本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的顯示裝置包括透射式顯示裝置、反射式顯示裝置和透反式顯示裝置。透射式顯示裝置主要以背光源作為光源，即透射式顯示裝置的顯示面板需要設(shè)置背光源為顯示面板提供光源，但其背光源利用率不高，為提高顯示亮度就需要大幅度提高背光源的亮度，因此功耗較高。而反射式顯示裝置主要以前置光源或者外界光源作為光源，即反射式顯示裝置的顯示面板后面不需要設(shè)置背光源，其主要利用外部光源為顯示面板提供光源，功耗相對(duì)較低。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的反射式顯示裝置的顯示面板由對(duì)向基板11和陣列基板12對(duì)盒形成，對(duì)向基板11和陣列基板12之間的空間中封裝有液晶層13，陣列基板12包括位于襯底基板120上的薄膜晶體管121、位于薄膜晶體管121上的鈍化層127、位于鈍化層127上的像素電極128，像素電極128采用能夠反射光線的金屬電極；其中：薄膜晶體管121包括柵極122、柵極絕緣層123、半導(dǎo)體有源層124、源極125和漏極126。

由于現(xiàn)有技術(shù)反射式顯示裝置的顯示面板包括的像素電極反射的光線具有一定的方向，因此，現(xiàn)有技術(shù)的像素電極并不能使觀看者在各個(gè)視角都能觀看到均勻的反射效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以使觀看者能在各個(gè)視角都能觀看到均勻的反射效果，提高顯示效果。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上依次制作薄膜晶體管和鈍化層的方法，其中，該方法還包括：

在所述鈍化層上依次形成反射層和透明導(dǎo)電層；所述反射層通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接，所述透明導(dǎo)電層包括若干金屬離子；

對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行還原處理，使得所述金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層；

對(duì)完成上述步驟的所述透明導(dǎo)電層和所述反射層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成像素電極。

由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，由于制作形成的像素電極既包括反射層，又包括透明導(dǎo)電層，反射層能夠很好的反射外界光線，能夠?qū)崿F(xiàn)反射式的陣列基板，同時(shí)，由于對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行了還原處理，形成了一層金屬顆粒層，而金屬顆粒層能夠?qū)φ丈涞酵该鲗?dǎo)電層的光線起到很好的漫反射作用，因此，本發(fā)明實(shí)施例能夠使觀看者在各個(gè)視角均都能觀看到均勻的反射效果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了顯示效果。

較佳地，所述對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行還原處理，使得所述金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層，包括：

在還原性氣體的工作環(huán)境中，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體處理，使得所述透明導(dǎo)電層包括的所述金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層。

較佳地，所述還原性氣體為氫氣、氯氣、一氧化碳、硫化氫、溴化氫、甲烷、二氧化硫中的任一種氣體。

較佳地，所述金屬顆粒層的厚度為所述透明導(dǎo)電層的厚度的1/10到1/5。

較佳地，所述在所述鈍化層上依次形成反射層和透明導(dǎo)電層，包括：

通過磁控濺射的方式，在所述鈍化層上依次沉積一層金屬層和一層透明導(dǎo)電層。

較佳地，所述透明導(dǎo)電層為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅中的任一種或任意組合。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用上述的陣列基板的制作方法制作形成的陣列基板，包括依次位于襯底基板上的薄膜晶體管和鈍化層，其中，還包括位于所述鈍化層上的反射層和位于所述反射層上的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括由若干金屬顆粒形成的金屬顆粒層。

較佳地，所述金屬顆粒層的厚度為所述透明導(dǎo)電層的厚度的1/10到1/5。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的反射式顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；

圖3-圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括的像素電極對(duì)外界光線的散射示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以使觀看者能在各個(gè)視角都能觀看到均勻的反射效果，提高顯示效果。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上依次制作薄膜晶體管和鈍化層的方法，該方法還包括：

s201、在所述鈍化層上依次形成反射層和透明導(dǎo)電層，所述反射層通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接，所述透明導(dǎo)電層包括若干金屬離子；

s202、對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行還原處理，使得所述金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層；

s203、對(duì)完成上述步驟的所述透明導(dǎo)電層和所述反射層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成像素電極。

