本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管、包括該薄膜晶體管的陣列基板，以及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

電泳顯示(electrophoresisdisplay，epd)通過電子墨水(electronicink，e-ink)的反射進行顯示，而電子紙作為一類典型的電泳顯示裝置，其具有低功耗、超薄、超輕，以及便于閱讀的優(yōu)勢。電子紙通過像素電極和公共電極之間的電場控制電子墨水層的電泳粒子移動以實現(xiàn)對外界光線的反射，因此，為了讓電泳粒子移動到反射面一側(cè)，需要在像素電極和公共電極之間施加電壓差。

目前，能夠驅(qū)動電泳粒子發(fā)生移動的電壓差較大，例如，一般地，對于液晶顯示裝置而言，像素電極與公共電極之間的電壓差約為5v；而對于電泳顯示裝置而言，像素電極與公共電極之間的電壓差需要達到約15v。在電泳顯示裝置中，由于像素電極和公共電極之間的電壓差較大，因此，用于驅(qū)動顯示的薄膜晶體管的漏電流情況非常嚴重。

為了降低電泳顯示裝置中薄膜晶體管的漏電流現(xiàn)象，現(xiàn)有技術(shù)中采用雙溝道結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中用于驅(qū)動電泳顯示裝置的一種薄膜晶體管，薄膜晶體管t1包括柵極10、漏極12、源極14以及有源層16，其中，有源層16包括第一有源層16a和第二有源層16b，柵極10包括第一柵極10a和第二柵極10b，第一有源層16a在第一柵極10a的作用下形成第一溝道，第二有源層16b在第二柵極10b的作用下形成第二溝道。需要說明的是，圖1所示的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)即為雙i型溝道。

隨著電泳顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對高分辨率電泳顯示裝置的需求越來越多。隨著分辨率的提高，對于雙i型溝道的薄膜晶體管而言，如果要保持較高的溝道比，則寄生電容cgs會比較大；此外，當(dāng)薄膜晶體管應(yīng)用于電泳顯示裝置時，雙i型溝道的薄膜晶體管的占地面積比較大，不利于在子像素內(nèi)增加其他的結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)更多的功能。溝道比是指溝道的寬度和溝道的長度之比，其中，溝道的長度等于源極和漏極之間的距離。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管、一種包括該薄膜晶體管的陣列基板以及一中包括該陣列基板的顯示裝置，以實現(xiàn)高溝道比的同時降低薄膜晶體管的占地面積和寄生電容cgs，利于實現(xiàn)高分辨率的電泳顯示裝置。

為實現(xiàn)上述目的，首先，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管：

所述薄膜晶體管包括柵極、源極/漏極、有源層，其特征在于，還包括輔助電極，所述輔助電極與所述源極/漏極同層設(shè)置且互不交疊，且所述輔助電極向所述有源層的垂直投影位于所述有源層內(nèi)，所述輔助電極位于所述源極與所述漏極之間；所述輔助電極圍繞所述源極或所述漏極設(shè)置，且所述輔助電極包括圓弧結(jié)構(gòu)，所述源極或所述漏極朝向所述輔助電極的一端為圓弧結(jié)構(gòu)。

其次，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述薄膜晶體管。

最后，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。

基于上述技術(shù)方案，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管、陣列基板以及顯示裝置中，因為薄膜晶體管設(shè)置有輔助電極，因此，薄膜晶體管在源極和輔助電極之間、輔助電極和漏極之間的有源層分別形成了溝道；由于輔助電極包括圓弧結(jié)構(gòu)，因此，本發(fā)明實施例中的溝道結(jié)構(gòu)較長。在形成相同長度溝道的情況下，本發(fā)明實施提供的薄膜晶體管的占地面積較小。此外，由于輔助電極向所述有源層的垂直投影位于所述有源層內(nèi)，在設(shè)計時不用考慮輔助電極與有源層之間的交疊面積，進而可以將輔助電極的面積設(shè)計得較小以降低輔助電極和柵極之間的寄生電容。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中用于驅(qū)動電泳顯示裝置的一種薄膜晶體管；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管；

