本申請(qǐng)涉及電感領(lǐng)域，并且更具體地，涉及一種集成電感。

背景技術(shù)：

干擾電磁場(chǎng)在兩根導(dǎo)線之間產(chǎn)生差模電流，進(jìn)而在負(fù)載上引起干擾，將差模電流引起的干擾稱為差模干擾。干擾電磁場(chǎng)在一根導(dǎo)線與大地之間產(chǎn)生共模電流，進(jìn)而在負(fù)載上引起干擾，將共模電流引起的干擾稱為共模干擾。

對(duì)于產(chǎn)生的差模干擾和共模干擾，通過(guò)差模電感抑制差模干擾，通過(guò)共模電感抑制共模干擾。

已知一種現(xiàn)有技術(shù)中，差模電感的磁芯的形狀通常為長(zhǎng)方體，即，該磁芯的截面形狀為矩形。然而，對(duì)于一些中、大功率的差模電感，為了滿足散熱等因素，通常需要采用立繞的方式在該長(zhǎng)方體磁芯上繞制繞組，如圖1所示。

并且，已知另一種現(xiàn)有技術(shù)。在變換器系統(tǒng)中，差模電感與共模電感都是不可或缺的部分，因此，差模電感與共模電感分別需要一組繞組。對(duì)于較大功率的變換器系統(tǒng)，繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響不可忽視。

因此，在保證抑制差模電流與共模電流的前提下，如何降低繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響，已成為亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成電感，能夠在保證抑制差模電流與共模電流的前提下，降低繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響。

第一方面，提供了一種集成電感，該集成電感包括：第一磁芯(110)，該第一磁芯用于形成共模電感的磁芯；至少兩個(gè)繞組(120)，該至少兩個(gè)繞組(120)繞制在該第一磁芯(110)上，且該至少兩個(gè)繞組(120)中的任意兩個(gè)繞組之間存在間隔，該第一磁芯(110)和該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間形成共模電感；第二磁芯(130)，該第二磁芯(130)上未繞制繞組，該第二磁芯(130)與該第一磁芯(110)上的繞制有該至少兩個(gè)繞組(120)的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，該第二磁芯(130)和該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間分別形成差模電感。

因此，本申請(qǐng)的集成電感，只在第一磁芯上繞制繞組，該第一磁芯與其上繞制的繞組之間形成共模電感。在共模電感的基礎(chǔ)上，增加第二磁芯，以使該第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域與該第二磁芯之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得該第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域與該第二磁芯之間形成閉合的差模磁路，該第二磁芯與該第一磁芯上所繞制的每一個(gè)繞組之間形成差模電感。通過(guò)差模電感與共模電感共用一個(gè)繞組，即，減少繞組的繞制量，降低繞組的銅損，從而降低繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響，提升變換器的系統(tǒng)效率。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該至少兩個(gè)繞組中的每個(gè)繞組的線圈匝數(shù)相同，并且該至少兩個(gè)繞組中的每個(gè)繞組的繞線方向相同。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第一磁芯(110)為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

通過(guò)使該第一磁芯為環(huán)形結(jié)構(gòu)的磁芯，環(huán)形結(jié)構(gòu)的磁芯可以提高繞組的繞線利用率。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第二磁芯(130)包括第三磁芯(131)和第四磁芯(132)，該第三磁芯(131)位于該第一磁芯(110)與該第四磁芯(132)之間，該第三磁芯(131)包括至少兩個(gè)部分，該至少兩個(gè)繞組中的任意兩個(gè)繞組之間都容納該至少兩個(gè)部分中的一個(gè)部分，其中，該第四磁芯(132)為封閉結(jié)構(gòu)的磁芯。

