【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，對于陣列基板的像素電極層，因為在ito(indiumtinoxide，摻錫氧化銦)的狹縫區(qū)域沒有ito電極，該區(qū)域無法與正上方的ito基板形成電場，只能靠相鄰ito電極的帶動，使得液晶傾斜，因此穿透率低。

故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示面板，其能夠有效提高穿透率。

為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板表面上設(shè)置第一金屬層，以形成柵電極層圖案；

在所述第一金屬層上設(shè)置絕緣層；

在所述絕緣層上設(shè)置有源層，以形成有源層圖案；

在所述有源層上設(shè)置第二金屬層，以形成源漏極層圖案；

鋪設(shè)整層ito層，所述ito層與所述第二金屬層的漏極電性連接；

在所述ito層上設(shè)置鈍化層，以形成鈍化層圖案；

通過蝕刻在所述漏極對應(yīng)位置處形成通孔；

進(jìn)行像素電極層的沉積形成像素電極圖案，以使得所述像素電極圖案通過所述通孔與所述ito層電性連接。

優(yōu)選的，在所述陣列基板的制作方法中，所述進(jìn)行像素電極層的沉積形成像素電極圖案的步驟，包括：

濺射沉積所述像素電極層后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成所述像素電極圖案，以使得相鄰的像素電極圖案間隔設(shè)置。

優(yōu)選的，在所述陣列基板的制作方法中，所述通過蝕刻在所述漏極對應(yīng)位置處形成通孔的步驟，包括：

蝕刻所述漏極對應(yīng)位置處的所述鈍化層，以形成所述通孔。

優(yōu)選的，在所述陣列基板的制作方法中，所述像素電極層的像素電極圖案共同形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，在所述陣列基板的制作方法中，所述ito層的ito電極為整面且連續(xù)不斷的面狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：

一基板；

一第一金屬層，所述第一金屬層設(shè)置于所述基板表面上；所述第一金屬層包括薄膜晶體管的柵極；

一絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述第一金屬層上；

一有源層，所述有源層設(shè)置于所述絕緣層上；

一第二金屬層，所述第二金屬層設(shè)置于所述有源層上；所述第二金屬層包括薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極；

一ito層，所述ito層整面鋪設(shè)在所述第二金屬層上；

一鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述ito層上，用于隔離所述ito層和像素電極層；

一所述像素電極層，所述像素電極層設(shè)置于所述鈍化層上；所述像素電極層包括像素電極；

其中，所述ito層與所述像素電極層電性連接，所述ito層與所述第二金屬層電性連接。

優(yōu)選的，在所述陣列基板中，所述漏極對應(yīng)位置處的所述鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得所述像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接。

優(yōu)選的，在所述陣列基板中，所述像素電極層的相鄰的像素電極間隔設(shè)置；所述像素電極層的像素電極共同形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，在所述陣列基板中，所述ito層的ito電極為整面且連續(xù)不斷的面狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板、以及設(shè)置于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶盒；

所述陣列基板包括：

一基板；

一第一金屬層，所述第一金屬層設(shè)置于所述基板表面上；所述第一金屬層包括薄膜晶體管的柵極；

一絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述第一金屬層上；

一有源層，所述有源層設(shè)置于所述絕緣層上；

一第二金屬層，所述第二金屬層設(shè)置于所述有源層上；所述第二金屬層包括薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極；

一ito層，所述ito層整面鋪設(shè)在所述第二金屬層上；

一鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述ito層上，用于隔離所述ito層和像素電極層；

一所述像素電極層，所述像素電極層設(shè)置于所述鈍化層上；所述像素電極層包括像素電極；

其中，所述ito層與所述像素電極層電性連接，所述ito層與所述第二金屬層電性連接。

相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在第二金屬層上鋪設(shè)整面ito層，在第二金屬層的漏極對應(yīng)位置處的鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得像素電極層的像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接，并且所述ito層與所述第二金屬層電性連接。即本發(fā)明在傳統(tǒng)的psva像素中的像素電極下方增加一層ito層，形成新型psva像素，由于ito層是整面鋪設(shè)，因此溝槽部分也能與上基板ito形成電場，使液晶傾斜，貢獻(xiàn)此部分的透過率。因此，本發(fā)明能有效提高穿透率，并且能優(yōu)化性能。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制作方法的實現(xiàn)流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的像素電極層的像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的ito層的ito電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

本說明書所使用的詞語“實施例”意指用作實例、示例或例證。此外，本說明書和所附權(quán)利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為意指“一個或多個”，除非另外指定或從上下文清楚導(dǎo)向單數(shù)形式。