圖3為圖2在aa'處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管；

圖5為作為對比例的一種薄膜晶體管；

圖6為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管；

圖7為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管；

圖8為本發(fā)明實施例提供的再一種薄膜晶體管；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板；

圖10為圖9所示結(jié)構(gòu)中一個像素區(qū)域的放大結(jié)構(gòu)圖；

圖11為圖10沿bb'處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參考圖2和圖3，圖2為本發(fā)明實施例的一種薄膜晶體管，圖3為圖2在aa'處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，薄膜晶體管包括柵極20、漏極22、源極24、有源層26。其中，薄膜晶體管還包括輔助電極25，且輔助電極25與漏極22/源極24同層設(shè)置且互不交疊；輔助電極25位于源極24與漏極22之間，輔助電極25圍繞源極24設(shè)置，且輔助電極25包括圓弧結(jié)構(gòu)25a，源極24朝向輔助電極25的一端為圓弧結(jié)構(gòu)24a。

。如圖3所示，輔助電極25向有源層26的垂直投影位于有源層26內(nèi)。需要說明的是，薄膜晶體管的所有膜層形成在襯底基板21的一側(cè)，在柵極20和有源層26之間設(shè)置有絕緣層23。

更為具體地，如圖2所示，輔助電極25圍繞源極24、漏極22設(shè)置，且輔助電極25的圓弧結(jié)構(gòu)25a向源極24、漏極22彎曲以使得輔助電極25的圓弧結(jié)構(gòu)25a部分包圍源極24、漏極22，因此，輔助電極25的圓弧結(jié)構(gòu)25a與源極24之間形成的溝道形狀、輔助電極25的圓弧結(jié)構(gòu)25a與漏極22之間形成的溝道形狀也為圓弧形。由于輔助電極25圍繞源極24、漏極22設(shè)置，可選地，如圖2所示，輔助電極25可以設(shè)置為s形。需要說明的是，源極24和漏極22是薄膜晶體管中的兩極，源極24和漏極22的位置可以互換。此外，“部分包圍”是指沒有形成封閉的結(jié)構(gòu)，例如，圖2中輔助電極25不是封閉結(jié)構(gòu)，在輔助電極25的開口處分別設(shè)置有源極24、漏極22。

一方面，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在形成相同長度溝道的情況下，本發(fā)明實施提供的薄膜晶體管的占地面積較小，即薄膜晶體管(包括源極、漏極、柵極、有源層)向承載該薄膜晶體管的沉底基板的垂直投影的面積。具體地，與圖1所示結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明實施例中輔助電極25向有源層26的垂直投影位于有源層26內(nèi)，且輔助電極25包括圓弧結(jié)構(gòu)25a，其與源極24之間形成的溝道形狀也包括圓弧結(jié)構(gòu)。圖1所示結(jié)構(gòu)，由于輔助電極15向有源層16的垂直投影僅部分交疊(即輔助電極15存在不與有源層16交疊的部分)，需要考慮輔助電極15與源層16之間的交疊面積。因此，可以將本發(fā)明實施例中輔助電極25的寬度w2設(shè)置為小于現(xiàn)有技術(shù)中輔助電極15的寬度w1，其中，如圖1和圖2所示，w1是指輔助電極15在第一方向x上的寬度，w2是指輔助電極25在第二方向y上的寬度。需要說明的是，輔助電極15和輔助電極25的寬度均為：輔助電極15和輔助電極25在垂直于自身延伸方向的方向上的寬度。

