技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN器件原位生長(zhǎng)石墨烯掩埋電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括襯底和依次向上生長(zhǎng)的AlN成核層、GaN緩沖層和器件外延構(gòu)造層；其中，所述襯底和所述AlN成核層之間從下至上還依次生成有AlN隔離層、金屬催化層和石墨烯掩埋散熱層；所述石墨烯掩埋散熱層與源極通過(guò)金屬連接，與背板和熱沉通過(guò)金屬連接，此外，本發(fā)明還公開(kāi)了該電極結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明的新型器件結(jié)構(gòu)避免了背面深孔刻蝕的復(fù)雜工藝，可以實(shí)現(xiàn)正面直接源接地，同時(shí)利用石墨烯優(yōu)越的熱導(dǎo)率迅速將器件有源區(qū)產(chǎn)生的熱量導(dǎo)走，可以有助于實(shí)現(xiàn)大功率GaN器件，增長(zhǎng)器件的高溫可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：袁俊;李百泉;倪煒江;張敬偉;牛喜平;李明山;盧小東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.16
技術(shù)公布日：2017.09.15