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      一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流的方法及裝置與流程

      文檔序號(hào):11232947閱讀:1281來源:國知局
      一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流的方法及裝置與流程

      本發(fā)明涉及一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流的方法及裝置,屬于氣體團(tuán)簇離子束領(lǐng)域。



      背景技術(shù):

      離子注入技術(shù)是一門材料表面改性技術(shù),從20世紀(jì)60年代至今在國際上已得到蓬勃發(fā)展并應(yīng)用廣泛?;驹硎牵河靡欢芰俊⒁欢▌┝康碾x子束轟擊靶材,由于靶材中的原子或分子會(huì)與離子束會(huì)發(fā)生一系列物理化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致入射離子能量損失,離子速度在固體材料的抵抗下慢慢降低,最終停留在靶材中。因其會(huì)改變材料表面成分、結(jié)構(gòu),進(jìn)而優(yōu)化材料表面性能,甚至獲得某些新的優(yōu)異性能,已經(jīng)在材料表面改性領(lǐng)域取得卓越成績,尤其是半導(dǎo)體材料摻雜,金屬、陶瓷、高分子聚合物等表面改性上產(chǎn)生了可觀的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)、社會(huì)效應(yīng)。

      但在離子注入過程中,當(dāng)單原子離子沿著晶體的晶向注入時(shí),會(huì)因?yàn)榕c晶格原子發(fā)生較少的碰撞而入射到很深的位置,產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象,導(dǎo)致結(jié)深加大。為滿足超淺表面的改性要求,在降低注入離子能量、改變?nèi)肷鋬A斜角的同時(shí),使用多原子離子也成為切實(shí)可行的方法,因此團(tuán)簇離子束技術(shù)得到重視。

      氣體團(tuán)簇離子束設(shè)備可以產(chǎn)生原子數(shù)達(dá)到數(shù)千甚至上萬的多原子離子,但整臺(tái)設(shè)備精密復(fù)雜,需要各個(gè)部件的完美配合才能得到預(yù)期結(jié)果。高壓噴嘴就是其重要組成部件之一,能否形成多原子團(tuán)簇高壓噴嘴起著關(guān)鍵作用。氣流經(jīng)噴嘴噴射出后在低壓氣氛(0.1–1pa)中發(fā)生膨脹,形成具有特殊形狀的射流,而氣體團(tuán)簇主要在距離噴嘴一定范圍的位置處形成。所以,確定氣體噴射流的幾何形狀及確認(rèn)分束器的位置對(duì)團(tuán)簇的形成具有重要意義。模擬仿真表明,分束器尖端的最佳位置是射流中的馬赫盤附近。此外,團(tuán)簇經(jīng)過馬赫盤時(shí)會(huì)被沖擊波迅速擊毀,所以,明確噴射流的結(jié)構(gòu)尤其馬赫盤的位置極其重要,而噴射流又是無色的氣態(tài),以目前的設(shè)備難以直接觀測(cè)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流的方法及裝置,便于分析并調(diào)節(jié)其余各部件位置,產(chǎn)生預(yù)期氣體團(tuán)簇,實(shí)現(xiàn)無色的噴射流可視化檢測(cè),以供后續(xù)分析。

      本發(fā)明為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供了一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法,包括以下步驟:

      (1)高壓進(jìn)氣管中的高壓氣體通過噴嘴,噴嘴內(nèi)外的壓強(qiáng)差和溫度差使高壓氣體凝聚成團(tuán)簇離子或顆粒,利用安裝于噴嘴和高壓進(jìn)氣管之間的脈沖閥以毫秒脈沖控制,形成脈沖式射流從噴嘴噴出;

      (2)射流噴射至電極處,產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象,利用攝像裝置實(shí)時(shí)拍攝射流從噴嘴噴出的準(zhǔn)直狀態(tài)以及噴射至電極處的放電狀態(tài)。

      所述噴嘴和電極之間施加電壓300~800v。

      所述噴嘴和電極之間的距離為10~15cm。

      所述噴嘴和電極之間的電流為0.5~2ma。

      所述射流噴射過程在真空腔室內(nèi)進(jìn)行,真空腔室的氣壓為0.1~1pa。

      本發(fā)明同時(shí)提供了一種基于上述方法的可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置,包括真空腔室及設(shè)置在其內(nèi)部的高壓進(jìn)氣管和電極,所述高壓進(jìn)氣管的噴氣口處安裝有噴嘴,噴嘴和高壓進(jìn)氣管之間設(shè)置有脈沖控制閥,所述噴嘴接地,電極和噴嘴之間設(shè)有用于施加300~800v電壓的電路,真空腔室外設(shè)有用于拍攝噴嘴至電極之間氣路的攝像裝置。

