技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及顯示裝置，通過(guò)設(shè)計(jì)使半導(dǎo)體層、公共電極線、源漏金屬層、公共電極層和像素電極層在襯底基板上的正投影在非開(kāi)口區(qū)域具有共同的重疊區(qū)域，以使公共電極層和像素電極層之間在重疊區(qū)域處構(gòu)成第一電容，公共電極層和源漏金屬層之間在重疊區(qū)域處構(gòu)成第二電容，半導(dǎo)體層與公共電極線之間在重疊區(qū)域處構(gòu)成第三電容，進(jìn)而使得第一電容、第二電容和第三電容并聯(lián)后構(gòu)成存儲(chǔ)電容的一部份。在現(xiàn)有的開(kāi)口區(qū)域內(nèi)公共電極層和像素電極層形成已有的存儲(chǔ)電容的基礎(chǔ)上，通過(guò)在非開(kāi)口區(qū)域增加并聯(lián)的第一電容、第二電容和第三電容的方式，增大了陣列基板的存儲(chǔ)電容，可以提高陣列基板的像素電壓保持率，降低顯示裝置閃爍不良的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：貝亮亮;朱繹樺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.19
技術(shù)公布日：2017.11.03