現(xiàn)有技術(shù)中的輔助電極15與源極14之間的形成的最長溝道長度為第二有源層16b在延伸方向(第二方向y)上的長度，而本發(fā)明實施例中，輔助電極25與源極24(或者輔助電極25與漏極22)之間的形成的最長溝道長度為有源層16在延伸方向(第一方向x)上的長度的兩倍，因此，在形成相同長度的溝道時，本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管在延伸方向(第一方向x)上的長度小于現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管在延伸方向(第二方向y)上的長度，理論上可以為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管在延伸方向(第二方向y)上的長度的一半。

此外，圖1所示的結(jié)構(gòu)中，有源層16包括第一有源層16a和第二有源層16b，輔助電極15需要分別與第一有源層16a和第二有源層16b交疊方能實現(xiàn)雙溝道的薄膜晶體管。然而，在本發(fā)明實施例中，有源層為電連接的一整塊，輔助電極25與有源層26之間的交疊面積可以作為輔助電極25與漏極22之間形成溝道，也可以作為輔助電極25與源極24之間形成溝道。因此，理論上，本發(fā)明實施例中輔助電極25與有源層26交疊的第二面積可以為圖1所示結(jié)構(gòu)中輔助電極15與有源層16交疊的第一面積的一半，進而，可以輔助電極25的面積設(shè)置為現(xiàn)有技術(shù)中的輔助電極15的一半。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管在形成相同長度溝道的情況下占地面積較小。具體地，薄膜晶體管薄柵極、源/漏極、有源層以及輔助電極，其中，源/漏極、輔助電極位于同一膜層，有源層所在膜層只需要能夠覆蓋源/漏極、輔助電極，以及源/漏極與輔助電極之間的區(qū)域即可，柵極所在膜層只需要覆蓋有源層即可。因此，如果輔助電極的面積變小，則薄膜晶體管中輔助電極膜層的面積也相應(yīng)變小，有源層、柵極也可以相應(yīng)變小，進而使得整個薄膜晶體管的占地面積變小。

另一方面，由于輔助電極25圍繞漏極22、源極24設(shè)置，如圖2所所示，即漏極22、源極24的三側(cè)均能與輔助電極25形成溝道，而圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)中，漏極12、源極14僅有一側(cè)與輔助電極15形成溝道。因此，在形成相同寬度的溝道的前提下，可以將漏極22的面積設(shè)置得較小，從而能降低柵極與源極/漏極之間的寄生電容。此外，由于輔助電極25包括圓弧結(jié)構(gòu)25a，且圓弧結(jié)構(gòu)25a用于改變輔助電極25延伸方向。例如，如圖2所示，圓弧結(jié)構(gòu)25a將輔助電極25的延伸方向從x方向變?yōu)閤的反方向，或者將輔助電極25的延伸方向從x的反方向變?yōu)閤方向。在改變輔助電極25的延伸方向的結(jié)構(gòu)中，采用圓弧結(jié)構(gòu)25a能夠減少輔助電極25的延伸路徑，從而縮短輔助電極25的整體長度，進而減少輔助電極25與柵極20的交疊面積以降低寄生電容。

此外，請參考圖2和圖5，圖5為作為對比例的一種薄膜晶體管，在圖5中，源極34和輔助電極35在拐彎處的溝道長度h2等于源極34和輔助電極35在直線處的溝道長度h1；而在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，如圖4所示，由于源極24朝向輔助電極25的一端為圓弧結(jié)構(gòu)24a，所以，漏極22和輔助電極25在拐彎處的溝道長度h2與漏極22和輔助電極25在直線處的溝道長度h1相等。

可選地，所述源極或者所述漏極包括圓弧結(jié)構(gòu)。請參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管，具體地，如圖4所示，漏極22包括圓弧結(jié)構(gòu)22a，且漏極22的圓弧結(jié)構(gòu)22a圍繞輔助電極25設(shè)置。由于漏極22包括圓弧結(jié)構(gòu)22a，因此，本實施例中薄膜晶體管的柵極20打開時，在漏極22和輔助電極25之間形成的溝道形狀也為圓弧形。同樣的，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例中漏極22和輔助電極25之間在形成相同長度溝道的情況下占地面積較小。

