本發(fā)明有關(guān)于顯示面板的信號(hào)線。

背景技術(shù)：

顯示器，如液晶顯示器(liquidcrystaldisplays,lcds)，廣泛地用于電子元件中，諸如筆記型電腦、智慧型手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、廣告型顯示器以及高清電視。此外，電致發(fā)光顯示器如有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiodes,oleds)亦越發(fā)受到注意。

液晶顯示器面板，舉例而言，可如wu等人所提出的美國(guó)專利號(hào)第6,956,631號(hào)中所揭露般配置，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司(auoptronicscorp.)，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將該專利的總體并于此處作為參考。如wu等人在圖1中所揭露，液晶顯示器面板可包含頂部偏光片、下方偏光片、液晶單元(liquidcrystalcell)以及背光。從背光發(fā)出的光線穿過下方偏光片、穿過液晶胞然后穿過頂部偏光片。如wu等人在圖1中所進(jìn)一步揭露，液晶單元可包含下方玻璃基材以及包含彩色濾光片的上方基材?？捎诓ＡЩ纳弦躁嚵行纬啥鄠€(gè)包含薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)的像素，并可于玻璃基材與彩色濾光片間的空隔填充液晶化合物以形成一層液晶材料。

然而，顯示器中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)可有多種變化。舉例而言，薄膜晶體管、柵極線、數(shù)據(jù)線以及像素電極可形成于多層結(jié)構(gòu)中，如lai等人所提出的美國(guó)專利號(hào)第7,170,092號(hào)中的圖1與圖2e所示，及其分案美國(guó)專利號(hào)第7,507,612號(hào)中所示，兩者皆已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，且兩者的總體皆并于此處中作為參考。多層結(jié)構(gòu)可包含第一導(dǎo)電層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層以及依序設(shè)置于基材上的第二導(dǎo)電層。可進(jìn)一步包含第二絕緣層以及設(shè)置于第二絕緣層上的像素電極。第一導(dǎo)電層可包含至少一條柵極線或柵極電極。摻雜半導(dǎo)體層可包含源極與漏極。第二導(dǎo)電層可包含源極電極與漏極電極。多層結(jié)構(gòu)可藉由使用一連串的濕式與干式蝕刻制程形成，舉例而言，如lai等人的圖2a-2d中所揭露。

chen所提出的美國(guó)專利號(hào)第7,652,285號(hào)(后稱chen285’)中揭露用以形成薄膜晶體管的其他技術(shù)，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將該專利總體并于此處作為參考。如chen所揭露，為形成薄膜晶體管的通道，蝕刻第二金屬層以打開一部分位于柵極電極上方的第二金屬層并將源極區(qū)與漏極區(qū)分開?？捎啥喾N方式執(zhí)行此蝕刻，包含如chen285’的舉例圖式圖2a-2e中所揭露的背側(cè)通道蝕刻制程(back-channeletchingprocess)，以及chen285’的舉例圖式圖5a-5d與圖6中所揭露的蝕刻停止制程(etchstopprocess)。如chen285’所揭露，可藉由加入一間隔層來(lái)降低薄膜晶體管的逸漏電流，該間隔層形成于導(dǎo)電的摻雜非晶硅層的側(cè)壁處，將導(dǎo)電的非晶硅層與絕緣層隔開。如chen所揭露，在執(zhí)行第二金屬層的蝕刻后，此間隔層可藉氧化導(dǎo)電的非晶硅層的曝露表面形成。如chen285’所揭露，可藉由多種不同技術(shù)氧化此表面，包含氧等離子體灰化(oxygenplasmaashing)，或于四氟化碳(carbontetrafluoride)和六氟化硫氣體(sulfurhexafluoridegases)的存在下使用臭氧等離子體。