本發(fā)明具體實(shí)施例形成的像素電極既包括反射層，又包括透明導(dǎo)電層，反射層能夠很好的反射外界光線，能夠?qū)崿F(xiàn)反射式的陣列基板，同時(shí)，由于本發(fā)明具體實(shí)施例提供對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行了還原處理，形成了一層金屬顆粒層，金屬顆粒層的形成能夠?qū)φ丈涞酵该鲗?dǎo)電層的光線起到很好的漫反射作用，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例能夠使觀看者在各個(gè)視角均都能觀看到均勻的反射效果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具體實(shí)施例提高了顯示效果。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例在襯底基板上制作薄膜晶體管包括：通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極；或，通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作遮光層、第一絕緣層、半導(dǎo)體有源層、柵極絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕、去除光刻膠的部分或全部過程，本發(fā)明具體實(shí)施例制作薄膜晶體管的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。實(shí)際生產(chǎn)過程中，制作形成的薄膜晶體管可以為底柵型的薄膜晶體管，也可以為頂柵型的薄膜晶體管，當(dāng)然還可以為其它類型的薄膜晶體管，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)薄膜晶體管的類型做限定。

之后，本發(fā)明具體實(shí)施例在薄膜晶體管上通過構(gòu)圖工藝制作一層鈍化層，鈍化層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述，鈍化層的具體材料選擇與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

接著，在鈍化層上依次形成反射層和透明導(dǎo)電層，具體地，通過磁控濺射的方式，在鈍化層上依次沉積一層金屬層和一層透明導(dǎo)電層。當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，還可以通過其它方式沉積金屬層和透明導(dǎo)電層，如：可以通過熱蒸發(fā)的方式依次沉積一層金屬層和一層透明導(dǎo)電層。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中金屬層的材料可以選擇鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、銀(ag)等中的任一種或任意組合。本發(fā)明具體實(shí)施例中透明導(dǎo)電層的材料可以選擇氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)中的任一種或任意組合，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，本發(fā)明具體實(shí)施例中的透明導(dǎo)電層還可以選擇其它包括有若干金屬離子的透明導(dǎo)電材料，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)透明導(dǎo)電層的具體材料做限定。

接著，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行還原處理，使得透明導(dǎo)電層包括的金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層，具體地，在還原性氣體的工作環(huán)境中，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體處理，使得透明導(dǎo)電層包括的金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層，由于目前等離子體處理工藝較成熟，因此，采用等離子體處理工藝對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行處理能夠保證工藝的穩(wěn)定性，以及能夠保證處理結(jié)果的良品率，這樣，在還原性氣體的工作環(huán)境中，通過等離子體處理后，能夠很好的將透明導(dǎo)電層包括的金屬離子還原出來。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的還原性氣體為氫氣(h2)、氯氣(cl2)、一氧化碳(co)、硫化氫(h2s)、溴化氫(hbr)、甲烷(ch4)、二氧化硫(so2)中的任一種氣體。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例形成的金屬顆粒層的厚度為透明導(dǎo)電層的厚度的1/10到1/5，若本發(fā)明具體實(shí)施例形成的金屬顆粒層的厚度較薄時(shí)，則不能起到很好的漫反射作用，若形成的金屬顆粒層的厚度較厚時(shí)，則會(huì)影響本發(fā)明具體實(shí)施例的反射層的反光性能。

下面結(jié)合一個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明具體實(shí)施例形成的薄膜晶體管以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行介紹。

如圖3所示，首先，通過構(gòu)圖工藝在襯底基板120上依次制作柵極122、柵極絕緣層123、半導(dǎo)體有源層124、源極125、漏極126和鈍化層127，具體地，通過構(gòu)圖工藝形成貫穿鈍化層127且暴露漏極126的過孔30，本發(fā)明具體實(shí)施例柵極122、柵極絕緣層123、半導(dǎo)體有源層124、源極125、漏極126和鈍化層127的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。

