本申請(qǐng)涉及襯底制作
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體地說，涉及一種4英寸圖形化襯底的制作方法。
背景技術(shù)：
：當(dāng)前全球能源短缺的憂慮再度升高的背景下，節(jié)約能源是我們未來面臨的重要的問題，在照明領(lǐng)域，led(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，led作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以led為代表的新型照明光源時(shí)代。由于led器件的制造一半采用橫向結(jié)構(gòu)，體型是長(zhǎng)方體左右兩面相互平行，雖然有源區(qū)發(fā)出的光大部分從p型區(qū)的頂部出射，但是，由于半導(dǎo)體材料與空氣的折射率差異較大，導(dǎo)致led光從折射率大的芯片發(fā)射到折射率小的空氣時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體與空氣的界面發(fā)生全反射，未經(jīng)處理的半導(dǎo)體led結(jié)構(gòu)表面大約只有很少一部分的光從芯片內(nèi)部逃逸出來，從而導(dǎo)致芯片的出光效率非常低。由于芯片的出光效率是決定半導(dǎo)體照明芯片的發(fā)光效率的主要因素，因此，提升led的發(fā)光效率和增大光的去除效率隊(duì)提高器件的外部量子效率起著非常關(guān)鍵的作用。為了提高外部量子效率，人們正在試圖從技術(shù)上嘗試各種能提高芯片出光率的方法，比較成功的方法之一是圖形襯底(patternedsapphiresubstrate-pss)技術(shù)，在光滑的襯底表面，通過光刻制作出一定的有周期的圖形，然后，采用刻蝕的方法制作出納米或微米尺度的幾何狀的凸起或凹陷，然后在這樣粗糙的襯底表面進(jìn)行外沿生長(zhǎng)的led結(jié)構(gòu)。從led結(jié)構(gòu)有源區(qū)發(fā)出的光，在射到外延層與藍(lán)寶石的界面處時(shí)，粗糙的界面會(huì)對(duì)光線產(chǎn)生散射作用，改變了光線的傳輸方向，擴(kuò)展了光初設(shè)的臨界角度，大大提高了出光效率和外量子效率。目前，pss技術(shù)已成為led行業(yè)內(nèi)普遍采用的一種提高led器件光提取效率的手段。但是目前通過4英寸圖形化襯底制作方法制作出的圖形結(jié)構(gòu)容易出現(xiàn)倒角、圖形形貌一致性較差的問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問題是提供了一種4英寸圖形化襯底的制作方法，通過增加掩膜圖形單元的間距，使得刻蝕過程中圖形襯底產(chǎn)生的倒角得到完全修復(fù)，而且圖形形貌一致性較好，提高了圖形尺寸的一致性。為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)有如下技術(shù)方案：一種4英寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，依次包括：提供一4英寸襯底，所述襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；在所述襯底的第一表面上均勻涂覆一層正性光刻膠；以所述正性光刻膠作為掩膜，采用光刻方法，在所述襯底的第一表面上形成圖形化掩膜，所述圖形化掩膜包括若干個(gè)不連續(xù)的光刻膠柱，相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱之間的間距為3.1um≤d1≤3.6um，所述間距為相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱中第一光刻膠柱遠(yuǎn)離第二光刻膠柱一側(cè)的邊緣與第二光刻膠柱靠近第一光刻膠柱一側(cè)的邊緣之間的距離；利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部?？蛇x地，其中：相鄰兩個(gè)光刻膠柱之間的間距為d1＝3.2um?？蛇x地，其中：所述光刻膠柱呈圓柱狀，所述光刻膠柱的直徑為d2，2.0um≤d2≤2.2um，所述光刻膠柱的高度為h1，2.4um≤h1≤2.6um。可選地，其中：所述光刻膠柱的直徑d2＝2.1um，所述光刻膠柱的高度h1＝2.5um。可選地，其中：所述突起部在所述襯底所在平面的正投影的直徑為d3，2.9um≤d3≤3.1um，所述突起部在沿垂直于所述襯底所在平面的方向的高度為h2，1.7um≤h2≤1.9um，相鄰兩個(gè)突起部之間的間距為d4，0.1um≤d4≤0.3um，其中，相鄰兩個(gè)突起部之間的間距為相鄰兩個(gè)突起部中，第一突起部靠近第二突起部一側(cè)的邊緣與第二突起部靠近所述第一突起部的邊緣之間的距離?？蛇x地，其中：d3＝3.0um，h2＝1.8um，d4＝0.2um。可選地，其中：利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進(jìn)一步為：采用h2和bcl3作為刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，h2的氣體流量為10sccm至25sccm，bcl3的氣體流量為65sccm至95sccm。可選地，其中：采用h2和bcl3作為刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，h2的氣體流量為10sccm至25sccm，bcl3的氣體流量為65sccm至95sccm，進(jìn)一步為：采用bcl3作為主刻蝕氣體，采用h2作為輔刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，其中，h2的氣體流量為15sccm，bcl3的氣體流量為75sccm?？蛇x地，其中：利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進(jìn)一步為：保持反應(yīng)腔體的工作壓力為1mt至3mt，保持反應(yīng)腔體載臺(tái)的溫度為30℃至40℃，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部?？