如sawasaki等人所提出的美國(guó)專利號(hào)第7,557,895號(hào)中所解釋，液晶層的厚度通常必須被均勻控制，以避免液晶顯示器面板上各處亮度不均，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將其總體并于此處作為參考。如swasaki等人所揭露，可藉由于薄膜晶體管基材與彩色濾光片間設(shè)置多個(gè)支柱間隔以達(dá)成所需的均勻度。如swasaki等人所進(jìn)一步揭露，可形成具有不同高度的支柱間隔，使得一些間隔的高度高于基材間的間隙高度，而其他間隔的高度低于基材間的間隙高度。此配置可允許基材間的間隔隨溫度變化，且亦可防止面板受到外力時(shí)產(chǎn)生過大變形。

sawasaki等人進(jìn)一步揭露一種組合基材并使其間具有液晶材料的方法。此方法包含準(zhǔn)備兩個(gè)基材、于此成對(duì)基材中一者的外緣周圍涂布密封材料、滴入適當(dāng)體積的液晶于此成對(duì)基材中一者上，并于真空中使此成對(duì)基材彼此附著，接著將此成對(duì)彼此附著的基材取回大氣壓力中，以使此成對(duì)基材間填充有液晶。

在液晶顯示器面板中，制成薄膜晶體管通道的半導(dǎo)體材料可為非晶硅。然而，如chen所提出的美國(guó)專利號(hào)第6,818,967號(hào)(后稱chen967’)中所揭露，多晶硅通道薄膜晶體管比非晶硅薄膜晶體管提供更多優(yōu)勢(shì)，包含較低能量消耗與較佳電子遷移率，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將其總體并于此處作為參考。多晶硅的成形，可藉由激光結(jié)晶(lasercrystallization)或激光退火(laserannealing)技術(shù)將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。使用激光可允許在低于600度攝氏的溫度下進(jìn)行制造，此制造技術(shù)因而被稱為低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon,ltps)。如chen967’所揭露，低溫多晶硅的再結(jié)晶制程造成多晶硅層表面上形成隆起，而這些隆起影響了低溫多晶硅薄膜晶體管的電流特性。chen967’揭露了一種降低低溫多晶硅表面隆起尺寸的方法，藉由執(zhí)行第一退火處理，然后執(zhí)行表面蝕刻處理(舉例而言，使用氫氟酸溶液)，然后執(zhí)行第二退火處理。產(chǎn)生的低溫多晶硅表面具有高/寬比例小于0.2的隆起。然后可于低溫多晶硅層上方沉積柵極絕緣層、柵極、介電層、以及源極/漏極金屬層以形成完整的低溫多晶硅薄膜晶體管。

如sun等人所提出的美國(guó)專利號(hào)第8,115,209號(hào)中所揭露，相較于非晶硅薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管的缺點(diǎn)為在薄膜晶體管關(guān)閉狀態(tài)時(shí)有較大的逸漏電流，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將其總體并于此處作為參考。使用多個(gè)柵極可降低逸漏電流，且sun等人揭露多種不同用于多晶硅薄膜晶體管的多柵極結(jié)構(gòu)，包含于sun等人專利中圖2a-2b及圖3-6中所示的多柵極結(jié)構(gòu)。

如huang所提出的美國(guó)專利號(hào)第6,831,410號(hào)中揭露的范例，主動(dòng)式陣列有機(jī)發(fā)光二極管為一種可替代液晶顯示器的元件，該專利已讓與友達(dá)光電股份有限公司，即本案申請(qǐng)人的母公司，并將該專利總體并于此處作為參考。如huang所揭露，薄膜晶體管形成于基材上方。形成絕緣層覆蓋薄膜晶體管。于絕緣層中形成接點(diǎn)開口，暴露出薄膜晶體管的漏極端，且陽(yáng)極層形成于絕緣層以及暴露出的開口上方，于陽(yáng)極層與薄膜晶體管漏極端之間形成接點(diǎn)。于陽(yáng)極層上方形成發(fā)光層，并于發(fā)光層上方形成陰極層。如huang所解釋，其風(fēng)險(xiǎn)為陽(yáng)極層可能會(huì)經(jīng)由接點(diǎn)開口與陰極層形成短路。為防止此短路，依據(jù)huang所揭露，沉積平坦化層以填充接點(diǎn)上方的空間。然后在平坦化層上方形成發(fā)光層與陰極層。

