本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體地，涉及陣列基板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在高像素產(chǎn)品邊緣場(chǎng)效應(yīng)型(ads)顯示模式或低溫多晶硅(ltps)中，一般為增加存儲(chǔ)電容需要做亞克力層，亞克力是一種可塑性高分子材料，有較好的透過性和易染色的特點(diǎn)。亞克力層可以增加透過率和平坦度，但還是存在開口率不足的情況。且傳統(tǒng)黑矩陣擋光層設(shè)計(jì)在彩膜基板上，黑矩陣擋光層的寬度較寬，從而使液晶屏的開口率較小，不能滿足高像素產(chǎn)品對(duì)高開口率的需求。

因此，關(guān)于顯示器件開口率的研究有待深入。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種可以提高顯示器件開口率的陣列基板。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括絕緣層，絕緣層包括透明部分和遮光部分，且遮光部分在陣列基板襯底上的投影覆蓋柵線、源極、漏極和數(shù)據(jù)線在陣列基板襯底上的投影。由此，遮光部分可以替代常規(guī)黑矩陣，簡(jiǎn)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、減小產(chǎn)品厚度，且遮光部分的尺寸可以小于常規(guī)黑矩陣的尺寸，增大開口率；絕緣層還可以起到提高亮度和平坦化的作用，后續(xù)工藝可以直接在此之上進(jìn)行操作，操作簡(jiǎn)單方便。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光部分在陣列基板襯底上的投影與柵線、源極、漏極和數(shù)據(jù)線在陣列基板襯底上的投影重疊。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層的材料為亞克力。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光部分摻雜有黑色粒子。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，黑色粒子包括四氧化三鐵粒子。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，源極、漏極和數(shù)據(jù)線設(shè)置于絕緣層靠近柵極的一側(cè)，公共電極設(shè)置于絕緣層遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的陣列基板。由此，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，厚度較薄，且開口率較大，顯示品質(zhì)高。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括形成絕緣層的步驟，該絕緣層包括透明部分和遮光部分，且遮光部分在陣列基板襯底上的投影覆蓋柵線、源極、漏極和數(shù)據(jù)線在所述陣列基板襯底上的投影。由此，工藝成熟，操作簡(jiǎn)便，易于工業(yè)化生產(chǎn)，且獲得的陣列基板可以大大提高顯示器件的開口率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述絕緣層的步驟包括：形成透明層；利用掩膜對(duì)所述透明層進(jìn)行摻雜處理，形成遮光部分，以得到所述絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，利用掩膜對(duì)透明層進(jìn)行摻雜處理，形成遮光部分包括：在透明層上形成光刻膠層；利用掩膜對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)經(jīng)過曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影；利用化學(xué)氣相沉積法對(duì)透明層摻雜黑色粒子；去除光刻膠層。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的平面照片；

圖4是圖3所示的陣列基板沿a-a線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例制備絕緣層的流程圖。