在本發(fā)明實施例中，通過在第二金屬層上鋪設(shè)整面ito層，在第二金屬層的漏極對應(yīng)位置處的鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得像素電極層的像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接，并且所述ito層與所述第二金屬層電性連接。即本發(fā)明在傳統(tǒng)的psva(聚合物穩(wěn)定垂直配向)像素中的像素電極下方增加一層ito層，形成新型psva像素，由于ito層是整面鋪設(shè)，因此溝槽部分也能與上基板ito形成電場，使液晶傾斜，貢獻(xiàn)此部分的透過率。因此，本發(fā)明能有效提高穿透率，并且能優(yōu)化性能。

實施例一

請參閱圖1，為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制作方法的實現(xiàn)流程示意圖。下面詳細(xì)描述所述陣列基板的制作方法的實現(xiàn)流程，其主要包括以下步驟：

在步驟s101中，提供一基板。

在本發(fā)明實施例中，基板可以為玻璃基板。

在步驟s102中，在所述基板表面上設(shè)置第一金屬層，以形成柵電極層圖案。

在本發(fā)明實施例中，在基板表面上沉積第一金屬層，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第一金屬層的圖樣，其中該第一金屬層的圖樣包括晶體管的柵極電極。

在步驟s103中，在所述第一金屬層上設(shè)置絕緣層。

在步驟s104中，在所述絕緣層上設(shè)置有源層，以形成有源層圖案。

在步驟s105中，在所述有源層上設(shè)置第二金屬層，以形成源漏極層圖案。

在本發(fā)明實施例中，濺射沉積第二金屬層后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第二金屬層的圖樣，所述第二金屬層的圖樣包括：薄膜晶體管的源極和薄膜晶體管的漏極。

在步驟s106中，鋪設(shè)整層ito(indiumtinoxide，摻錫氧化銦)層，所述ito層與所述第二金屬層的漏極電性連接。

作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述ito層的ito電極為整面且連續(xù)不斷的面狀結(jié)構(gòu)。

在步驟s107中，在所述ito層上設(shè)置鈍化層，以形成鈍化層圖案。

在步驟s108中，通過蝕刻在所述漏極對應(yīng)位置處形成通孔。

在本發(fā)明實施例中，蝕刻所述漏極對應(yīng)位置處的所述鈍化層，以形成所述通孔。

在步驟s109中，進(jìn)行像素電極層的沉積形成像素電極圖案，以使得所述像素電極圖案通過所述通孔與所述ito層電性連接。

在本發(fā)明實施例中，濺射沉積所述像素電極層后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成所述像素電極圖案，以使得相鄰的像素電極圖案間隔設(shè)置。

作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述像素電極層的像素電極圖案共同形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)。

由上可知，本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制作方法，通過在第二金屬層上鋪設(shè)整面ito層，在第二金屬層的漏極對應(yīng)位置處的鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得像素電極層的像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接，并且所述ito層與所述第二金屬層電性連接。即本發(fā)明在傳統(tǒng)的psva像素中的像素電極下方增加一層ito層，形成新型psva像素，由于ito層是整面鋪設(shè)，因此溝槽部分也能與上基板ito形成電場，使液晶傾斜，貢獻(xiàn)此部分的透過率。因此，本發(fā)明能有效提高穿透率，并且能優(yōu)化性能。

實施例二

請參閱圖2，為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。

所述陣列基板包括：一基板100，一第一金屬層101、一絕緣層102、一有源層103、一第二金屬層104、一ito層105、一鈍化層106、以及一像素電極層107。其中，所述第一金屬層101設(shè)置于所述基板100表面上；所述第一金屬層101包括薄膜晶體管的柵極；所述絕緣層102設(shè)置于所述第一金屬層101上；所述有源層103設(shè)置于所述絕緣層102上；所述第二金屬層104設(shè)置于所述有源層103上；所述第二金屬層104包括薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極；所述ito層105整面鋪設(shè)在所述第二金屬層104上；所述鈍化層106設(shè)置于所述ito層105上，用于隔離所述ito層105和像素電極層107；所述像素電極層107設(shè)置于所述鈍化層106上；所述像素電極層107包括像素電極。

其中，所述ito層105與所述像素電極層107電性連接，所述ito層與所述第二金屬層104電性連接，電位相同。

優(yōu)選的，所述漏極對應(yīng)位置處的所述鈍化層106設(shè)置有貫穿的通孔，以使得所述像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接。

請參閱圖3，優(yōu)選的，所述像素電極層的相鄰的像素電極間隔設(shè)置；所述像素電極層的像素電極共同形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)。