隨著顯示器尺寸增加，各種問題變得越發(fā)明顯。舉例而言，當(dāng)線長(zhǎng)增加而導(dǎo)致線電阻與線電容上升時(shí)，顯示器中掃描線與數(shù)據(jù)線上的電容和負(fù)載效應(yīng)可能會(huì)牽涉到掃描線延遲。尤其是，掃描線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間可能減緩或延遲至一定程度(如，大于0.1tscan)而出現(xiàn)發(fā)光不均勻、閃爍、串音干擾(crosstalk)及/或影像殘存問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種顯示系統(tǒng)以及具有低電容跨越結(jié)構(gòu)的匯流線(busline)的相關(guān)方法。在一實(shí)施方式中，顯示系統(tǒng)包含第一結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)包括多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線。掃描線沿著第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿著第二方向延伸并且各別在跨越區(qū)跨越掃描線。每條數(shù)據(jù)線在其所跨越的每一跨越區(qū)具有彼此隔開的一成對(duì)側(cè)壁。每個(gè)側(cè)壁呈現(xiàn)出的高度高于未位于跨越區(qū)的數(shù)據(jù)線的部分。

顯示系統(tǒng)的另一實(shí)施方式包含：基材、掃描線、數(shù)據(jù)線以及柵極絕緣層。掃描線由基材支撐并沿著第一方向延伸。數(shù)據(jù)線由基材支撐并沿著第二方向延伸使得數(shù)據(jù)線在跨越區(qū)跨越掃描線。柵極絕緣層設(shè)置于掃描線與數(shù)據(jù)線之間。其中數(shù)據(jù)線具有第一段、第二段以及互連段。互連段電性連接第一段與第二段。互連段設(shè)置于跨越區(qū)且具有開口。開口定義出側(cè)壁。側(cè)壁延伸高過第一段與第二段所呈現(xiàn)的高度。

在另一實(shí)施方式中，一種顯示系統(tǒng)制造方法包含：提供基材；由基材支撐第一金屬層以形成多條沿著第一方向延伸的掃描線；以及在每條掃描線上方提供凸塊以及提供第二金屬層，其中部分的第二金屬層部分地延伸于每個(gè)凸塊的外部上方以形成多條數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線沿著第二方向延伸并在各個(gè)跨越區(qū)跨越掃描線使得第二金屬層形成側(cè)壁，側(cè)壁在每條數(shù)據(jù)線的對(duì)應(yīng)凸塊處彼此分隔。

附圖說明

圖1為一實(shí)施方式中液晶顯示器系統(tǒng)的示意圖。

圖2為圖1的實(shí)施方式的示意圖，繪示匯流線跨越區(qū)的細(xì)節(jié)。

圖3a-3b至圖9a-9b為示意性的截面圖(如沿著類似圖2中截線3-3所截的視圖)，繪示一實(shí)施方式中代表性的制程步驟。

圖10為描繪顯示系統(tǒng)制造方法的一實(shí)施方式的流程圖。

其中，附圖標(biāo)記：

100、200：顯示系統(tǒng)

110：液晶顯示器面板

120：數(shù)據(jù)控制電路

130：柵極控制電路

140、150：像素

152：數(shù)據(jù)線

154：柵極線

160：跨越區(qū)

162、172：頂部表面

164、174：底部表面

166、168、176、178：側(cè)表面

182：第一段

184：第二段

186、230：跨越段

188：開口

190：空洞

191、192、193、194、214、232、234：側(cè)壁

202：基材

204：第一金屬層

206：柵極絕緣層

207：半導(dǎo)體元件

208：凸塊

210、220：光阻

212：第二金屬層

218：帽蓋

221：源極電極

223：漏極電極

236、238：互連段

250、252、254、256、258：方塊

ws、wg、wd：寬度

hs：高度

3-3、3b-3b、4b-4b、5b-5b、6b-6b、7b-7b、8b-8b、9b-9b：截線段

具體實(shí)施方式

為便于解釋，后續(xù)討論描述本發(fā)明中關(guān)于顯示系統(tǒng)的實(shí)施方式，諸如液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,lcd)或有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)顯示系統(tǒng)。應(yīng)了解，本發(fā)明的應(yīng)用不應(yīng)限于所示的特定布設(shè)，因本發(fā)明可具有其他實(shí)施方式。亦應(yīng)了解，此處所使用的術(shù)語(yǔ)是用以說明而非限制。

