本發(fā)明涉及qfn封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種qfn芯片。

背景技術(shù)：

目前，電子零件的集成度越來越高，越來越多的電子零件采用集成度較高的ic(integratedcircuit集成電路)設計。通常在服務器系統(tǒng)或者個人電腦中都是主板設計，使用集成度較高的ic數(shù)量非常多。但是，由于主板上的空間有限，esd(electro-staticdischarge靜電釋放)的風險也比較高，采用pin(針腳)的封裝方式逐漸被淘汰。

現(xiàn)階段，最常用是qfn封裝(quadflatno-leadpackage方形扁平無引腳封裝)，qfn封裝的具體方式是：電路板和qfn芯片上均設有焊盤(銅箔)，兩個焊盤焊接在一起實現(xiàn)qfn封裝。但是，在生產(chǎn)過程中，由于兩焊盤焊接的表面均是一個截面積較大的平面，在焊接時，錫膏在兩焊盤上的覆蓋面積不達標，進而導致兩焊盤的接觸面積小(兩焊盤的接觸是通過錫膏來實現(xiàn)的)，造成焊接不良的情況發(fā)生，大大影響了焊接質(zhì)量和產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種qfn芯片，達到提高焊接質(zhì)量和產(chǎn)品品質(zhì)的目的。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案是：一種qfn芯片，包括芯片本體，所述芯片本體上設有焊盤，所述焊盤上設有多條橫向?qū)уa凹槽和多條縱向?qū)уa凹槽，所述橫向?qū)уa凹槽和所述縱向?qū)уa凹槽均相互交叉設置并相互連通。

作為一種改進，所有所述橫向?qū)уa凹槽和所有所述縱向?qū)уa凹槽均相互垂直設置。

作為進一步的改進，所有所述橫向?qū)уa凹槽在所述焊盤的寬度方向上陣列設置；所有所述縱向?qū)уa凹槽在所述焊盤的長度方向上陣列設置。

作為再進一步的改進，相鄰兩所述橫向?qū)уa凹槽之間的距離等于相鄰兩所述縱向?qū)уa凹槽之間的距離。

作為又進一步的改進，所述橫向?qū)уa凹槽和所述縱向?qū)уa凹槽均為歐米伽凹槽。

作為又進一步的改進，與所述橫向?qū)уa凹槽和所述縱向?qū)уa凹槽對應位置的所述焊盤上設有至少一個凹孔，所述凹孔沿所述焊盤的高度方向延伸，且所述凹孔與所述橫向?qū)уa凹槽或所述縱向?qū)уa凹槽相互連通。

作為又進一步的改進，位于所述橫向?qū)уa凹槽和所述縱向?qū)уa凹槽內(nèi)的所述焊盤上設有多條凸起，相鄰兩所述凸起之間設有間距；所述凸起的延伸方向與所述橫向?qū)уa凹槽或所述縱向?qū)уa凹槽的延伸方向一致，且所述凸起的高度小于所述橫向?qū)уa凹槽或所述縱向?qū)уa凹槽的深度。

由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明實施例所提供的一種qfn芯片的有益效果如下：

由于焊盤上設有多條橫向?qū)уa凹槽和多條縱向?qū)уa凹槽，橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽交叉設置，從而在將qfn芯片焊接至電路板上時，首先在電路板上的焊盤上刷錫膏，之后將該芯片本體移動至電路板上，并使芯片本體上的焊盤與電路板上的焊盤上下相互對應，進而通過錫膏兩個焊盤便沾在一起了，之后進行加熱，錫膏融化，兩個焊盤便焊接在一起了；在上述過程中，由于多條橫向?qū)уa凹槽和多條縱向?qū)уa凹槽的存在，焊盤被分割成多個小塊，進而在焊接時，便于錫膏被加熱后的流動，大大提高了錫膏在兩焊盤上的覆蓋面積；同時，連通的橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽為加熱后的錫膏提供了流動路徑，有助于增大焊接面積，提高了錫膏在兩焊盤上的覆蓋率，從而大大增加了焊接強度，焊接質(zhì)量和產(chǎn)品品質(zhì)也得到了有效提高。