蛇x地，其中：利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部，進(jìn)一步為：保持上電極射頻功率為800w至1200w，下電極射頻功率為200w至800w，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)所述的方法，達(dá)到了如下效果：本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法中，針對(duì)corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)在4英寸圖形化襯底的制作方法中容易出現(xiàn)倒角、圖形形貌一致性較差的問題來設(shè)計(jì)，通過增加掩膜圖形單元的間距，將掩膜圖形中相鄰兩個(gè)光刻膠柱之間的間距設(shè)計(jì)在3.1um≤d1≤3.6um范圍內(nèi)，使得刻蝕過程中圖形化襯底中各突起部產(chǎn)生的倒角得到完全修復(fù)，也不會(huì)出現(xiàn)突起部之間互聯(lián)的現(xiàn)象，從而改善了corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)刻蝕產(chǎn)品片內(nèi)的均勻性，而且圖形形貌一致性較好，提高了圖形尺寸的一致性。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1為本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第一種流程圖；圖2為采用本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法所形成的圖形化掩膜的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為采用本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法所形成的圖形化襯底的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第二種流程圖；圖5為本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第三種流程圖。具體實(shí)施方式如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同名詞來稱呼同一個(gè)組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮盏恼`差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電性耦接于所述第二裝置，或通過其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請(qǐng)的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請(qǐng)的一般原則為目的，并非用以限定本申請(qǐng)的范圍。本申請(qǐng)的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。實(shí)施例1參見圖1所示為本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第一種流程圖，圖2為采用本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法所形成的圖形化掩膜的一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為采用本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法所形成的圖形化襯底的一種結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖1-圖3，可看出本發(fā)明中4英寸圖形化襯底的制作方法，依次包括：步驟101、提供一4英寸襯底，所述襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；步驟102、在所述襯底的第一表面上均勻涂覆一層正性光刻膠；步驟103、以所述正性光刻膠作為掩膜，采用光刻方法，在所述襯底的第一表面上形成圖形化掩膜，所述圖形化掩膜包括若干個(gè)不連續(xù)的光刻膠柱10，相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱10之間的間距為3.1um≤d1≤3.6um，所述間距為相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱10中第一光刻膠柱11遠(yuǎn)離第二光刻膠柱12一側(cè)的邊緣與第二光刻膠柱12靠近第一光刻膠柱11一側(cè)的邊緣之間的距離；步驟104、利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部20。本申請(qǐng)所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法中，在形成圖形化掩膜時(shí)，圖形化掩膜包括若干個(gè)不連續(xù)的光刻膠柱10，而且相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距為3.1um≤d1≤3.6um，從圖2所示實(shí)施例可看出，相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距為第一光刻膠柱11遠(yuǎn)離第一光刻膠柱12一側(cè)的邊緣與第一光刻膠柱12靠近第一光刻膠柱11一側(cè)的邊緣之間的距離。