于此處提出顯示系統(tǒng)以及具有低電容跨越結(jié)構(gòu)的匯流線(busline)的相關(guān)方法。在一些實(shí)施方式中，匯流線可合并有側(cè)壁，使得匯流線的互連段位于跨越區(qū)。如此般配置，可降低跨越區(qū)的線電容而未顯著增加電阻。例式性實(shí)施方式現(xiàn)在將參照?qǐng)D式加以說明。

參照?qǐng)D1，其是描繪一實(shí)施方式中配置為液晶顯示器面板110的顯示系統(tǒng)100。基本上，顯示系統(tǒng)100包括液晶顯示器面板110、數(shù)據(jù)控制電路120以及柵極控制電路130。液晶顯示器面板110具有多個(gè)像素140、150。電路及功能可由硬件、軟件或軟硬件的組合實(shí)施，諸如微控制器(microcontroller)、專用集成電路(application-specificintegratedcircuits,asic)以及可編程微控制器(programmablemicrocontroller)。

液晶顯示器面板110合并有多個(gè)像素(通常為數(shù)千個(gè)像素，如像素140、150)，其排列為包含多行與列的二維矩陣。為便于說明，僅繪示幾個(gè)像素140、150。已知于薄膜晶體管液晶顯示器面板110中，一個(gè)像素150通常由三個(gè)像素單元(pixelelements,pes)形成：一個(gè)紅像素單元、一個(gè)綠像素單元以及一個(gè)藍(lán)像素單元，然而可使用多種變化的配置。舉例而言，像素150繪示為包含三個(gè)像素單元：紅像素單元、綠像素單元以及藍(lán)像素單元。一或多個(gè)晶體管以及一或多個(gè)儲(chǔ)存電容通常耦合至每一像素單元，從而形成有關(guān)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路。

在一給定行中所有像素140、150的晶體管通常會(huì)連接至匯流線，其柵極電極連接至柵極(掃描)線(如，柵極線154)，且其源極電極連接至源極(數(shù)據(jù))線(如，數(shù)據(jù)線152)。柵極控制電路130與數(shù)據(jù)控制電路120控制施加于各別柵極與數(shù)據(jù)匯流線的電壓以個(gè)別指定液晶顯示器面板110中的每個(gè)像素140、150。藉由可控制地對(duì)各個(gè)像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管施以脈沖，驅(qū)動(dòng)電路可控制每個(gè)像素單元的導(dǎo)通性，并從而控制每個(gè)像素140、150的顏色。儲(chǔ)存電容協(xié)助維持在連續(xù)脈沖(于連續(xù)幀中發(fā)送的脈沖)間通過每個(gè)像素140、150的電荷。共用線(未繪制)為電極提供參考(共用)信號(hào)。

圖1的實(shí)施方式的部分示意性地描繪于圖2中，其中展示了匯流線跨越區(qū)160的細(xì)部。特別來(lái)說，如圖2所示，柵極線154沿著第一方向延伸且被提供為一條狀物，其具有沿其長(zhǎng)度方向總體上均勻的矩形截面。柵極線154包含(總體上平坦的)頂部表面162與底部表面164，以及相對(duì)且實(shí)質(zhì)上彼此平行的側(cè)表面166與側(cè)表面168。柵極線154具有寬度wg。

如圖2所示，數(shù)據(jù)線152沿著第二方向延伸，第二方向總體上垂直于柵極線154的第一方向，不過在其他實(shí)施方式中可使用其他配置。數(shù)據(jù)線152包括(總體上平坦的)頂部表面172與底部表面174，以及相對(duì)且實(shí)質(zhì)上彼此平行的側(cè)表面176與側(cè)表面178。數(shù)據(jù)線152具有寬度wd。

