本實(shí)用新型涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及縱包四通道小型封裝接口線。

背景技術(shù)：

QSFP(Quad Small Form-factor Pluggable)：四通道SFP接口(QSFP)，QSFP是為了滿足市場(chǎng)對(duì)更高密度的高速可插拔解決方案的需求而誕生的。這種4通道的可插拔接口傳輸速率達(dá)到了40Gbps。

目前的縱包四通道小型封裝接口線的絕緣材料采用PE，其強(qiáng)度不足，線對(duì)鋁箔繞包屏蔽效果不好，導(dǎo)致其衰減、回波損耗、差分轉(zhuǎn)共模型號(hào)不良，亟待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理、使用方便的縱包四通道小型封裝接口線，采用改性PE，大大提高絕緣強(qiáng)度，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：它由數(shù)個(gè)中心線對(duì)和數(shù)個(gè)平行線對(duì)構(gòu)成，數(shù)個(gè)中心線對(duì)組成的整體外部設(shè)有填充層，填充層的外圍設(shè)有數(shù)個(gè)平行線對(duì)，平行線對(duì)與中心線對(duì)組成的整體外部包設(shè)有屏蔽層，屏蔽層的外部設(shè)有外屏蔽層，外屏蔽層的外部設(shè)有外護(hù)套，所述的中心線對(duì)與平行線對(duì)均由兩個(gè)內(nèi)導(dǎo)體和地線構(gòu)成，每個(gè)內(nèi)導(dǎo)體的外部設(shè)有改性PE絕緣體，兩個(gè)改性PE絕緣體之間上部設(shè)有地線，所述的兩個(gè)改性PE絕緣體以及地線組成的一個(gè)整體的外部縱包粘合有30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層，30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層的外部包設(shè)有小外被，小外被的外部設(shè)有線號(hào)標(biāo)記層。

進(jìn)一步地，所述的內(nèi)導(dǎo)體為直徑0.28mm的鍍銀銅。

進(jìn)一步地，所述的30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層得寬度為7mm。

進(jìn)一步地，所述的改性PE絕緣體為直徑為0.85mm的鍍錫銅。

進(jìn)一步地，所述的小外被為4mm寬*25μm厚的熱融PET帶。

進(jìn)一步地，所述的填充層為發(fā)泡PP帶。

進(jìn)一步地，所述的屏蔽層為20mm*25μm厚的鋁箔。

進(jìn)一步地，所述的外屏蔽層的規(guī)格為24束*8根每束*0.12mm每根，編織節(jié)距為40mm。

進(jìn)一步地，所述的外護(hù)套為直徑7.1mm的阻燃黑灰色PVC。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型有益效果為：本實(shí)用新型所述的縱包四通道小型封裝接口線，采用改性PE，大大提高絕緣強(qiáng)度，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型中中心線對(duì)和平行線對(duì)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

內(nèi)導(dǎo)體1、線號(hào)標(biāo)記層2、30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3、改性PE絕緣體4、地線5、小外被6、平行線對(duì)7、填充層8、屏蔽層9、外屏蔽層10、外護(hù)套11。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。

參看如圖1和圖2所示，本具體實(shí)施方式采用的技術(shù)方案是：它由兩個(gè)中心線對(duì)和六個(gè)平行線對(duì)7構(gòu)成，兩個(gè)中心線對(duì)組成的整體外部設(shè)有填充層8，填充層8的外圍設(shè)有六個(gè)平行線對(duì)7，平行線對(duì)7與中心線對(duì)組成的整體外部包設(shè)有屏蔽層9，屏蔽層9的外部設(shè)有外屏蔽層10，外屏蔽層10的外部設(shè)有外護(hù)套11，所述的中心線對(duì)與平行線對(duì)7均由兩個(gè)內(nèi)導(dǎo)體1和地線5構(gòu)成，每個(gè)內(nèi)導(dǎo)體1的外部設(shè)有改性PE絕緣體4，兩個(gè)改性PE絕緣體4之間上部設(shè)有地線5，所述的兩個(gè)改性PE絕緣體4以及地線5組成的一個(gè)整體的外部縱包粘合有30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3，30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3的外部包設(shè)有小外被6，小外被6的外部設(shè)有線號(hào)標(biāo)記層2。

進(jìn)一步地，所述的內(nèi)導(dǎo)體1為直徑0.28mm的鍍銀銅。

進(jìn)一步地，所述的30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3得寬度為7mm。

進(jìn)一步地，所述的改性PE絕緣體4為直徑為0.85mm的鍍錫銅。

進(jìn)一步地，所述的小外被為4mm寬*25μm厚的熱融PET帶。

進(jìn)一步地，所述的填充層8為發(fā)泡PP帶。

進(jìn)一步地，所述的屏蔽層為20mm*25μm厚的鋁箔。

進(jìn)一步地，所述的外屏蔽層的規(guī)格為24束*8根每束*0.12mm每根，編織節(jié)距為40mm。

進(jìn)一步地，所述的外護(hù)套為直徑7.1mm的阻燃黑灰色PVC。

本具體實(shí)施方式的工作原理：四通道小型可插拔模塊具有四個(gè)獨(dú)立的全雙工收發(fā)通道它利用高密度的模塊替代單通道的SFP+,QSFP+只比標(biāo)準(zhǔn)的單通道SFP+模塊大30％，而每通道的傳輸速率完全媲美單通道的SFP+,這意味著在相同面板上可以配置更多的端口數(shù)量，采用了改性PE，絕緣強(qiáng)度提高了30％，線對(duì)屏蔽采用專門開發(fā)的30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿足技術(shù)要求。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本具體實(shí)施方式有益效果為：本具體實(shí)施方式所述的縱包四通道小型封裝接口線，采用改性PE，大大提高絕緣強(qiáng)度，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

以上所述，僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案所做的其它修改或者等同替換，只要不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。