)由貫穿第二絕緣隔離層7的第一過(guò)孔71接觸漏極62，所述頂柵極81經(jīng)由貫穿第二絕緣隔離層7與第一絕緣隔離層3的第二過(guò)孔72接觸底柵極2。

本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)由于底柵極2與源極61和漏極62完全不重疊、頂柵極81與源極61和漏極62完全不重疊，能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，提高tft器件的穩(wěn)定性，改善tft器件的電性。

綜上所述，本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，根據(jù)金屬反光增強(qiáng)曝能量的原理，以半色調(diào)掩膜板為工具，在半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)的曝光區(qū)域內(nèi)通過(guò)底柵極、源極、與漏極的反光使得不同部位的光阻厚度有差異，并利用光阻厚度的差異來(lái)實(shí)施相應(yīng)的圖案化處理，能夠使得底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，從而能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，提高tft器件的穩(wěn)定性，改善tft器件的電性。本發(fā)明的雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，采用上述方法制得，其中的底柵極與源極和漏極完全不重疊，頂柵極與源極和漏極完全不重疊，能夠減小因底柵極與源極和漏極有重疊或因頂柵極與源極和漏極有重疊所產(chǎn)生的寄生電容，tft器件的穩(wěn)定性好、電性?xún)?yōu)良。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。