本申請(qǐng)針對(duì)corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)在4英寸圖形化襯底的制作方法中容易出現(xiàn)倒角、圖形形貌一致性較差的問題來設(shè)計(jì)，通過增加掩膜圖形單元的間距，將掩膜圖形中相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距設(shè)計(jì)在3.1um≤d1≤3.6um范圍內(nèi)，使得刻蝕過程中圖形化襯底中各突起部20產(chǎn)生的倒角得到完全修復(fù)，也不會(huì)出現(xiàn)突起部20之間互聯(lián)的現(xiàn)象，從而改善了corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)刻蝕產(chǎn)品片內(nèi)的均勻性，而且圖形形貌一致性較好，提高了圖形尺寸的一致性。實(shí)施例2圖4為本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第二種流程圖，參見圖4，本發(fā)明所體用的4英寸圖形化襯底的制作方法包括：步驟201、提供一4英寸襯底，所述襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；步驟202、在所述襯底的第一表面上均勻涂覆一層正性光刻膠；步驟203、以所述正性光刻膠作為掩膜，采用光刻方法，在所述襯底的第一表面上形成圖形化掩膜，所述圖形化掩膜包括若干個(gè)不連續(xù)的光刻膠柱10，相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱10之間的間距為3.2um，所述間距為相鄰兩個(gè)所述光刻膠柱10中第一光刻膠柱11遠(yuǎn)離第一光刻膠柱12一側(cè)的邊緣與第一光刻膠柱12靠近第一光刻膠柱11一側(cè)的邊緣之間的距離；步驟204、利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)所述圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，所述圖形化襯底包括在所述第一表面形成的若干突起部20。在圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，圖4所示實(shí)施例中，相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距為3.2um。當(dāng)將相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距設(shè)計(jì)為3.2um時(shí)，刻蝕過程中圖形化襯底所包含的各突起部20產(chǎn)生的倒角能夠得到精確修復(fù)，消除了圖形化襯底中各突起部20會(huì)產(chǎn)生倒角的情形，而且將相鄰兩個(gè)光刻膠柱10之間的間距設(shè)計(jì)為3.2um時(shí)，相鄰?fù)黄鸩?0之間還不會(huì)出現(xiàn)互聯(lián)的現(xiàn)象，從而進(jìn)一步改善了corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)刻蝕產(chǎn)品片內(nèi)的均勻性，而且圖形形貌一致性較好，提高了圖形尺寸的一致性?？蛇x地，請(qǐng)參見圖2，本申請(qǐng)中的光刻膠柱10呈圓柱狀，各光刻膠柱10的直徑為d2，2.0um≤d2≤2.2um，各光刻膠柱10的高度為h1，2.4um≤h1≤2.6um。本申請(qǐng)以直徑為2.0um≤d2≤2.2um、高度為2.4um≤h1≤2.6um的光刻膠柱10為基礎(chǔ)進(jìn)行刻蝕時(shí)，能夠形成圖形形貌一致性較好的突起部20，有利于提高4英寸圖形化襯底的圖形尺寸的一致性?？蛇x地，請(qǐng)繼續(xù)參見圖2，本申請(qǐng)中光刻膠柱10的直徑d2＝2.1um，高度h1＝2.5um。本申請(qǐng)將光刻膠柱10的直徑設(shè)計(jì)為2.1um、高度設(shè)計(jì)為2.5um時(shí)，更有利于形成圖形形貌一致性較好的突起部20，從而更有利于提高4英寸圖形化襯底的圖形尺寸的一致性。可選地，請(qǐng)參見圖3，采用本申請(qǐng)4英寸圖形化襯底的制作方法所形成的突起部20的形狀為圓錐形，該圓錐形的突起部20在襯底所在平面的正投影的直徑為d3，2.9um≤d3≤3.1um，突起部20在沿垂直于襯底所在平面的方向的高度為h2，1.7um≤h2≤1.9um，相鄰兩個(gè)突起部20之間的間距為d4，0.1um≤d4≤0.3um，其中，相鄰兩個(gè)突起部20之間的間距為相鄰兩個(gè)突起部20中，第一突起部21靠近第二突起部22一側(cè)的邊緣與第二突起部22靠近第一突起部21的邊緣之間的距離?？蛇x地，本申請(qǐng)中的突起部20在襯底所在平面的正投影的直徑為d3＝3.0um，突起部20在沿垂直于襯底所在平面的方向的高度為h2＝1.8um，相鄰兩個(gè)突起部20之間的間距為d4＝0.2um。如此，本申請(qǐng)?jiān)谝r底上制成了排布有序的尺寸為底部直徑為3.0um、高度為1.8um、間距為0.2um的圓錐狀圖案結(jié)構(gòu)單元，這些圓錐狀圖案結(jié)構(gòu)單元的圖形形貌一致性高，倒角得到完全修復(fù)，還不會(huì)出現(xiàn)互聯(lián)現(xiàn)象，改善了corial機(jī)臺(tái)蝕刻產(chǎn)品片內(nèi)的均勻性。可選地，上述步驟104和步驟204中，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，進(jìn)一步為：采用h2和bcl3作為刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，其中，h2的氣體流量為10sccm至25sccm，bcl3的氣體流量為65sccm至95sccm。本申請(qǐng)采用h2和bcl3作為刻蝕氣體，能夠?qū)D形化掩膜進(jìn)行可靠、有效的刻蝕，有利于形成圖形形貌一致的圖形化襯底?？蛇x地，上述步驟104和步驟204中，采用h2和bcl3作為刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，其中，h2的氣體流量為10sccm至25sccm，bcl3的氣體流量為65sccm至95sccm，進(jìn)一步為：采用bcl3作為主刻蝕氣體，采用h2作為輔刻蝕氣體，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，其中，h2的氣體流量為15sccm，bcl3的氣體流量為75sccm。