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      分級磁性組件及形成方法與流程

      文檔序號:11179031閱讀:519來源:國知局
      分級磁性組件及形成方法與流程

      關(guān)于聯(lián)邦政府贊助的研究與開發(fā)的聲明

      本發(fā)明以由美國能源部授予的合同號deee0005573的政府支持下完成。政府具有本發(fā)明中的某些權(quán)利。

      相關(guān)申請的交叉引用

      本申請是2013年10月31日提交的案卷號269697-1,序列號14/068937,標(biāo)題為“dualphasemagneticmaterialcomponentandmethodofforming”的共同未決的美國專利申請的部分繼續(xù)申請。



      背景技術(shù):

      本公開的實施例一般涉及一種具有至少一個分級區(qū)域的磁性組件及形成其的方法。更具體地說,本公開涉及一種包括具有分級含氮量的至少一個區(qū)域的磁性組件,以及其通過氮化的形成。

      對于例如比如電馬達和發(fā)電機的高功率密度和高效率電機的要求對于各種應(yīng)用特別是對于混合和/或電動交通工具牽引應(yīng)用已長期普遍。混合/電動交通工具牽引馬達應(yīng)用中的目前趨勢是提高轉(zhuǎn)速來增加機器的功率密度,并且因此降低其質(zhì)量和成本。然而,人們認(rèn)識到,當(dāng)電機用于混合/電動交通工具的牽引應(yīng)用時,在功率密度、效率和機器的恒定功率速度范圍之間存在權(quán)衡。這個權(quán)衡可提出許多設(shè)計挑戰(zhàn)。

      具體地,用于旋轉(zhuǎn)電機中的磁性材料通常用作多種功能。將磁通與跨電機空氣間隙中的互補極有效耦合是理想的。磁性組件的軟磁材料也可承受電機的機械和結(jié)構(gòu)負(fù)載的很大一部分。有時在材料的有效磁性利用與磁性材料的機械承載能力之間可能存在權(quán)衡。備選地,有時可能降低機器的速度額定,以允許機器拓?fù)渚哂杏行Т判岳?。因此,期望具有這樣的材料,它可以通過局部控制電機中使用的軟磁材料的飽和磁化的幅值,避免電機的效率和可操作性之間的權(quán)衡。

      可以通過增加機器尺寸、改善熱管理、提高轉(zhuǎn)子速度或通過增加磁性利用來提高電機的功率密度。可以通過使用轉(zhuǎn)子疊片的加工和合金化的結(jié)合,以便通過開發(fā)高磁導(dǎo)率和低磁導(dǎo)率的局部區(qū)而創(chuàng)建多相磁性材料,從而增加磁性利用。高磁導(dǎo)率和低磁導(dǎo)率的局部區(qū)一般降低轉(zhuǎn)子操作期間的磁通損耗。機器的高磁導(dǎo)率和低磁導(dǎo)率的局部區(qū)域中的飽和磁化的突然變化可能導(dǎo)致機器中不期望的轉(zhuǎn)矩波動。

      轉(zhuǎn)子疊片的一系列鐵基軟磁組合物可以通過過程組合來奧氏體化,以形成低磁導(dǎo)率的區(qū)域。在所選擇的區(qū)域的階段轉(zhuǎn)化通常是在合金中存在碳化物的情況下熱驅(qū)動的。在局部加熱時,存在于所選擇的位置處的碳化物溶于基體并降低馬氏體開始溫度,從而有助于在室溫下穩(wěn)定奧氏體區(qū)域。然而,與傳統(tǒng)的鐵基磁性鋼相比,已知磁性微結(jié)構(gòu)中存在碳化物來增加矯頑力并降低磁飽和。預(yù)期一種控制室溫下軟磁體不同區(qū)域的奧氏體相的穩(wěn)定性的不同方法,同時開始于基本單相的微結(jié)構(gòu),以減少平穩(wěn)馬達操作的轉(zhuǎn)矩波動。本公開的實施例解決了這些和其他需求。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      根據(jù)本發(fā)明的一個方面,公開了包括至少一個區(qū)域的磁性組件。該至少一個區(qū)域包括氮,并且該至少一個區(qū)域中的氮濃度跨該至少一個區(qū)域的尺寸被分級。此外,該至少一個區(qū)域中的飽和磁化跨該至少一個區(qū)域的尺寸被分級。

      根據(jù)本發(fā)明的一個方面,公開了一種磁性組件,包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及置于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域。第一區(qū)域中的氮濃度小于第一區(qū)域的0.1wt%,第二區(qū)域中的氮濃度大于第二區(qū)域的0.4wt%,并且其中第三區(qū)域中的氮濃度跨第三區(qū)域的尺寸被基本連續(xù)分級。

      根據(jù)本發(fā)明的另一方面,公開了一種用于改變磁性組件的至少一個區(qū)域中的磁化值的方法。該方法包括將包含阻氮材料的涂層設(shè)置在組件的至少一部分上,以形成掩模,并在富氮氣氛中以高于700℃的溫度熱處理該組件,以形成磁性組件中的該至少一個區(qū)域。該至少一個區(qū)域由跨至少一個區(qū)域的尺寸的氮含量中的梯度和飽和磁化中的梯度來表征。

      技術(shù)方案1:一種磁性組件,包括:

      至少一個包括氮的區(qū)域,其中所述至少一個區(qū)域中的氮濃度跨所述至少一個區(qū)域的尺寸來分級,使得所述至少一個區(qū)域中的飽和磁化跨所述至少一個區(qū)域的尺寸來分級。

      技術(shù)方案2:如技術(shù)方案1所述的磁性組件,其中在所述至少一個區(qū)域中的碳濃度小于所述至少一個區(qū)域的0.05重量%。

      技術(shù)方案3:如技術(shù)方案1所述的磁性組件,其中在所述至少一個區(qū)域中的氮濃度跨所述至少一個區(qū)域的尺寸以基本連續(xù)的方式來分級。

      技術(shù)方案4:如技術(shù)方案1所述的磁性組件,其中所述至少一個區(qū)域包括第一部分,其具有小于所述第一部分的0.1重量%的氮含量。

      技術(shù)方案5:如技術(shù)方案4所述的磁性組件,其中所述至少一個區(qū)域包括第二部分,其具有大于所述第二部分的0.4重量%的氮含量。

      技術(shù)方案6:如技術(shù)方案1所述的磁性組件,進一步包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中所述至少一個區(qū)域置于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間。