通過(guò)在任意兩個(gè)相鄰繞組之間放置第三磁芯，該第三磁芯包括至少兩個(gè)磁芯，并且再增加第四磁芯，以使該第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域與該第三磁芯以及該第四磁芯的部分磁芯之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得該第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域與該第三磁芯以及該第四磁芯之間形成閉合的差模磁路，即繞組中的磁力線依次通過(guò)由第三磁芯所包括的任意一個(gè)磁芯與第四磁芯的部分磁芯以及第一磁芯上繞制有繞組的區(qū)域所構(gòu)成的閉合區(qū)域，從而在抑制差模共模電流的基礎(chǔ)上，能夠達(dá)到抑制差模電流的目的。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第一磁芯(110)為封閉的環(huán)形磁芯，該第四磁芯(132)為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯(110)上繞制有三個(gè)繞組(120)，該第三磁芯(131)包括三個(gè)塊狀磁芯，且位于該第一磁芯(110)與該第四磁芯(132)之間，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)塊狀磁芯位于該三個(gè)繞組中任意兩個(gè)相鄰繞組之間，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)磁芯的一個(gè)表面與該第四磁芯(110)接觸，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)磁芯的另一個(gè)表面與該第一磁芯(110)接觸，其中，該第一磁芯(110)上的繞制有該至少兩個(gè)繞組(120)中的任意一個(gè)繞組的區(qū)域與該三個(gè)塊狀磁芯中的兩個(gè)相鄰的塊狀磁芯、該第四磁芯(132)的部分磁芯之間形成閉合的磁芯。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第一磁芯(110)為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯(110)上繞制有至少兩個(gè)繞組(120)，該第二磁芯包括至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯，該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中的每個(gè)磁芯包括兩個(gè)端部，該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中的任意一個(gè)磁芯的兩個(gè)端部分別位于該至少兩個(gè)繞組中的任意一個(gè)繞組的兩邊，并與該第一磁芯(110)相互接觸，該第一磁芯(110)上的繞制有該至少兩個(gè)繞組(120)中的任意一個(gè)繞組的區(qū)域與該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中一個(gè)磁芯之間形成閉合的磁芯。

通過(guò)將與繞組數(shù)量相同(例如，當(dāng)繞組的數(shù)量為3時(shí)，第二磁芯所包括磁芯的數(shù)量也為3)的第二磁芯與第一磁芯之間相互接觸，使得任意一個(gè)第二磁芯(例如，該第二磁芯為半圓環(huán)形狀的磁芯)的兩端與第一磁芯相互接觸，因此，第二磁芯與第一磁芯之間就會(huì)形成一個(gè)閉合區(qū)域，將對(duì)應(yīng)繞組繞制在該閉合區(qū)域所包括的第一磁芯的部分磁芯上，從而使得第二磁芯與第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得該第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域與該第二磁芯之間形成閉合的差模磁路，從而抑制差模電流。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第六種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第二磁芯(130)包括至少三個(gè)端部，該三個(gè)端部中的任意一個(gè)端部位于該三個(gè)繞組(120)中的任意兩個(gè)相鄰繞組之間，并與該第一磁芯(110)相互接觸，該第一磁芯(110)上的繞制有該至少兩個(gè)繞組(120)的區(qū)域與該至少三個(gè)端部中的任意兩個(gè)相鄰端部之間形成閉合的磁芯。

通過(guò)使第二磁芯所包括的任意兩個(gè)相鄰端部與第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得第二磁芯所包括的任意兩個(gè)相鄰端部與第一磁芯上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的差模磁路，從而達(dá)到抑制差模電流的目的。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第七種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第一磁芯(110)為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯(110)上繞制有三個(gè)繞組(120)，該第二磁芯為y字型磁芯，該y字型磁芯包括三個(gè)端部，該y字型磁芯的任意一個(gè)端部位于該三個(gè)繞組(120)中的任意兩個(gè)相鄰繞組之間，并與該第一磁芯(110)相互接觸，該第一磁芯(110)上的繞制有該三個(gè)繞組(120)的區(qū)域與該y字型磁芯中的任意兩個(gè)相鄰端部之間形成閉合的磁芯。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第八種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第一磁芯(110)所處的平面與該第二磁芯所處的平面之間相互平行，該第一磁芯(110)與該第二磁芯(130)之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第一閾值。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第九種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第二磁芯為一體結(jié)構(gòu)或拼接結(jié)構(gòu)。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該第三磁芯(131)與該第一磁芯(110)之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第二閾值，該第三磁芯(131)與該第四磁芯(132)之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第三閾值。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，通過(guò)該第一磁芯(110)與該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間形成的共模電感對(duì)流經(jīng)該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組的共模電流產(chǎn)生感抗，抑制該共模電流；和通過(guò)該第二磁芯(130)和該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間形成的差模電感對(duì)流經(jīng)該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組的差模電流產(chǎn)生感抗，抑制該差模電流。

