本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)尺寸和清晰度的增加，具有較大電子遷移率的tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)結(jié)構(gòu)已嶄露頭角并表現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景。當(dāng)前，業(yè)界普遍采用igzo(indiumgalliumzincoxide,銦鎵鋅氧化物)來(lái)制備tft的有源層，并且該有源層位于源極圖案和漏極圖案的部分形成tft的溝道，由于igzo是一種電學(xué)性能極其敏感的材料，因此在lcd的制造過(guò)程中溝道容易受到損傷，例如在刻蝕形成tft的源極圖案和漏極圖案的過(guò)程中，刻蝕液極易損傷溝道，從而影響溝道的電學(xué)性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板，能夠避免損傷溝道，確保溝道的電學(xué)性能。

本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的制造方法，包括：

在基板上依次形成柵極圖案和絕緣層；

在絕緣層上依次形成有源層、非晶硅層、金屬層及光阻層；

采用half-tone光罩對(duì)光阻層曝光顯影，形成第一光阻區(qū)域和位于第一光阻區(qū)域兩側(cè)的第二光阻區(qū)域，所述第一光阻區(qū)域的厚度小于所述第二光阻區(qū)域的厚度；

刻蝕去除未被第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域遮蓋的有源層、非晶硅層及金屬層；

對(duì)第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域進(jìn)行灰化處理，以去除第一光阻區(qū)域，并保留部分第二光阻區(qū)域；

刻蝕去除未被所述部分第二光阻區(qū)域覆蓋的金屬層，形成源極圖案和漏極圖案；

去除所述部分第二光阻區(qū)域；

在絕緣層上形成覆蓋源極圖案和漏極圖案的平坦層，所述平坦層開設(shè)有暴露漏極圖案表面的接觸孔；

在平坦層上形成電極圖案，使得所述電極圖案可通過(guò)接觸孔與漏極圖案電連接。

本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板，包括：

基板；

依次形成于基板上的柵極圖案和絕緣層；

依次形成于絕緣層上的有源層、非晶硅層、源極圖案和漏極圖案；

形成于絕緣層上且覆蓋源極圖案和漏極圖案的平坦層，所述平坦層開設(shè)有暴露漏極圖案表面的接觸孔；

形成于平坦層上的電極圖案，所述電極圖案可通過(guò)接觸孔與漏極圖案電連接。

本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板包括上述陣列基板。

有益效果：本發(fā)明設(shè)計(jì)在tft的有源層上形成一非晶硅層，相當(dāng)于在溝道上形成了一保護(hù)層，在刻蝕形成源極圖案和漏極圖案的過(guò)程中，該非晶硅層能夠阻擋刻蝕液與有源層接觸，從而能夠避免刻蝕液損傷溝道，以此確保溝道的電學(xué)性能。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖2是基于圖1所示方法制造陣列基板的場(chǎng)景示意圖；

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖4是基于圖3所示方法制造陣列基板的場(chǎng)景示意圖；

圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖6是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)剖視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的主要目的是在tft的有源層上形成一非晶硅層，在刻蝕形成源極圖案和漏極圖案的過(guò)程中，該非晶硅層能夠阻擋刻蝕液與有源層接觸，以此避免刻蝕液損傷溝道，確保溝道的電學(xué)性能。

下面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明所提供的示例性的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個(gè)實(shí)施例及實(shí)施例中的技術(shù)特征可以相互組合。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例的制造方法可以包括步驟s11～s19。

s11：在基板上依次形成柵極圖案和絕緣層。

如圖2所示，基板21可以為玻璃基材、透明塑料基材、可撓式基材等透光基材。當(dāng)然，本實(shí)施例的基板21也可以設(shè)置有鈍化保護(hù)層，例如基板21可以包括襯底基材和形成于襯底基材上的鈍化保護(hù)層，襯底基材可以為玻璃基材、透明塑料基材、可撓式基材等透光基材，鈍化保護(hù)層的材料包括但不限于硅氮化合物，例如si3n4(四氮化三硅，簡(jiǎn)稱氮化硅)，以保護(hù)基板21表面的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

