本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法。
背景技術(shù)：
：太陽(yáng)能電池大規(guī)模生產(chǎn)中，常采用在硅片表面沉積減反射膜的方式增加光的利用率，提升電池轉(zhuǎn)換效率。常見的薄膜主要有氮化硅sinx，其膜層一般是1-5層。氮化硅sinx薄膜多采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積(pecvd，plasmaenhancedchemicalvapordeposition)沉積的方式進(jìn)行制備，具有減反射性能和體鈍化效果好的特點(diǎn)，但不同膜層的氮化硅膜之間以及與硅基體結(jié)合界面態(tài)高則限制了電池轉(zhuǎn)化效率的提升。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種對(duì)硅片損傷小，工藝簡(jiǎn)單的太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法：包括在擴(kuò)散后的晶體硅片的受光面上采用pecvd一次沉積折射率漸變的sinx減反射膜?？蛇x的，所述sinx減反射膜折射率的漸變?yōu)榫€性漸變。可選的，所述sinx減反射膜折射率的變化范圍為[1.8，2.5]?？蛇x的，采用pecvd一次沉積折射率漸變的sinx減反射膜包括：通入sih4和nh3的混合氣體；在pecvd過程中保持通入的nh3的流量不變，改變通入的sih4的流量?？蛇x的，采用pecvd一次沉積折射率漸變的sinx減反射膜包括：通入sih4和nh3的混合氣體；在pecvd過程中保持通入的nh3的流量不變，減小每秒中通入的sih4的流量?？蛇x的，通入sih4和nh3的混合氣體包括：以sih4和nh3的體積比為1:3，sih4的初始流量為1500sccm，nh3的初始流量為4500sccm通入sih4和nh3的混合氣體?？蛇x的，改變通入的sih4的流量包括：以每秒遞減1.5sccm改變通入的sih4的流量?？蛇x的，通入sih4和nh3的混合氣體包括：以sih4和nh3的體積比為1:5，sih4的初始流量為1000sccm，nh3的初始流量為5000sccm通入sih4和nh3的混合氣體?？蛇x的，改變通入的sih4的流量包括：以每秒遞減1sccm改變通入的sih4的流量?？蛇x的，折射率漸變的sinx減反射膜的厚度在65nm-100nm之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有如下有益效果：本發(fā)明采用pecvd設(shè)備一次在晶體硅片的受光面上從下向上依次沉積折射率漸變的sinx減反射膜，也即該減反射膜包括了不同折射率的sinx膜，由于可以沉積不同折射率的sinx膜，因此減反射膜的膜層并不局限于有限膜層數(shù)量的sinx膜，另外，sinx膜的折射率隨著時(shí)間的增加折射率逐漸下降，越靠近底層沉積sinx膜的折射率越高，越靠近頂層沉積sinx膜的折射率越低，降低了反射率的同時(shí)也提高了底層的鈍化效果，進(jìn)而有利于提高電池的轉(zhuǎn)換效率和開路電壓，也有利于改善鍍膜過程中膜層沉積的均勻性。此外，通過一次pecvd形成折射率漸變的sinx減反射膜工藝簡(jiǎn)單，且對(duì)晶體硅片的損傷小。附圖說明圖1是減反射膜的示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的折射率漸變的sinx減反射膜的示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明實(shí)施方式提供一種太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法，包括：在擴(kuò)散后的晶體硅片的受光面上采用pecvd一次沉積折射率漸變的sinx減反射膜。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。實(shí)施例1本實(shí)施例中太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法包括以下步驟：(1)選取156mm×156mm晶體硅片，對(duì)其經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕工藝后，裝入管式pecvd中。(2)通入sih4和nh3混合氣體，sih4和nh3的初始體積比為1:3，sih4的初始流量為1500sccm，nh3的初始流量為4500sccm，沉積溫度為480℃。(3)通入的nh3的流量在鍍膜過程中保持不變，通入的硅烷的氣體流量每秒鐘遞減1.5sccm，沉積時(shí)間為700秒。圖2是本發(fā)明實(shí)施例的折射率漸變的sinx減反射膜的示意圖，通過本實(shí)施例的技術(shù)方案，獲得了如圖2所示的折射率漸變的膜層3，膜層3包括了無數(shù)的漸變膜層n1、n2、n3、n4、n5、n6等。圖1是現(xiàn)有減反射膜的示意圖，圖1中采用現(xiàn)有鍍膜方案生成了包括膜層1和膜層2的有限膜層數(shù)量的減反射膜。采用本實(shí)施例方法生成的圖2所示的減反射膜，降低了膜層之間折射率的差異，進(jìn)而也降低了不同膜層的界面態(tài)。通過上述的(1)至(3)可制備折射率在[1.8，2.5]之間的折射率漸變的sinx減反射膜，且通過線性或非線性的改變硅烷的氣體流量，可以使得沉積獲得的sinx減反射膜的折射率呈線性漸變或非線性漸變。(4)通過絲網(wǎng)印刷工藝制備獲得太陽(yáng)能電池片，以下為通過不同鍍膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的開路電壓uoc、短路電流isc、填充因子ff、效率ncell的相關(guān)參數(shù)。表1工藝uociscffncell常規(guī)減反射膜工藝0000漸變減反射膜工藝0.00150.040.10.15％由表1可以看出，通過漸變減反射膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的uoc、isc均高于常規(guī)減反射膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的uoc和isc，且其效率增益0.15％，太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率明顯提高。實(shí)施例2本實(shí)施例中太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法包括以下步驟：(1)選取156mm×156mm晶體硅片，對(duì)其經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、刻蝕工藝后，裝入管式pecvd中。(2)通入sih4和nh3混合氣體，sih4和nh3的初始體積比為1:5，sih4的初始流量為1000sccm,nh3的初始流量為5000sccm,沉積溫度為480℃。(3)通入的nh3的流量在鍍膜過程中保持不變，通入的硅烷的氣體流量每秒鐘遞減1sccm，沉積時(shí)間為650秒。圖2是本發(fā)明實(shí)施例的折射率漸變的sinx減反射膜的示意圖，通過本實(shí)施例的技術(shù)方案，獲得了如圖2所示的折射率漸變的膜層3，膜層3包括了無數(shù)的漸變膜層n1、n2、n3、n4、n5、n6等。圖1是現(xiàn)有減反射膜的示意圖，圖1中采用現(xiàn)有鍍膜方案生成了包括膜層1和膜層2的有限膜層數(shù)量的減反射膜。采用本實(shí)施例方法生成的圖2所示的減反射膜，降低了膜層之間折射率的差異，進(jìn)而也降低了不同膜層的界面態(tài)。通過上述的(1)至(3)可制備折射率在[1.8，2.5]之間的折射率漸變的sinx減反射膜，且通過線性或非線性的改變硅烷的氣體流量，可以使得沉積獲得的sinx減反射膜的折射率呈線性或非線性漸變。(4)通過絲網(wǎng)印刷工藝制備獲得太陽(yáng)能電池片，以下為通過不同鍍膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的開路電壓uoc、短路電流isc、填充因子ff、效率ncell的相關(guān)參數(shù)。表2工藝uociscffncell常規(guī)減反射膜工藝0000漸變減反射膜工藝0.00050.030.20.10％由表2可以看出，通過漸變減反射膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的uoc、isc均高于常規(guī)減反射膜工藝獲得的太陽(yáng)能電池的uoc和isc，且其效率增益0.10％，太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率明顯提高。以上列舉具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，需要指出的是，上述實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出的非本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁(yè)12