由于所有橫向?qū)уa凹槽和所有縱向?qū)уa凹槽均相互垂直設置，不僅加工方便，而且有助于焊接過程中錫膏的流動。

由于所有橫向?qū)уa凹槽在焊盤的寬度方向上陣列設置；所有縱向?qū)уa凹槽在焊盤的長度方向上陣列設置，從而有助于多條橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽的加工。

由于相鄰兩橫向?qū)уa凹槽之間的距離等于相鄰兩縱向?qū)уa凹槽之間的距離，從而通過該結(jié)構(gòu)將焊盤分割成多個尺寸一致的小塊，有助于提高焊接質(zhì)量。

由于橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽均為歐米伽凹槽，從而通過歐米伽凹槽提高錫膏(加熱并固化后)與焊盤的結(jié)合力。

由于與橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽對應位置的焊盤上設有至少一個凹孔，凹孔沿焊盤的高度方向延伸，且凹孔與橫向?qū)уa凹槽或縱向?qū)уa凹槽相互連通，從而通過該結(jié)構(gòu)，加熱后的錫膏通過橫向?qū)уa凹槽或縱向?qū)уa凹槽進入凹孔內(nèi)，增大了錫膏與焊盤的接觸面積，同樣有助于提高錫膏(加熱并固化后)與焊盤的結(jié)合力。

由于位于橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽內(nèi)的焊盤上設有多條凸起，相鄰兩凸起之間設有間距，凸起的延伸方向與橫向?qū)уa凹槽或縱向?qū)уa凹槽的延伸方向一致，且凸起的高度小于橫向?qū)уa凹槽或縱向?qū)уa凹槽的深度，從而通過多條凸起，在橫向?qū)уa凹槽和縱向?qū)уa凹槽內(nèi)形成波浪形結(jié)構(gòu)或階梯型結(jié)構(gòu)，進而大大增加了錫膏與焊盤的接觸面積，有助于提高錫膏(加熱并固化后)與焊盤的結(jié)合力。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3中a-a的剖視圖；

圖5是本發(fā)明實施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖5中b的放大圖；

圖中，1-芯片本體；101-焊盤；102-橫向?qū)уa凹槽；103-縱向?qū)уa凹槽；104-凹孔；105-凸起。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實施例一：

如圖1所示，一種qfn芯片，包括芯片本體1，該芯片本體1上設有焊盤101，該焊盤101上設有多條橫向?qū)уa凹槽102和多條縱向?qū)уa凹槽103，該橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103均相互交叉設置并相互連通。

作為優(yōu)選，所有橫向?qū)уa凹槽102和所有縱向?qū)уa凹槽103均相互垂直設置；且所有橫向?qū)уa凹槽102在焊盤101的寬度方向上陣列設置，所有縱向?qū)уa凹槽103在焊盤101的長度方向上陣列設置。

相鄰兩橫向?qū)уa凹槽102之間的距離等于相鄰兩縱向?qū)уa凹槽103之間的距離，該橫向?qū)уa凹槽102的寬度和縱向?qū)уa凹槽103的寬度相同。

實施例二：

本實施例與實施例一的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于：該橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103均為歐米伽凹槽(參見圖2)。

實施例三：

本實施例與實施例一的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于：與橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103對應位置的焊盤101上設有至少一個凹孔104，該凹孔104沿焊盤101的高度方向延伸，且凹孔104與橫向?qū)уa凹槽102或縱向?qū)уa凹槽103相互連通(參見圖3和圖4)。在本方案中，每個位于橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103內(nèi)的凹孔104均對應一小塊焊盤(小塊焊盤是通過橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103將焊盤101分割而成的)。

實施例四：

本實施例與實施例一的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于：位于橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103內(nèi)的焊盤101上設有多條凸起105，該凸起105的截面形狀為梯形，當然也可以為其他形狀，如：弧形等；相鄰兩梯形的凸起105之間設有間距，該間距為相鄰兩梯形凸起105之間形成的凹槽；該凸起105的延伸方向與橫向?qū)уa凹槽102或縱向?qū)уa凹槽103的延伸方向一致，且凸起105的高度小于橫向?qū)уa凹槽102或縱向?qū)уa凹槽103的深度(參見圖5和圖6)。作為優(yōu)選，在橫向?qū)уa凹槽102和縱向?qū)уa凹槽103的連通處不設置凸起105，以便加熱后的錫膏進行流動。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。