      技術(shù)方案7:如技術(shù)方案6所述的磁性組件,其中所述第一區(qū)域具有小于所述第一區(qū)域的0.1重量%的氮含量。

      技術(shù)方案8:如技術(shù)方案6所述的磁性組件,其中所述第二區(qū)域具有大于所述第二區(qū)域的0.4重量%的氮含量。

      技術(shù)方案9:如技術(shù)方案6所述的磁性組件,其中所述第一區(qū)域的飽和磁化大于所述至少一個區(qū)域的飽和磁化,并且所述至少一個區(qū)域的所述飽和磁化大于所述第二區(qū)域的飽和磁化。

      技術(shù)方案10:如技術(shù)方案6所述的磁性組件,其中所述第一區(qū)域是磁性的,所述至少一個區(qū)域是部分磁性的,并且所述第二區(qū)域是非磁性的。

      技術(shù)方案11:如技術(shù)方案1所述的磁性組件,其中所述至少一個區(qū)域還包括鐵基合金。

      技術(shù)方案12:一種電機,包括如技術(shù)方案1所述的磁性組件。

      技術(shù)方案13:一種磁性組件,包括:

      第一區(qū)域、第二區(qū)域和置于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域,其中所述第一區(qū)域中的氮濃度小于所述第一區(qū)域的0.1wt%,并且所述第二區(qū)域中的氮濃度大于所述第二區(qū)域的0.4wt%,并且其中所述第三區(qū)域中的氮濃度跨所述第三區(qū)域的尺寸基本連續(xù)地分級。

      技術(shù)方案14:一種用于改變磁性組件的至少一個區(qū)域中的磁化值的方法,包括:

      將包括阻氮材料的涂層設(shè)置在所述磁性組件的至少一部分上,以形成掩模;并且

      在富氮氣氛中以高于700℃的溫度熱處理所述磁性組件,以形成所述磁性組件中的所述至少一個區(qū)域,其中所述至少一個區(qū)域由跨所述至少一個區(qū)域的尺寸的氮含量中的梯度和飽和磁化中的梯度來表征。

      技術(shù)方案15:如技術(shù)方案14所述的方法,其中所述至少一個區(qū)域中的氮含量中的所述梯度通過改變涂層參數(shù)來實現(xiàn),所述涂層參數(shù)包括涂層厚度、涂層密度和表面涂布面積百分比中的一種或多種。

      技術(shù)方案16:如技術(shù)方案15所述的方法,其中所述涂層參數(shù)通過控制用于設(shè)置所述涂層的沉積參數(shù)來改變。

      技術(shù)方案17:如技術(shù)方案15所述的方法,其中所述至少一個區(qū)域中的氮含量中的所述梯度通過改變所述涂層厚度來實現(xiàn)。

      技術(shù)方案18:如技術(shù)方案14所述的方法,其中所述至少一個區(qū)域中的氮含量中的所述梯度通過在熱處理步驟之前選擇性地去除所述涂層的部分來實現(xiàn)。

      技術(shù)方案19:如技術(shù)方案14所述的方法,其中所述至少一個區(qū)域中的碳濃度被控制為小于所述至少一個區(qū)域的約0.05重量%。

      技術(shù)方案20:如技術(shù)方案14所述的方法,進一步包括形成磁性組件中的第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中所述至少一個區(qū)域置于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間,并且其中所述第一區(qū)域具有大于所述至少一個區(qū)域的飽和磁化的飽和磁化,并且所述至少一個區(qū)域具有大于所述第二區(qū)域的飽和磁化的飽和磁化。

      技術(shù)方案21:如技術(shù)方案20所述的方法,其中所述第一區(qū)域具有小于所述至少一個區(qū)域的所述氮含量的氮含量,并且所述至少一個區(qū)域具有小于所述第二區(qū)域的所述氮含量的氮含量。

      附圖說明

      當(dāng)參考附圖閱讀以下詳細(xì)描述時,本公開的這些和其他特征、方面和優(yōu)點變得更好理解,其中在附圖中相似字符表示相同的部件,其中:

      圖1示出了根據(jù)本公開的一些實施例的磁性組件;

      圖2示出了根據(jù)本公開的一些實施例的磁性組件;

      圖3示出了根據(jù)本公開的一些實施例的磁性組件的表面上的涂層;

      圖4示出了根據(jù)本公開的一些實施例的掩模配置的二維圖示;

      圖5示出了根據(jù)本公開的一些實施例的磁性組件;

      圖6示出了根據(jù)本公開的一些實施例的掩模配置的二維圖示;

      圖7示出了根據(jù)本公開的一些實施例的多級組件的橫截面圖。

      具體實施方式

      本公開的不同實施例涉及一種磁性組件,其具有在磁性組件的至少一個區(qū)域中的氮含量和飽和磁化的分級變化,以及一種改變磁性組件的至少一個區(qū)域中的飽和磁化的方法。

      在一些實施例中,公開了一種磁性組件。本文描述的磁性組件包括至少一個區(qū)域,其中該至少一個區(qū)域由跨至少一個區(qū)域的尺寸分級的氮含量表征。

      如本文所用的術(shù)語“磁性組件”指任何產(chǎn)品的磁性部分,例如馬達的轉(zhuǎn)子疊片。在一些實施例中,磁性組件由鐵磁材料形成,在對于最終應(yīng)用來要求的尺寸和形狀。如本文所用的術(shù)語“尺寸”包括任何長度、寬度、厚度、任何對角線或非對角線方向以及體積。因此,如果參數(shù)跨長度、跨寬度、跨厚度、跨任何對角線或非對角線方向、跨體積或跨任何設(shè)計模式被分級,則該參數(shù)被認(rèn)為是“跨尺寸分級”。

      圖1示出了根據(jù)一些實施例的磁性組件10。磁性組件10通常由具有小于0.05重量%的碳濃度的組合物形成,并且可以是任何形狀和尺寸。在此,為了方便理解,磁性組件10被設(shè)想為具有矩形形狀,其具有頂表面12和底表面14。

