本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

大部分的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)是使用氫化非晶硅(a-si:h)作為有源層的材料，隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)顯示產(chǎn)品的像素開口率的要求越來越高，因此，目前的薄膜晶體管的有源層大多采用氧化物半導(dǎo)體材料，且氧化物半導(dǎo)體材料的價(jià)格更低。

但是，現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體tft的結(jié)構(gòu)中，如圖1所示，包括：襯底基板01，位于襯底基板01上的柵極02，覆蓋柵極02的柵極絕緣層03，位于柵極絕緣層03上的有源層04，與有源層04電連接的第一電極05和第二電極06；第一電極05、第二電極06和有源層04均與柵極02存在交疊區(qū)域，由于tft的柵極02具有一定的厚度，因此在柵極02上方形成柵極絕緣層03和有源層04時(shí)，有源層04在與柵極02的側(cè)面與上表面的交界處a處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域很容易發(fā)生斷裂，而柵極絕緣層03由于柵極02的側(cè)面與上表面的交界處a處容易發(fā)生靜電積累從而被擊穿，因此會(huì)導(dǎo)致tft的柵極02與第一電極05或第二電極06發(fā)生短路，從而導(dǎo)致tft發(fā)生不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路而發(fā)生tft不良的問題。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的柵極，覆蓋所述柵極的柵極絕緣層，位于所述柵極絕緣層上的有源層，位于所述有源層上方且與所述有源層電連接的第一電極和第二電極；還包括位于所述柵極絕緣層與所述第一電極之間的第一絕緣部；

所述第一絕緣部在所述襯底基板的正投影與所述第一電極在所述襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且所述部分重疊區(qū)域覆蓋所述柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述有源層中設(shè)置有第一溝槽，且所述第一絕緣部填充于所述第一溝槽內(nèi)；或者所述第一絕緣部位于所述第一電極與所述有源層之間。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括位于所述柵極絕緣層與所述第二電極之間的第二絕緣部；

所述第二絕緣部在所述襯底基板的正投影與所述第二電極在所述襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且所述部分重疊區(qū)域覆蓋所述柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述有源層中設(shè)置有第二溝槽，且所述第二絕緣部填充于所述第二溝槽內(nèi)，或者所述第二絕緣部位于所述第二電極與所述有源層之間。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述第一溝槽和所述第二溝槽均為貫穿所述有源層的過孔。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括位于所述有源層上方、且位于所述第一電極和所述第二電極之間的刻蝕阻擋層。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述第一絕緣部的材料與所述刻蝕阻擋層的材料相同。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，當(dāng)所述薄膜晶體管包括第二絕緣部時(shí)，所述第二絕緣部的材料與所述刻蝕阻擋層的材料相同。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述刻蝕阻擋層的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鈦或氧化鋁。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括覆蓋所述第一電極和所述第二電極的鈍化層。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述鈍化層的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鈦或氧化鋁。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種薄膜晶體管。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在襯底基板上形成柵極的圖形；形成覆蓋所述柵極圖形的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成有源層的圖形；在所述有源層上形成與所述有源層電連接的第一電極和第二電極的圖形；

在形成所述柵極絕緣層之后、形成所述第一電極和所述第二電極的圖形之前，還包括：形成第一絕緣部的圖形；其中，所述第一絕緣部在所述襯底基板的正投影與所述第一電極在所述襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且所述部分重疊區(qū)域覆蓋所述柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成所述有源層的圖形之后、形成所述第一電極和所述第二電極的圖形之前，還包括：形成第二絕緣部的圖形；其中，所述第二絕緣部在所述襯底基板的正投影與所述第二電極在所述襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且所述部分重疊區(qū)域覆蓋所述柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成所述有源層的圖形之后，在形成所述第一電極和所述第二電極之前，還包括：

形成刻蝕阻擋層的圖形。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成所述有源層的圖形時(shí)，在所述有源層中形成第一溝槽和第二溝槽；

在形成所述刻蝕阻擋層的圖形的同時(shí)在所述第一溝槽內(nèi)形成所述第一絕緣部的圖形；

在形成所述刻蝕阻擋層的圖形的同時(shí)在所述第二溝槽內(nèi)形成所述第二絕緣部的圖形。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成所述第一電極和所述第二電極的圖形之后，還包括：

