本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種二極管引線及二極管。

背景技術(shù)：

二極管是一種具有兩個電極，但只允許電流由單一方向流過的電子元件，二極管正向電壓導(dǎo)通，反向電壓不導(dǎo)通。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦裕@種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。

目前，二極管的承受浪涌電流耐量的水平略有參差，在封裝后也大多無法達標(biāo)。二極管引線是較為被忽略的一個組件，圖1為現(xiàn)有二極管去掉封裝外殼后的爆炸圖，如圖1所示，二極管包括依次相連的二極管引線、芯片4＇和底座5＇，二極管引線、芯片4＇和底座5＇之間通過焊片6＇焊接，二極管引線包括互相連接的引線座1＇和引線3＇。由于在焊接工藝過程中二極管引線需要對芯片起同心定位作用，所以引線座的尺寸為芯片的外接圓直徑。通常情況下，二極管在反向浪涌電流流過時通常是通過引線座和引線來瞬間散熱，散耗掉這部分能量。為了提高二極管的瞬間散熱能力，增加二極管的反向浪涌電流承受耐量，可以通過增加引線座的直徑來提高瞬間散熱的能力，但由于引線座的直徑變大，造成引線座無法對芯片進行定位的現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種二極管引線，解決了引線座直徑變大，芯片和引線座無法定位的問題。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種二極管引線，包括引線座、凸臺和引線，所述凸臺設(shè)置在所述引線座上，所述凸臺遠離所述引線座一端的端面為多邊形結(jié)構(gòu)，所述引線座的最大直徑大于所述多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓的直徑，所述引線連接在所述引線座的未設(shè)置有所述凸臺的一端。

引線座的最大直徑大于凸臺的多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓的直徑，提高了引線座瞬間散熱的能力，增大了二極管的反向功率，有效避免二極管的熱擊穿。凸臺的設(shè)置實現(xiàn)對芯片進行定位和連接；同時，凸臺的設(shè)置增加了芯片和引線座之間的縫隙，使得二極管引線和芯片焊接完成后，在清洗過程中芯片的側(cè)邊更容易與清洗液接觸，清洗效果更好，較大提高二極管的可靠性。

作為上述二極管引線的一種優(yōu)選方案，所述引線座和所述凸臺同軸設(shè)置。將凸臺同軸設(shè)置在引線座上，即凸臺位于引線座的中間位置，凸臺中心到引線座邊緣的距離都相等，使得引線座的散熱更均勻。

作為上述二極管引線的一種優(yōu)選方案，所述引線座互相連接的包括圓柱結(jié)構(gòu)段和凸臺結(jié)構(gòu)段，所述圓柱結(jié)構(gòu)段和凸臺結(jié)構(gòu)段連接處的端面直徑相等，所述圓柱結(jié)構(gòu)段的直徑大于所述多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓，所述凸臺結(jié)構(gòu)段的側(cè)面為斜面，所述凸臺結(jié)構(gòu)段靠近所述凸臺一端的端面與凸臺端面的結(jié)構(gòu)相同且大小相等。

作為上述二極管引線的一種優(yōu)選方案，所述凸臺遠離所述引線座一端的端面為六邊形結(jié)構(gòu)，凸臺遠離所述引線座一端的端面的形狀和芯片的端面形狀相同，能夠使得在焊接過程中實現(xiàn)芯片和引線座的定位。

作為上述二極管引線的一種優(yōu)選方案，所述凸臺的厚度大于等于0.1mm。

作為上述二極管引線的一種優(yōu)選方案，所述引線座、凸臺和所述引線為一體成型結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)簡單，制作方便。

一種二極管，包括上述的二極管引線。

作為上述二極管的一種優(yōu)選方案，所述二極管引線、芯片和底座依次排列設(shè)置；

還包括封裝外殼，所述封裝外殼將所述二極管引線和芯片封裝在所述封裝外殼的內(nèi)部，且位于所述底座的一側(cè)。

當(dāng)反向浪涌電流通過二極管時，引線座提高了瞬間散熱的能力，增大了二極管的反向浪涌功率，有效避免二極管的熱擊穿。

作為上述二極管的一種優(yōu)選方案，所述芯片端面和多邊形結(jié)構(gòu)的邊數(shù)和邊長均相等，使得引線在焊接芯片過程中，由于液態(tài)焊片的表面張力的作用，使芯片和多邊形結(jié)構(gòu)的凸臺的端面完全貼合，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的自動定位。

作為上述二極管的一種優(yōu)選方案，所述二極管引線、芯片和所述底座之間通過焊片焊接相連。在焊接過程中焊片融化成液態(tài)，利用液態(tài)焊片的表面張力作用實現(xiàn)引線座和芯片的定位，實現(xiàn)芯片和引線座凸臺的完全貼合。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提出的二極管引線及二極管，引線座的最大直徑大于所述多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓的直徑，提高了引線座瞬間散熱的能力，增大了二極管的反向浪涌功率，有效避免二極管的熱擊穿。凸臺的設(shè)置實現(xiàn)對芯片進行定位和連接，同時，凸臺的設(shè)置增加了芯片和引線座之間的縫隙，使得二極管引線和芯片焊接完成后，在清洗過程中芯片的側(cè)邊更容易與清洗液接觸，清洗效果更好，較大提高二極管的可靠性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的二極管的爆炸圖；