此外，如圖4所示，本實施例的薄膜晶體管中，漏極22向有源層26的垂直投影位于所述有源層26內(nèi)，即，漏極22與有源層26的交疊面積為漏極22自身的占地面積。因此，可以將漏極22的面積設(shè)置得較小，從而能降低柵極與源極/漏極之間的寄生電容。

值得一提的是，當(dāng)漏極22也包括圓弧結(jié)構(gòu)22a，且漏極22圍繞輔助電極25設(shè)置，因此，與圖2所示結(jié)構(gòu)相比，在輔助電極寬度相同的前提下，圖4所示輔助電極25的長度為圖2中輔助電極25的一個u形長度，而漏極22的長度也為圖2中的輔助電極25輔助電極25的一個u形長度。此時，圖4所示結(jié)構(gòu)和圖2所示結(jié)構(gòu)所形成的溝道長度相同，即，輔助電極25和漏極22之間形成的溝道長度相同，輔助電極25和源極24之間形成的溝道長度相同。圖4所示結(jié)構(gòu)與圖2所示結(jié)構(gòu)相比，由于漏極22包括圓弧結(jié)構(gòu)22a，且漏極22圍繞輔助電極25設(shè)置，使得源/漏層的導(dǎo)電元件在結(jié)構(gòu)上較為緊湊，從而使得占地面積小。

需要說明的是，在上述實施例中雖然以漏極22包括圓弧結(jié)構(gòu)為例進行說明，但是薄膜晶體管的源極、漏極的位置是可以互換的，因此，在本發(fā)明的其他實施例中，可以將源極24設(shè)置為帶有圓弧結(jié)構(gòu)，且源極24圍繞輔助電極25設(shè)置。

可選地，所述輔助電極為u形。如圖4所示，輔助電極25為u形，即，輔助電極25僅包括一個圓弧結(jié)構(gòu)25a。由于一個圓弧結(jié)構(gòu)25a已經(jīng)能夠改變輔助電極25的延伸方向，因此，輔助電極25a的其他部分可以設(shè)置為直線形。在實際生產(chǎn)中，圓弧形結(jié)構(gòu)的圖案化難度大于直線形結(jié)構(gòu)的圖案化難度，因此，將輔助電極設(shè)計為u形便于生產(chǎn)。

進一步可選地，所述輔助電極為u形，且所述源極或者所述漏極為u形。如圖4所示，漏極22為u形，即，漏極22僅包括一個圓弧結(jié)構(gòu)22a；輔助電極25為u形，即，輔助電極25僅包括一個圓弧結(jié)構(gòu)25a。具體地，u形的輔助電極25包圍源極24，u形的漏極22包圍u形的輔助電極25。同樣地，輔助電極25設(shè)計為u形，且將圍繞輔助電極25設(shè)置的漏極22也設(shè)計為u形，除了能夠減小薄膜晶體管的占地面積、降低源/漏層的導(dǎo)電元件與柵極20之間的寄生電容外，還能進一步降低工藝難度。

本實施例中，輔助電極25為u形，且漏極22為u形，因此，能夠使得輔助電極25和漏極22之間形成的溝道長度均勻，且輔助電極25和源極24之間形成的溝道長度均勻。具體地，請參考圖4和圖5，圖5為作為對比例的一種薄膜晶體管。在對比例中，如圖5所示，漏極32和輔助電極35在拐彎處的溝道長度l2大于漏極32和輔助電極35在直線處的溝道長度l1；而在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，如圖4所示，漏極22和輔助電極25在拐彎處的溝道長度l2與漏極22和輔助電極25在直線處的溝道長度l1相等。