圖7是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例制備絕緣層的流程圖。

圖8a至圖8e是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備絕緣層的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說(shuō)明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市購(gòu)獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D1，該陣列基板包括絕緣層10，絕緣層10包括透明部分12和遮光部分11，且遮光部分11在陣列基板襯底20上的投影覆蓋柵線30、源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130在陣列基板襯底20上的投影。由此，絕緣層的遮光部分可以替代常規(guī)黑矩陣，與該陣列基板對(duì)盒的彩膜基板上不需要制作黑矩陣，簡(jiǎn)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、減小產(chǎn)品厚度，且遮光部分的尺寸可以小于常規(guī)黑矩陣的尺寸，增大開口率；絕緣層還可以起到提高亮度和平坦化的作用，后續(xù)工藝可以直接在此之上進(jìn)行操作，操作簡(jiǎn)單方便。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了進(jìn)一步減小絕緣層中遮光部分的面積，增大開口率，參照?qǐng)D2，遮光部分11在陣列基板襯底20上的投影可以與柵線30、源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130在陣列基板襯底20上的投影重疊。由此，在保證柵線、源極、漏極和數(shù)據(jù)線被遮光部分完全遮住的前提下，可以進(jìn)一步減小遮光部分的尺寸，有效增大開口率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層的材料沒有特殊的限制，只要滿足陣列基板的使用要求，透明且通過一些操作可以在該絕緣層上形成遮光部分即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成絕緣層的材料為亞克力。由此，絕緣效果好，透過率高，易染色，可以起到平坦化的作用，而且，現(xiàn)有陣列基板中通常會(huì)設(shè)置亞克力層，由此可以直接利用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)作為上述絕緣層，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化。進(jìn)一步的，為了在絕緣層上形成遮光部分，可以遮光部分摻雜黑色粒子。由此，可以有效遮擋光線，且摻雜黑色粒子的操作簡(jiǎn)單、易于控制，且不會(huì)增加產(chǎn)品厚度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以采用的黑色粒子的具體種類沒有特殊要求，只要其能夠有效摻雜到絕緣層的相應(yīng)位置，且能夠起到良好的遮光效果即可。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，黑色粒子可以為四氧化三鐵粒子。由此，來(lái)源廣泛，成本較低，遮光效果好，且易于摻雜到絕緣層中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，絕緣層在陣列基板中的具體設(shè)置位置沒有特別限制，只要不影響陣列基板的正常工作，且同時(shí)能夠有效發(fā)揮遮光作用即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，絕緣層設(shè)置于公共電極與源極、漏極和數(shù)據(jù)線之間，即源極、漏極和數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述絕緣層靠近柵極的一側(cè)，公共電極設(shè)置于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。由此，絕緣層可以同時(shí)具有絕緣、平坦化、增加透過率和存儲(chǔ)電容和遮光的作用，且遮光部分的面積可以小于常規(guī)黑矩陣的面積，進(jìn)而有效增大開口率。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了上述絕緣層之外，本發(fā)明的陣列基板可以具有本領(lǐng)域常規(guī)陣列基板的結(jié)構(gòu)，如包括但不限于ads模式陣列基板，ltps(低溫多晶硅)模式陣列基板等。下面以ads模式陣列基板，ltps(低溫多晶硅)模式陣列基板為例說(shuō)明本發(fā)明的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，參照?qǐng)D3(形成源極和漏極后獲得的實(shí)際產(chǎn)品照片)和圖4，本發(fā)明的陣列基板為ads模式陣列基板，且該陣列基板包括襯底20，柵極100與柵線30同層設(shè)置，設(shè)置于襯底靠近絕緣層10的一側(cè)；柵絕緣層90設(shè)置于襯底靠近絕緣層的一側(cè)，且覆蓋柵極100和柵線30；有源層80設(shè)置于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，且與柵極100對(duì)應(yīng)；像素電極60位于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130同層設(shè)置，位于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)；絕緣層10設(shè)置于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，且覆蓋像素電極60、源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130；公共電極70設(shè)置于絕緣層10遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，其中，需要說(shuō)明的是，柵極100和柵線30相連且共同構(gòu)成同一導(dǎo)電圖案，其中，位于開關(guān)器件部分的結(jié)構(gòu)(與有源層對(duì)應(yīng)的部分)構(gòu)成柵極100，其他部分構(gòu)成柵線30，源極40和數(shù)據(jù)線130相連且共同構(gòu)成同一導(dǎo)電圖案，其中，靠近有源層且與有源層相連的部分構(gòu)成源極40，其他部分構(gòu)成數(shù)據(jù)線130。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，本發(fā)明的陣列基板為ltps模式陣列基板，參照?qǐng)D5，該陣列基板可以包括：襯底20；設(shè)置于襯底20一側(cè)的緩沖層22；設(shè)置于緩沖層22遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)的有源層80；設(shè)置于緩沖層22遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)，且覆蓋有源層80的柵絕緣層90；設(shè)置于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)、且同層設(shè)置的柵極100和柵線30；設(shè)置于柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)、且覆蓋柵極100和柵線30的層間絕緣層110；設(shè)置于層間絕緣層110遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，且貫穿層間絕緣層100與有源層80電連接的源極40和漏極50；設(shè)置于層間絕緣層110遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)，且覆蓋源極40和漏極50的絕緣層10；設(shè)置于絕緣層10遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)的公共電極70；設(shè)置于絕緣層10遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)、且貫穿絕緣層10與漏極50電連接的連接電極72；設(shè)置于絕緣層10遠(yuǎn)離襯底20一側(cè)、且覆蓋公共電極70和連接電極72的第二絕緣層120；設(shè)置于第二絕緣層120遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)、且貫穿第二絕緣層120與連接電極電連接的像素電極60，其中，需要說(shuō)明的是，源極40與數(shù)據(jù)線130連接，絕緣層中的遮光部分同樣覆蓋數(shù)據(jù)線，只是圖5中未示出數(shù)據(jù)線130。另外，出于制作方便等的考慮，圖5所示的陣列基板中還可以將與有源層對(duì)應(yīng)的絕緣層部分均設(shè)置為遮光部分。由此將制作步驟簡(jiǎn)單，且將整個(gè)開光器件部分全部遮擋，顯示效果更佳。

