技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種具有本征層結(jié)構(gòu)的InGaAs/InP光敏晶體管紅外探測器。該探測器襯底材料為InP，從襯底往上依次為：InP緩沖層、In0.53Ga0.47As集電區(qū)、In0.53Ga0.47As本征層、In0.53Ga0.47As基區(qū)、InP發(fā)射區(qū)、InP帽層、In0.53Ga0.47As歐姆接觸層。集電極在In0.53Ga0.47As集電區(qū)臺面上；基極和基區(qū)光窗口在In0.53Ga0.47As基區(qū)臺面上；發(fā)射極在In0.53Ga0.47As歐姆接觸層上。本發(fā)明的基區(qū)和集電區(qū)之間存在In0.53Ga0.47As本征層，在集電極偏置為2V時完全耗盡，大大增加了集電結(jié)耗盡層的厚度，使大部分進(jìn)入探測器的入射光被集電結(jié)耗盡層吸收。在集電結(jié)耗盡層產(chǎn)生的光生電子?空穴對被其中的強(qiáng)電場分離，從而產(chǎn)生光生電流。因此，本發(fā)明具有比無本征層探測器更高的量子效率和光生電流。

技術(shù)研發(fā)人員：謝紅云;馬佩;劉碩;高杰;吳佳輝;劉芮;張萬榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.12
技術(shù)公布日：2017.10.10