      在一些實施例中,磁性組件10可以具有一定長度(1)、寬度(w)和厚度(t)。磁性組件10包括至少一個區(qū)域30,其由跨區(qū)域30的尺寸(未示出)分級的氮含量表征。此外,區(qū)域30中的飽和磁化跨區(qū)域30的尺寸分級。氮含量跨其可分級的尺寸的非限制性示例包括長度(1)。應(yīng)當(dāng)注意,盡管下文描述的實施例在跨長度分級的氮含量和飽和磁化的上下文中描述,但本公開不限于此。如前所述,附加的變型,比如例如,沿著磁性組件10的寬度w、厚度t、任何對角線或非對角線方向或沿著體積的氮含量和磁化飽和的分級在本公開的范圍內(nèi)。

      在一些實施例中,區(qū)域30中的磁性組件10的氮含量和飽和磁化跨那個區(qū)域的長度13分級。如本文所用,如果跨那個區(qū)域長度的那個參數(shù)中存在梯度,跨區(qū)域長度的參數(shù),比如例如氮含量或飽和磁化,被認(rèn)為是分級的。本文使用的術(shù)語“梯度”是指參數(shù)值隨在指定方向上的變化的逐漸變化。如本文所用,短語“參數(shù)值的逐漸變化”是指參數(shù)值的逐漸增加或逐漸減小。因此,短語“跨長度的參數(shù)的梯度”是指參數(shù)值隨著跨長度的位置變化的逐漸增加或逐漸減少。

      如果區(qū)域30的氮含量沿著長度13逐漸增加或逐漸減小,區(qū)域30被認(rèn)為氮含量沿著長度13分級。因此,如果在沿著長度13移動時氮含量增加或減少,則區(qū)域30被認(rèn)為氮含量沿著區(qū)域30的長度13分級。通過區(qū)域30的長度13,變化量或變化值不需要是常數(shù)。因此,即使在沿著區(qū)域30的長度13的氮含量值的改變中存在變化,如果改變是單向的(即逐漸地),則區(qū)域30被認(rèn)為是分級的。例如,在一些實施例中,如果區(qū)域30具有如圖2所示的沿著長度13的不同部分32、34和36,如果區(qū)域30的氮含量按照以下順序:32的氮含量大于34的氮含量,34的氮含量大于36的氮含量;或者32的氮含量小于34的氮含量,34的氮含量小于36的氮含量,不管在區(qū)域30的這些不同部分中的氮含量值的實際變化,區(qū)域30的氮含量被認(rèn)為是分級的。此外,本文使用的參數(shù)的“變化”是使用測量這種參數(shù)的常用設(shè)備可測量的參數(shù)的差異。在一些實施例中,參數(shù)的變化可以是逐漸的,逐步的或其組合。在一些實施例中,在至少一個區(qū)域30中的氮濃度跨區(qū)域30的尺寸以基本連續(xù)的方式分級。如本文所述,如果使用參數(shù)值相對于尺寸位置繪制的線具有恒定的非零斜率,參數(shù)的變化被稱為“跨尺寸的基本連續(xù)的方式”。在一些實施例中,參數(shù)變化值通過區(qū)域30的長度13是恒定的。

      在一些實施例中,該至少一個區(qū)域30可以是磁性的、非磁性的或部分磁性的。區(qū)域中的氮含量與那個特定區(qū)域的磁性關(guān)聯(lián),而且區(qū)域的磁性隨著那個區(qū)域中的氮含量的降低而增加。因此,在一些實施例中,如果那個區(qū)域的氮含量小于那個區(qū)域的合金組合物的0.1重量%,則該區(qū)域是磁性的,并且如果那個區(qū)域的氮含量大于那個區(qū)域的合金組合物的0.4重量%,則該區(qū)域是非磁性的。此外,如果氮含量的范圍是從那個區(qū)域的合金組合物的約0.1重量%至約0.4重量%,則該區(qū)域是部分磁性的。

      如本文所用,術(shù)語“磁性區(qū)域”是指區(qū)域的約99體積%以上是磁性的區(qū)域,并且通常將用作磁性區(qū)域。此外,術(shù)語“磁性區(qū)域”是指具有相對磁導(dǎo)率大于1的區(qū)域。在一些實施例中,磁性區(qū)域的相對磁導(dǎo)率可以大于100,并且在一些實施例中,磁性區(qū)域的相對磁導(dǎo)率可以大于200。在一些實施例中,磁性區(qū)域的飽和磁化大于1.5特斯拉。在另外實施例的一些中,磁性區(qū)域的飽和磁化大于1.8特斯拉。

      如本文所用,術(shù)語“非磁性區(qū)域”是指區(qū)域的90體積%以上是非磁性的區(qū)域,并且通常將用作非磁性區(qū)域。此外,術(shù)語“非磁性區(qū)域”是指相對磁導(dǎo)率大約等于1的區(qū)域。在一些實施例中,非磁性區(qū)域的飽和磁化約為零。

      如本文所用,術(shù)語“部分磁性區(qū)域”是指區(qū)域的從約10體積%至約99體積%具有磁性相的區(qū)域,并且通常將用作具有相對磁導(dǎo)率大于1的磁性區(qū)域。在一些實施例中,部分磁性相的飽和磁化是從約0.01至約1.5特斯拉的區(qū)域。在一些實施例中,部分磁性區(qū)域的飽和磁化是從約0.5至約1.5特斯拉的范圍。

      在一些實施例中,區(qū)域30是磁性的并且具有分級的氮含量和飽和磁化。在這些實施例的一些中,磁性區(qū)域30的氮含量小于區(qū)域30的0.1%,并且沿著長度13分級。在一些實施例中,磁性區(qū)域30的飽和磁化大于1.5t,而且沿著長度13分級。

      在一些實施例中,區(qū)域30是非磁性的并且具有分級的氮含量和飽和磁化。在這些實施例的一些中,非磁性區(qū)域30的氮含量大于區(qū)域30的0.4%,并且沿長度13分級。在一些實施例中,非磁性區(qū)域30的飽和磁化小于0.5t,并沿著長度13分級。

      在一些實施例中,區(qū)域30是部分磁性的并且具有分級的氮含量和飽和磁化。在這些實施例的一些中,部分磁性區(qū)域30的氮含量在區(qū)域30的約0.1%至約0.4%的范圍內(nèi),并且沿著長度13分級。在一些實施例中,部分磁性區(qū)域30的飽和磁化是約0.5t至約1.5t的范圍內(nèi),并且沿長度13被分級。