數(shù)據(jù)線152合并有第一段182與第二段184，各自展示沿其長(zhǎng)度方向總體上均勻的矩形截面。跨越段186與第一段182以及第二段184互相連接?？缭蕉?86位于跨越區(qū)160(如，數(shù)據(jù)線152跨越柵極線154的區(qū)域)。應(yīng)注意雖然為了方便說明而未繪制，可提供一或多種其他材料及/或特征于跨越區(qū)160，舉例而言，如設(shè)置于數(shù)據(jù)線152與柵極線154間的柵極絕緣材料。

跨越段186包括開口188，其定義出位于柵極線154上方的空洞190(在一些實(shí)施方式中，空洞190至少被部分地填充)。在此實(shí)施方式中，開口188于平面圖中總體上為矩形且合并有側(cè)壁191、192、193與194的內(nèi)表面。特別而言，側(cè)壁191與193對(duì)齊第二方向并且形成跨越段186的互連結(jié)構(gòu)，側(cè)壁191與193橫跨柵極線154的寬度以電性連接第一段182與第二段184。側(cè)壁192與194對(duì)齊第一方向且位于柵極線154的外側(cè)。

每個(gè)側(cè)壁191、192、193與194往上突出頂部表面172并具有高度hs(不包括柵極線154的厚度)與寬度ws。高度hs介于約1微米(μm)至約5微米之間(舉例而言，約略3微米)。寬度ws介于約0.1微米至約0.7微米之間(舉例而言，約略0.3微米)。藉由提供側(cè)壁191、192、193與194，可控制(如，降低)跨越段160的線電阻且同時(shí)增進(jìn)空洞190處數(shù)據(jù)線152的機(jī)構(gòu)穩(wěn)定度。

有別于傳統(tǒng)匯流線跨越區(qū)所展示的電容值c＝ε(s/d)，其中ε為線之間的介電常數(shù)，s為線的重疊表面面積而d為線之間的距離，因此c＝ε(((wd·wg)/d)。圖2的實(shí)施方式展示的電容值c＝ε((2·ws·wg)/d)，其中2·ws<wd。在一些實(shí)施方式中，降低的跨越段186的表面面積與傳統(tǒng)線的均勻面積相比(2·ws與wd的關(guān)系)可降低介于約20％至約60％之間(舉例而言，約略40％)的電容值。有意義的是，此可在沒有顯著增加(且在一些案例中為保持)線電阻的情況下達(dá)成，歸功于使用更多的導(dǎo)電性線材料(如，用于形成側(cè)壁191與193延伸高度的材料)。

圖3a-3b至圖9a-9b為示意圖與截面圖，繪示出顯示系統(tǒng)200的一實(shí)施方式的制造制程的代表性制程步驟。每個(gè)圖3b-9b所示的截面圖是各別由圖3a-9a中所示的截線段3b-3b至9b-9b所截處所觀察。如圖3a與圖3b所示，制程中代表性的第一步驟包括提供基材202并于基材202的上方表面上形成第一金屬層204。舉例而言，可藉由濺鍍或熱蒸發(fā)沉積第一金屬層204，其可包含鋁、銅、鉬或金屬合金。第一金屬層204乃用以形成柵極線。

在圖4a-4b中，柵極絕緣層206沉積于第一金屬層204的頂部表面。此外，亦形成半導(dǎo)體元件207(舉例而言，配置為開關(guān)元件(如，薄膜晶體管)的通道的主動(dòng)層)。半導(dǎo)體元件207的材料可為，舉例而言，非晶硅、低溫多晶硅或銦鎵鋅氧化物。

在圖5a-5b中，于柵極絕緣層206上方形成凸塊208。凸塊208由有機(jī)層制成。有機(jī)層形成于柵極絕緣層206上方。有機(jī)層可為丙烯酸酯(acrylate)，環(huán)氧(epoxy)或硅氧烷(siloxane)，舉例而言，由旋涂布(spincoating)或狹縫涂布(slitcoating)形成。有機(jī)層被配置為凸塊208的形狀，具有介于約2至3微米間的高度。在圖5b中亦描繪了一層沉積于凸塊208頂端上的光阻210。值得注意的是，應(yīng)用于凸塊208的光阻210具有一突出部分。