形成覆蓋所述第一電極和所述第二電極的鈍化層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，通過在柵極絕緣層與第一電極之間設(shè)置第一絕緣部，第一絕緣部在襯底基板的正投影與第一電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。這是由于柵極的側(cè)面與上表面的交界處很容易發(fā)生靜電積累而導(dǎo)致柵極絕緣層被擊穿，有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域很容易發(fā)生斷裂、或者有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域由于存在雜質(zhì)而發(fā)生斷裂，因此在斷裂處會(huì)導(dǎo)致tft的柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路，而本發(fā)明正是在容易發(fā)生斷裂的有源層區(qū)域及容易發(fā)生斷裂的柵極絕緣層區(qū)域設(shè)置位于柵極絕緣層與第一電極之間第一絕緣部，因此即使在柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層和有源層發(fā)生斷裂時(shí)，也不會(huì)發(fā)生柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路的問題，從而可以避免tft發(fā)生不良的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖2c為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的俯視結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的俯視結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖3c為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中有源層與柵極的立體演示示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖；

圖5a至圖5f分別為本發(fā)明實(shí)施例提供實(shí)施例一的制作方法在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a、圖5b、圖6a至圖6d分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)施例二的制作方法在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管、其制作方法及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

附圖中各部件的大小和形狀不反映薄膜晶體管的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，如圖2a所示，包括：襯底基板01，位于襯底基板上的柵極02，覆蓋柵極02的柵極絕緣層03，位于柵極絕緣層03上的有源層04，位于有源層04上方且與有源層04電連接的第一電極05和第二電極06；還包括位于柵極絕緣層03與第一電極05之間的第一絕緣部07；

第一絕緣部07在襯底基板01的正投影與第一電極05在襯底基板01的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極02的側(cè)面與上表面的交界處a在襯底基板01的正投影。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，通過在柵極絕緣層與第一電極之間設(shè)置第一絕緣部，第一絕緣部在襯底基板的正投影與第一電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。這是由于柵極的側(cè)面與上表面的交界處很容易發(fā)生靜電積累而導(dǎo)致柵極絕緣層被擊穿，有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域很容易發(fā)生斷裂、或者有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域由于存在雜質(zhì)而發(fā)生斷裂，因此在斷裂處會(huì)導(dǎo)致tft的柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路，而本發(fā)明正是在容易發(fā)生斷裂的有源層區(qū)域及容易發(fā)生斷裂的柵極絕緣層區(qū)域設(shè)置位于柵極絕緣層與第一電極之間第一絕緣部，因此即使在柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層和有源層發(fā)生斷裂時(shí)，也不會(huì)發(fā)生柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路的問題，從而可以避免tft發(fā)生不良的問題。

需要說明的是，柵極的側(cè)面與上表面的交界處可以是一個(gè)點(diǎn)，也可以是一條線，在此不做限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，第一電極可以為源極，第二電極為漏極；或者第一電極可以為漏極，第二電極為源極；在此不做限定。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖3a至圖3c所示，有源層04中設(shè)置有第一溝槽041，且第一絕緣部07填充于第一溝槽041內(nèi)；或者如圖2a所示，第一絕緣部07位于第一電極05與有源層04之間。

當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，第一絕緣部也可以位于柵極絕緣層與有源層之間，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，為了進(jìn)一步防止柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層和有源層發(fā)生斷裂導(dǎo)致柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路的問題，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖2b和圖2c所示，還包括位于柵極絕緣層03與第二電極06之間的第二絕緣部08；

第二絕緣部08在襯底基板01的正投影與第二電極06在襯底基板01的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極02的側(cè)面與上表面的交界處a在襯底基板01的正投影。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖3a-圖3c所示，有源層04中設(shè)置有第二溝槽042，且第二絕緣部08填充于第二溝槽042內(nèi)，或者如圖2b和圖2c所示，第二絕緣部08位于第二電極06與有源層04之間。

當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，第二絕緣部也可以位于柵極絕緣層與有源層之間，在此不做限定。

具體實(shí)施時(shí)，第一絕緣部和第二絕緣部的大小可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，如根據(jù)柵極與第一電極或第二電極容易發(fā)生短路的區(qū)域的面積決定，一般第一絕緣部或第二絕緣部至少要覆蓋容易發(fā)生短路區(qū)域。

較佳地，為了更好的防止柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，第一溝槽和第二溝槽均為貫穿有源層的過孔，即第一溝槽和第二溝槽均由有源層的上表面貫穿至下表面形成。

具體實(shí)施時(shí)，由于在形成第一電極和第二電極的圖形時(shí)需要利用刻蝕工藝，為了防止有源層的表面在刻蝕時(shí)被破壞，因此在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖2c和圖5f所示，還包括位于有源層04上方、且位于第一電極05和第二電極06之間的刻蝕阻擋層09。

較佳地，具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖5f所示，第一絕緣部07的材料與刻蝕阻擋層09的材料相同。這樣可以在形成刻蝕阻擋層09的同時(shí)填充第一溝槽041形成第一絕緣部07，不用單獨(dú)制作填充第一溝槽041工藝，可以減少制作工藝，降低制作成本。