由此，可以對(duì)傳統(tǒng)ads顯示模式陣列基板或ltps模式陣列基板上的亞克力層進(jìn)行適當(dāng)處理形成上述絕緣層10，其不僅可以增加透過率、發(fā)揮平坦化作用，還可以替代傳統(tǒng)黑矩陣的作用，且其遮光面積可以小于傳統(tǒng)黑矩陣的面積，大大提高開口率。另外，并未增加新的結(jié)構(gòu)，不會(huì)增加產(chǎn)品厚度，且與該陣列基板對(duì)盒的彩膜基板不需要設(shè)置黑矩陣，簡(jiǎn)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，ads顯示模式陣列基板或ltps模式陣列基板上的像素電極和公共電極均是可以互換的，圖4和圖5僅示出了一種情況，并不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置前面所述的陣列基板。由此，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，厚度較薄，且開口率較大，顯示品質(zhì)高。且該顯示裝置具有前面所述的所有特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置的具體種類沒有特別限制，可以為本領(lǐng)域任何具有顯示功能的裝置、設(shè)備，例如包括但不限于手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)顯示器、游戲機(jī)、電視機(jī)、顯示屏幕、可穿戴設(shè)備及其他具有顯示功能的生活電器或家用電器等。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了前面所述的陣列基板，本發(fā)明所述的顯示裝置還可以包括常規(guī)顯示裝置所具有的必要的結(jié)構(gòu)和部件，以手機(jī)為例進(jìn)行說(shuō)明，除了具有本發(fā)明的陣列基板件外，其還可以具有觸控屏、外殼、cpu、照相模組、指紋識(shí)別模組、聲音處理系統(tǒng)等等常規(guī)手機(jī)所具有的結(jié)構(gòu)和部件，在此不再過多贅述。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括形成絕緣層10的步驟，參照?qǐng)D1，該絕緣層10包括透明部分12和遮光部分11，且遮光部分11在陣列基板襯底20上的投影覆蓋柵線30、源極40和漏極50在所述陣列基板襯底20上的投影。由此，工藝成熟，操作簡(jiǎn)便，易于工業(yè)化生產(chǎn)，且由于絕緣層具有遮光部分，可以替代傳統(tǒng)黑矩陣，與獲得的陣列基板對(duì)盒的彩膜基板上不再需要設(shè)置黑矩陣，簡(jiǎn)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，且遮光部分的面積可以小于傳統(tǒng)黑矩陣，大大提高了開口率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D6，形成所述絕緣層的步驟包括：

s100：形成透明層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層的材料沒有特殊的限制，只要滿足陣列基板的使用要求，透明且通過一些操作可以在該絕緣層上形成遮光部分即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成絕緣層的材料為亞克力。由此，絕緣效果好，透過率高，易染色，可以起到平坦化的作用，而且，現(xiàn)有陣列基板中通常會(huì)設(shè)置亞克力層，由此可以直接利用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)作為上述絕緣層，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化。進(jìn)一步的，為了在絕緣層上形成遮光部分，可以遮光部分摻雜黑色粒子。由此，可以有效遮擋光線，且摻雜黑色粒子的操作簡(jiǎn)單、易于控制，且不會(huì)增加產(chǎn)品厚度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成透明層的方法也沒有特殊要求，本領(lǐng)域人員可以根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成透明層的方法包括但不限于沉積、涂覆、印刷等。由此，工藝簡(jiǎn)單、成熟，成本較低，易于工業(yè)化生產(chǎn)。