結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，該預(yù)設(shè)的第一閾值的取值為0.5mm。

第二方面，提供了一種三相逆變器，該三相逆變器設(shè)置有集成電感，該集成電感用于濾波，該集成電感包括：第一磁芯(110)，該第一磁芯用于形成共模電感的磁芯；至少兩個(gè)繞組(120)，該至少兩個(gè)繞組(120)繞制在該第一磁芯(110)上，且該至少兩個(gè)繞組(120)中的任意兩個(gè)繞組之間存在間隔，該第一磁芯(110)和該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間形成共模電感；第二磁芯(130)，該第二磁芯(130)上未繞制繞組，該第二磁芯(130)與該第一磁芯(110)上的繞制有該至少兩個(gè)繞組(120)的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，該第二磁芯(130)和該至少兩個(gè)繞組(120)中的每一個(gè)繞組之間分別形成差模電感。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本申請(qǐng)的繞制在長(zhǎng)方體磁芯上的繞組的繞制方式的示意圖。

圖2是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的一例結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的另一例結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的再一例結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的再一例結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的第二磁芯的平面形狀的一例示意圖。

圖7是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感抑制差、共模電流的原理的一例示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本申請(qǐng)中的技術(shù)方案進(jìn)行描述。

應(yīng)理解，本申請(qǐng)的集成電感可以應(yīng)用于變換器系統(tǒng)中，也可以應(yīng)用于濾波電路中，還可以應(yīng)用于其他的電路中，本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。

目前，對(duì)于變換器系統(tǒng)而言，差模電感與共模電感都是不可或缺的部分，因此，差模電感與共模電感分別需要一組繞組。對(duì)于較大功率的變換器系統(tǒng)，繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響不可忽視。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑募呻姼?，能夠在保證抑制差模電流與共模電流的前提下，提升變換器的系統(tǒng)效率。

圖2是根據(jù)本申請(qǐng)的集成電感的一例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該集成電感100包括：

第一磁芯110，該第一磁芯用于形成共模電感的磁芯；

至少兩個(gè)繞組120，該至少兩個(gè)繞組120繞制在該第一磁芯110上，且該至少兩個(gè)繞組120中的任意兩個(gè)繞組之間存在間隔，該第一磁芯110和該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組之間形成共模電感；

第二磁芯130，該第二磁芯130上未繞制繞組，該第二磁芯130與該第一磁芯110上的繞制有該至少兩個(gè)繞組120的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，該第二磁芯130和該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組之間分別形成差模電感。

可選地，該至少兩個(gè)繞組中的每個(gè)繞組的線圈匝數(shù)相同，并且該至少兩個(gè)繞組中的每個(gè)繞組的繞線方向相同。

具體而言，在該第一磁芯110上繞制有至少兩個(gè)繞組120，如圖2所示，該至少兩個(gè)繞組120可以為三個(gè)繞組，且該第一磁芯110為封閉的磁芯結(jié)構(gòu)?？梢钥闯?，該三個(gè)繞組120分別繞制在第一磁芯110的不同位置(即，該三個(gè)繞組120中的任意兩個(gè)相鄰繞組120之間存在間隔)。通過(guò)使該三個(gè)磁芯在第一磁芯110上的繞制位置之間存在間隔，使得第一磁芯110與該三個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組120之間形成共模電感，并且通過(guò)使該第一磁芯110為封閉的磁芯結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使得該第一磁芯110為該三個(gè)繞組120所產(chǎn)生的磁力線提供共模磁路。