較佳地，具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖5f所示，當(dāng)薄膜晶體管包括第二絕緣部08時(shí)，第二絕緣部08的材料與刻蝕阻擋層09的材料相同。這樣可以在形成刻蝕阻擋層09的同時(shí)填充第二溝槽042形成第二絕緣部08，不用單獨(dú)制作填充第二溝槽042工藝，可以減少制作工藝，降低制作成本。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，刻蝕阻擋層的材料可以為氮化硅、氧化硅、氧化鈦或氧化鋁等，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，為了防止第一電極和第二電極受到外源物質(zhì)的入侵，從而進(jìn)一步保證薄膜晶體管的性能，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖5f所示，還包括覆蓋第一電極05和第二電極06的鈍化層10。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，鈍化層的材料可以為氮化硅、氧化硅、氧化鈦或氧化鋁等，在此不作限定。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體材料。

需要說明的是，對(duì)于薄膜晶體管的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，如圖4所示，包括：

s401、在襯底基板上形成柵極的圖形；

s402、形成覆蓋柵極圖形的柵極絕緣層；

s403、在柵極絕緣層上形成有源層的圖形；

s404、在有源層上形成與有源層電連接的第一電極和第二電極的圖形；

在形成柵極絕緣層之后、形成第一電極和第二電極的圖形之前，還包括：s405、形成第一絕緣部的圖形；其中，第一絕緣部在襯底基板的正投影與第一電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。本發(fā)明的圖4是以在形成有源層的圖形之后、形成第一電極和第二電極的圖形之前，形成第一絕緣部的圖形為例進(jìn)行說明的。

當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，也可以在形成柵極絕緣層之后、形成有源層的圖形之前，形成第一絕緣部的圖形；在此不做限定。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法，通過在柵極絕緣層與第一電極之間設(shè)置第一絕緣部，第一絕緣部在襯底基板的正投影與第一電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。這是由于柵極的側(cè)面與上表面的交界處很容易發(fā)生靜電積累而導(dǎo)致柵極絕緣層被擊穿，有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域很容易發(fā)生斷裂、或者有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域由于存在雜質(zhì)而發(fā)生斷裂，因此在斷裂處會(huì)導(dǎo)致tft的柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路，而本發(fā)明正是在容易發(fā)生斷裂的有源層區(qū)域及容易發(fā)生斷裂的柵極絕緣層區(qū)域設(shè)置位于柵極絕緣層與第一電極之間第一絕緣部，因此即使在柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層和有源層發(fā)生斷裂時(shí)，也不會(huì)發(fā)生柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路的問題，從而可以避免tft發(fā)生不良的問題。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成有源層的圖形之后、形成第一電極和第二電極的圖形之前，還包括：形成第二絕緣部的圖形；其中，第二絕緣部在襯底基板的正投影與第二電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成有源層的圖形之后，在形成第一電極和第二電極之前，還包括：

形成刻蝕阻擋層的圖形。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成有源層的圖形時(shí)，在有源層中形成第一溝槽和第二溝槽；

在形成刻蝕阻擋層的圖形的同時(shí)在第一溝槽內(nèi)形成第一絕緣部的圖形；

在形成刻蝕阻擋層的圖形的同時(shí)在第二溝槽內(nèi)形成第二絕緣部的圖形。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，可以通過一次構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層上形成有源層的圖形。當(dāng)然具體實(shí)施時(shí)，也可以先通過一次構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層上形成有源層的圖形，再通過一次構(gòu)圖工藝在有源層上形成第一溝槽和第二溝槽的圖形，最終形成本發(fā)明實(shí)施例提供的有源層的圖形，在此不作限定。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，構(gòu)圖工藝可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。在具體實(shí)施時(shí)，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在形成第一電極和第二電極的圖形之后，還包括：

形成覆蓋第一電極和第二電極的鈍化層。

下面通過兩個(gè)具體的實(shí)施例說明本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法。

實(shí)施例一：

以第一絕緣部位于第一電極和有源層之間、第二絕緣部位于第二電極和有源層之間為例，該方法具體包括以下步驟：

(1)在襯底基板01上形成柵極02的圖形，如圖5a所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用熱蒸鍍或者濺射的方式在襯底基板上形成柵極層，然后通過光刻工藝形成柵極的圖形，在此不作限定。

(2)形成覆蓋柵極02圖形的柵極絕緣層03，如圖5b所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，柵極絕緣層可以采用蒸鍍、濺射或旋涂的方法形成，在此不作限定。

(3)在柵極絕緣層03上形成有源層04的圖形，如圖5c所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用旋涂的方式在柵極絕緣層上形成有源層薄膜，然后通過光刻工藝形成有源層的圖形，在此不作限定。

(4)在有源層04上形成刻蝕阻擋層09的圖形，如圖5d所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用蒸鍍、旋涂或者濺射的方式在有源層上形成絕緣材料層，然后通過光刻工藝形成第一絕緣部07、第二絕緣部08和刻蝕阻擋層09的圖形，在此不作限定。