s200：利用掩膜對(duì)所述透明層進(jìn)行摻雜處理，形成遮光部分，以得到所述絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟逇具體操作方式?jīng)]有特別限制，只要能夠有效將嫩具有遮光作用的物質(zhì)摻雜到透明層的相應(yīng)位置以形成遮光部分即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，參照?qǐng)D7，利用掩膜對(duì)透明層進(jìn)行摻雜處理，形成遮光部分包括：

s210：在透明層1上形成光刻膠層2，結(jié)構(gòu)示意圖參見圖8a。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中形成光刻膠層的具體方法沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如可以為本領(lǐng)域任何已知的形成光刻膠的方法，包括但不限于涂覆、印刷等方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，光刻膠的具體種類也沒有特別限制，如可以為正性光刻膠，也可以為負(fù)性光刻膠。

s220：利用掩膜3對(duì)光刻膠層2進(jìn)行曝光，結(jié)構(gòu)示意圖參見圖8b。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟可以按照本領(lǐng)域常規(guī)操作進(jìn)行。采用的掩膜版上可以具有與遮光圖案對(duì)應(yīng)或相反的圖案。

s230：對(duì)經(jīng)過曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影，顯影后的產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖參見圖8c。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟可以按照本領(lǐng)域常規(guī)操作進(jìn)行。

s240：利用化學(xué)氣相沉積法對(duì)透明層摻雜黑色粒子，結(jié)構(gòu)示意圖參見圖8d。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，黑色粒子的具體種類沒有特殊要求，能夠有效摻雜到絕緣層的相應(yīng)位置，且能夠起到良好的遮光效果即可。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，黑色粒子可以為四氧化三鐵粒子。由此，來(lái)源廣泛，成本較低，遮光效果好，且易于摻雜到絕緣層中。

在本發(fā)明的一些具體實(shí)施例中，采用化學(xué)氣相沉積cvd方式向亞克力層透明層中摻雜微小黑色粒子fe3o4，fe3o4可以與聚甲基丙烯酸甲酯(亞克力)以副價(jià)交聯(lián)共聚或固化交聯(lián)后，形成具有遮光效果的黑色亞克力材料，從而形成能夠起到黑矩陣(bm)擋光作用的遮光部分11。

s250：去除光刻膠層，結(jié)構(gòu)示意圖參見圖8e。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中，可以通過剝離(strip)工藝剝離掉剩余的光刻膠，得到所需要的同時(shí)作為bm擋光層設(shè)計(jì)的絕緣層。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了上述形成絕緣層的步驟，還可以包括形成常規(guī)陣列基板的其他結(jié)構(gòu)的步驟，如還可以包括形成柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、源極、漏極、公共電極、層間絕緣層、像素電極等步驟。而上述形成絕緣層的步驟，可以在形成源極、漏極的步驟之后，形成公共電極的步驟之前。

下面以圖3至圖5所示的陣列基板為例說(shuō)明本申請(qǐng)的制備陣列基板的具體方法。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，本發(fā)明的陣列基板為圖3所示的ads顯示模式陣列基板，其制備步驟具體包括：首先，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底20上形成柵極100和柵線30，然后在襯底20的一側(cè)沉積覆蓋柵極100和柵線30的柵絕緣層90，然后通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成有源層80，接著通過一次構(gòu)圖工藝形成源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130，再通過一個(gè)構(gòu)圖工藝形成像素電極60，然后在柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)沉積亞克力層10，接著采用類似bmmask曝光顯影方式沉積所需用的摻雜了黑色粒子的絕緣層，具體方法為在沉積透明亞克力層后，在透明亞克力層上涂上光刻膠(pr膠)，采用bmmask曝光，將對(duì)應(yīng)柵線30、源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130上方的pr膠曝光，顯影后去掉pr膠，再采用cvd方式摻雜微小黑色粒子fe3o4，fe3o4與聚甲基丙烯酸甲酯(亞克力)以副價(jià)交聯(lián)共聚或固化交聯(lián)后，形成具有遮光效果的黑色亞克力材料，即遮光部分11，從而能夠起到bm擋光作用。摻雜工藝完成后，再進(jìn)行strip工藝剝離掉其它地方的pr膠，得到所需要的同時(shí)作為bm擋光層設(shè)計(jì)的亞克力層10，然后通過一次構(gòu)圖工藝在亞克力層10遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成公共電極70。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，本發(fā)明的陣列基板為圖5所示的ltps模式陣列基板，其制備步驟具體包括：

