本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種tft基板的制作方法及tft基板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

通常液晶顯示面板由彩膜(colorfilter，cf)基板、薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(lc，liquidcrystal)及密封膠框(sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(cell)制程(tft基板與cf基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)ic與印刷電路板壓合)。其中，前段array制程主要是形成tft基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段cell制程主要是在tft基板與cf基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)ic壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。

目前，現(xiàn)有技術(shù)通常將光阻隔墊物(photospacer，ps)制作在cf基板上用于支撐液晶盒厚，如圖1所示，現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的tft基板100’及cf基板200’，其中，tft基板100’包括：第一襯底110’、設(shè)于第一襯底110’上的tft層120’、設(shè)于tft層120’上的平坦化層130’、設(shè)于平坦化層130’上的色阻層140’、設(shè)于色阻層140’上的像素電極(未圖示)、及設(shè)于色阻層140’上的間隔的主隔墊物161’、及輔助隔墊物162’，cf基板200’包括：第二襯底210’、設(shè)于第二襯底210’上的黑色矩陣220’、及設(shè)于第二襯底210’及黑色矩陣220’上的公共電極230’，現(xiàn)有技術(shù)一般通過(guò)一道灰階光罩(graytonemask，gtm)或者一道半色調(diào)光罩(halftonemask，htm)同時(shí)制作出具有不同高度的主隔墊物161’和輔助隔墊物162’，一共需要兩道單獨(dú)的制程完成黑色矩陣220’和主隔墊物161’、及輔助隔墊物162’的制作。

現(xiàn)有的另一種技術(shù)利用黑色光阻隔墊物(blackphotospacer，bps)材料通過(guò)一道制程將黑色矩陣和主、輔助隔墊物同時(shí)制作在tft基板上，然而黑色矩陣、主隔墊物、輔助隔墊物的高度均不相同，一般需要采用具有多色調(diào)的光罩才能形成黑色矩陣、主隔墊物、及輔助隔墊物之間的段差，然而，多色調(diào)光罩制作工藝復(fù)雜、成本昂貴，且采用多色調(diào)光罩制作形成的黑色矩陣和主、輔助隔墊物的工藝較難調(diào)節(jié)(需要兼顧三個(gè)高度)，bps材料的開(kāi)發(fā)難度增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種tft基板的制作方法，采用一單色調(diào)光罩即可制得包括黑色矩陣、主隔墊物、輔助隔墊物的bps遮光層，降低制作bps遮光層的材料的開(kāi)發(fā)難度，增強(qiáng)色阻層的抗剝落性。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種tft基板，具有包括黑色矩陣、主隔墊物、輔助隔墊物的bps遮光層，色阻層抗剝落性強(qiáng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供襯底基板，在所述襯底基板上形成tft層；

所述tft層包括平行間隔排列的多行柵極線、平行間隔排列的多列數(shù)據(jù)線、及陣列排布的多個(gè)tft；

步驟s2、在所述tft層上形成平坦化層；

步驟s3、在所述平坦化層上形成色阻層；

所述色阻層包括：交替排列的多列第一色阻單元、多列第二色阻單元及多列第三色阻單元、位于相鄰的第一色阻單元之間的第一色阻塊、位于相鄰的第二色阻單元之間的第二色阻塊、以及于第一色阻塊及第二色阻塊上覆蓋相鄰兩行色阻單元之間區(qū)域的第三色阻條，多個(gè)色阻單元暴露出柵極線及tft所在區(qū)域，第一色阻塊的尺寸大于第二色阻塊的尺寸；

步驟s4、在色阻層上形成鈍化層，在鈍化層上形成像素電極；

步驟s5、在鈍化層及像素電極上涂布bps遮光材料，采用一道單色調(diào)光罩對(duì)所述bps遮光材料進(jìn)行圖案化形成bps遮光層；

所述bps遮光層包括：覆蓋柵極線及tft所在區(qū)域的第一遮光區(qū)、對(duì)應(yīng)位于第一色阻塊上方的主隔墊物、及對(duì)應(yīng)位于第二色阻塊上方的輔助隔墊物。