通過(guò)該三個(gè)繞組120與該第一磁芯110之間形成共模電感，并在該共模電感的基礎(chǔ)上，增加第二磁芯130，該第二磁芯130上未繞制繞組120，而是與該第一磁芯110共用該三個(gè)繞組120，該第二磁芯130與該三個(gè)繞組120之間形成差模電感。從而使得該第二磁芯130與該三個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組120之間形成差模電感，該第二磁芯130與該第一磁芯110上的繞制有該三個(gè)繞組120的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得第二磁芯130與該第一磁芯110上的繞制有該三個(gè)繞組120的區(qū)域之間形成閉合的差模磁路。

可選地，如圖2所示，該第一磁芯110為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯110上繞制有至少兩個(gè)繞組120，該第二磁芯包括至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯，該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中的每個(gè)磁芯包括兩個(gè)端部，該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中的任意一個(gè)磁芯的兩個(gè)端部分別位于該至少兩個(gè)繞組中的任意一個(gè)繞組的兩邊，并與該第一磁芯110相互接觸，該第一磁芯110上的繞制有該至少兩個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組的區(qū)域與該至少兩個(gè)半圓環(huán)形的磁芯中一個(gè)磁芯之間形成閉合的磁芯。

具體地，作為示例而非限定，如圖2所示，該第一磁芯110為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯110上繞制有三個(gè)繞組120，該第二磁芯130包括三個(gè)磁芯，該三個(gè)磁芯為半圓環(huán)形磁芯，每個(gè)半圓環(huán)形狀的磁芯的兩端與第一磁芯110接觸，并位于繞制在第一磁芯110上的一個(gè)繞組120的兩邊，從圖2中可以看出，該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯中的任意一個(gè)磁芯與第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域之間構(gòu)成一個(gè)閉合區(qū)域(即，該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯中的任意一個(gè)磁芯與第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域之間構(gòu)成一個(gè)閉合的磁芯)，該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯與第一磁芯110上繞制有繞組的區(qū)域之間形成了三個(gè)閉合區(qū)域。該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯中的任意一個(gè)磁芯與第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的差模磁路，該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯中的每個(gè)磁芯與對(duì)應(yīng)繞組120之間形成差模電感。繞組120中產(chǎn)生的磁力線依次穿過(guò)該第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域以及該三個(gè)半圓環(huán)形磁芯中的任意一個(gè)磁芯。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于該三個(gè)磁芯與第一磁芯110之間形成的三個(gè)閉合區(qū)域而言，該三個(gè)閉合區(qū)域可以相互之間存在重疊區(qū)域，也可以相互之間完全不重疊，本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。

其中，該三個(gè)半圓環(huán)形狀的磁芯中的任意兩個(gè)磁芯之間可以相互接觸，也可以相互之間不接觸，本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。當(dāng)該三個(gè)半圓環(huán)形狀的磁芯中的任意兩個(gè)磁芯之間相互接觸時(shí)，可以相對(duì)減小該電感結(jié)構(gòu)的空間體積。

應(yīng)理解，上述僅以該三個(gè)磁芯為半圓環(huán)形狀的磁芯為例對(duì)該至少兩個(gè)磁芯進(jìn)行說(shuō)明，但本申請(qǐng)并不限于此。該至少兩個(gè)磁芯還可以為其他形狀，例如，該至少兩個(gè)磁芯可以為半工字型形狀的磁芯，或者，該至少兩個(gè)磁芯還可以為三角形狀的磁芯，只要保證該至少兩個(gè)磁芯中的任意一個(gè)磁芯能夠與該第一磁芯110上繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的差模磁路即可。本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。