本實(shí)施例可以通過(guò)光罩制程在基板21上形成具有預(yù)定圖案的柵極圖案221。具體而言，首先可以采用pvd(physicalvapordeposition,物理氣相沉積)方法在基板21上形成一整面金屬層，然后在該金屬層上涂布一整面光阻層，再采用光罩對(duì)光阻層依次進(jìn)行曝光處理和顯影處理，完全曝光部分的光阻可以被顯影液去除，未曝光部分的光阻未被顯影液去除，接著刻蝕去除未被光阻層遮蓋的金屬層，并去除光阻層，最終保留的金屬層即可形成為tft的柵極圖案221。

本實(shí)施例可以采用cvd(chemicalvapordeposition,化學(xué)氣相沉積)方法在柵極圖案221上形成一絕緣層(gateinsulationlayer,gi,又稱柵極絕緣層)23，該絕緣層23為覆蓋柵極圖案221的一整面結(jié)構(gòu)。其中，所述絕緣層23的材質(zhì)可以為硅氧化物(siox)。當(dāng)然，柵極絕緣層23也可以包括依次形成于柵極圖案221上的硅氧化合物層和硅氮化合物，例如sio2(二氧化硅)和si3n4(三氮化硅)，從而能夠進(jìn)一步提高柵極絕緣層23的耐磨損能力和絕緣性能。

s12：在絕緣層上依次形成有源層、非晶硅層、金屬層及光阻層。

繼續(xù)參閱圖2，有源層24的材質(zhì)可以為igzo，本步驟形成的有源層24、非晶硅(a-si)層25、金屬層26以及光阻層27均為一整面結(jié)構(gòu)，形成這些結(jié)構(gòu)的成膜方式，本實(shí)施例并不予以限制。

s13：采用half-tone光罩對(duì)光阻層曝光顯影，形成第一光阻區(qū)域和位于第一光阻區(qū)域兩側(cè)的第二光阻區(qū)域，所述第一光阻區(qū)域的厚度小于所述第二光阻區(qū)域的厚度。

結(jié)合圖2所示，采用half-tone光罩對(duì)光阻層27進(jìn)行曝光和顯影處理，未曝光部分的光阻無(wú)法被顯影液去除，半曝光部分的光阻可以被顯影液部分去除，完全曝光部分的光阻可以被顯影液去除。基于此，經(jīng)過(guò)顯影處理后，剩余的光阻層27包括第一光阻區(qū)域271和位于第一光阻區(qū)域271兩側(cè)的第二光阻區(qū)域272，第一光阻區(qū)域271的厚度最小，位于第一光阻區(qū)域271兩側(cè)的第二光阻區(qū)域272的厚度可以相同。

s14：刻蝕去除未被第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域遮蓋的有源層、非晶硅層及金屬層。

本實(shí)施例可以對(duì)金屬層26采用濕法刻蝕，即，通過(guò)刻蝕液淹沒(méi)第一光阻區(qū)域271和第二光阻區(qū)域272，未被第一光阻區(qū)域271和第二光阻區(qū)域272遮蓋的金屬層26會(huì)與刻蝕液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而溶解于刻蝕液中，被第一光阻區(qū)域271和第二光阻區(qū)域272遮蓋的金屬層26由于光阻的阻擋而不會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而得以保留。進(jìn)一步地，本實(shí)施例可以對(duì)非晶硅層25采用干法刻蝕，以及對(duì)有源層24采用濕法刻蝕。

s15：對(duì)第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域進(jìn)行灰化處理，以去除第一光阻區(qū)域，并保留部分第二光阻區(qū)域。