      在一些實施例中,區(qū)域30包括多個部分,使得至少一部分是磁性或部分磁性的。

      在一些實施例中,區(qū)域30包括第一部分,其具有小于第一部分的0.1重量%的氮含量。例如,在一些實施例中,區(qū)域30的部分32(圖2)可具有小于部分32的0.1重量%的氮含量,并且是磁性的,其具有大于1.5t的飽和磁化。

      在一些實施例中,區(qū)域30包括第二部分,其具有大于第二部分的0.4重量%的氮含量。例如,在一些實施例中,區(qū)域30的部分36可以具有大于該部分36的0.4重量%的氮含量,而且是非磁性的,其具有小于0.5t的飽和磁化。

      在一些實施例中,區(qū)域30包括第一部分和第二部分,第一部分具有小于第一部分的0.1重量%的氮含量,并且第二部分具有大于區(qū)域30的第二部分的0.4重量%的氮含量。

      在一些實施例中,區(qū)域30還包括第三部分,其具有從第三部分的約0.1%至約0.4%的范圍的氮含量。例如,在一些實施例中,區(qū)域30的部分34可具有在部分34的約0.1%至約0.4%的范圍的氮含量,并且是部分磁性的,其具有從約0.5t至約1.5t的范圍的飽和磁化。

      在一些實施例中,區(qū)域30包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分具有小于第一部分的0.1重量%的氮含量,第二部分具有大于第二部分的0.4重量%的氮含量,第三部分具有從第三部分的約0.1%至約0.4%的范圍的氮含量。

      在一些實施例中,磁性組件10包括至少一個區(qū)域30,并且還包括具有長度11的第一區(qū)域20,如圖2所示。在一些實施例中,第一區(qū)域20的氮含量小于第一區(qū)域20的0.1重量%,并且區(qū)域30的氮含量是在區(qū)域30的約0.1重量%至約0.4重量%的范圍內(nèi)。在這些實施例的一些中,第一區(qū)域20中的氮含量可以是分級和不分級的。因此,在一些實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量是恒定的,并且區(qū)域30中的氮含量是分級的。在一些其他實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量和區(qū)域30中的氮含量是分級的。在這些實施例的一些中,第一區(qū)域20是磁性的,而且區(qū)域30是部分磁性的。在一些實施例中,從第一區(qū)域20開始沿著區(qū)域30的長度13,并且在遠(yuǎn)離第一區(qū)域20的方向上,區(qū)域30具有連續(xù)增加的氮含量和連續(xù)減小的飽和磁化。

      在一些實施例中,磁性組件10包括至少一個區(qū)域30,并且還包括具有長度12的第二區(qū)域40。在一些實施例中,第二區(qū)域40的氮含量大于第二區(qū)域40的0.4重量%,而且區(qū)域30的氮含量是在從區(qū)域30的約0.1重量%至約0.4重量%的范圍內(nèi)。在這些實施例的一些中,第二區(qū)域40的氮含量可以是分級或不分級的。因此在一些實施例中,第二區(qū)域40的氮含量是恒定的,并且區(qū)域30中的氮含量是分級的。在一些其他實施例中,第二區(qū)域40中的氮含量和區(qū)域30中的氮含量是分級的。在這些實施例的一些中,第二區(qū)域40是非磁性的,區(qū)域30是部分磁性的。在一些實施例中,從第二區(qū)域40開始沿著區(qū)域30的長度13,并且在遠(yuǎn)離第二區(qū)域40的方向上,區(qū)域30具有連續(xù)減小的氮含量和連續(xù)增加的飽和磁化。

      在一些實施例中,磁性組件10包括至少一個區(qū)域30、第一區(qū)域20和第二區(qū)域40,其中該至少一個區(qū)域30是介于第一區(qū)域20和第二區(qū)域40之間,如圖2所示。在一些實施例中,第一區(qū)域20的氮含量小于第一區(qū)域20的0.1重量%,區(qū)域30的氮含量在第二區(qū)域40的約0.1重量%至約0.4重量%的范圍內(nèi),而且第二區(qū)域40的氮含量大于第二區(qū)域40的0.4重量%。在這些實施例的一些中,第一區(qū)域20和第二區(qū)域40中的氮含量可以分級或不分級。因此,在一些實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量和第二區(qū)域40中的氮含量是恒定的,區(qū)域30中的氮含量是分級的。在一些其他實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量、區(qū)域30中的氮含量和第二區(qū)域40中的氮含量被分級。在一些備選實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量和區(qū)域30中的氮含量被分級,第二區(qū)域40中的氮含量是恒定的。在某些實施例中,第一區(qū)域20中的氮含量是恒定的,區(qū)域30中的氮含量和第二區(qū)域40中的氮含量被分級。在這些實施例的一些中,第一區(qū)域20的飽和磁化大于區(qū)域30的飽和磁化,而且區(qū)域30的飽和磁化大于第二區(qū)域的飽和磁化。在一些實施例中,第一區(qū)域20是磁性的,區(qū)域30是部分磁性的,第二區(qū)域40是非磁性的。在一些實施例中,從第一區(qū)域20開始沿著區(qū)域30的長度13直到第二區(qū)域40,并且在遠(yuǎn)離第一區(qū)域20和朝向第二區(qū)域40的方向上,區(qū)域30具有連續(xù)增加的氮含量和連續(xù)減小的飽和磁化。

      在某些實施例中,磁性組件10包括第一區(qū)域20、第二區(qū)域40和介于第一區(qū)域20和第二區(qū)域40之間的第三區(qū)域30,其中第一區(qū)域20中的氮濃度小于第一區(qū)域的0.1wt%,第二區(qū)域40中的氮濃度大于第二區(qū)域的0.4wt%,并且其中第三區(qū)域30中的氮濃度跨第三區(qū)域30的尺寸是基本連續(xù)分級的。根據(jù)一些實施例,磁性組件可包括在磁性組件的任何部分中的任何尺寸和形狀的任何數(shù)量的第一區(qū)域20、第二區(qū)域40和第三區(qū)域30。在一些實施例中,磁性組件10包括彼此接近的多個第一區(qū)域20、多個第二區(qū)域40和多個第三區(qū)域30。