請參閱圖4，優(yōu)選的，所述ito層的ito電極為整面且連續(xù)不斷的面狀結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明實施例中，在基板100表面上沉積第一金屬層101，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第一金屬層101的圖樣，其中該第一金屬層101的圖樣包括薄膜晶體管的柵極。

在本發(fā)明實施例中，濺射沉積第二金屬層104后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第二金屬層104的圖樣，其中，所述第二金屬層104的圖樣包括薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極。

在本發(fā)明實施例中，濺射沉積一像素電極層107后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成所述像素電極層107的圖樣，其中，所述所述像素電極層107的圖樣包括像素電極。

在本發(fā)明實施例中，所述像素電極層107采用ito(indiumtinoxide，摻錫氧化銦)或銦鋅氧化物izo等等材料制成；所述絕緣層102可采用g-sinx材料制成；然而，可以理解的是，并不限于上述材料，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

由上可知，本發(fā)明實施例二提供的陣列基板，通過在第二金屬層上鋪設(shè)整面ito層，在第二金屬層的漏極對應(yīng)位置處的鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得像素電極層的像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接，并且所述ito層與所述第二金屬層電性連接。即本發(fā)明在傳統(tǒng)的psva像素中的像素電極下方增加一層ito層，形成新型psva像素，由于ito層是整面鋪設(shè)，因此溝槽部分也能與上基板ito形成電場，使液晶傾斜，貢獻(xiàn)此部分的透過率。因此，本發(fā)明能有效提高穿透率，并且能優(yōu)化性能。

實施例三

本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示面板。為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。所述液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板、以及設(shè)置于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶盒。

所述陣列基板包括：一基板100，一第一金屬層101、一絕緣層102、一有源層103、一第二金屬層104、一ito層105、一鈍化層106、以及一像素電極層107。其中，所述第一金屬層101設(shè)置于所述基板100表面上；所述第一金屬層101包括薄膜晶體管的柵極；所述絕緣層102設(shè)置于所述第一金屬層101上；所述有源層103設(shè)置于所述絕緣層102上；所述第二金屬層104設(shè)置于所述有源層103上；所述第二金屬層104包括薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極；所述ito層105整面鋪設(shè)在所述第二金屬層104上；所述鈍化層106設(shè)置于所述ito層105上，用于隔離所述ito層105和像素電極層107；所述像素電極層107設(shè)置于所述鈍化層106上；所述像素電極層107包括像素電極。

其中，所述ito層105與所述像素電極層107電性連接，所述ito層與所述第二金屬層104電性連接。

優(yōu)選的，所述漏極對應(yīng)位置處的所述鈍化層106設(shè)置有貫穿的通孔，以使得所述像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接。

優(yōu)選的，所述像素電極層的相鄰的像素電極間隔設(shè)置；所述像素電極層的像素電極共同形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述ito層的ito電極為整面且連續(xù)不斷的面狀結(jié)構(gòu)。

綜上所述，本發(fā)明實施例通過在第二金屬層上鋪設(shè)整面ito層，在第二金屬層的漏極對應(yīng)位置處的鈍化層設(shè)置有貫穿的通孔，以使得像素電極層的像素電極通過所述通孔與所述ito層電性連接，并且所述ito層與所述第二金屬層電性連接。即本發(fā)明在傳統(tǒng)的psva像素中的像素電極下方增加一層ito層，形成新型psva像素，由于ito層是整面鋪設(shè)，因此溝槽部分也能與上基板ito形成電場，使液晶傾斜，貢獻(xiàn)此部分的透過率。因此，本發(fā)明能有效提高穿透率，并且能優(yōu)化性能。

盡管已經(jīng)相對于一個或多個實現(xiàn)方式示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對本說明書和附圖的閱讀和理解將會想到等價變型和修改。本發(fā)明包括所有這樣的修改和變型，并且僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。特別地關(guān)于由上述組件執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的組件的術(shù)語旨在對應(yīng)于執(zhí)行所述組件的指定功能(例如其在功能上是等價的)的任意組件(除非另外指示)，即使在結(jié)構(gòu)上與執(zhí)行本文所示的本說明書的示范性實現(xiàn)方式中的功能的公開結(jié)構(gòu)不等同。此外，盡管本說明書的特定特征已經(jīng)相對于若干實現(xiàn)方式中的僅一個被公開，但是這種特征可以與如可以對給定或特定應(yīng)用而言是期望和有利的其他實現(xiàn)方式的一個或多個其他特征組合。而且，就術(shù)語“包括”、“具有”、“含有”或其變形被用在具體實施方式或權(quán)利要求中而言，這樣的術(shù)語旨在以與術(shù)語“包含”相似的方式包括。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。