對(duì)第一光阻區(qū)域271和第二光阻區(qū)域272進(jìn)行灰化處理，以去除第一光阻區(qū)域271。相比較于曝光顯影后的光阻層27，經(jīng)過(guò)灰化處理后，第二光阻區(qū)域272的厚度變小，但被保留。

s16：刻蝕去除未被部分第二光阻區(qū)域覆蓋的金屬層，形成源極圖案和漏極圖案。

本實(shí)施例可以對(duì)金屬層26繼續(xù)采用濕法刻蝕，被第二光阻區(qū)域272覆蓋的金屬層26由于光阻的遮擋而未與刻蝕液發(fā)生反應(yīng)，從而得以保留，并形成間隔的源極圖案222和漏極圖案223。至此，位于源極圖案222、漏極圖案223以及有源層24之間的部分即可視為tft的溝道，位于兩個(gè)第二光阻區(qū)域272之間的有源層24的上表面為溝道層。

s17：去除所述部分第二光阻區(qū)域。

s18：在絕緣層上形成覆蓋源極圖案和漏極圖案的平坦層，所述平坦層開設(shè)有暴露漏極圖案表面的接觸孔。

本實(shí)施例可以通過(guò)光罩制程形成覆蓋源極圖案222和漏極圖案223的平坦層28。具體而言，首先可以采用cvd方法形成一整面硅氧化合物層，然后在該硅氧化合物層上涂布一整面光阻層，再采用光罩對(duì)光阻層依次進(jìn)行曝光處理和顯影處理，完全曝光部分的光阻可以被顯影液去除，未曝光部分的光阻未被顯影液去除，接著刻蝕去除未被光阻層遮蓋的硅氧化合物層，以形成暴露漏極圖案223表面的接觸孔281，而后去除光阻層，最終保留的硅氧化合物層即為平坦層28。

s19：在平坦層上形成電極圖案，使得所述電極圖案可通過(guò)接觸孔與漏極圖案電連接。

本實(shí)施例可以通過(guò)光罩制程形成具有預(yù)定圖案的電極圖案29，本次光罩制程的原理及過(guò)程可參閱現(xiàn)有技術(shù)。該電極圖案29為形成陣列基板的像素電極，其材料可以為ito(indiumtinoxide,氧化銦錫)。

基于上述，本實(shí)施例設(shè)計(jì)在有源層24上形成一非晶硅層25，相當(dāng)于在tft的溝道上形成了一保護(hù)層，在刻蝕形成源極圖案222和漏極圖案223的過(guò)程中，該非晶硅層25能夠阻擋刻蝕液與有源層24接觸，從而能夠避免刻蝕液損傷溝道，以此確保溝道的電學(xué)性能。

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖，圖4為基于圖3所示方法制造陣列基板的場(chǎng)景示意圖。為便于描述，對(duì)于相同結(jié)構(gòu)元件，本實(shí)施例采用與圖2所示相同的標(biāo)號(hào)進(jìn)行標(biāo)識(shí)。如圖3所示，本實(shí)施例的制造方法可以包括步驟s31～s39。

s31：在基板上依次形成柵極圖案和絕緣層。

s32：在絕緣層上依次形成有源層、非晶硅層、重?fù)诫s硅層、金屬層及光阻層。

s33：采用half-tone光罩對(duì)光阻層曝光顯影，形成第一光阻區(qū)域和位于第一光阻區(qū)域兩側(cè)的第二光阻區(qū)域，所述第一光阻區(qū)域的厚度小于所述第二光阻區(qū)域的厚度。

s34：刻蝕去除未被第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域遮蓋的有源層、非晶硅層、重?fù)诫s硅層及金屬層。

s35：對(duì)第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域進(jìn)行灰化處理，以去除第一光阻區(qū)域，并保留部分第二光阻區(qū)域。