為了進一步說明本發(fā)明實施例中薄膜晶體管的優(yōu)點，下面將以圖4所示結(jié)構(gòu)和圖1所示結(jié)構(gòu)進行對比說明。

當(dāng)圖1所示結(jié)構(gòu)和圖4所示結(jié)構(gòu)形成的溝道寬長比均為80/6，則圖1所示結(jié)構(gòu)在x方向的寬度需要41微米(具體是指圖1中有源層16a在x方向左側(cè)到有源層16b在x方向的右側(cè))，在y方向的長度需要83微米(具體是指圖1中有源層16a在y方向的長度)；而圖4所示結(jié)構(gòu)在x方向的寬度需要45.5微米(具體是指圖4中有源層26在x方向的寬度)，在y方向的長度需要59微米(具體是指圖4中有源層26在y方向的長度)。因此，對于圖1所示結(jié)構(gòu)和圖4所示結(jié)構(gòu)的占地面積可知：(83×41-45.5×59)/(45.5×59)＝26.8％，圖1所示結(jié)構(gòu)的占地面積比圖4所示結(jié)構(gòu)的占地面積多26.8％。因此，采用本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)雙溝道結(jié)構(gòu)，還能減少薄膜晶體管的占地面積。

此外，通過模擬圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)和圖4所示的本發(fā)明實施例的寄生電容發(fā)現(xiàn)，圖1所示的結(jié)構(gòu)中，源極14和柵極10之間的寄生電容cgs為8.324×10^-14f，圖4所示的結(jié)構(gòu)中，源極24和柵極20之間的寄生電容cgs為5.384×10^-14f，圖4所示的結(jié)構(gòu)的cgs是圖1所示的結(jié)構(gòu)的cgs的一半。因此，采用本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)能夠較低薄膜晶體管的寄生電容。需要說明的是，本申請中僅僅以漏極和柵極之間的寄生電容進行比較，但是，源/漏膜層和柵極膜層之間的寄生電容至少還包括輔助電極和柵極之間的寄生電容，由于本發(fā)明實施例中輔助電極的面積相對現(xiàn)有技術(shù)中輔助電極的面積較小，因此，本發(fā)明實施例中輔助電極和柵極之間的寄生電容也較小。

進一步可選地，所述有源層的邊緣為u形，所述邊緣為u形的有源層向所述柵極的垂直投影位于所述柵極內(nèi)。具體地，請參考圖6，圖6為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管，有源層26的邊緣為u形，此時，有源層26的邊緣形狀與輔助電極25的形狀、漏極22的形狀一致。與有源層26設(shè)置為矩形的結(jié)構(gòu)相比，當(dāng)有源層26的邊緣形狀配合輔助電極25、漏極22的形狀進行設(shè)置時可以減少有源層的占地面積，進一步降低薄膜晶體管的占地面積?？蛇x地，為了進一步降低薄膜晶體管的占地面積，可以將柵極20的邊緣也設(shè)置為與有源層26匹配的形狀，例如，也可以將柵極的邊緣設(shè)置為u形。

在上述實施例的基礎(chǔ)上，可選地，所述u形的輔助電極包括圓弧形輔助電極和直線形輔助電極，所述u形的源極或者漏極包括圓弧形源極或者漏極以及直線形源極或者漏極，所述直線形輔助電極的長度大于所述直線形源極或者漏極的長度。具體地，如圖4所示，u形的輔助電極25包括圓弧形輔助電極25a和直線形輔助電極25b，u形的漏極22包括圓弧形漏極22a以及直線形漏極22b，直線形輔助電極25b的長度h1大于直線形漏極22b的長度h2。在本實施例中，由于u形的漏極22包圍u形的輔助電極25，因此，圓弧形漏極22a的曲率半徑大于圓弧形輔助電極25a。如果圓弧形漏極22a要實現(xiàn)包圍圓弧形輔助電極25a，則圓弧形漏極22a的長度大于圓弧形輔助電極25a的長度。為了使得漏極22和輔助電極25之間形成的溝道長度與源極24和輔助電極25之間形成的溝道長度相等，需要將直線形輔助電極25b的長度h1設(shè)置為大于直線形漏極22b的長度h2。