所述第一色阻單元及第一色阻塊的材料為紅色色阻材料，所述第二色阻單元及第二色阻塊的材料為綠色色阻材料，所述第三色阻單元及第三色阻條的材料為藍(lán)色色阻材料。

所述步驟s3具體為：首先，在平坦化層上涂布紅色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第一色阻單元及第一色阻塊，接著，在平坦化層上涂布綠色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第二色阻單元及第二色阻塊，最后，在平坦化層、第一色阻塊、及第二色阻塊上涂布藍(lán)色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第三色阻單元及第三色阻條，從而形成色阻層。

所述步驟s4中在形成像素電極之前還對(duì)應(yīng)tft形成貫穿鈍化層、色阻層及平坦化層的過(guò)孔，所述像素電極經(jīng)過(guò)孔與tft接觸。

所述tft包括：設(shè)于襯底基板上的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層、設(shè)于柵極上方的柵極絕緣層上的有源層、及分別與有源層兩端接觸的源極及漏極，所述過(guò)孔暴露所述漏極，所述像素電極經(jīng)過(guò)孔與漏極接觸。

所述bps遮光層還包括覆蓋數(shù)據(jù)線的第二遮光區(qū)。

本發(fā)明還提供一種tft基板，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的tft層、設(shè)于所述tft層上的平坦化層、設(shè)于所述平坦化層上的色阻層、設(shè)于所述色阻層上的鈍化層、設(shè)于鈍化層上的像素電極、及設(shè)于鈍化層及像素電極上的bps遮光層；

所述tft層包括平行間隔排列的多行柵極線、平行間隔排列的多列數(shù)據(jù)線、及陣列排布的多個(gè)tft；

所述色阻層包括：交替設(shè)置的多列第一色阻單元、第二色阻單元及第三色阻單元、位于相鄰的第一色阻單元之間的第一色阻塊、位于相鄰的第二色阻單元之間的第二色阻塊、以及于第一色阻塊及第二色阻塊上覆蓋相鄰兩行色阻單元之間區(qū)域的第三色阻條，多個(gè)色阻單元暴露出柵極線及tft所在區(qū)域，第一色阻塊的尺寸大于第二色阻塊的尺寸；

所述bps遮光層包括：覆蓋柵極線及tft所在區(qū)域的第一遮光區(qū)、對(duì)應(yīng)位于第一色阻塊上方的主隔墊物、及對(duì)應(yīng)位于第二色阻塊上方的輔助隔墊物。

所述第一色阻單元及第一色阻塊的材料為紅色色阻材料，所述第二色阻單元及第二色阻塊的材料為綠色色阻材料，所述第三色阻單元及第三色阻條的材料為藍(lán)色色阻材料。

所述鈍化層、色阻層及平坦化層對(duì)應(yīng)tft形成有過(guò)孔，所述像素電極經(jīng)過(guò)孔與tft接觸。

所述tft包括：設(shè)于襯底基板上的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層、覆蓋柵極的柵極絕緣層、設(shè)于柵極上的柵極絕緣層上的有源層、及分別與有源層兩端接觸的源極及漏極，所述過(guò)孔暴露所述漏極，所述像素電極經(jīng)過(guò)孔與漏極接觸。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種tft基板的制作方法，在制作色阻層時(shí)，使多個(gè)色阻單元暴露出tft層中的柵極線及tft，且在相鄰的第一色阻單元之間設(shè)置第一色阻塊，在相鄰的第二色阻單元之間設(shè)置尺寸小于第一色阻塊的第二色阻塊，在相鄰兩行色阻單元之間設(shè)置覆蓋第一色阻塊及第二色阻塊并覆蓋柵極線及tft的第三色阻條，由于第一色阻塊與第二色阻塊尺寸的差異，使第三色阻條位于第一色阻塊上的部分的高度大于位于第二色阻塊上的部分的高度，從而利用一單色調(diào)光罩即可形成包括覆蓋柵極線及tft的第一遮光區(qū)、分別位于第一、第二色阻塊上高度不同的主、輔助隔墊物的bps遮光層，降低制作bps遮光層的材料的開(kāi)發(fā)難度，增強(qiáng)色阻層的抗剝落性。本發(fā)明提供的一種tft基板，具有包括黑色矩陣、主隔墊物、輔助隔墊物的bps遮光層，色阻層抗剝落性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的tft基板的制作方法的流程圖；