      所述噴嘴采用純鋁材料超聲噴嘴,噴嘴形狀為錐形,其錐口直徑為0.1~0.2mm;其通過粗加工和微細(xì)加工制成,其中粗加工為采用pcb刀具進(jìn)行切削加工,極限孔徑達(dá)到0.21~0.3mm;微細(xì)加工為利用電火花數(shù)控打孔,極限孔徑達(dá)到0.1~0.2mm。

      電極和噴嘴之間用于施加電壓的電路上設(shè)置有電流表。

      所述真空腔室內(nèi)設(shè)有用于承托高壓進(jìn)氣管的固定架,所述固定架上設(shè)有兩顆分別用于在豎直方向和水平方向調(diào)節(jié)高壓進(jìn)氣管位置的螺釘。

      所述固定架的尾部通過波紋管連接于真空腔室內(nèi)部。

      本發(fā)明基于其技術(shù)方案所具有的有益效果在于:

      (1)本發(fā)明一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法能夠適用于較寬的氣壓范圍,對(duì)源氣體無類別要求,適用于各種氣體;

      (2)本發(fā)明一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法利用噴嘴將高壓進(jìn)氣管中的源氣體噴射出來,因?yàn)閲娮炜讖綐O小,導(dǎo)致噴嘴兩邊存在大的壓強(qiáng)差和溫度差,促使氣體材料膨脹并絕熱冷卻,凝聚成團(tuán)簇粒子或顆粒;

      (3)本發(fā)明一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法利用合理設(shè)置的噴嘴和電極之間的距離、電流、電壓,高壓放電產(chǎn)生電子,使中性團(tuán)簇粒子電離、放電、發(fā)光,實(shí)現(xiàn)射流射至電極處時(shí)產(chǎn)生輝光放電,使氣體射流可視化,其中電流設(shè)置在0.5~2ma,能夠讓輝光放電處于合適亮度,便于攝像裝置拍攝;

      (4)本發(fā)明可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置為上述方法提供硬件基礎(chǔ),可在標(biāo)準(zhǔn)溫度和一定氣壓下,采用氣體原料,通過錐形噴嘴后,氣體材料膨脹并絕熱冷卻,冷凝成中性團(tuán)簇,然后在高電壓作用下噴射流產(chǎn)生輝光放電,使得無色射流可視化;

      (5)本發(fā)明可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置中所有噴嘴孔徑極小,能夠產(chǎn)生大的壓強(qiáng)差以及溫差促使形成重團(tuán)簇;

      (6)本發(fā)明可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置中的拍攝裝置能夠?qū)崟r(shí)反映輝光放電現(xiàn)象,進(jìn)而反饋噴射流情況,便于及時(shí)調(diào)節(jié)各部件位置。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2是中性團(tuán)簇由于輝光放電形成的可見束流。

      圖中:1-波紋管,2-螺釘,3-高壓進(jìn)氣管,4-固定架,5-脈沖控制閥,6-噴嘴,7-射流,8-電極,9-攝像裝置,10-電流表,11-真空腔室,12-輝光放電下的氣體射流,13-側(cè)面沖擊波,14-形成理想團(tuán)簇的最佳區(qū)域,15-錐形馬赫盤頂點(diǎn)。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

      本發(fā)明提供了一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法,包括以下步驟:

      (1)高壓進(jìn)氣管中的高壓氣體通過噴嘴,噴嘴內(nèi)外的壓強(qiáng)差和溫度差使高壓氣體凝聚成團(tuán)簇離子或顆粒,利用安裝于噴嘴和高壓進(jìn)氣管之間的脈沖閥以毫秒脈沖控制,形成脈沖式射流從噴嘴噴出;

      (2)射流噴射至電極處,產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象,利用攝像裝置實(shí)時(shí)拍攝射流從噴嘴噴出的準(zhǔn)直狀態(tài)以及噴射至電極處的放電狀態(tài)。

      所述噴嘴和電極之間施加電壓300~800v。

      所述噴嘴和電極之間的距離為10~15cm。

      所述噴嘴和電極之間的電流為0.5~2ma。

      所述射流噴射過程在真空腔室內(nèi)進(jìn)行,真空腔室的氣壓為0.1~1pa。

      本發(fā)明同時(shí)提供了一種基于上述方法的可視化氣體團(tuán)簇離子射流裝置,參照?qǐng)D1,包括真空腔室11及設(shè)置在其內(nèi)部的高壓進(jìn)氣管3和電極8,所述高壓進(jìn)氣管的噴氣口處安裝有噴嘴6,噴嘴和高壓進(jìn)氣管之間設(shè)置有脈沖控制閥5,所述噴嘴接地,電極和噴嘴之間設(shè)有用于施加300~800v電壓的電路,真空腔室外設(shè)有用于拍攝噴嘴至電極之間射流7氣路的攝像裝置9。