圖4、圖6所示實施例中，所述輔助電極25僅包括一個u形，但本發(fā)明提供的實施例中，輔助電極25可以包括多個u形，具體請參考圖2和圖7。圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管，圖7為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管。在圖2所示的結(jié)構(gòu)中，輔助電極25包括兩個u形，且該兩個u形結(jié)構(gòu)呈中心對稱。其中，該兩個u形結(jié)構(gòu)共用一條u形的直線部，能夠降低輔助電極25的占地面積。

在圖7所示的結(jié)構(gòu)中，輔助電極25包括4個u形，且該4個u形的輔助電極成軸對稱排列。具體地，輔助電極25包括u形結(jié)構(gòu)251、252、253以及254，其中，u形結(jié)構(gòu)251和252公用一條u形的直線部，u形結(jié)構(gòu)253和254共用一條u形的直線部；u形結(jié)構(gòu)251和253共用一條u形的圓弧結(jié)構(gòu)部，u形結(jié)構(gòu)252和253共用一條u形的圓弧結(jié)構(gòu)部。由于本實施例中有兩條u形的直線部、兩條u形圓弧結(jié)構(gòu)部被共用，因此，能夠較低輔助電極25的占地面積。

在上述實施例的基礎(chǔ)上，可選地，所述源極或者所述漏極與所述輔助電極之間的溝道寬長比與所述輔助電極與所述漏極或者所述源極之間的溝道寬長比相等。本發(fā)明實施例提供薄膜晶體管是雙溝道結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)漏極22和輔助電極25之間的溝道寬長比與源極24和輔助電極25之間的溝道寬長比相等時，在電學(xué)上等同于兩個薄膜晶體管的相同，此時，兩個薄膜晶體管負載相同，能夠有效防止漏電流。

在上述實施例的基礎(chǔ)上，可選地，所述柵極為鏤空結(jié)構(gòu)。如圖8所示，圖8為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管，柵極20包括鏤空結(jié)構(gòu)20'，其中鏤空結(jié)構(gòu)20'位于各個u形輔助電極25交疊的位置。由于各個u形輔助電極25交疊處面積較大，可以在該位置設(shè)置一些鏤空結(jié)構(gòu)20'，從而降低柵極20和輔助電極25的交疊面積，進一步降低柵極20和輔助電極25之間的寄生電容。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，鏤空結(jié)構(gòu)20'可以不像圖8一樣為一開口，還可以是多個面積較小的孔結(jié)構(gòu)。

基于上述實施例，為了降低柵極20和輔助電極25之間的寄生電容，還可以將輔助電極25設(shè)置一些鏤空區(qū)域，而柵極20不用設(shè)置鏤空區(qū)域。

需要說明的是，薄膜晶體管的源極和漏極的位置可以互換，因此，雖然上述部分實施例中是以漏極進行舉例說明，但是在本發(fā)明的其他實施例中，可以是源極按照上述實施例中漏極的形狀和位置進行設(shè)置。

其次，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，請參考圖9，圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板。如圖9所示，陣列基板包括襯底基板300，以及設(shè)置在襯底基板300一側(cè)的薄膜晶體管t3。具體地，陣列基板包括顯示區(qū)域320和非顯示區(qū)域310，在顯示區(qū)域320中，設(shè)置有沿著x方向延伸的多條柵極線322，沿著y方向延伸的多條數(shù)據(jù)線324，數(shù)據(jù)線324和柵極線322相互交叉以限定像素區(qū)域。其中，像素區(qū)域中對應(yīng)設(shè)置有薄膜晶體管t3。