接著，如圖4所示，在鈍化層127上通過磁控濺射的方式依次沉積一層金屬層41和透明導(dǎo)電層42，金屬層41通過貫穿鈍化層127的過孔30與漏極126電連接，本發(fā)明具體實(shí)施例沉積的透明導(dǎo)電層42以氧化銦錫(ito)為例。

接著，如圖5所示，將完成上述步驟的襯底基板放入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，并以氫氣為工作氣體對(duì)形成的ito層進(jìn)行等離子體處理，圖中的箭頭方向表示等離子體的處理方向。由于以氫氣為工作氣體的等離子體具有很強(qiáng)的還原性，因此可以將ito層包括的金屬離子還原出來，從而在ito層中析出大量的金屬顆粒60，如圖6所示，金屬顆粒60組成一金屬顆粒層。

本發(fā)明具體實(shí)施例中金屬顆粒層中金屬顆粒60的密度，以及金屬顆粒層的厚度可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的參數(shù)決定，例如增大工作氣體氫氣的流量、增大等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中上部電極功率均可增加腔室中等離子體的密度，從而增加金屬顆粒60的密度，并且相應(yīng)的增大金屬顆粒60組成的金屬顆粒層的厚度。

在實(shí)際生產(chǎn)過程中，為了減小等離子體轟擊對(duì)ito層的破壞，應(yīng)盡量減小等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中下部電極的功率，以減小自偏壓的大小；本發(fā)明具體實(shí)施例中采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的等離子體處理ito的方式只是本發(fā)明具體實(shí)施例中的一種優(yōu)選的實(shí)施方式，實(shí)際生產(chǎn)過程中，只要能夠還原ito層中金屬離子的方式都可以采用。

另外，本發(fā)明具體實(shí)施例中選擇的工作氣體為氫氣也只是本發(fā)明具體實(shí)施例的一種優(yōu)選的實(shí)施方式，其它的還原性氣體，如：cl2、co、h2s、hbr、ch4、so2等均可以作為本發(fā)明具體實(shí)施例的工作氣體，這些氣體當(dāng)被電離成等離子體后，皆具有很強(qiáng)的還原性。

下面簡(jiǎn)單的說明一下本發(fā)明具體實(shí)施例中對(duì)ito層進(jìn)行等離子體處理后形成金屬顆粒的原理。

通常情況下，ito薄膜是一種錫(sn)摻雜的氧化銦(in2o3)薄膜，ito薄膜中的sn原子一般以sno或sn2o的形式存在，利用二次離子質(zhì)譜分析對(duì)ito薄膜表面進(jìn)行分析，得出其表面負(fù)離子o^-、正離子in⁺為其主要成分，向等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的腔室中通入h2，h2經(jīng)過電離后形成氫(h⁺)離子，由于h⁺離子比ito薄膜中的in⁺離子活性更強(qiáng)，因此能將in⁺離子從ito薄膜中置換出來，in⁺離子在ito薄膜表面沉積逐漸形成in金屬單質(zhì)，即形成in金屬顆粒，in金屬單質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)為半球狀或半橢球狀。氫等離子體與氧化銦的反應(yīng)方程式為：

in2o3+6h→2in+3h2o

一般來說，h2通入流量越大，濃度越大，則in金屬單質(zhì)的結(jié)構(gòu)的形狀越大，數(shù)量也越多，可以根據(jù)需要的散射效果來設(shè)置等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的參數(shù)從而得到大小合適，數(shù)量合適的in金屬單質(zhì)。

具體實(shí)施時(shí)，向等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的腔室中通入h2，通過調(diào)節(jié)h2的通入量的濃度(如：500sccm～2000sccm)、通入時(shí)間(如：5s～200s)，并通過控制等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的腔室壓強(qiáng)(如：500pa～3000pa)和溫度(如：150℃～400℃)等工藝參數(shù)，使得ito薄膜的上表面生產(chǎn)in金屬單質(zhì)，并可以對(duì)in金屬單質(zhì)的結(jié)構(gòu)的大小、形狀和厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