      一定氣壓下(1-10個(gè)大氣壓)氣體原料(ar、co2、n2等)由高壓進(jìn)氣管輸送。脈沖閥置于高壓氣瓶與噴嘴之間,開關(guān)離合比例為5%~50%,頻率1~20hz,以毫秒脈沖控制氣流,實(shí)現(xiàn)脈沖式間歇供氣,使最大氣壓達(dá)到1mpa,通過差分真空系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)107的壓差比。

      所述噴嘴6采用純鋁材料超聲噴嘴,噴嘴形狀為錐形,其錐口直徑為0.1~0.2mm;其通過粗加工和微細(xì)加工制成,其中粗加工為采用pcb刀具進(jìn)行切削加工,極限孔徑達(dá)到0.21~0.3mm;微細(xì)加工為利用電火花數(shù)控打孔,極限孔徑達(dá)到0.1~0.2mm。由于噴嘴孔徑極小,導(dǎo)致噴嘴兩邊存在巨大的壓強(qiáng)差和溫度差,促使氣體膨脹并絕熱冷卻,凝聚成團(tuán)簇粒子或顆粒,形成團(tuán)簇粒子束,經(jīng)噴嘴噴出后形成7射流,包含單體(原子數(shù)等于1)和團(tuán)簇(原子數(shù)大于1,甚至上千)。

      電極和噴嘴之間用于施加電壓的電路上設(shè)置有電流表10,可用于控制電極和噴嘴間電流設(shè)置為0.5~2ma。

      所述真空腔室內(nèi)設(shè)有用于承托高壓進(jìn)氣管的固定架4,所述固定架上設(shè)有兩顆分別用于在豎直方向和水平方向調(diào)節(jié)高壓進(jìn)氣管位置的螺釘2,可用于更好地調(diào)節(jié)噴嘴位置。

      所述固定架的尾部通過波紋管1連接于真空腔室內(nèi)部,可方便固定架的移動(dòng)。

      參照?qǐng)D2為通過噴嘴后中性團(tuán)簇由于輝光放電形成的可見束流,其中標(biāo)示了噴嘴6出口、輝光放電下的氣體射流12、側(cè)面沖擊波13、形成理想團(tuán)簇的最佳區(qū)域14以及錐形馬赫盤頂點(diǎn)15。在噴嘴出口處,噴射流呈發(fā)散的錐形,且射流側(cè)面存在沖擊波,沖擊波發(fā)光更為明亮,然后在馬赫盤處,射流收斂聚集,為形成理想團(tuán)簇的最佳區(qū)域。

      本發(fā)明的使用原理為:在標(biāo)準(zhǔn)溫度下,通過進(jìn)氣管輸送一定壓強(qiáng)的氣體,氣體原料穿過錐形噴嘴時(shí),因?yàn)閲娮炜讖綐O小,導(dǎo)致噴嘴兩頭存在較大的壓強(qiáng)差及溫差,促使氣體材料膨脹并絕熱冷卻,冷凝成中性團(tuán)簇,然后采用高壓放電產(chǎn)生電子,使中性團(tuán)簇粒子電離、放電、發(fā)光,形成氣體團(tuán)簇離子,利用輝光放電原理可觀測(cè)到所產(chǎn)生的團(tuán)簇粒子束,通過拍照處理監(jiān)控束流及其準(zhǔn)直狀態(tài)。本方法輝光放電產(chǎn)生的可視化效應(yīng)可以提供噴射流的詳細(xì)結(jié)構(gòu)信息,并且適用于較寬的氣壓(噴嘴內(nèi)的)范圍。適用于各種氣體,對(duì)源氣體無類別要求;噴嘴孔徑極小,大的壓強(qiáng)差及溫差促使形成重團(tuán)簇;輝光放電及拍照監(jiān)控可以隨時(shí)反饋束流情況,便于及時(shí)調(diào)節(jié)各部件位置。

      利用本發(fā)明提供的一種可視化氣體團(tuán)簇離子射流方法及裝置,便于分析并調(diào)節(jié)其余各部件位置,產(chǎn)生預(yù)期氣體團(tuán)簇,實(shí)現(xiàn)無色的噴射流可視化檢測(cè),以供后續(xù)分析。

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