技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雙面發(fā)光LED芯片，包括：具有第一和第二表面的透明襯底，兩個表面經(jīng)過拋光或圖形化處理；第一和第二表面外延生長第一和第二芯片外延結(jié)構(gòu)層，第一芯片外延結(jié)構(gòu)層包括第一P型半導(dǎo)體層和第一N型半導(dǎo)體層，第二芯片外延結(jié)構(gòu)層包括第二P型半導(dǎo)體層和第二N型半導(dǎo)體層；第一芯片外延結(jié)構(gòu)層上設(shè)置有P型電流擴散層，P型電流擴散層上設(shè)置有一小面積第一P型電極，第一N型半導(dǎo)體層上設(shè)置有一第一N型電極；第二芯片外延結(jié)構(gòu)層的第二P型半導(dǎo)體層上設(shè)置有一大面積第二P型電極，第二N型半導(dǎo)體層上設(shè)置有一第二N型電極。通過對透明襯底片的上下表面進行發(fā)光外延結(jié)構(gòu)制備，可以雙面發(fā)光，提高了出光效率，改變封裝模式提高散熱。

技術(shù)研發(fā)人員：王峰
受保護的技術(shù)使用者：蘇州瑞而美光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.11
技術(shù)公布日：2017.09.15