s36：刻蝕去除未被所述部分第二光阻區(qū)域覆蓋的重?fù)诫s硅層及金屬層，形成源極圖案和漏極圖案。

s37：去除所述部分第二光阻區(qū)域。

s38：在絕緣層上形成覆蓋源極圖案和漏極圖案的平坦層，所述平坦層開設(shè)有暴露漏極圖案表面的接觸孔。

s39：在平坦層上形成電極圖案，使得所述電極圖案可通過(guò)接觸孔與漏極圖案電連接。

與圖1和圖2所示實(shí)施例的區(qū)別在于，本實(shí)施例的步驟s32在非晶硅層25和金屬層26之間還形成重?fù)诫s硅層30，該重?fù)诫s硅層30中可以摻雜有n+型雜質(zhì)離子，例如重?fù)诫s硅層30包括n+si。并且，在步驟s34的刻蝕制程中，對(duì)未被第一光阻區(qū)域271和第二光阻區(qū)域272遮蓋的重?fù)诫s硅層30進(jìn)行刻蝕去除。另外，在步驟s36的刻蝕制程中，將未被第二光阻區(qū)域272覆蓋的重?fù)诫s硅層30進(jìn)行刻蝕去除。在本實(shí)施例所制得的陣列基板中，非晶硅層25和漏極圖案223之間，以及非晶硅層25和源極圖案222之間設(shè)置有重?fù)诫s硅層30，重?fù)诫s硅層30能夠改善非晶硅層25與源極圖案222以及漏極圖案223的電性接觸，確保tft的電學(xué)性能。

圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖。為便于描述，對(duì)于相同結(jié)構(gòu)元件，本實(shí)施例采用與圖4所示相同的標(biāo)號(hào)進(jìn)行表述。如圖5所示，本實(shí)施例的制造方法可以包括步驟s51～s61。

s51：在基板上依次形成柵極圖案和絕緣層。

s52：在絕緣層上依次形成有源層、非晶硅層及重?fù)诫s硅層。

s53：對(duì)重?fù)诫s硅層進(jìn)行退火處理，使得重?fù)诫s硅層中的硅原子進(jìn)入有源層，對(duì)有源層進(jìn)行摻雜。

s54：在經(jīng)過(guò)退火處理的重?fù)诫s硅層上依次形成金屬層及光阻層。

s55：采用half-tone光罩對(duì)光阻層曝光顯影，形成第一光阻區(qū)域和位于第一光阻區(qū)域兩側(cè)的第二光阻區(qū)域，所述第一光阻區(qū)域的厚度小于所述第二光阻區(qū)域的厚度。

s56：刻蝕去除未被第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域遮蓋的有源層、非晶硅層、重?fù)诫s硅層及金屬層。

s57：對(duì)第一光阻區(qū)域和第二光阻區(qū)域進(jìn)行灰化處理，以去除第一光阻區(qū)域，并保留部分第二光阻區(qū)域。

s58：刻蝕去除未被所述部分第二光阻區(qū)域覆蓋的重?fù)诫s硅層及金屬層，形成源極圖案和漏極圖案。

s59：去除所述部分第二光阻區(qū)域。

s60：在絕緣層上形成覆蓋源極圖案和漏極圖案的平坦層，所述平坦層開設(shè)有暴露漏極圖案表面的接觸孔。

s61：在平坦層上形成電極圖案，使得所述電極圖案可通過(guò)接觸孔與漏極圖案電連接。

在退火處理過(guò)程中，重?fù)诫s硅層30中的si原子會(huì)擴(kuò)散到有源層24中，從而形成摻雜的有源層24，例如n⁺igzo層，由于si摻雜的igzo比未摻雜的igzo有更好的耐負(fù)向偏壓和耐光照的特性，因此本實(shí)施例能夠提高tft的電學(xué)穩(wěn)定性。

通過(guò)上述方式，本發(fā)明即可制得所需要的陣列基板。

本發(fā)明還提供一實(shí)施例的液晶顯示面板，如圖6所示，該液晶顯示面板60包括陣列基板61和彩膜基板62，該陣列基板61可以為采用上述任一實(shí)施例方法所制得的陣列基板，因此該液晶顯示面板60也具有上述有益效果。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，例如各實(shí)施例之間技術(shù)特征的相互結(jié)合，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。