1、在襯底20上沉積緩沖層22。具體的，可以通過化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積形成緩沖層22，形成緩沖層22的材料可以為sinx和sio2中的至少一種，也可以為不同材料形成的多層結(jié)構(gòu)，例如可以為一層sinx層和一層sio2層的雙層結(jié)構(gòu)。

2、通過構(gòu)圖工藝形成有源層80。具體的，可以先在緩沖層22上形成整層的非晶硅層，然后進(jìn)行脫氫、hf清洗、激光退火、刻蝕、剝離光刻膠和vth摻雜，形成有源層80。其中，脫氫可以去除非晶硅內(nèi)氫，使得激光退火時(shí)不會(huì)發(fā)生氫爆，vth摻雜可以調(diào)節(jié)多晶硅的電學(xué)特性，使其滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格。

3、在緩沖層22上沉積覆蓋有源層80的柵絕緣層90，并利用掩膜對(duì)有源層80進(jìn)行cst摻雜步驟。該步驟中，cst摻雜可以使得多晶硅具有導(dǎo)電特性并與柵極之間形成儲(chǔ)存電容。

4、通過構(gòu)圖工藝在柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成柵極100和柵線30。具體的，可以在柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成mo鍍層，然后對(duì)mo鍍層進(jìn)行刻蝕、摻雜等步驟，形成柵極100和柵線30。

5、在柵絕緣層90遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)沉積層間絕緣層110。具體的，該步驟中，依次進(jìn)行層間絕緣層鍍膜、活化、加氫、過孔刻蝕等步驟，形成層間絕緣層110。形成層間絕緣層110的材料可以為sinx和sio2中的至少一種，也可以為不同材料形成的多層結(jié)構(gòu)，例如可以為一層sio2層和一層sinx層的雙層結(jié)構(gòu)。

6、在層間絕緣層110遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130(圖中未示出)。具體的，可以在層間絕緣層110遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成ti/al/ti鍍膜，然后進(jìn)行刻蝕形成貫穿層間絕緣層110與有源層80電連接的源極40、漏極50和數(shù)據(jù)線130。

7、在層間絕緣層110遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成亞克力層。具體的，可以先通過涂覆或沉積方法形成透明亞克力層，然后在透明亞克力層上涂上pr膠，采用bmmask曝光，將對(duì)應(yīng)柵線30和源極40、漏極50上方的pr膠曝光，顯影后去掉pr膠，再采用cvd方式摻雜微小黑色粒子fe3o4，fe3o4與聚甲基丙烯酸甲酯(亞克力)以副價(jià)交聯(lián)共聚或固化交聯(lián)后，形成具有遮光效果的黑色亞克力材料，即遮光部分11，從而能夠起到bm擋光作用。摻雜工藝完成后，再進(jìn)行strip工藝剝離掉其它地方的pr膠，得到所需要的同時(shí)作為bm擋光層設(shè)計(jì)的亞克力層10。

8、通過一次構(gòu)圖工藝在亞克力層10遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成公共電極70和連接電極72。具體的，可以先在亞克力層10遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成a-ito鍍膜，然后進(jìn)行刻蝕、退火等處理，形成公共電極70和連接電極72。其中，退火處理可以將a-ito形成p-ito(多晶ito)，使其更加穩(wěn)定。

9、在亞克力層10遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成第二絕緣層120。具體的，可以形成絕緣層鍍膜，然后進(jìn)行刻蝕，形成第二絕緣層120。

10、在第二絕緣層120遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)形成像素電極60。具體的，可以先形成a-ito鍍膜，然后進(jìn)行刻蝕，退火處理，形成像素電極60。

在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。