技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種存儲單元及存儲器，包括：具有字線的基材；柵電極；功函數(shù)墻，其長度方向與字線成第一角度；有源層；漏電極以及位線，位線與有源層延伸方向成第二角度、與字線成第三角度；保護(hù)層；多介質(zhì)層；多介質(zhì)層中形成有階梯狀電容。本發(fā)明中晶體管的隆起道區(qū)沿著功函數(shù)墻的側(cè)面和頂面分布，形成垂直溝道的晶體管結(jié)構(gòu)，有效抑制短溝道效應(yīng)，使得晶體管能夠在工藝微縮情況下具有良好性能；在功函數(shù)墻的夾合空隙做成漏電極，且電容通過延伸孔與晶體管電連接，大大縮小存儲單元的尺寸；電容采用了階梯狀溝槽進(jìn)行制備，具有雙層介質(zhì)層，有效增大電容的面積，進(jìn)而提高電容量；另外，該存儲單元中的重復(fù)單元占用面積能夠達(dá)到4F2，具有高集成度。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：睿力集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.28
技術(shù)公布日：2017.10.03