因此，本申請(qǐng)的集成電感，通過(guò)在共模電感的基礎(chǔ)上增加一個(gè)第二磁芯130，該第二磁芯130上并未繞制有繞組120，而是與該第一磁芯110共用至少兩個(gè)繞組120，從而使得該第二磁芯與該至少兩個(gè)繞組120之間形成差模電感，抑制差模電流。通過(guò)第一磁芯110與第二磁芯130共用至少兩個(gè)繞組120，可以減少繞組120的使用量，降低繞組120的銅損，從而降低繞組120的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響，提升變換器的系統(tǒng)效率。

可選地，該第二磁芯130包括第三磁芯131和第四磁芯132，該第三磁芯131位于該第一磁芯110與該第四磁芯132之間，該第三磁芯131包括至少兩個(gè)部分，該至少兩個(gè)繞組中的任意兩個(gè)繞組之間都容納該至少兩個(gè)部分中的一個(gè)部分，其中，該第四磁芯132為封閉結(jié)構(gòu)的磁芯。

具體而言，如圖3所示，該第一磁芯110為封閉的環(huán)形磁芯，該第四磁芯132為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯110上繞制有三個(gè)繞組120，該第三磁芯131包括三個(gè)塊狀磁芯，且位于該第一磁芯110與該第四磁芯132之間，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)塊狀磁芯位于該三個(gè)繞組中任意兩個(gè)相鄰繞組之間，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)磁芯的一個(gè)表面與該第四磁芯110接觸，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意一個(gè)磁芯的另一表面與該第一磁芯110接觸，其中，該第一磁芯110上的繞制有該至少兩個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組的區(qū)域與該三個(gè)塊狀磁芯中的兩個(gè)相鄰的塊狀磁芯、該第四磁芯132的部分磁芯之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得該第一磁芯110上的繞制有該至少兩個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組的區(qū)域與該三個(gè)塊狀磁芯中的兩個(gè)相鄰的塊狀磁芯、該第四磁芯132的部分磁芯之間形成閉合的差模磁路。繞組120中產(chǎn)生的磁力線依次穿過(guò)該第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域、該三個(gè)塊狀磁芯以及該第四磁芯132的部分磁芯。

需要說(shuō)明的是，該三個(gè)塊狀磁芯中的任意兩個(gè)相鄰塊狀磁芯之間可以相互接觸，或者也可以相互之間不接觸，本申請(qǐng)對(duì)此不作特別限定。

還需要說(shuō)明的是，上述僅以該第三磁芯包括的磁芯為塊狀磁芯為例進(jìn)行說(shuō)明，但本申請(qǐng)并不限于此，該第三磁芯包括的磁芯還可以為其他形狀的磁芯。

可選地，該第二磁芯130包括至少三個(gè)端部，該三個(gè)端部中的任意一個(gè)端部位于該三個(gè)繞組120中的任意兩個(gè)相鄰繞組之間，并與該第一磁芯110相互接觸，該第一磁芯110上的繞制有該至少兩個(gè)繞組120的區(qū)域與該至少三個(gè)端部中的任意兩個(gè)相鄰端部之間形成閉合的磁芯。

具體地，作為示例而非限定，如圖4所示，該第一磁芯110為封閉的環(huán)形磁芯，該第一磁芯110上繞制有三個(gè)繞組120，該第二磁芯130包括三個(gè)端部，該三個(gè)端部中的任意一個(gè)端部位于該繞組120中的任意兩個(gè)相鄰繞組120之間，且與該第一磁芯110相互接觸。該三個(gè)磁芯中的任意兩個(gè)相鄰端部與該第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的磁芯，進(jìn)而使得該三個(gè)磁芯中的任意兩個(gè)相鄰端部與該第一磁芯110上的繞制有繞組的區(qū)域之間形成閉合的差模磁路，該三個(gè)端部中的任意兩個(gè)相鄰端部與該第一磁芯110上所繞制的繞組之間形成差模電感。繞組120中產(chǎn)生的磁力線依次穿過(guò)該第一磁芯110上的繞制有任意一個(gè)繞組的區(qū)域以及該閉合區(qū)域所包括的任意兩個(gè)相鄰端部。