圖3及圖4為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟s1的示意圖；

圖5為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟s2的示意圖；

圖6至圖9為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟s3的示意圖；

圖10至圖12為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟s4的示意圖；

圖13及圖14為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟s5的示意圖暨本發(fā)明的tft基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、請(qǐng)參閱圖3及圖4，提供襯底基板100，在所述襯底基板100上形成tft層200；

所述tft層200包括平行間隔排列的多行柵極線220、平行間隔排列的多列數(shù)據(jù)線230、及陣列排布的多個(gè)tft210。

具體地，同一行tft210連接同一柵極線220，同一列tft210連接同一數(shù)據(jù)線。

具體地，所述tft210包括：設(shè)于襯底基板100上的柵極211、覆蓋柵極211的柵極絕緣層212、設(shè)于柵極211上方的柵極絕緣層212上的有源層213、及分別與有源層213兩端接觸的源極214及漏極215。

具體地，所述柵極211、柵極線220位于同一金屬層，所述源極214、漏極215、數(shù)據(jù)線230位于同一金屬層。

步驟s2、請(qǐng)參閱圖5，在所述tft層200上形成平坦化層300。

步驟s3、請(qǐng)參閱圖6至圖9，在所述平坦化層300上形成色阻層400；

其中，所述色阻層400包括：交替排列的多列第一色阻單元410、多列第二色阻單元420及多列第三色阻單元430、位于相鄰的第一色阻單元410之間的第一色阻塊411、位于相鄰的第二色阻單元420之間的第二色阻塊421、以及于第一色阻塊411及第二色阻塊421上覆蓋相鄰兩行色阻單元之間區(qū)域的第三色阻條431，多個(gè)色阻單元暴露出柵極線220及tft210所在區(qū)域，也即第一色阻塊411及第二色阻塊421均位于柵極線220及tft210所在區(qū)域上方，而第三色阻條431覆蓋柵極線220及tft210所在區(qū)域；需要特別注意的是，第一色阻塊411的尺寸大于第二色阻塊421的尺寸。

具體地，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一色阻單元410及第一色阻塊411的材料為紅色色阻材料，所述第二色阻單元420及第二色阻塊421的材料為綠色色阻材料，所述第三色阻單元430及第三色阻條431的材料為藍(lán)色色阻材料。

進(jìn)一步地，所述步驟s3具體為：首先，在平坦化層300上涂布紅色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第一色阻單元410及第一色阻塊411，接著，在平坦化層300上涂布綠色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第二色阻單元420及第二色阻塊421，最后，在平坦化層300、第一色阻塊411、及第二色阻塊421上涂布藍(lán)色色阻材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)第三色阻單元430及第三色阻條431，從而形成色阻層400。

步驟s4、請(qǐng)參閱圖10至圖12，在色阻層400上形成鈍化層500，對(duì)應(yīng)tft210的漏極215形成貫穿鈍化層500、色阻層400及平坦化層300的過(guò)孔510，所述過(guò)孔510將所述tft210的漏極215暴露出來(lái)，在鈍化層500上形成像素電極600，所述像素電極600經(jīng)過(guò)孔510與tft210的漏極215接觸。

步驟s5、請(qǐng)參閱圖13及圖14，在鈍化層500及像素電極600上涂布bps遮光材料，采用一道單色調(diào)光罩對(duì)所述bps遮光材料進(jìn)行圖案化形成bps遮光層700；

