技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種轉接板的RDL成形方法，包括：對轉接板的正面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路，對轉接板的背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第二刻蝕紋路，導通第一刻蝕紋路和所述第二刻蝕紋路，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路，對第一刻蝕紋路、第二刻蝕紋路和第三刻蝕紋路進行封裝處理。通過本發(fā)明，可以在轉接板內部形成RDL線路，提高了單一轉接板的RDL線路數(shù)量，從而能夠提高單一轉接板上單位面積上所能承載的IO數(shù)量，提高轉接板的集成度。

技術研發(fā)人員：王振杰
受保護的技術使用者：華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.23
技術公布日：2017.10.10