如圖4所示，該第二磁芯130為y字型磁芯，該y字型磁芯包括三個(gè)端部，該y字型磁芯的任意一個(gè)端部位于該三個(gè)繞組120中的任意兩個(gè)相鄰繞組之間，并與該第一磁芯110相互接觸，該第一磁芯110上的繞制有該三個(gè)繞組120的區(qū)域與該y字型磁芯中的任意兩個(gè)相鄰端部之間形成閉合的磁芯。

需要說(shuō)明的是，上述僅以該第二磁芯130為y字型磁芯為例進(jìn)行說(shuō)明，該第二磁芯130還可以為其他形狀的磁芯，例如，該第二磁芯130為v字型磁芯，本申請(qǐng)對(duì)此不作特別限定。

還需要說(shuō)明的是，對(duì)于該三個(gè)磁芯中的任意兩個(gè)相鄰端部與第一磁芯110之間形成的三個(gè)閉合區(qū)域而言，該三個(gè)閉合區(qū)域可以相互之間存在重疊區(qū)域，也可以相互之間完全不重疊，本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。

可選地，該第二磁芯130為一體結(jié)構(gòu)或拼接結(jié)構(gòu)。

具體地，該第二磁芯130可以為拼接結(jié)構(gòu)。例如，以圖4中所示的第二磁芯130為例，對(duì)第二磁芯130的拼接結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。可以看出，該第二磁芯130由三個(gè)長(zhǎng)方體形狀的磁芯拼接而成，該三個(gè)長(zhǎng)方體形狀的磁芯的端部分別與第一磁芯110相互接觸；或者

該第二磁芯130可以為一體結(jié)構(gòu)。如圖5所示，可以看出，該第二磁芯130包括三個(gè)接觸端部，該三個(gè)接觸端部分別與第一磁芯110接觸。

當(dāng)?shù)诙判?30為一體結(jié)構(gòu)時(shí)，結(jié)合圖6對(duì)第二磁芯130的幾種不同的平面形狀進(jìn)行說(shuō)明。圖6中示出了第二磁芯130的四種平面形狀，分別如圖6中的a、b、c和d所示?？梢钥闯?，圖6中所示出的第二磁芯130包括三個(gè)接觸端，且a、b、c和d中所示的第二磁芯130的接觸端的形狀均不相同。每種形狀對(duì)應(yīng)的三個(gè)接觸端中的任意一個(gè)接觸端位于至少兩個(gè)繞組120中的任意兩個(gè)相鄰繞組120之間，且與該第一磁芯110相互接觸，以使得該三個(gè)接觸端中的任意兩個(gè)相鄰接觸端和第一磁芯110的部分磁芯為繞組120中產(chǎn)生的磁力線提供差模磁路。繞組120中產(chǎn)生的磁力線在三個(gè)接觸端中的任意兩個(gè)相鄰接觸端與第一磁芯110的部分磁芯中形成回路。

應(yīng)理解，該第二磁芯130的接觸端的形狀包括但不限于圖6中所示的四種形狀。并且上述僅以該第二磁芯130包括三個(gè)接觸端為例，對(duì)該第二磁芯130的形狀進(jìn)行說(shuō)明，但本申請(qǐng)并不限于此，該第二磁芯130還可以包括其他形狀。本申請(qǐng)對(duì)此不作任何限定。

可選地，該第一磁芯110所處的平面與該第二磁芯所處的平面之間相互平行，該第一磁芯110與該第二磁芯130之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第一閾值。

可選地，該第三磁芯131與該第一磁芯110之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第二閾值，該第三磁芯131與該第四磁芯132之間的氣隙小于或等于預(yù)設(shè)的第三閾值。

作為示例而非限定，以圖5中所示的集成電感的結(jié)構(gòu)為例，對(duì)該第一磁芯110與該第二磁芯130之間的氣隙間隔進(jìn)行說(shuō)明。為了便于人眼觀察，此處對(duì)圖5中所示的集成電感的第一磁芯110與該第二磁芯130連接部分的主視圖局部放大后進(jìn)行說(shuō)明。