      在一些實施例中,第一、第二和第三區(qū)域可位于為彼此相鄰或可彼此分離。例如,在某些實施例中,磁性組件包括多個第一、第二和第三區(qū)域,其中部分磁性區(qū)域設(shè)置在磁性和非磁性區(qū)域之間。在這些實施例中,磁性區(qū)域和非磁性區(qū)域彼此分離,并且部分磁性區(qū)域與磁性和非磁性區(qū)域相鄰。

      在圖2所示的實施例中,第一區(qū)域20、第二區(qū)域40和第三區(qū)域30被示為彼此相鄰地設(shè)置。然而,其中第一、第二和第三區(qū)域以隨機的方式設(shè)置在整個磁性組件體積中的實施例也在本說明書的范圍內(nèi)。

      應(yīng)當(dāng)注意,圖1和圖2僅僅是為了說明的目的,并且盡管第一、第二和第三區(qū)域的尺寸和形狀被顯示為基本上類似,但是區(qū)域的形狀和尺寸可以改變。例如,圖2所示的第一、第二和第三區(qū)域不一定總是矩形的以及沿著磁性組件10的長度(l),或沿著磁性組件10的寬度(w)或厚度(t)。此外,磁性組件10可以設(shè)計為使得多個第一區(qū)域中的不同第一區(qū)域可具有相同或不同的形狀、長度(l1)、寬度(w1)和厚度(t1)的值。例如,第一區(qū)域20的形狀(無具體圖示)、長度(l1)、寬度(w1)和厚度(t1)可以相同,或分別不同于第二區(qū)域40和至少一個區(qū)域30的形狀、長度(l2)、寬度(w2)和厚度(t2)。

      在馬達組件中具有飽和磁化梯度的區(qū)域的存在實現(xiàn)減少轉(zhuǎn)矩脈動和精確控制穿過電機體積的磁通量的分布。機器內(nèi)的磁通密度可以在磁性區(qū)域中最高,在部分磁性區(qū)域中較低,在非磁性區(qū)域中最低。此外,部分磁性區(qū)域和非磁性區(qū)域可能有助于將高飽和磁化區(qū)域固定在一起并在操作期間保留機器的機械完整性。此外,在機器體積中的逐漸分布的不同飽和磁化的多個區(qū)域的存在使機器設(shè)計師能夠控制機器內(nèi)磁通量的分布。

      在一些實施例中,磁性組件10是整體形式。如本文使用的術(shù)語“整體形式”是指基本上沒有任何關(guān)節(jié)的連續(xù)結(jié)構(gòu)。在一些實施例中,單片磁性組件可以在加工期間形成為一個結(jié)構(gòu),沒有任何釬焊或多個燒結(jié)步驟。當(dāng)使用單一材料制作磁性組件時,粘結(jié)不同區(qū)域的負(fù)面影響是通過確保磁性組件10的可靠性、氣密性和增加的粘結(jié)強度來減少。

      在一些實施例中,單片磁性組件可以通過加性制造而制造。在一些實施例中,磁性組件在任何燒結(jié)步驟之前制造成單片結(jié)構(gòu)。在某些實施例中,單片磁性組件整體上是使用具有相同組合物的粉末作為初始材料制造的。

      因此,在一些實施例中,磁性組件10可以由單一材料制備。作為示例,磁性組件可以包括磁性材料的初始材料制備。本文使用的磁性材料可以是單個元素、合金、組合物、或其任何結(jié)合。在一些實施例中,磁性組件可包括鐵基合金。

      如前所公開,在一些實施例中,磁性組件內(nèi)的區(qū)域中的氮含量與那個特定區(qū)域的磁性關(guān)聯(lián)。在一些實施例中,由于通過合金組合物確定的氮溶解度的差異,區(qū)域磁性與那個區(qū)域中氮含量的關(guān)聯(lián)可根據(jù)用于形成磁性組件的合金組合物變化。因此,在一些實施例中,可以包含在一種鐵合金的磁性區(qū)域中的最大氮含量可能不同于可以包含在不同組合物的另一種鐵合金的磁性區(qū)域中的最大氮含量。此外,可以包含以形成不同組合物的兩種鐵合金中的部分磁性區(qū)域的氮含量的范圍可以是不同的,可以包含以形成兩種不同鐵合金中的非磁性區(qū)域的最小氮含量可根據(jù)兩種鐵合金的組合物變化。

      在一些實施例中,鐵基合金還可以包括鉻、錳或其組合。在一些實施例中,鐵基合金可以具有鐵素體或馬氏體結(jié)構(gòu)。在一些實施例中,鐵基合金的組成為20重量%鉻和5%錳,余量基本上為鐵。在一些實施例中,鐵的一部分可以用最高35重量%的鈷代替。在一些實施例中,鉻的一部分可以用最高5重量%的鋁替代。在一些實施例中,鐵的一部分可以用最高35重量%的鈷代替,鉻的一部分可以用最高5重量%的鋁替代。在一些實施例中,該合金的磁性區(qū)域具有小于那個區(qū)域的0.1重量%的氮含量,非磁性區(qū)域具有大于那個區(qū)域的0.4重量%的氮含量,部分磁性區(qū)域具有從那個區(qū)域的約0.1重量%至約0.4重量%的范圍內(nèi)的分級的氮含量。如前所述,將鐵素體或馬氏體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為奧氏體結(jié)構(gòu)增加了該合金中的非磁性和部分磁性相。

      奧氏體,也稱為γ相鐵(γ-fe),是鐵的金屬順磁性同素異形體。將鐵、鐵基金屬或鋼加熱到它從鐵素體改變晶體結(jié)構(gòu)至奧氏體的溫度稱為鎢化。在一些實施例中,奧氏體化可以通過加入某些合金元素進行。例如,在一些實施例中,添加“某些合金元素”,例如錳、鎳、鈷和碳,可以甚至在室溫下穩(wěn)定奧氏體結(jié)構(gòu)。通過在選定區(qū)域的部分處在室溫下穩(wěn)定奧氏體,可以使所選擇的區(qū)域具有部分磁性。此外,通過在磁性組件的一些區(qū)域在室溫下穩(wěn)定奧氏體可以形成多相磁性組件,同時在磁性組件的一些其它區(qū)域保留一些強烈的鐵磁性馬氏體或鐵素體相。