(5)在刻蝕阻擋層09上形成與有源層04電連接的第一電極05和第二電極06的圖形，如圖5e所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用蒸鍍、旋涂或者濺射的方式在刻蝕阻擋層上形成第一電極層和第二電極層，然后通過光刻工藝形成第一電極和第二電極的圖形，在此不作限定。

(6)形成覆蓋第一電極05和第二電極06的鈍化層09，如圖5f所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，鈍化層可以采用蒸鍍、濺射或旋涂的方法形成，在此不作限定。

具體地，經(jīng)過上述步驟(1)至(6)之后，得到本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管。

具體實(shí)施時(shí)，也可以以第一絕緣部位于柵極絕緣層和第一電極之間、第二絕緣部位于柵極絕緣層和第二電極之間，方法與實(shí)施例一的方法類似，在此不做詳述。

實(shí)施例二：

以有源層中設(shè)置有第一溝槽和第二溝槽，且第一絕緣部填充于第一溝槽內(nèi)、第二絕緣部填充于第二溝槽內(nèi)為例，該方法具體包括以下步驟：

(1)在襯底基板01上形成柵極02的圖形，如圖5a所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用熱蒸鍍或者濺射的方式在襯底基板上形成柵極層，然后通過光刻工藝形成柵極的圖形，在此不作限定。

(2)形成覆蓋柵極02圖形的柵絕緣層03，如圖5b所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，柵絕緣層可以采用蒸鍍、濺射或旋涂的方法形成，在此不作限定。

(3)在柵絕緣層03上形成包括第一溝槽041和第二溝槽042的有源層04的圖形，如圖6a所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用旋涂的方式在柵絕緣層上形成有源層薄膜，然后通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一溝槽和第二溝槽的有源層的圖形，在此不作限定。

(4)在有源層04上形成刻蝕阻擋層09的圖形，如圖6b所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用蒸鍍、旋涂或者濺射的方式在有源層上形成覆蓋第一溝槽和第二溝槽的絕緣材料層，然后通過光刻工藝形成第一絕緣部、第二絕緣部和刻蝕阻擋層的圖形，在此不作限定。

(5)在刻蝕阻擋層09上形成與有源層04電連接的第一電極05和第二電極06的圖形，如圖6c所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用蒸鍍、旋涂或者濺射的方式在刻蝕阻擋層上形成第一電極層和第二電極層，然后通過光刻工藝形成第一電極和第二電極的圖形，在此不作限定。

(6)形成覆蓋第一電極05和第二電極06的鈍化層10，如圖6d所示；

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，鈍化層可以采用蒸鍍、濺射或旋涂的方法形成，在此不作限定。

具體地，經(jīng)過上述步驟(1)至(6)之后，得到本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，對(duì)于陣列基板的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該陣列基板解決問題的原理與前述薄膜晶體管相似，因此該陣列基板的實(shí)施可以參見前述薄膜晶體管的實(shí)施，重復(fù)之處在此不再贅述。

具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖7所示，還包括位于鈍化層10上方的像素電極11，像素電極11通過貫穿鈍化層10的過孔與薄膜晶體管的第二電極06相連。

具體地，本發(fā)明實(shí)施提供的上述陣列基板可以應(yīng)用于液晶顯示(liquidcrystaldisplay，lcd)面板，當(dāng)然也可以應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)顯示面板，在此不作限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為：顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置解決問題的原理與前述薄膜晶體管相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述薄膜晶體管的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，通過在柵極絕緣層與第一電極之間設(shè)置第一絕緣部，第一絕緣部在襯底基板的正投影與第一電極在襯底基板的正投影有部分重疊區(qū)域，且部分重疊區(qū)域覆蓋柵極的側(cè)面與上表面的交界處在襯底基板的正投影。這是由于柵極的側(cè)面與上表面的交界處很容易發(fā)生靜電積累而導(dǎo)致柵極絕緣層被擊穿，有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域很容易發(fā)生斷裂、或者有源層在與柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的區(qū)域由于存在雜質(zhì)而發(fā)生斷裂，因此在斷裂處會(huì)導(dǎo)致tft的柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路，而本發(fā)明正是在容易發(fā)生斷裂的有源層區(qū)域及容易發(fā)生斷裂的柵極絕緣層區(qū)域設(shè)置位于柵極絕緣層與第一電極之間第一絕緣部，因此即使在柵極的側(cè)面與上表面的交界處所對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層和有源層發(fā)生斷裂時(shí)，也不會(huì)發(fā)生柵極與第一電極或第二電極發(fā)生短路的問題，從而可以避免tft發(fā)生不良的問題。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。