所述bps遮光層700包括：覆蓋柵極線220及tft210所在區(qū)域的第一遮光區(qū)710、對(duì)應(yīng)位于第一色阻塊411上方的主隔墊物720、及對(duì)應(yīng)位于第二色阻塊421上方的輔助隔墊物730。

進(jìn)一步地，所述bps遮光層700還包括覆蓋數(shù)據(jù)線230的第二遮光區(qū)740；所述第一遮光區(qū)710的高度與第二遮光區(qū)740的高度相同。

需要說(shuō)明的是，上述tft基板的制作方法，在制作色阻層400時(shí)，使多個(gè)色阻單元暴露出tft層200中的柵極線220及tft210，且在相鄰的第一色阻單元410之間的柵極線200及tft210所在區(qū)域上方設(shè)置第一色阻塊411，在相鄰的第二色阻單元420之間的柵極線200及tft210所在區(qū)域上方設(shè)置尺寸小于第一色阻塊411的第二色阻塊422，并在相鄰兩行色阻單元之間設(shè)置覆蓋第一色阻塊411及第二色阻塊422并覆蓋柵極線220及tft210所在區(qū)域的第三色阻條431，由于第一色阻塊411的尺寸大于與第二色阻塊421的尺寸，第三色阻條431在對(duì)第一色阻塊411及第二色阻塊421進(jìn)行覆蓋時(shí)，其位于第一色阻塊411上的部分的高度會(huì)大于位于第二色阻塊421上的部分的高度，從而在色阻層400上形成鈍化層500后涂布bps光阻材料時(shí)，bps光阻材料位于第一色阻塊411上方的部分與位于第二色阻塊421上方的部分之間形成段差，同時(shí)也分別與bps光阻材料位于第一色阻塊411、及第二色阻塊421以外區(qū)域上方的部分形成段差，之后利用一單色調(diào)光罩對(duì)bps光阻材料進(jìn)行圖案化，形成bps遮光層700，此時(shí)柵極線220及tft210所在區(qū)域上方的bps光阻材料形成覆蓋柵極線220及tft210的第一遮光區(qū)710，同時(shí)bps光阻材料位于第一色阻塊411、及第二色阻塊421上方的部分分別形成主隔墊物720及輔助隔墊物730，實(shí)現(xiàn)bps遮光層700具有三個(gè)段差的效果，相比于現(xiàn)有技術(shù)，無(wú)需使用昂貴的具有多個(gè)色調(diào)的光罩，生產(chǎn)成本降低，制作bps遮光層700的材料的開(kāi)發(fā)難度降低，同時(shí)由于第三色阻條431將第一色阻塊411及第二色阻塊421覆蓋，避免第一色阻塊411及第二色阻塊421處產(chǎn)生剝落，增強(qiáng)色阻層400整體的抗剝落性。

請(qǐng)參閱圖13及圖14，并結(jié)合圖3至圖12，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種由上述tft基板的制作方法制得的tft基板，包括：襯底基板100、設(shè)于所述襯底基板100上的tft層200、設(shè)于所述tft層200上的平坦化層300、設(shè)于所述平坦化層300上的色阻層400、設(shè)于所述色阻層400上的鈍化層500、設(shè)于鈍化層500上的像素電極600、及設(shè)于鈍化層500及像素電極600上的bps遮光層700；

所述tft層200包括平行間隔排列的多行柵極線220、平行間隔排列的多列數(shù)據(jù)線230、及陣列排布的多個(gè)tft210，同一行tft210連接同一條柵極線220，同一列tft210連接同一條數(shù)據(jù)線220；

所述色阻層400包括：交替設(shè)置的多列第一色阻單元410、第二色阻單元420及第三色阻單元430、位于相鄰的第一色阻單元410之間的第一色阻塊411、位于相鄰的第二色阻單元420之間的第二色阻塊421、以及于第一色阻塊411及第二色阻塊421上覆蓋相鄰兩行色阻單元之間區(qū)域的第三色阻條431，多個(gè)色阻單元暴露出柵極線220及tft210所在區(qū)域，第一色阻塊411的尺寸大于第二色阻塊421的尺寸；