      已知碳的存在是為了穩(wěn)定非磁性奧氏體結(jié)構(gòu)。早期的努力為了將成形碳化物溶解在磁性組件的選定區(qū)域中,以穩(wěn)定磁性組件的那些區(qū)域處的非磁性相。在一些實施例中,磁性組件的部分磁性區(qū)域是通過加入氮而不是碳,穩(wěn)定低磁導(dǎo)率奧氏體結(jié)構(gòu)來形成的。碳化物,作為第二相,已知是磁性組件不需要的。因此,在一些實施例中,磁性組件基本上不含碳。

      然而,在本發(fā)明的其它實施例中,磁性組件可以含有相對較小含量的碳,這有時會增加磁性組件的拉伸強度。在這些實施例中,磁性組件的所有區(qū)域中的總碳量可以小于約0.05重量%。在一些實施例中,如上所述,磁性組件10具有至少一個區(qū)域30,其中區(qū)域30中的氮濃度在區(qū)域30的長度上分級。在一些實施例中。磁性組件10的區(qū)域30中的碳濃度小于區(qū)域30的0.05重量%。

      在一些實施例中,公開了一種制造磁性組件10的方法??梢允褂脽崃W(xué)和經(jīng)驗計算來預(yù)測在升高的溫度下加入氮氣時形成奧氏體相的磁性組件10的組合物。使用設(shè)計的合金組合物的磁性組件10可以通過使用傳統(tǒng)方法制造。因此在一些實施例中,以接近最終的形式制造的磁性組件經(jīng)受分級氮化,而不需要大量改變氮化處理后的形成的磁性組件的形狀和尺寸。本文使用的術(shù)語“分級氮化”是磁性組件的區(qū)域中的一些(期望的)部分的受控氮化,而基本上不改變附近區(qū)域的鐵磁性質(zhì),磁性組件提供了該區(qū)域中的氮含量的分級。如果附近區(qū)域的平均飽和磁化減少超過那個區(qū)域的約5體積%,則附近區(qū)域的鐵磁性質(zhì)可被認(rèn)為是“基本改變的”。

      磁性組件可被設(shè)計為在氮化之前具有期望的氮溶解度,而且不同飽和磁化的區(qū)域可以通過分級氮化來實現(xiàn)。最終磁性組件的飽和磁化可以是氮化步驟之前的磁性組件的飽和磁化的一小部分。由于材料的工藝條件的分級變化,最終磁性組件的體積上的飽和磁化可以不同。

      磁性組件的分級氮化可以使用不同的氮化方法來實現(xiàn)??梢詫⒒瘜W(xué)、物理或機械性質(zhì)的分級模塊提供給磁性組件的氮含量梯度可期望的區(qū)域,以獲得該區(qū)域的分級磁化。例如,在一些區(qū)域中,阻止氮擴散到磁性組件中的化學(xué)組合物可以以分級方式用作“阻氮”材料??梢允褂迷谥辽僖粋€區(qū)域中的選定部分引入氮的物理方法,同時使氮不可用于其它部分。機械模塊能夠機械地防止氮在至少一個區(qū)域中的某些部分的擴散。

      因此,在一些實施例中,提出了一種改變磁性組件的至少一個區(qū)域中的(飽和)磁化值的方法。如本文所使用的,諸如“改變”和“變化”的術(shù)語是指數(shù)值隨著在特定方向上的改變而逐漸變化,而不是指氮化的持續(xù)時間。該方法包括將包含阻氮材料的涂層設(shè)置在磁性組件的至少一部分上以形成掩模,并且在富氮氣氛中熱處理磁性組件以形成至少一個區(qū)域,其中該至少一個區(qū)域具有該區(qū)域尺寸上的氮含量梯度和飽和磁化梯度。熱處理溫度可能大于700℃。如本文所用,術(shù)語“阻氮材料”是指能夠基本阻止氮進入該區(qū)域的材料。阻氮材料本身不一定含有氮。由于該方法包括將氮分級引入至少一個區(qū)域中,該至少一個區(qū)域中的氮含量變成在那個區(qū)域中分級。

      在一些實施例中,模板可以用在磁性組件上,以遮擋一些區(qū)域并暴露出其它區(qū)域,用于涂覆阻氮材料。涂覆材料可以通過使用不同的方法設(shè)置在磁性組件上。用于將涂層設(shè)置在磁性組件上的方法的非限制性示例可以包括浸漬涂覆、噴涂、旋涂、滑移澆鑄、膠帶澆鑄和層壓以及凝膠澆注。在某些實施例中,涂層是通過在磁性組件上噴涂漿狀的阻氮材料而設(shè)置的。

      在一些實施例中,設(shè)計成具有分級磁性的區(qū)域被涂層遮蔽,使得允許氮沿著至少一個區(qū)域的表面中的不同部分部分地擴散。在一些實施例中,設(shè)計為磁性的區(qū)域被掩蔽,使得避免氮擴散到那些區(qū)域。此外,在一些實施例中,設(shè)計為非磁性的區(qū)域保持為不被掩蔽,使得氮擴散到這些區(qū)域中。

      在一些實施例中,通過改變涂層參數(shù)來實現(xiàn)至少一個區(qū)域30中的氮含量的梯度。涂層參數(shù)包括但不限于,涂層厚度、涂層密度和表面涂層面積百分比中的一個或多個。這些涂層參數(shù)的變化可以通過不同的方法來實現(xiàn)。在一些實施例中,可以通過控制用于設(shè)置涂層的沉積參數(shù)來改變涂層參數(shù)。合適的沉積參數(shù)包括但不限于,沉積方法、材料組合物、固體負(fù)載、密度、沉積涂層厚度、沉積速度、干燥方法、干燥速度、燒結(jié)溫度、燒結(jié)時間和涂層氣氛。例如,在某些實施例中,可以通過設(shè)置具有分級厚度的涂層來實現(xiàn)至少一個區(qū)域30中的氮含量的梯度。因此,作為示例,如圖3所示,具有厚度tc的涂層42可以設(shè)置在至少一個區(qū)域30上。厚度tc的梯度可以通過在涂層沉積期間控制厚度或在沉積后選擇性地減小涂層厚度來實現(xiàn)。涂層42的厚度tc可以被分級以改變擴散到區(qū)域30的氮的含量。因此,在一些實施例中,可以控制涂層42的厚度tc,使得至少一個區(qū)域30的不同部分在氮化時具有不同的氮水平和不同的飽和磁化。

