技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，它涉及光電探測器技術(shù)領(lǐng)域；它的制備方法為：步驟一：在導(dǎo)電襯底上制備出獨(dú)立式垂直排列的二硫化錫納米片；步驟二：旋涂一層透明絕緣層后烘干以將二硫化錫納米片封裝起來；步驟三：用等離子刻蝕工藝將部分透明絕緣層刻蝕掉，重新暴露出部分二硫化錫納米片；步驟四：蒸鍍一層透明金屬電極，完成器件；本發(fā)明的制備工藝實(shí)施簡單，避免了繁瑣而復(fù)雜的光刻技術(shù)的使用；相比傳統(tǒng)的平行結(jié)構(gòu)的光電探測器，獨(dú)立式二硫化錫納米片為基礎(chǔ)的垂直電探測器避免了基底造成的散射與摻雜，增加了光吸收，從而提高了其光電探測性能。

技術(shù)研發(fā)人員：胡平安;劉光波;李中華;陳曉爽;鄭威;馮偉;戴明金
受保護(hù)的技術(shù)使用者：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.22
技術(shù)公布日：2017.09.01