所述bps遮光層700包括：覆蓋柵極線220及tft210所在區(qū)域的第一遮光區(qū)710、對(duì)應(yīng)位于第一色阻塊411上方的主隔墊物720、及對(duì)應(yīng)位于第二色阻塊421上方的輔助隔墊物730。

進(jìn)一步地，所述bps遮光層700還包括覆蓋數(shù)據(jù)線230的第二遮光區(qū)740；所述第一遮光區(qū)710的高度與第二遮光區(qū)740的高度相同。

具體地，所述第一色阻單元410及第一色阻塊411的材料為紅色色阻材料，所述第二色阻單元420及第二色阻塊421的材料為綠色色阻材料，所述第三色阻單元430及第三色阻條431的材料為藍(lán)色色阻材料。

具體地，所述tft210包括：設(shè)于襯底基板100上的柵極211、覆蓋柵極211的柵極絕緣層212、覆蓋柵極211的柵極絕緣層212、設(shè)于柵極211上的柵極絕緣層212上的有源層213、及分別與有源層213兩端接觸的源極214及漏極215。

具體地，所述鈍化層500、色阻層400及平坦化層300對(duì)應(yīng)tft210形成有過(guò)孔510，所述過(guò)孔510暴露所述漏極215，所述像素電極600經(jīng)過(guò)孔510與tft210的漏極215接觸。

上述tft基板，通過(guò)在色阻層400中設(shè)置第一色阻塊411及尺寸小于第一色阻塊411的第二色阻塊421，使設(shè)置在第一色阻塊411及第二色阻塊421上覆蓋相鄰兩行色阻單元之間區(qū)域的第三色阻條431在第一色阻塊411上的部分的高度大于在第二色阻塊421上的部分的高度，進(jìn)而使設(shè)于色阻層400上的鈍化層500上的bps光阻層700在對(duì)應(yīng)第一色阻塊411的部分與對(duì)應(yīng)第二色阻塊421的部分之間形成段差，且分別與bps光阻層700的剩余部分之間形成段差，形成覆蓋柵極線220及tft210的第一遮光區(qū)710、位于第一色阻塊411上方的主隔墊物720、及位于第二色阻塊421上方的輔助隔墊物730，也即該bps光阻層700具有三個(gè)段差，同時(shí)由于第三色阻條431將第一色阻塊411及第二色阻塊421覆蓋，避免第一色阻塊411及第二色阻塊421處產(chǎn)生剝落，增強(qiáng)色阻層400整體的抗剝落性。

綜上所述，本發(fā)明的tft基板的制作方法，在制作色阻層時(shí)，使多個(gè)色阻單元暴露出tft層中的柵極線及tft，且在相鄰的第一色阻單元之間設(shè)置第一色阻塊，在相鄰的第二色阻單元之間設(shè)置尺寸小于第一色阻塊的第二色阻塊，在相鄰兩行色阻單元之間設(shè)置覆蓋第一色阻塊及第二色阻塊并覆蓋柵極線及tft的第三色阻條，由于第一色阻塊與第二色阻塊尺寸的差異，使第三色阻條位于第一色阻塊上的部分的高度大于位于第二色阻塊上的部分的高度，從而利用一單色調(diào)光罩即可形成包括覆蓋柵極線及tft的遮光區(qū)、分別位于第一、第二色阻塊上高度不同的主、輔助隔墊物的bps遮光層，降低制作bps遮光層的材料的開(kāi)發(fā)難度，增強(qiáng)色阻層的抗剝落性。本發(fā)明提供的tft基板，具有包括黑色矩陣、主隔墊物、輔助隔墊物的bps遮光層，色阻層抗剝落性強(qiáng)。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。