      本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,根據(jù)至少一個區(qū)域30中的所需梯度的形狀和尺寸,涂層42可被設(shè)計成具有不同的形狀和特性。

      如上所述,在一些實施例中,代替涂層的變化厚度,可以改變涂層的密度或表面涂層面積百分比,以控制氮的擴散。例如,與致密涂層相比,具有較低密度的涂層可允許較高含量的氮擴散通過。因此,沿著長度13的涂層密度的變化可以有助于沿著區(qū)域30的長度13形成氮含量的梯度。此外,如果沿著區(qū)域30的長度13在至少一個區(qū)域30中存在表面涂層面積百分比的變化(換句話說,被涂層覆蓋的面積百分比),如圖4所示,沿著長度13擴散到區(qū)域30的氮含量將是變化的。在圖4中,涂層42設(shè)置在區(qū)域30的頂表面12上。涂層42具有多個開口46,使得氮可以通過這些開口擴散到區(qū)域30內(nèi)。通過改變涂層42中的開口46的數(shù)量、形狀和尺寸,擴散到區(qū)域30中的氮含量可以被控制和分級。

      在一些實施例中,形成磁性組件的方法可以包括在磁性組件10中形成第一區(qū)域20、第二區(qū)域40和至少一個區(qū)域30,其中至少一個區(qū)域30介于第一區(qū)域20和第二區(qū)域40之間,如圖5所示。在這些實施例中,第一區(qū)域20可以用涂層遮蔽,該涂層具有期望的厚度、密度和表面積覆蓋率,使得阻止氮進入第一區(qū)域20。第二區(qū)域可以不被涂覆,以允許最大量的氮擴散進入第二區(qū)域40中,并且至少一個區(qū)域30可以通過改變涂層的厚度、密度和表面涂層面積百分比中的一個或多個而被部分遮擋,以允許期望的分級含量的氮擴散到區(qū)域30中。例如,具有厚度tc的涂層42可以設(shè)置在第一區(qū)域20上以保持第一區(qū)域20的磁性,而且第二區(qū)域40可以不被涂覆。可以在至少一個區(qū)域30上設(shè)置具有厚度梯度的涂層42,使得擴散到至少一個區(qū)域30中的氮的含量被分級。在這些實施例的一些中,第一區(qū)域20具有大于至少一個區(qū)域30的飽和磁化的飽和磁化,并且至少一個區(qū)域30具有大于第二區(qū)域40的飽和磁化的飽和磁化。

      在一些實施例中,可以控制氮化,使得第一區(qū)域20具有小于第一區(qū)域20的0.1重量%的氮含量,第二區(qū)域40具有大于第二區(qū)域40的0.4重量%的氮含量,并且介于第一區(qū)域20和第二區(qū)域40之間的至少一個區(qū)域30具有在區(qū)域30的約0.1重量%至約0.4重量%的范圍內(nèi)的氮含量的梯度。此外,至少一個區(qū)域30中的碳含量可被控制為小于區(qū)域30的0.05重量%。在一些實施例中,第一區(qū)域20具有小于至少一個區(qū)域30的平均氮含量的氮含量,并且至少一個區(qū)域30具有小于第二區(qū)域40的氮含量的平均氮含量。

      在一些實施例中,可以通過在熱處理步驟之前選擇性地去除涂層42的一部分來實現(xiàn)至少一個區(qū)域30中的氮含量的梯度,從而如圖6所示改變那些區(qū)域中的涂層的表面涂層面積百分比或密度。可以通過不同的方法,包括但不限于蝕刻和噴砂,選擇性地去除涂層42的一部分。

      在圖6中,涂層42設(shè)置在區(qū)域30的頂表面12上。在涂覆區(qū)域30上設(shè)置具有多個開口48(未示出)的掩模。未被遮擋的涂層42的一部分可以通過任何合適的方法去除,例如噴砂,以暴露頂表面12。因此在氮化時,沿著長度13擴散到區(qū)域30中的氮含量將根據(jù)開口48的尺寸、形狀和密度的變化而變化。

      在一些實施例中,當(dāng)涂覆阻氮材料或在阻氮材料選擇性去除期間使用的掩模的材料、涂層參數(shù)、沉積參數(shù)或其結(jié)合可以變化,以實現(xiàn)在下部區(qū)域的氮含量所需梯度??梢愿淖儏?shù),例如組成、厚度、密度、表面涂層面積百分比、邊緣覆蓋率、邊緣覆蓋角度,以設(shè)置或去除磁性組件表面上的阻氮材料的期望尺寸、形狀和密度。例如,在阻氮材料的噴涂期間可以使用蠟涂層作為掩模,其中具有低密度的蠟涂層可允許一些阻氮材料穿透蠟并涂覆在表面上。此外,掩模邊緣處的分級厚度有助于形成具有分級厚度的阻氮材料的涂層。掩模和阻氮材料可以在氮化之后通過機械力去除,例如刷洗。

      氮化可以通過固體、液體、氣體或等離子體途徑進行。在一些實施例中,高溫氣體氮化用于將氮引入組件中。在某些實施例中,高溫氣體氮化包括在高溫下在氮氣氣氛中熱處理磁性組件。備選地,氨和氫的混合物中的熱處理可以用于氮擴散。在這種技術(shù)中,高溫允許氮的快速擴散,從而提供快速的處理途徑?;蛘?,等離子體氮化可以用于氮擴散。

      在一些實施例中,通過在富氮氣氛中氣體氮化,通過在大于700攝氏度(℃)的溫度下進行熱處理,氮可能擴散到磁性組件10中。在一些實施例中,氣體氮化是通過在高于800℃的溫度下進行熱處理來進行。

      在一些實施例中,用于氣體氮化的壓力大于0.5大氣壓(atm.)。通常,預(yù)期氮的擴散隨著較高的熱處理溫度和增加的氮平衡表面濃度而增加。通常,磁性部件10周圍的氣體的增加的壓力增加了氮的表面濃度。因此,在純氮氣氛中的給定條件下,氮氣壓力大于大氣壓,高溫通常會提供更快的氮化過程。在一些實施例中,大于1大氣壓的環(huán)境壓力和大于約900℃的溫度被用于氮化。在另外的實施例中,氮化溫度大于1000℃。