圖2是本發(fā)明具體實施方式提供的二極管引線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明具體實施方式提供的二極管引線的另一角度的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明具體實施方式提供的二極管的爆炸圖；

圖5是本發(fā)明具體實施方式提供的二極管的另一角度的爆炸圖。

其中：

1＇、引線座；3＇、引線；4＇、芯片；5＇、底座；6＇、焊片；

1、引線座；2、凸臺；3、引線；4、芯片；5、底座；6、焊片；11、圓柱結(jié)構(gòu)段；12、凸臺結(jié)構(gòu)段。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

本實施方式保護一種二極管引線，如圖2和圖3所示，該二極管引線包括引線座1、凸臺2和引線3；如圖2和圖3所示，凸臺2設(shè)置在引線座1上，凸臺2遠離引線座1一端的端面為多邊形結(jié)構(gòu)，引線座1的最大直徑大于多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓的直徑；引線3連接在引線座1的未設(shè)置有凸臺2的一端。優(yōu)選的，引線座1包括相互連接的圓柱結(jié)構(gòu)段11和凸臺結(jié)構(gòu)段12，圓柱結(jié)構(gòu)段11和凸臺結(jié)構(gòu)段12的連接處的端面相等，圓柱結(jié)構(gòu)段11的直徑大于多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓直徑；凸臺結(jié)構(gòu)段12的側(cè)面為斜面，凸臺結(jié)構(gòu)段12靠近凸臺2一端的端面與凸臺2端面的結(jié)構(gòu)相同且相等。引線座1還可以為圓柱體結(jié)構(gòu)，本實施例中，引線座1的結(jié)構(gòu)優(yōu)選為上述第一種結(jié)構(gòu)。圓柱結(jié)構(gòu)段11和凸臺結(jié)構(gòu)段12的設(shè)置增加了芯片4和引線座1之間的縫隙，在清洗過程中清洗效果更好，較大提高二極管的可靠性。引線座1、凸臺2和引線3為一體成型結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)簡單，制作方便。

具體的，引線座1和凸臺2同軸設(shè)置，將凸臺2同軸設(shè)置在引線座1上，即凸臺2位于引線座1的中間位置，凸臺2中心到引線座1邊緣的距離都相等，使得引線座1的散熱更均勻。凸臺2遠離引線座1一端的端面為六邊形結(jié)構(gòu)，凸臺2可以為截面均相等的六棱柱結(jié)構(gòu)，還可以為向靠近引線座方向截面逐漸增大的六棱柱。本實施例中，凸臺2為截面均相等的六棱柱結(jié)構(gòu)。凸臺2的厚度大于等于0.1mm，優(yōu)選的，凸臺2的厚度范圍為0.1到0.5mm。凸臺2遠離引線座1一端的端面的形狀和芯片4的端面形狀相同，能夠使得在焊接過程中實現(xiàn)引線座1對芯片4的定位。

引線座1的最大直徑大于凸臺2的多邊形結(jié)構(gòu)的外接圓的直徑，提高了引線座1瞬間散熱的能力，增大了二極管的反向浪涌功率，有效避免二極管的熱擊穿。通過凸臺2的設(shè)置，可以將引線座1由現(xiàn)有技術(shù)的φ6.6mm變更為φ8.5mm，承受反向浪涌電流的耐量可增加10％左右。

本實施方式還保護一種二極管，包括上述的二極管引線，如圖4和圖5所示，二極管包括依次排列設(shè)置的上述的二極管引線，芯片4和底座5；

還包括封裝外殼，封裝外殼將二極管引線和芯片4封裝在封裝外殼的內(nèi)部，且位于底座5的一側(cè)。

具體的，二極管引線、芯片4和底座5之間通過焊片6焊接相連。在焊接過程中焊片6融化成液態(tài)，利用液態(tài)焊片6的表面張力作用實現(xiàn)引線座1和芯片4的定位，實現(xiàn)芯片4和引線座1凸臺2的完全貼合。

凸臺2遠離引線座1一端的端面為多邊形結(jié)構(gòu)，芯片4端面和多邊形結(jié)構(gòu)的邊數(shù)和邊長均相等，使得引線3在焊接芯片4過程中，由于液態(tài)焊片6的表面張力的作用，使芯片4和多邊形結(jié)構(gòu)的凸臺2的端面完全貼合，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片4的自動定位。

凸臺2的設(shè)置實現(xiàn)對芯片4進行定位和連接；同時，凸臺2的設(shè)置增加了芯片4和引線座1之間的縫隙，使得二極管引線和芯片4焊接完成后，在清洗過程中芯片4的側(cè)邊更容易與清洗液接觸，清洗效果更好，較大提高二極管的可靠性。

本發(fā)明提出的二極管，當(dāng)反向浪涌電流通過二極管時，引線座1提高了瞬間散熱的能力，增大了二極管的反向浪涌功率，有效避免二極管的熱擊穿。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。