具體地，請參考圖10，圖10為圖9所示結(jié)構(gòu)中一個像素區(qū)域的放大結(jié)構(gòu)圖。如圖10所示，陣列基板還包括像素電極326，薄膜晶體管t3柵極20與柵極線322為一整體，漏極22與數(shù)據(jù)線322為一整體，像素電極326與薄膜晶體管t3源極24電連接。其中薄膜晶體管t3可以為上述關(guān)于薄膜晶體管中任意一實施例提供的結(jié)構(gòu)。

可選地，如圖10所示，當(dāng)輔助電極25為u形時，輔助電極25沿著數(shù)據(jù)線322延伸的方向y延伸。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中，輔助電極25可以沿著柵極線322延伸的方向x延伸。如圖10所示，u形的輔助電極25包括圓弧形輔助電極25a和直線形輔助電極25b，因此，輔助電極25的延伸方向即為直線形輔助電極25b的延伸方向。

進一步可選地，當(dāng)源極或者所述漏極為u形，所述u形的輔助電極包括圓弧形輔助電極和直線形輔助電極，所述u形的源極或者漏極包括圓弧形源極或者漏極以及直線形源極或者漏極時，在數(shù)據(jù)線延伸方向上，所述圓弧形形輔助電極比所述圓弧形源極或者漏極更靠近所述像素電極。具體地，如圖10所示，漏極22為u形，u形的輔助電極25包括圓弧形輔助電極25a和直線形輔助電極25b，u形的漏極22包括圓弧形漏極22a以及直線形漏極22b，在數(shù)據(jù)線322延伸方向y上，圓弧形形輔助電極25a比圓弧形漏極22a更靠近像素電極326。

具體地，結(jié)合圖10和圖11，圖11為圖10沿bb'處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10和圖11所示，輔助電極25和漏極22為u形，輔助電極25向有源層26的垂直投影位于有源層26內(nèi)；像素電極326通過過孔與源極24電連接。此外，還可以在薄膜晶體管t3的上方設(shè)置遮光層328，遮光層328能夠防止光線照射到薄膜晶體管t3，從而進一步降低漏電流。為了獲得較好的顯示效果，還可以在像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置與柵極20同層的存儲電容330。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，由于薄膜晶體管采用輔助電極以形成雙溝道結(jié)構(gòu)，因此，能夠降低陣列基板的漏電流；由于輔助電極帶有圓弧結(jié)構(gòu)，且輔助電極圍繞源極(或漏極)設(shè)置，可以加上溝道的寬度；由于輔助電極向有源層的垂直投影位于有源層內(nèi)，可以將輔助電極的面積設(shè)置得較小，從而降低薄膜晶體管的占地面積，以提高像素區(qū)域的開口率。此外，從上述關(guān)于薄膜晶體管的實施例說明可知，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管能夠減少寄生電容，從而使得陣列用于顯示時能減弱公共電位發(fā)生漂移。

最后，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，請參考圖12，圖12為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置。如圖12所示，其包括陣列基板50，其中陣列基板50為上述的任意一陣列基板，以及顯示功能層70。

可選地，顯示功能層70為電泳膜。如圖12所示，此時，在電泳膜70遠離陣列基板50的一側(cè)還設(shè)置有對置基板60，在對置基板60靠近電泳膜70的一側(cè)設(shè)置有公共電極602。在顯示時，位于對置基板60上的公共電極602和位于陣列基板50上的像素電極之間形成電場以控制電泳膜70中的電泳粒子發(fā)生移動。

需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的顯示功能層還可以是液晶分子層或者有機發(fā)光材料層。當(dāng)顯示裝置的顯示功能層為液晶分子層時，本發(fā)明提供的陣列基板能夠在降低漏電流的同時提高開口率，減弱公共電位漂移。此外，底發(fā)射的有機發(fā)光顯示裝置、從陣列基板一側(cè)觀察的電泳顯示裝置對開口率的要求較高，本發(fā)明實施例能夠有效降低漏電流、提高開口率。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。