本申請(qǐng)采用bcl3作為主刻蝕氣體，采用h2作為輔刻蝕氣體，而且將h2的氣體流量設(shè)計(jì)為15sccm，將bcl3的氣體流量設(shè)計(jì)為75sccm，如此有利于提高刻蝕選擇比，使得刻蝕形成的圖形化襯底的圖形形貌一致性更高，而且還能將倒角完全修復(fù)?？蛇x地，上述步驟104和步驟204中，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，進(jìn)一步為：保持反應(yīng)腔體的工作壓力為1mt至3mt，保持反應(yīng)腔體載臺(tái)的溫度為30℃至40℃，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20。本申請(qǐng)將反應(yīng)腔體的工作壓力控制在1mt至3mt，并將反應(yīng)墻體載臺(tái)的溫度設(shè)計(jì)為30℃至40℃，如此能夠?yàn)榭涛g過程提供良好的刻蝕環(huán)境，有利于形成圖形形貌一致的圖形化襯底?？蛇x地，上述步驟104和步驟204中，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20，進(jìn)一步為：保持上電極射頻功率為800w至1200w，下電極射頻功率為200w至800w，利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部20。本申請(qǐng)?jiān)诶胏orial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，保持上電極射頻功率為800w至1200w，下電極射頻功率為200w至800w，如此同樣能夠?yàn)榭涛g過程提供良好的刻蝕環(huán)境，有利于形成圖形形貌一致的圖形化襯底。實(shí)施例3以下提供一種常規(guī)4英寸圖形化襯底的制作方法的應(yīng)用實(shí)施例。圖5所示為本申請(qǐng)所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法的第三種流程圖，該應(yīng)用實(shí)施例中的4英寸圖形化襯底的制作方法包括：步驟301、提供一4英寸藍(lán)寶石襯底，襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；步驟302、在藍(lán)寶石襯底的第一表面上均勻涂覆一層正性光刻膠，該正向光刻膠采用az601光刻膠；步驟303、以az601光刻膠作為掩膜，利用svs涂膠顯影設(shè)備、nikonstepper光刻機(jī)，通過勻膠、曝光、顯影等工藝處理，在藍(lán)寶石襯底上制得圓柱狀的光刻膠柱體，圓柱體直徑控制在2.1um，高度控制在2.5um，柱體間距為3.2um，參見圖2；步驟304、采用bcl3作為主刻蝕氣體，h2作為輔助刻蝕氣體，利用利用corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)對(duì)圖形化掩膜進(jìn)行刻蝕，形成圖形化襯底，圖形化襯底包括在第一表面形成的若干突起部，整個(gè)刻蝕過程中，工作壓力為2mt，上電極射頻功率為900w，載臺(tái)溫度控制為40℃，分4步完成，具體參數(shù)參見表1。表1刻蝕過程工藝參數(shù)表step1step2step3step4時(shí)間200s300s1750s550s上電極900w900w900w900w下電極600w400w350w800w工作壓力2mt2mt2mt2mtbcl3流量75sccm75sccm75sccm75sccmh2流量15sccm15sccm15sccm15sccm溫度36℃36℃36℃36℃通過上述工藝步驟，最終得到的pss(patternedsapphiresubstrate，圖形化藍(lán)寶石襯底)圖形如圖3所示，pss側(cè)壁光滑、無倒角，圓錐狀突起部的底端直徑為2.93um，高度為1.88um。通過以上各實(shí)施例可知，本申請(qǐng)存在的有益效果是：本發(fā)明所提供的4英寸圖形化襯底的制作方法中，針對(duì)corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)在4英寸圖形化襯底的制作方法中容易出現(xiàn)倒角、圖形形貌一致性較差的問題來設(shè)計(jì)，通過增加掩膜圖形單元的間距，將掩膜圖形中相鄰兩個(gè)光刻膠柱之間的間距設(shè)計(jì)在3.1um≤d1≤3.6um范圍內(nèi)，使得刻蝕過程中圖形化襯底中各突起部產(chǎn)生的倒角得到完全修復(fù)，也不會(huì)出現(xiàn)突起部之間互聯(lián)的現(xiàn)象，從而改善了corial干法刻蝕機(jī)臺(tái)刻蝕產(chǎn)品片內(nèi)的均勻性，而且圖形形貌一致性較好，提高了圖形尺寸的一致性。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請(qǐng)的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本申請(qǐng)可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本申請(qǐng)可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、cd-rom、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。上述說明示出并描述了本申請(qǐng)的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本申請(qǐng)并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍，則都應(yīng)在本申請(qǐng)所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12