      在一些實施例中,富氮氣氛被用于氮化。在一些實施例中,富氮氣氛包括大于約90%的氮。在一些實施例中,氮化是在基本純凈的氮氣氣氛中進行。大量純氮氣氛可以通過從爐腔中排空空氣之后在爐腔中填充氮氣,并在加工過程中用氮氣凈化或通過連續(xù)的氮氣吹掃來產(chǎn)生??梢愿鶕?jù)磁性組件10的氮擴散(和非擴散)的所需量、圖案,將涂層施加到部件上。圖5所示的磁性組件10的氮化可以發(fā)生在穿過磁性組件10的頂部12、底部14以及前部17和后部19表面部分上的至少一個區(qū)域30的表面部分。如果至少一個區(qū)域30是具有長度l的磁性組件的端部,則區(qū)域30的氮化發(fā)生在穿過磁性組件10的側(cè)表面17和/或19,如圖3所示。

      當(dāng)圖3-6所示的磁性組件10進行氣體氮化時,氮擴散通過組件,通過磁性組件10的所有表面的未涂覆的(如果有的話)和部分涂覆的部分,包括磁性組件的頂表面12、底表面14以及側(cè)表面16、17、18和19。這種擴散的氮與磁性組件的組合物結(jié)合,改變了這些區(qū)域的局部相穩(wěn)定性,并將這些區(qū)域轉(zhuǎn)化為非磁性奧氏體。盡管氮擴散穿過表面,氮化參數(shù)允許氮進一步擴散到磁性組件的長度、寬度和厚度,通過磁性組件10的所有表面,同時涂覆或部分涂覆的區(qū)域防止大量的氮擴散通過那些區(qū)域。

      通過經(jīng)驗和熱力學(xué)計算,氮化參數(shù)可以調(diào)整,而且在磁性組件10的某些區(qū)域的不同方向的氮擴散可以預(yù)測,因此涂層42的尺寸、形狀、厚度和開口可以被改變,使得所得到的最終產(chǎn)品大約是氮化過程的期望結(jié)果。

      在一些實施例中,擴散進入磁性組件的內(nèi)部區(qū)域的氮可以取決于氮在磁性部件10內(nèi)的傳播距離。例如,如果氮化僅分別通過頂表面12和底表面14,氮擴散到磁性組件10內(nèi)部部分所需的持續(xù)時間可以取決于磁性組件10的厚度t。在一些實施例中,磁性組件10的厚度是在約0.1mm到約5mm的范圍內(nèi)。該組件的磁性、非磁性和部分磁性區(qū)域的期望圖案可以通過將氮擴散通過選擇性涂覆的頂表面12和底表面14來獲得,從而保持涂覆的厚度t的側(cè)表面。

      可以呈現(xiàn)不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括上述的多相和分級的磁性材料,并且可以制造包括如上所述的磁性組件的電機。例如,可以將內(nèi)部永磁電機和感應(yīng)電機設(shè)計為具有更高的功率密度和更高的功率因數(shù),以及更低的穿過極點成形的轉(zhuǎn)矩波動,并且可以設(shè)計為具有無傳感器的控制。切換的磁阻電機可設(shè)計成在高速時具有較低的風(fēng)阻損失,并進一步減少轉(zhuǎn)矩波動。同步磁阻電機可以設(shè)計成具有更高的功率密度,更高的功率因數(shù),更寬的恒定功率速度范圍,更低的轉(zhuǎn)矩波動和無傳感器的控制。

      例如,可以設(shè)計許多不同類型的同步磁阻電機,具有可操作地設(shè)置在定子范圍內(nèi)的定子和轉(zhuǎn)子軸。圖7示出了可以從多相材料中受益的拓?fù)涞氖纠?。部?0可以表示磁阻電機的一部分,包括磁性區(qū)域52和部分磁性區(qū)域54,部分磁性區(qū)域54在兩個磁性區(qū)域52之間具有飽和磁化的梯度。這些磁性區(qū)域52和分級的部分磁性區(qū)域54在下面統(tǒng)稱為“復(fù)合區(qū)段”。組件50的選擇性成形的轉(zhuǎn)子55被配置為四極機器。每個極可包括多個軸向延伸的徑向定位的(“堆疊”)的復(fù)合區(qū)段56、58、60等,其延伸自每個極,終止于中心轉(zhuǎn)子軸62。極數(shù)以及疊片的數(shù)量可以根據(jù)磁阻機器的具體設(shè)計而顯著變化。

      繼續(xù)參照圖7,復(fù)合區(qū)段有效地將磁通量引導(dǎo)到轉(zhuǎn)子55內(nèi)外。磁性區(qū)域52約束磁通量的路徑,而分級和部分磁性區(qū)域54確保相對高密度的磁通線平滑過渡地從轉(zhuǎn)子表面出來,并且進入轉(zhuǎn)子和定子之間的空氣間隙。在根據(jù)常規(guī)技術(shù)制造這些類型的磁阻電機時,磁性和部分磁性疊片通常必須通過各種機械/金屬加工步驟組裝,例如切割和焊接。本申請的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn),使用多相材料和制備這些材料的方法,更有效地獲得了所需的構(gòu)造,如在一些實施例中所描述的。

      本文呈現(xiàn)的不同實施例可以使電機設(shè)計者能夠精確地控制穿過電機體積的磁通量的分布。這可以通過設(shè)計在機器的整個體積中分布的差分和分級的飽和磁化的區(qū)域來實現(xiàn)。在具有較高飽和磁化的區(qū)域內(nèi),機器內(nèi)的磁通密度將會很高。較低飽和磁化的區(qū)域仍然可用于保持機器的機械完整性,而不會引起高轉(zhuǎn)矩波動。

      該書面描述使用示例來描述公開內(nèi)容,包括最好的模式,并且還使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明,包括制造和使用任何裝置或系統(tǒng)并執(zhí)行任何并入的方法。本發(fā)明的專利范圍由權(quán)利要求書限定,并且可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所發(fā)現(xiàn)的其它示例。如果這些其他示例的結(jié)構(gòu)要素與權(quán)利要求的文字語言沒有差異,或者如果它們包含與權(quán)利要求書的文字語言無實質(zhì)差異的等效結(jié)構(gòu)要素,則往往落入權(quán)利要求書的范圍之內(nèi)。

      當(dāng)前第1頁1 2 
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