如圖6a-6b所示，沉積第二金屬層212。舉例而言，第二金屬層212可為鋁、銅或金屬合金。值得注意的是，第二金屬層212附著于凸塊208的側(cè)壁(舉例而言，側(cè)壁214與216)，并在光阻210的上方表面附近形成帽蓋218。

在圖7a-7b中，應(yīng)用光阻220以促進(jìn)形成薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線、源極電極221以及漏極電極223。薄膜晶體管是在如圖8a-8b中描繪的金屬蝕刻步驟執(zhí)行后形成。該步驟在未被光阻220覆蓋的區(qū)域移除柵極絕緣層206以上的材料。光阻210、220隨后由脫膜劑(stripper)移除，如圖9a-9b中所示。

如圖9a-9b中所示，除了光阻210與光阻220被移除外，帽蓋218與光阻210、220一同被移除(此移除方法為現(xiàn)有的剝離法,lift-offmethod)。因此，剩余結(jié)構(gòu)合并有基材202、第一金屬層204(配置為柵極線)、柵極絕緣層206、凸塊208以及第二金屬層212(配置為數(shù)據(jù)線)。

由第二金屬層212形成的數(shù)據(jù)線合并有跨越段230，其包括側(cè)壁(如，側(cè)壁232與234)。使用近似于側(cè)壁232與234的側(cè)壁(然因截面視角之故，未于圖9b中繪示互連的側(cè)壁)使跨越段230電性連接至數(shù)據(jù)線的互連段236與238。側(cè)壁232、234從數(shù)據(jù)線的總體上平坦的頂部表面往外延伸并可朝內(nèi)往彼此傾斜，使其各自具有介于約45°至約90°間的夾角θ，在介于約70°至約90°時(shí)較佳。側(cè)壁232、234的傾斜角度，至少部分地由與第二金屬層212接觸的凸塊208的外部表面的角度所決定。

圖10中描繪顯示系統(tǒng)制造方法的一實(shí)施方式的流程圖。如圖10所示，可由方塊250開始逐一解釋制程。于方塊250中，提供基材。于方塊252中，于基材上提供第一金屬層以形成柵極線。然后，于方塊254中，于第一金屬層上提供柵極絕緣層。金屬層與柵極絕緣層可藉由諸如物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)、化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)或印刷涂布(printing)等方法提供。

在方塊256中，在柵極絕緣層上提供凸塊(有機(jī)材料的凸塊)。凸塊可由諸如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或印刷涂布等方法提供。然后，如方塊258中所示，提供第二金屬層。可藉由諸如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或印刷涂布等方法提供第二金屬層。特別而言，第二金屬層配置為數(shù)據(jù)線，其包括側(cè)壁，側(cè)壁部分地延伸于凸塊外部上方(如，凸塊上方的側(cè)邊)以形成跨越段。在一些實(shí)施方式中，側(cè)壁可藉由一或多種制程階段形成，如執(zhí)行剝離法以移除形成于凸塊頂部上方的帽蓋。此可包括選擇性地應(yīng)用光阻，于光阻上沉積有部分的第二金屬層。特別而言，光阻位于凸塊上方。然后應(yīng)用附加的光阻以形成多種特征，可藉由，如，執(zhí)行金屬蝕刻以提供多種特征。其后，移除所有的光阻，此亦剝離形成于光阻頂部的第二金屬層的部分，從而于第二金屬層中形成開口并暴露出凸塊(舉例而言，見圖6a-6b至圖9a-9b)?？山逵墒褂萌軇┤芙夤庾枰詧?zhí)行剝離方法。

藉由跨越段降低顯示器中掃描線與數(shù)據(jù)線上的電容與負(fù)載效應(yīng)，可對(duì)應(yīng)地降低掃描線延遲。如此，即可在不產(chǎn)生傳統(tǒng)亮度不均、閃爍、串音干擾及/或影像殘存等問題的情況下達(dá)到增大顯示器尺寸的目的。

以上所闡示的實(shí)施方式為本發(fā)明的解說，且可在本發(fā)明的范疇與精神中實(shí)施多種排列組合的實(shí)施方式。