最后，本發(fā)明具體實(shí)施例通過一道掩膜板工藝，同時(shí)圖案化金屬層41和形成有金屬顆粒60的透明導(dǎo)電層42，金屬層41和透明導(dǎo)電層42一起被刻蝕制作完成，從而形成陣列基板的像素電極。像素電極的下部為金屬層41，用來反射外界的光線，像素電極的上部為分布有若干金屬顆粒60的透明導(dǎo)電層42，若干金屬顆粒60組成的金屬顆粒層作為光線的散射層。

本發(fā)明具體實(shí)施例在制作出陣列基板的像素電極膜層后，像素電極膜層包括頂層的透明導(dǎo)電層和底層的反射金屬層，在還原性氣體的工作環(huán)境中，利用等離子體進(jìn)行處理，在頂層的透明導(dǎo)電層中析出金屬顆粒層，通過這種方式，不需要增加額外的光刻工藝就在底部的反射金屬層上方制作出一層金屬顆粒層來實(shí)現(xiàn)漫反射的效果，不僅能提高顯示效果，而且可以有效降低成本。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種采用上述方法制作形成的陣列基板，包括依次位于襯底基板上的薄膜晶體管和鈍化層，其中，還包括位于鈍化層上的反射層和位于反射層上的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層包括由若干金屬顆粒形成的金屬顆粒層。金屬顆粒層能夠?qū)φ丈涞酵该鲗?dǎo)電層的光線起到很好的漫反射作用，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例能夠使觀看者在各個(gè)視角均都能觀看到均勻的反射效果。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中金屬顆粒層的厚度為透明導(dǎo)電層的厚度的1/10到1/5，這個(gè)厚度的金屬顆粒層不僅能起到很好的漫反射作用，而且不會(huì)影響反射層的反光性能。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述陣列基板，如圖7所示，該顯示面板包括與本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板11，以及位于陣列基板和對(duì)向基板11之間的液晶層13，對(duì)向基板11的具體結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

如圖7和圖8所示，通過對(duì)向基板11照射進(jìn)來的光線a、b、c、d中有一部分直接被透明導(dǎo)電層42表面的金屬顆粒60反射回去，還有一部分光線被金屬顆粒60散射后射向金屬層41，被金屬層41反射后，通過金屬顆粒60之間的透光區(qū)域射向液晶層13，或者被金屬層41反射后的光線再次經(jīng)過金屬顆粒60被金屬顆粒60散射后射向液晶層13等。通過對(duì)向基板照射進(jìn)來的光線被陣列基板反射回液晶層的光路種類很多，這里不再一一列舉，本發(fā)明具體實(shí)施例外界通過對(duì)向基板照射進(jìn)來的光線會(huì)被金屬顆粒60充分地散射，從而可以增加反射式顯示面板顯示的均勻性，提高顯示質(zhì)量。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述顯示面板，該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)電視、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不予贅述。

綜上所述，本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括在鈍化層上依次形成反射層和透明導(dǎo)電層；反射層通過貫穿鈍化層的過孔與薄膜晶體管的源極或漏極電連接，透明導(dǎo)電層包括若干金屬離子；對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行還原處理，使得金屬離子被還原出來，形成一金屬顆粒層；對(duì)完成上述步驟的透明導(dǎo)電層和反射層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成像素電極。本發(fā)明具體實(shí)施例形成的反射層能夠很好的反射外界光線，同時(shí)，本發(fā)明具體實(shí)施例形成的金屬顆粒層能夠?qū)φ丈涞酵该鲗?dǎo)電層的光線起到很好的漫反射作用，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例能夠使觀看者在各個(gè)視角均都能觀看到均勻的反射效果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具體實(shí)施例提高了顯示效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。