如圖5所示，以d代表該第一磁芯110與該第二磁芯130之間的氣隙間隔，當(dāng)該預(yù)設(shè)的第一閾值為0.5mm時(shí)，則d≤0.5mm。例如，d的取值可以為0，代表該第一磁芯110與該第二磁芯130之間可以相互接觸(例如，該第二磁芯130與該第一磁芯110為表面相互接觸；或者，代表該第二磁芯130鑲嵌在第一磁芯110中，即通過(guò)在第一磁芯110的上構(gòu)造一個(gè)凹槽，該凹槽的形狀與該第二磁芯130的接觸端的形狀相一致，該第二磁芯130位于該凹槽中，從而與該第一磁芯110接觸)。

還例如，d還可以為0至0.5mm之間的一個(gè)數(shù)值。例如，d＝0.3mm，代表該第二磁芯130與該第一磁芯110之間沒(méi)有直接接觸，而是與該第一磁芯110之間存在0.3mm的間隔。該0.3mm的間隔能夠保證該第二磁芯130與該第一磁芯110上的繞制有繞組120的區(qū)域?yàn)槔@組120中產(chǎn)生的磁力線提供差模磁路。

當(dāng)該第一磁芯110與該第二磁芯130之間存在氣隙時(shí)，為了保證該第二磁芯130與該第一磁芯110之間能夠固定連接，可以在該第一磁芯110與該第二磁芯130之間形成的氣隙中填充黏結(jié)物(例如，膠水)，從而使得該第二磁芯130與該第一磁芯110之間能夠固定連接。

需要說(shuō)明的是，上述僅以預(yù)設(shè)的第一閾值為例，對(duì)于第一磁芯110和第二磁芯130之間的氣隙進(jìn)行了說(shuō)明。關(guān)于第三磁芯131與第一磁芯110之間的氣隙、第三磁芯131與第四磁芯之間的氣隙的說(shuō)明與第一磁芯110與第二磁芯130之間的氣隙的說(shuō)明相似，主要不同體現(xiàn)在預(yù)設(shè)的第二閾值與預(yù)設(shè)的第三閾值的取值可能不同。為了簡(jiǎn)潔，此處不再贅述。

作為示例而非限定，該第二磁芯130與該第一磁芯110之間可以通過(guò)膠水粘接的方式與該第一磁芯110固定在一起。

作為示例而非限定，通過(guò)調(diào)節(jié)至少兩個(gè)繞組120中的任意一個(gè)繞組120的匝數(shù)，或者，通過(guò)調(diào)節(jié)第一磁芯110的橫截面的面積，可以調(diào)節(jié)該至少兩個(gè)繞組120與該第一磁芯110之間形成的共模電感量。

可選地，該第一磁芯110為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

具體地，如圖2至圖5所示，該第一磁芯110可以為封閉的環(huán)形結(jié)構(gòu)的磁芯。當(dāng)該第一磁芯110為封閉的環(huán)形結(jié)構(gòu)的磁芯時(shí)，能夠提高在第一磁芯110上繞制繞組120時(shí)的繞線利用率。

上文中結(jié)合圖2至圖6對(duì)本申請(qǐng)的電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。下面結(jié)合圖7對(duì)本申請(qǐng)的集成電感抑制差模干擾與共模干擾的原理進(jìn)行說(shuō)明。

下面以圖4中所示的電感結(jié)構(gòu)為例，結(jié)合圖7對(duì)該電感結(jié)構(gòu)抑制差模干擾與共模干擾的原理進(jìn)行說(shuō)明。

如圖7所示，第一磁芯110為形成共模電感的磁芯，第二磁芯130為形成差模電感的磁芯。繞組1、繞組2以及繞組3依次繞制在第一磁芯110上，其中，電流i1流過(guò)繞組1，電流i2流過(guò)繞組2，電流i3流過(guò)繞組3。三個(gè)繞組120的繞線方向一致，電流i1、電流i2和電流i3的方向在圖7中通過(guò)箭頭進(jìn)行了標(biāo)示。

l1、l2、l3分別為繞組1、繞組2、繞組3的自感系數(shù)，m12為繞組1與繞組2之間的互感系數(shù)、m23為繞組2與繞組3之間的互感系數(shù)、m13為繞組1與繞組3之間的互感系數(shù)。其中，l1＝l2＝l3＝l，m12＝m23＝m13＝m，且m<l。

i1c、i2c、i3c分別代表流過(guò)繞組1、繞組2、繞組3的共模電流，其中，i1c＝i2c＝i3c＝(i1+i2+i3)/3；i1d、i2d、i3d分別代表流過(guò)繞組1、繞組2、繞組3的差模電流，其中，i1d＝i1-(i1+i2+i3)/3，i2d＝i2-(i1+i2+i3)/3，i3d＝i3-(i1+i2+i3)/3。

下面以繞組1為例，對(duì)抑制共模電流與差模電流的原理進(jìn)行說(shuō)明。

當(dāng)繞組1上流過(guò)差模電流時(shí)，此時(shí)，繞組1上產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為v1，且v1＝l1*(di1d/dt)-m*(di2d/dt)-m*(di3d/dt)＝l*(di1d/dt+mdi2d/dt+mdi3d/dt)＝(l-m)*di1d。因此，可以看出，繞組1對(duì)在其上產(chǎn)生的差模電流的感抗為l-m，即，繞組1對(duì)在其上產(chǎn)生的差模電流有抑制作用。即，通過(guò)該第一磁芯110與該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組之間形成的共模電感對(duì)流經(jīng)該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組的共模電流產(chǎn)生感抗，抑制該共模電流。

同理，繞組2和繞組3對(duì)差模電流的抑制原理與繞組1相同，為了簡(jiǎn)潔，此處不再贅述。

當(dāng)繞組1上流過(guò)共模電流時(shí)，此時(shí)，繞組1上產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為v1，且v1＝l1*(di1c/dt)+m*(di2c/dt)+m*(di3c/dt)＝(l+2m)*di1c。因此，可以看出，繞組1對(duì)在其上產(chǎn)生的共模電流的感抗為l+2m，即，繞組1對(duì)在其上產(chǎn)生的共模電流有抑制作用。即，通過(guò)該第二磁芯130和該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組之間形成的差模電感對(duì)流經(jīng)該至少兩個(gè)繞組120中的每一個(gè)繞組的差模電流產(chǎn)生感抗，抑制該差模電流。

同理，繞組2和繞組3對(duì)差模電流的抑制原理與繞組1相同，為了簡(jiǎn)潔，此處不再贅述。

應(yīng)理解，上述僅以圖4中所示的電感結(jié)構(gòu)為例，對(duì)差模電流與共模電流的抑制原理進(jìn)行了說(shuō)明。其中，圖2至圖3中所示的電感結(jié)構(gòu)對(duì)差模電流與共模電流的抑制原理與圖4中所示的電感結(jié)構(gòu)的抑制原理相同，為了簡(jiǎn)潔，此處不再贅述。

因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募呻姼?，通過(guò)使第一磁芯110與第二磁芯130共用一副繞組120，即只在第一磁芯110上繞制至少兩個(gè)繞組120，第一磁芯110與該至少兩個(gè)繞組120構(gòu)成共模電感，第二磁芯130與繞制在第一磁芯110上的至少兩個(gè)繞組120之間構(gòu)成差模電感。從而在保證抑制差模電流與共模電流的前提下，降低繞組的銅損，從而降低繞組的銅損對(duì)變換器系統(tǒng)效率產(chǎn)生的影響，提升變換器的系統(tǒng)效率。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開(kāi)的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計(jì)算機(jī)軟件和電子硬件的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來(lái)執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來(lái)使用不同方法來(lái)實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本申請(qǐng)的范圍。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)、裝置和單元的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：u盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(read-onlymemory，rom)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory，ram)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式，但本申請(qǐng)的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本申請(qǐng)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。